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文檔簡介

1、泓域咨詢/半導(dǎo)體材料項(xiàng)目招商引資報(bào)告半導(dǎo)體材料項(xiàng)目招商引資報(bào)告xx集團(tuán)有限公司目錄第一章 市場分析8一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢、面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)8二、 磷化銦襯底行業(yè)概況10三、 砷化鎵襯底行業(yè)概況15第二章 項(xiàng)目緒論24一、 項(xiàng)目名稱及項(xiàng)目單位24二、 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)24三、 可行性研究范圍24四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則25五、 建設(shè)背景、規(guī)模26六、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度27七、 環(huán)境影響27八、 建設(shè)投資估算27九、 項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)28主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表28十、 主要結(jié)論及建議30第三章 項(xiàng)目背景、必要性31一、 半導(dǎo)體材料行業(yè)概況31二、 半導(dǎo)體行業(yè)概況32三、 鍺襯底行業(yè)概況33四、 培育壯大“五

2、大產(chǎn)業(yè)集群”35五、 不斷夯實(shí)園區(qū)載體平臺(tái)37第四章 產(chǎn)品規(guī)劃與建設(shè)內(nèi)容40一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容40二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)40產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表40第五章 建筑技術(shù)方案說明42一、 項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)總體要求42二、 建設(shè)方案42三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)44建筑工程投資一覽表44第六章 運(yùn)營模式46一、 公司經(jīng)營宗旨46二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)46三、 各部門職責(zé)及權(quán)限47四、 財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)制度50第七章 法人治理結(jié)構(gòu)54一、 股東權(quán)利及義務(wù)54二、 董事56三、 高級(jí)管理人員61四、 監(jiān)事63第八章 SWOT分析說明67一、 優(yōu)勢分析(S)67二、 劣勢分析(W)69三、 機(jī)會(huì)分析(O)

3、69四、 威脅分析(T)70第九章 人力資源配置分析74一、 人力資源配置74勞動(dòng)定員一覽表74二、 員工技能培訓(xùn)74第十章 節(jié)能可行性分析76一、 項(xiàng)目節(jié)能概述76二、 能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析77能耗分析一覽表78三、 項(xiàng)目節(jié)能措施78四、 節(jié)能綜合評(píng)價(jià)79第十一章 環(huán)境保護(hù)方案81一、 編制依據(jù)81二、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析82三、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析85四、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析85五、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析86六、 環(huán)境管理分析87七、 結(jié)論90八、 建議90第十二章 技術(shù)方案分析92一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析92二、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析94三、 質(zhì)量管理96四、 設(shè)備選型方案9

4、7主要設(shè)備購置一覽表97第十三章 投資方案分析99一、 投資估算的依據(jù)和說明99二、 建設(shè)投資估算100建設(shè)投資估算表104三、 建設(shè)期利息104建設(shè)期利息估算表104固定資產(chǎn)投資估算表106四、 流動(dòng)資金106流動(dòng)資金估算表107五、 項(xiàng)目總投資108總投資及構(gòu)成一覽表108六、 資金籌措與投資計(jì)劃109項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表109第十四章 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益分析111一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取111二、 經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測算111營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表111綜合總成本費(fèi)用估算表113利潤及利潤分配表115三、 項(xiàng)目盈利能力分析115項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表117四、 財(cái)務(wù)生存能力分析1

5、18五、 償債能力分析119借款還本付息計(jì)劃表120六、 經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)結(jié)論120第十五章 招標(biāo)、投標(biāo)122一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)122二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍122三、 招標(biāo)要求122四、 招標(biāo)組織方式123五、 招標(biāo)信息發(fā)布124第十六章 項(xiàng)目綜合評(píng)價(jià)125第十七章 補(bǔ)充表格127主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表127建設(shè)投資估算表128建設(shè)期利息估算表129固定資產(chǎn)投資估算表130流動(dòng)資金估算表131總投資及構(gòu)成一覽表132項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表133營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表134綜合總成本費(fèi)用估算表134固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表135無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表136利潤及利潤分配表137項(xiàng)目投資現(xiàn)金流

6、量表138借款還本付息計(jì)劃表139建筑工程投資一覽表140項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃一覽表141主要設(shè)備購置一覽表142能耗分析一覽表142第一章 市場分析一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢、面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)1、面臨的機(jī)遇(1)全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來重要機(jī)遇全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈歷史上曾經(jīng)歷過兩次地域上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,第一次為20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移,第二次是20世紀(jì)80年代從日本向韓國和中國臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于向中國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移的進(jìn)程之中。目前,半導(dǎo)體材料仍是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移的背景下,中國大陸作為全球最大的半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場,將有望吸引更多國內(nèi)外

7、半導(dǎo)體企業(yè)在中國大陸建廠,將進(jìn)一步提升國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展水平,預(yù)計(jì)未來中國大陸化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈配套環(huán)境將顯著改善,市場份額占比也將持續(xù)擴(kuò)大。(2)新應(yīng)用產(chǎn)生的新需求帶來的新機(jī)遇III-V族化合物半導(dǎo)體襯底材料具有優(yōu)異的性能,但長期受限于下游應(yīng)用領(lǐng)域市場規(guī)模較小并且自身成本較高,因此其市場規(guī)模遠(yuǎn)低于硅襯底材料。然而,近年來,III-V族化合物半導(dǎo)體出現(xiàn)了多個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域,為襯底企業(yè)帶來了增量市場,例如MiniLED、MicroLED、可穿戴設(shè)備傳感器、車載激光雷達(dá)、生物識(shí)別激光器等。該等需求均處于產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程之中,由于III-V族化合物襯底市場規(guī)?;鶖?shù)很低,上述每一個(gè)市場的放量均

8、會(huì)對(duì)整個(gè)III-V族半導(dǎo)體襯底市場帶來顯著的拉動(dòng)作用。此外,在III-V族化合物半導(dǎo)體的固有應(yīng)用領(lǐng)域:基站及數(shù)據(jù)中心的光模塊、智能手機(jī)及基站射頻器件等市場,5G通信、大數(shù)據(jù)及云計(jì)算的快速發(fā)展也帶來了5G基站建設(shè)、數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G智能手機(jī)更新?lián)Q代的機(jī)遇,體現(xiàn)在III-V族半導(dǎo)體襯底市場均是很大的增長點(diǎn)。2、面臨的挑戰(zhàn)(1)半導(dǎo)體行業(yè)投資過熱可能產(chǎn)生供需錯(cuò)配以及人才流失在我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的過程中,隨著大量資本涌入,出現(xiàn)了一定程度的投資過熱,部分企業(yè)的規(guī)模與其技術(shù)水平并不匹配,預(yù)計(jì)未來低端產(chǎn)品領(lǐng)域可能面臨惡性競爭,同時(shí)行業(yè)人才也可能會(huì)因競爭對(duì)手高薪聘請而流失。(2)國家對(duì)于環(huán)保、安全生

9、產(chǎn)的要求不斷提高2015年,砷化鎵被國家安監(jiān)局列入了危險(xiǎn)化學(xué)品清單,行業(yè)監(jiān)管政策地不斷趨嚴(yán)要求砷化鎵襯底企業(yè)不斷加強(qiáng)對(duì)原材料、半成品及產(chǎn)成品運(yùn)輸、使用、生產(chǎn)等環(huán)節(jié)的管理,行業(yè)安全生產(chǎn)投入將不斷提高,以確保生產(chǎn)經(jīng)營的合法、合規(guī)性。III-V族化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的生產(chǎn)工藝涉及化學(xué)合成工藝、高溫高壓合成工藝、物理切割拋光清洗工藝、提純工藝等,會(huì)產(chǎn)生一定的“三廢”排放。隨著國家對(duì)于環(huán)境治理標(biāo)準(zhǔn)的不斷提高,以及客戶對(duì)供應(yīng)商產(chǎn)品品質(zhì)的提高,III-V族化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的環(huán)保治理成本也將不斷增長。二、 磷化銦襯底行業(yè)概況1、磷化銦簡介磷化銦是磷和銦的化合物,磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦

10、襯底制造的半導(dǎo)體器件,具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性,因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。20世紀(jì)90年代以來,磷化銦技術(shù)得以迅速發(fā)展,并逐漸成為主流半導(dǎo)體材料之一。由于下游市場需求有限以及成本較高,磷化銦襯底市場規(guī)模相對(duì)較小。未來,在數(shù)據(jù)中心、5G通信、可穿戴設(shè)備等新興市場需求的帶動(dòng)下,磷化銦襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大,成本也將隨著規(guī)模效應(yīng)而降低,進(jìn)一步促進(jìn)下游應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。2、磷化銦行業(yè)發(fā)展情況磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈上游為晶體生長、襯底和外延片的生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)。從襯底生產(chǎn)的原材料和設(shè)備來看,其

11、中原材料包括金屬銦、紅磷、坩堝等;生產(chǎn)設(shè)備涉及晶體生長爐、研磨機(jī)、拋光機(jī)、切割機(jī)、檢測與測試設(shè)備等。產(chǎn)業(yè)鏈中游包括集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用主要涉及光通信、無人駕駛、人工智能、可穿戴設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈上游企業(yè)包括襯底廠商及外延廠商,如北京通美、日本JX、Sumitomo及其他國內(nèi)襯底廠商以及IQE、臺(tái)灣聯(lián)亞光電、臺(tái)灣全新光電、II-VI、臺(tái)灣英特磊等外延廠商,器件領(lǐng)域包括Finisar、Lumentum、AOI、Mitsubishi等企業(yè),下游主機(jī)廠商包括華為、中興、Nokia、Cisco等企業(yè),終端應(yīng)用包括中國移動(dòng)、中國電信、中國聯(lián)通、騰訊、阿里巴巴、Apple、

12、Google、Amazon、Meta等企業(yè)。磷化銦單晶批量生長的技術(shù)主要包括LEC法、VGF法和VB法。北京通美和Sumitomo分別使用VGF和VB技術(shù)可以生長出直徑6英寸磷化銦單晶,日本JX使用LEC技術(shù)可以生長出直徑4英寸的磷化銦單晶。從市場格局來看,磷化銦襯底材料市場頭部企業(yè)集中度很高,主要供應(yīng)商包括Sumitomo、北京通美、日本JX等。Yole數(shù)據(jù)顯示,2020年全球前三大廠商占據(jù)磷化銦襯底市場90%以上市場份額,其中Sumitomo為全球第一大廠商,占比為42%;北京通美位居第二,占比36%。受益于下游市場需求的增加,磷化銦襯底材料市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)Yole預(yù)測,2026年

13、全球磷化銦襯底(折合二英寸)預(yù)計(jì)銷量為128.19萬片,2019-2026年復(fù)合增長率為14.40%;2026年全球磷化銦襯底市場規(guī)模為2.02億美元,2019-2026年復(fù)合增長率為12.42%。3、磷化銦下游應(yīng)用情況磷化銦是III-V族半導(dǎo)體材料,其最早于20世紀(jì)60年代應(yīng)用于航天太陽能電池中,1969年,磷化銦首次被用于二極管中,20世紀(jì)80年代,磷化銦首次被用于晶體管中。20世紀(jì)90年代,磷化銦被用于電信用電吸收調(diào)制激光器中,因其具有飽和電子漂移速度高、發(fā)光損耗低的特點(diǎn),在光電芯片襯底材料中擁有特殊的優(yōu)勢,磷化銦開始在光通信市場實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用,成為光模塊半導(dǎo)體激光器和接收器的關(guān)鍵材料。

14、此外,由于磷化銦具有高頻低噪、擊穿電壓高等特點(diǎn),隨著高電壓大功率器件的應(yīng)用頻率提升,磷化銦在2010年以來開始應(yīng)用于雷達(dá)激光器件和射頻器件。(1)光模塊器件光模塊是光通信的核心器件,是通過光電轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)設(shè)備間信息傳輸?shù)慕涌谀K,主要應(yīng)用于通信基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器。5G通信是具有高速率、低時(shí)延和大連接特點(diǎn)的新一代寬帶移動(dòng)通信技術(shù)。5G基站對(duì)光模塊的使用量顯著高于4G基站,隨著5G基站建設(shè)的大規(guī)模鋪開,疊加5G基站網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的變化,將極大帶動(dòng)對(duì)光模塊需求的增長。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),2025年全球電信光模塊(包括5G通信市場)市場規(guī)模將從2019年的37億美元

15、提升至56億美元,2019-2025年復(fù)合增長率為7.15%。數(shù)據(jù)中心主要服務(wù)于云計(jì)算廠商、大型互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)、通信運(yùn)營商、金融機(jī)構(gòu)、政府機(jī)關(guān)等的數(shù)據(jù)流量需求。近年來隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及,數(shù)據(jù)流量增長迅速,帶動(dòng)云計(jì)算產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,刺激了數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求的增長,同時(shí)帶動(dòng)了對(duì)數(shù)據(jù)中心光模塊需求的增長。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)顯示,2025年全球數(shù)據(jù)中心光模塊市場規(guī)模將從2019年的40億美元提升至121億美元,2019-2025年復(fù)合增長率為20%。受益于全球范圍內(nèi)5G基站大規(guī)模建設(shè)的鋪開,以及在數(shù)據(jù)流量爆發(fā)增長的背景下,全球云計(jì)算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將帶動(dòng)全球范圍內(nèi)數(shù)據(jù)中心的大量建設(shè),全球光通信行業(yè)將迎來重要發(fā)展機(jī)

16、遇期,從而產(chǎn)生對(duì)光模塊需求的持續(xù)增長。在市場需求的帶動(dòng)及中國政府新基建等政策的影響下,全球光模塊市場將保持快速增長態(tài)勢。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)顯示,到2026年全球光模塊器件磷化銦襯底(折合兩英寸)預(yù)計(jì)銷量將超過100萬片,2019年-2026年復(fù)合增長率達(dá)13.94%,2026年全球光模塊器件磷化銦襯底預(yù)計(jì)市場規(guī)模將達(dá)到1.57億美元,2019-2026年復(fù)合增長率達(dá)13.94%。(2)傳感器件由于磷化銦具備飽和電子漂移速度高、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性,使用磷化銦襯底制造的可穿戴設(shè)備具備脈沖響應(yīng)好、信噪比好等特性。因此,磷化銦襯底可被用于制造可穿戴設(shè)備中的傳感器,用于監(jiān)測心率、

17、血氧濃度、血壓甚至血糖水平等生命體征。此外,使用磷化銦襯底制造的激光傳感器可以發(fā)出不損害視力的不可見光,可應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)眼鏡、汽車?yán)走_(dá)等產(chǎn)品中。根據(jù)Yole預(yù)測,2026年應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域的磷化銦襯底(折合二英寸)銷量將達(dá)到20.54萬片,2019-2026年年均復(fù)合增長率為35.14%,2026年應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域的磷化銦襯底市場規(guī)模將達(dá)到3,200萬美元,2019-2026年年均復(fù)合增長率為30.37%。(3)射頻器件磷化銦襯底在制造高頻高功率器件、光纖通信、無線傳輸、射電天文學(xué)等射頻器件領(lǐng)域存在應(yīng)用市場。使用磷化銦襯底制造的射頻器件(以下簡稱“磷化銦基射頻器件”)已在衛(wèi)星、雷達(dá)

18、等應(yīng)用場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。磷化銦基射頻器件在雷達(dá)和通信系統(tǒng)的射頻前端、模擬/混合信號(hào)寬帶寬電路方面具有較強(qiáng)競爭力,適合高速數(shù)據(jù)處理、高精度寬帶寬A/D轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。此外,磷化銦基射頻器件相關(guān)器件如低噪聲放大器、模塊和接收機(jī)等器件還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、毫米波雷達(dá)、有源和無源毫米波成像等設(shè)備中。在100GHz以上的帶寬水平,使用磷化銦基射頻器件在回程網(wǎng)絡(luò)和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信網(wǎng)絡(luò)的無線傳輸方面具有明顯優(yōu)勢,未來在6G通信甚至7G通信無線傳輸網(wǎng)絡(luò)中,磷化銦襯底將有望成為射頻器件的主流襯底材料。根據(jù)Yole預(yù)測,2019-2023年應(yīng)用于射頻器件的磷化銦襯底市場規(guī)模較為穩(wěn)定,保持在1,500萬美元的水平,到

19、2023年應(yīng)用于射頻器件的磷化銦襯底(折合二英寸)銷量將達(dá)到8.28萬片。三、 砷化鎵襯底行業(yè)概況1、砷化鎵簡介砷化鎵是砷與鎵的化合物,砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件,具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性,因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀(jì)90年代以來,砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展,并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。但長期以來,由于下游應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展滯后,市場需求有限,砷化鎵襯底市場規(guī)模相對(duì)較小。2019年后,在5G通信、新一代顯示(MiniLED、MicroLED)、無人駕駛、人工智能、可穿戴

20、設(shè)備等新興市場需求的帶動(dòng)下,未來砷化鎵襯底市場規(guī)模將逐步擴(kuò)大。2、砷化鎵襯底行業(yè)發(fā)展情況砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上游為砷化鎵晶體生長、襯底和外延片生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)。襯底是外延層半導(dǎo)體材料生長的基礎(chǔ),在芯片中起到承載和固定的關(guān)鍵作用。生產(chǎn)砷化鎵襯底的原材料包括金屬鎵、砷等,由于自然界不存在天然的砷化鎵單晶,需要通過人工合成制備;砷化鎵襯底生產(chǎn)設(shè)備主要涉及晶體生長爐、研磨機(jī)、拋光機(jī)、切割機(jī)、檢測與測試設(shè)備等。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用主要涉及5G通信、新一代顯示(MiniLED、MicroLED)、無人駕駛、人工智能、可穿戴設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。全球砷化鎵襯底市場集中度較高,根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),2019年全球砷化鎵襯底市場主要

21、生產(chǎn)商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美,其中Freiberger占比28%、Sumitomo占比21%、北京通美占比13%。目前砷化鎵晶體主流生長工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等,其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主,F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主,而北京通美則以VGF法為主。目前國內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少,除北京通美外,廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。得益于下游應(yīng)用市場需求持續(xù)旺盛,砷化鎵襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)Yole測算,2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000

22、萬片,預(yù)計(jì)到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3,500萬片;2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元,預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達(dá)到3.48億美元,2019-2025年復(fù)合增長率9.67%。3、砷化鎵襯底下游應(yīng)用情況砷化鎵是當(dāng)前主流的化合物半導(dǎo)體材料之一,其應(yīng)用可以分為三個(gè)階段。第一階段自20世紀(jì)60年代起,砷化鎵襯底開始應(yīng)用于LED及太陽能電池,并在隨后30年里主要應(yīng)用于航天領(lǐng)域。第二階段自20世紀(jì)90年代起,隨著移動(dòng)設(shè)備的普及,砷化鎵襯底開始用于生產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備的射頻器件中。第三階段自2010年起,隨著LED以及智能手機(jī)的普及,砷化鎵襯底進(jìn)入了規(guī)?;瘧?yīng)用階段,

23、例如2017年,iPhoneX首次引入了VCSEL用于面容識(shí)別,生產(chǎn)VCSEL需要使用砷化鎵襯底,砷化鎵襯底應(yīng)用場景再次拓寬。2021年,隨著Apple、Samsung、LG、TCL等廠商加入MiniLED市場,砷化鎵襯底的市場需求將迎來爆發(fā)性增長。(1)射頻器件射頻器件是實(shí)現(xiàn)信號(hào)發(fā)送和接收的關(guān)鍵器件,射頻器件主要包括功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器等器件,其中,功率放大器是放大射頻信號(hào)的器件,其直接決定移動(dòng)終端和基站的無線通信距離和信號(hào)質(zhì)量。由于砷化鎵具有高電子遷移率和高飽和電子速率的顯著優(yōu)勢,因此砷化鎵一直是制造射頻功率放大器的主流襯底材料之一。4G時(shí)代起,4G基站建設(shè)及智能

24、手機(jī)持續(xù)普及,用于制造智能手機(jī)射頻器件的砷化鎵襯底需求量開始上升。進(jìn)入5G時(shí)代之后,5G通信對(duì)功率、頻率、傳輸速度提出了更高的要求,使用砷化鎵襯底制造的射頻器件非常適合應(yīng)用于長距離、長通信時(shí)間的高頻電路中,因此,在5G時(shí)代的射頻器件中,砷化鎵的材料優(yōu)勢更加顯著。隨著5G基站建設(shè)的大量鋪開,將對(duì)砷化鎵襯底的需求帶來新的增長動(dòng)力;與此同時(shí),單部5G手機(jī)所使用的射頻器件數(shù)量將較4G手機(jī)大幅增加,也將帶來對(duì)砷化鎵襯底需求的增長。伴隨5G通信技術(shù)的快速發(fā)展與不斷推廣,5G基站建設(shè)以及5G手機(jī)的推廣將使砷化鎵基射頻器件穩(wěn)步增長。根據(jù)Yole預(yù)測,2025年全球射頻器件砷化鎵襯底(折合二英寸)市場銷量將超過

25、965.70萬片,2019-2025年年均復(fù)合增長率為6.32%。2025年全球射頻器件砷化鎵襯底市場規(guī)模將超過9,800萬美元,2019-2025年年均復(fù)合增長率為5.03%。(2)LEDLED是由化合物半導(dǎo)體(砷化鎵、氮化鎵等)組成的固體發(fā)光器件,可將電能轉(zhuǎn)化為光能。不同材料制成的LED會(huì)發(fā)出不同波長、不同顏色的光,LED按照發(fā)光顏色可分為單色LED、全彩LED和白光LED等類型。LED根據(jù)芯片尺寸可以區(qū)分為常規(guī)LED、MiniLED、MicroLED等類型,其中常規(guī)LED主要應(yīng)用于通用照明、戶外大顯示屏等,MiniLED、MicroLED應(yīng)用于新一代顯示。隨著LED照明普及率的不斷提高,

26、常規(guī)LED芯片及器件的價(jià)格不斷走低。常規(guī)LED芯片尺寸為毫米級(jí)別,對(duì)砷化鎵襯底的技術(shù)要求相對(duì)較低,屬于砷化鎵襯底的低端需求市場,產(chǎn)品附加值較低,該等市場主要被境內(nèi)砷化鎵襯底企業(yè)占據(jù),市場競爭激烈;而新一代顯示所使用的MiniLED和MicroLED芯片尺寸為亞毫米和微米級(jí)別,對(duì)砷化鎵襯底的技術(shù)要求很高,市場主要被全球第一梯隊(duì)廠商所占據(jù)。根據(jù)Yole預(yù)測,2019年全球LED器件砷化鎵襯底市場(折合二英寸)銷量約為846.9萬片,預(yù)計(jì)到2025年全球LED器件砷化鎵襯底(折合二英寸)市場銷量將超過1,300萬片,年復(fù)合增長率為7.86%,增長較為平穩(wěn);2019年全球LED器件砷化鎵襯底市場規(guī)模約

27、為6,800萬美元,預(yù)計(jì)到2025年全球LED器件砷化鎵襯底市場規(guī)模將超過9,600萬美元,相較2019年將增加接近3,000萬美元的市場規(guī)模。目前基于LED的新一代顯示包括MiniLED和MicroLED兩種類型。MiniLED指使用次毫米發(fā)光二極管,即芯片尺寸介于50-200m之間的LED器件作為背光源或者像素發(fā)光源的顯示技術(shù),作為液晶顯示面板(LCD)背光源的MiniLED技術(shù)目前已逐步應(yīng)用于高清電視、筆記本電腦、平板等電子產(chǎn)品領(lǐng)域,可大幅提升液晶顯示面板的顯示效果,當(dāng)前MiniLED背光顯示技術(shù)的規(guī)模化商業(yè)應(yīng)用已具備產(chǎn)業(yè)條件;使用MiniLED作為像素發(fā)光源的顯示技術(shù),其在顯示亮度、色

28、域、對(duì)比度、響應(yīng)速度等方面更加出色,但由于其使用的燈珠數(shù)量遠(yuǎn)大于背光場景,因此其芯片用量遠(yuǎn)高于背光技術(shù),當(dāng)前成本較高,目前用于戶外顯示、4K/8K大尺寸高清電視及顯示屏。2021年為MiniLED大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化元年,使用砷化鎵襯底材料的MiniLED顯示屏已正式應(yīng)用于2021年版iPadPro平板中。MiniLED顯示技術(shù)大幅拓寬了LED顯示技術(shù)的應(yīng)用場景,為砷化鎵襯底帶來了很大的需求增長空間。MicroLED指使用微米發(fā)光二極管,即芯片尺寸小于50m的LED器件作為像素發(fā)光源的高密度LED陣列顯示技術(shù)。除顯示效果的進(jìn)一步提升外,MicroLED技術(shù)可解決MiniLED技術(shù)無法適用于小尺寸屏的局

29、限性,未來可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、手表、AR/VR設(shè)備、筆記本電腦、各尺寸高清電視等應(yīng)用場景。目前,由于MicroLED芯片尺寸較小,制造及封測技術(shù)難度較高,其規(guī)模商業(yè)化需要產(chǎn)業(yè)鏈整體配套水平的提高,尚需一定時(shí)間。MicroLED顯示技術(shù)一旦實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,其對(duì)砷化鎵襯底的需求將有望呈幾何級(jí)數(shù)增長。根據(jù)Yole預(yù)測,MiniLED及MicroLED器件砷化鎵襯底的需求增長迅速,2025年全球MiniLED及MicroLED器件砷化鎵襯底(折合二英寸)市場銷量將從2019年的207.90萬片增長至613.80萬片,年復(fù)合增長率為19.77%;2019年全球MiniLED及MicroLED器件砷化鎵襯

30、底市場規(guī)模約為1,700萬美元,預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達(dá)到7,000萬美元,年復(fù)合增長率為26.60%。(3)激光器激光器是使用受激輻射方式產(chǎn)生可見光或不可見光的一種器件,構(gòu)造復(fù)雜,技術(shù)壁壘較高,是由大量光學(xué)材料和元器件組成的綜合系統(tǒng)。利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點(diǎn),使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、高擊穿電壓等特點(diǎn),可用于人工智能、無人駕駛等應(yīng)用領(lǐng)域。根據(jù)Yole預(yù)測,激光器是砷化鎵襯底未來五年最大的應(yīng)用增長點(diǎn)之一。預(yù)計(jì)到2025年,全球激光器砷化鎵襯底(折合二英寸)的市場銷量將從2019年的106.2萬片增長至33

31、0.3萬片,年復(fù)合增長率為20.82%;預(yù)計(jì)到2025年,全球激光器砷化鎵襯底市場容量將達(dá)到6,100萬美元,年復(fù)合增長率為16.82%。在具體應(yīng)用方面,未來五年激光器砷化鎵襯底的需求增長主要由VCSEL的需求拉動(dòng)。VCSEL是一種垂直于襯底面射出激光的半導(dǎo)體激光器,在應(yīng)用場景中,常常在襯底多方向同時(shí)排列多個(gè)激光器,從而形成并行光源,用于面容識(shí)別和全身識(shí)別,目前已在智能手機(jī)中得到了廣泛應(yīng)用。VCSEL作為3D傳感技術(shù)的基礎(chǔ)傳感器,隨著5G通信技術(shù)和人工智能技術(shù)的發(fā)展,同時(shí)受益于物聯(lián)網(wǎng)傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用,VCSEL的市場規(guī)模不斷增長,特別是以VCSEL為發(fā)射源的3D立體照相機(jī)將會(huì)迎來高速發(fā)展期,

32、3D相機(jī)是一種能夠記錄立體信息并在圖像中顯示的照相機(jī),可以記錄物體縱向尺寸、縱向位置以及縱向移動(dòng)軌跡等。此外,VCSEL作為3D傳感器,在生物識(shí)別、智慧駕駛、機(jī)器人、智能家居、智慧電視、智能安防、3D建模、人臉識(shí)別和VR/AR等新興領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。根據(jù)Yole預(yù)測,隨著3D傳感技術(shù)在各領(lǐng)域的深度應(yīng)用,VCSEL市場將持續(xù)快速發(fā)展,繼而加大砷化鎵襯底的需求。2019年,全球VCSEL器件砷化鎵襯底(折合二英寸)銷量約為93.89萬片,預(yù)計(jì)到2025年將增長至299.32萬片,年復(fù)合增長率達(dá)到21.32%;2019年全球VCSEL器件砷化鎵襯底襯底市場規(guī)模約為2,100萬美元,預(yù)計(jì)到202

33、5年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將超過5,600萬美元,年復(fù)合增長率為17.76%。第二章 項(xiàng)目緒論一、 項(xiàng)目名稱及項(xiàng)目單位項(xiàng)目名稱:半導(dǎo)體材料項(xiàng)目項(xiàng)目單位:xx集團(tuán)有限公司二、 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xx園區(qū),占地面積約47.00畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越,交通便利,規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備,非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。三、 可行性研究范圍1、項(xiàng)目背景及市場預(yù)測分析;2、建設(shè)規(guī)模的確定;3、建設(shè)場地及建設(shè)條件;4、工程設(shè)計(jì)方案;5、節(jié)能;6、環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全、衛(wèi)生與消防;7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置;8、項(xiàng)目招標(biāo)方案;9、投資估算和資金籌措;10、財(cái)務(wù)分析。四、 編制依據(jù)和技

34、術(shù)原則(一)編制依據(jù)1、中國制造2025;2、“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃;3、工業(yè)綠色發(fā)展規(guī)劃(2016-2020年);4、促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展規(guī)劃(20162020年);5、中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要;6、關(guān)于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的相關(guān)政策;7、項(xiàng)目建設(shè)單位提供的相關(guān)技術(shù)參數(shù);8、相關(guān)產(chǎn)業(yè)調(diào)研、市場分析等公開信息。(二)技術(shù)原則1、嚴(yán)格遵守國家和地方的有關(guān)政策、法規(guī),認(rèn)真執(zhí)行國家、行業(yè)和地方的有關(guān)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定;2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術(shù)路線,提高項(xiàng)目的競爭力和市場適應(yīng)性;3、設(shè)備的布置根據(jù)現(xiàn)場實(shí)際情況,合理用地;4、嚴(yán)格執(zhí)

35、行“三同時(shí)”原則,積極推進(jìn)“安全文明清潔”生產(chǎn)工藝,做到環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全衛(wèi)生、消防設(shè)施和工程建設(shè)同步規(guī)劃、同步實(shí)施、同步運(yùn)行,注意可持續(xù)發(fā)展要求,具有可操作彈性;5、形成以人為本、美觀的生產(chǎn)環(huán)境,體現(xiàn)企業(yè)文化和企業(yè)形象;6、滿足項(xiàng)目業(yè)主對(duì)項(xiàng)目功能、盈利性等投資方面的要求;7、充分估計(jì)工程各類風(fēng)險(xiǎn),采取規(guī)避措施,滿足工程可靠性要求。五、 建設(shè)背景、規(guī)模(一)項(xiàng)目背景受益于全球范圍內(nèi)5G基站大規(guī)模建設(shè)的鋪開,以及在數(shù)據(jù)流量爆發(fā)增長的背景下,全球云計(jì)算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將帶動(dòng)全球范圍內(nèi)數(shù)據(jù)中心的大量建設(shè),全球光通信行業(yè)將迎來重要發(fā)展機(jī)遇期,從而產(chǎn)生對(duì)光模塊需求的持續(xù)增長。在市場需求的帶動(dòng)及中國政府新基建

36、等政策的影響下,全球光模塊市場將保持快速增長態(tài)勢。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)顯示,到2026年全球光模塊器件磷化銦襯底(折合兩英寸)預(yù)計(jì)銷量將超過100萬片,2019年-2026年復(fù)合增長率達(dá)13.94%,2026年全球光模塊器件磷化銦襯底預(yù)計(jì)市場規(guī)模將達(dá)到1.57億美元,2019-2026年復(fù)合增長率達(dá)13.94%。(二)建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項(xiàng)目總占地面積31333.00(折合約47.00畝),預(yù)計(jì)場區(qū)規(guī)劃總建筑面積52084.74。其中:生產(chǎn)工程37095.03,倉儲(chǔ)工程3987.44,行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施4494.05,公共工程6508.22。項(xiàng)目建成后,形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)能力。六

37、、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度結(jié)合該項(xiàng)目建設(shè)的實(shí)際工作情況,xx集團(tuán)有限公司將項(xiàng)目工程的建設(shè)周期確定為24個(gè)月,其工作內(nèi)容包括:項(xiàng)目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計(jì)、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響本項(xiàng)目工藝清潔,將生產(chǎn)工藝與污染治理措施有機(jī)的結(jié)合在一起,污染物排放量較少,且實(shí)施污染物排放全過程控制?!叭龔U”處理措施完善,工程實(shí)施后廢水、廢氣、噪聲達(dá)標(biāo)排放,污染物得到妥善處理,對(duì)周圍的生態(tài)環(huán)境無不良影響。八、 建設(shè)投資估算(一)項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算,項(xiàng)目總投資16373.24萬元,其中:建設(shè)投資13078.27萬元,占項(xiàng)

38、目總投資的79.88%;建設(shè)期利息332.84萬元,占項(xiàng)目總投資的2.03%;流動(dòng)資金2962.13萬元,占項(xiàng)目總投資的18.09%。(二)建設(shè)投資構(gòu)成本期項(xiàng)目建設(shè)投資13078.27萬元,包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi),其中:工程費(fèi)用11203.98萬元,工程建設(shè)其他費(fèi)用1514.23萬元,預(yù)備費(fèi)360.06萬元。九、 項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)(一)財(cái)務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測算,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后每年?duì)I業(yè)收入32200.00萬元,綜合總成本費(fèi)用26875.70萬元,納稅總額2633.21萬元,凈利潤3885.71萬元,財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率17.23%,財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值4095.14萬元,全部投資回收期6.3

39、6年。(二)主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積31333.00約47.00畝1.1總建筑面積52084.741.2基底面積19739.791.3投資強(qiáng)度萬元/畝267.172總投資萬元16373.242.1建設(shè)投資萬元13078.272.1.1工程費(fèi)用萬元11203.982.1.2其他費(fèi)用萬元1514.232.1.3預(yù)備費(fèi)萬元360.062.2建設(shè)期利息萬元332.842.3流動(dòng)資金萬元2962.133資金籌措萬元16373.243.1自籌資金萬元9580.713.2銀行貸款萬元6792.534營業(yè)收入萬元32200.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元26875

40、.70""6利潤總額萬元5180.95""7凈利潤萬元3885.71""8所得稅萬元1295.24""9增值稅萬元1194.62""10稅金及附加萬元143.35""11納稅總額萬元2633.21""12工業(yè)增加值萬元9176.97""13盈虧平衡點(diǎn)萬元13694.75產(chǎn)值14回收期年6.3615內(nèi)部收益率17.23%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬元4095.14所得稅后十、 主要結(jié)論及建議本項(xiàng)目生產(chǎn)線設(shè)備技術(shù)先進(jìn),即提高了產(chǎn)品質(zhì)量,又增加了

41、產(chǎn)品附加值,具有良好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。本項(xiàng)目生產(chǎn)所需原料立足于本地資源優(yōu)勢,主要原材料從本地市場采購,保證了項(xiàng)目實(shí)施后的正常生產(chǎn)經(jīng)營。綜上所述,項(xiàng)目的實(shí)施將對(duì)實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗、環(huán)境保護(hù)具有重要意義,本期項(xiàng)目的建設(shè),是十分必要和可行的。第三章 項(xiàng)目背景、必要性一、 半導(dǎo)體材料行業(yè)概況1、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈情況半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分,在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用,其對(duì)于我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)及國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有重要意義。半導(dǎo)體材料可細(xì)分為襯底、靶材、化學(xué)機(jī)械拋光材料、光刻膠、電子濕化學(xué)品、電子特種氣體、封裝材料等材料,其中襯底是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最核心的材料。

42、襯底由單元素半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體組成,前者如硅(Si)、鍺(Ge)等所形成的半導(dǎo)體,后者為砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物形成的半導(dǎo)體。相比單元素半導(dǎo)體襯底,化合物半導(dǎo)體襯底在高頻、高功耗、高壓、高溫性能方面更為優(yōu)異,但是制造成本更為高昂。2、III-V族化合物半導(dǎo)體材料情況(1)III-V族化合物半導(dǎo)體材料介紹由于磷化銦、砷化鎵系元素周期表上的III族元素及V族元素的化合物,因此,磷化銦、砷化鎵被稱為III-V族化合物半導(dǎo)體材料。III-V族化合物半導(dǎo)體襯底材料在5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、可穿戴設(shè)備、無人駕駛等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用

43、前景,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展方向之一。(2)III-V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工藝III-V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)需要經(jīng)過多晶合成、單晶生長后再經(jīng)過切割、磨邊、研磨、拋光、清洗等多道工藝后真空封裝成品,其中多晶合成、單晶晶體生長是核心工藝。多晶合成:化合物半導(dǎo)體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,由于自然界中不存在天然的磷化銦、砷化鎵多晶,因此首先需要通過人工合成制備該等化合物多晶,將兩種高純度的單質(zhì)元素按一定比例裝入PBN坩堝中,在高溫高壓環(huán)境下合成化合物多晶。單晶生長:化合物半導(dǎo)體單晶生長的制備方法有水平布里奇曼法(HB)、垂直布里奇曼法(VB)、液封切克勞斯基法(LEC

44、)、垂直梯度冷凝法(VGF)。二、 半導(dǎo)體行業(yè)概況半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常見的半導(dǎo)體包括硅、鍺等單元素半導(dǎo)體及砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心,是信息產(chǎn)業(yè)的基石,亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn),產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)垂直分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝測試環(huán)節(jié),半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子、軌道交通、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。三、 鍺襯底行業(yè)概況1、鍺簡介鍺

45、(Ge)是一種稀有金屬元素,在自然界分布極少,其具有較高的電子遷移率和空穴遷移率,可用于制作低壓大電流和高頻器件,屬于優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。當(dāng)前,鍺襯底主要用于半導(dǎo)體、太陽能電池等領(lǐng)域。2、鍺行業(yè)發(fā)展情況鍺產(chǎn)業(yè)鏈包括上游開采冶煉,中游提純和深加工以及下游終端應(yīng)用。其中上游鍺原材料主要來源于褐煤鍺礦、鉛鋅冶煉副產(chǎn)品、鍺錠和鍺單晶廢料等途徑;中游提純和深加工環(huán)節(jié)的高純鍺和鍺單晶生產(chǎn)工藝為鍺產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵部分,其中鍺單晶主要由高純鍺經(jīng)直拉法(CZ法)或VGF法生產(chǎn)而成,鍺單晶經(jīng)過進(jìn)一步深加工可制成鍺襯底材料,鍺襯底主要應(yīng)用于太陽能電池和半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。目前全球鍺資源稀缺且集中度較高,鍺生產(chǎn)國主要以中國、美

46、國、俄羅斯和加拿大為主。美國雖然是全球鍺資源儲(chǔ)量最大的國家,但鍺的產(chǎn)量受制于鉛鋅礦的產(chǎn)量,當(dāng)前產(chǎn)量及未來產(chǎn)量的增長空間有限。從鍺產(chǎn)量來看,2013年以來,中國鍺產(chǎn)量全球占比基本保持在60%以上,成為全球重要鍺供應(yīng)國。由于鍺資源具有稀缺性特征,鍺襯底產(chǎn)業(yè)存在較高的進(jìn)入壁壘,全球鍺襯底行業(yè)集中度較高,主要生產(chǎn)企業(yè)包括Umicore和北京通美等。3、鍺襯底下游應(yīng)用情況鍺基太陽能電池具有空間抗輻射、耐高溫、高光電轉(zhuǎn)換效率等特點(diǎn),在人造衛(wèi)星、太空站、太空探測器和登陸探測器等應(yīng)用領(lǐng)域具有很強(qiáng)的優(yōu)勢,可有效提高太陽能電池的壽命,進(jìn)而延長人造衛(wèi)星的工作壽命。在此背景下,全球人造衛(wèi)星和航天器的大量發(fā)射為空間用太

47、陽能電池的發(fā)展提供廣闊的市場空間。近年來全球人造衛(wèi)星發(fā)射活動(dòng)愈發(fā)頻繁,中國航天科技活動(dòng)藍(lán)皮書(2020年)披露,2020年全球運(yùn)載火箭發(fā)射次數(shù)達(dá)到114次,各類衛(wèi)星發(fā)射數(shù)量1,260顆。根據(jù)美國衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA統(tǒng)計(jì),2020年全球衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)到3,710億美元,在軌運(yùn)行衛(wèi)星數(shù)量從2010年的958顆增長至2020年的3,371顆。伴隨“一箭多星”和“火箭回收”等技術(shù)的發(fā)展,衛(wèi)星進(jìn)入“量產(chǎn)”時(shí)代,中、美、俄等主要國家分別于2020年頒布相關(guān)政策以布局太空星鏈組網(wǎng)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域劃分,人造衛(wèi)星通??煞譃橥ㄐ判l(wèi)星、遙感衛(wèi)星和導(dǎo)航衛(wèi)星三類。近年來中國和美國加快相關(guān)衛(wèi)星的發(fā)射頻次,2020年兩國發(fā)

48、射通信衛(wèi)星、遙感衛(wèi)星和導(dǎo)航衛(wèi)星共計(jì)1,101顆。通信衛(wèi)星和遙感衛(wèi)星成為各國在航天領(lǐng)域競爭的核心,地球近地軌道可容納約6萬顆衛(wèi)星,而低軌衛(wèi)星主要采用的通信頻段日趨飽和狀態(tài),同時(shí)導(dǎo)航衛(wèi)星亦將迎來更新?lián)Q代。隨著近地軌道的軌位競爭加劇和衛(wèi)星發(fā)射載量的提升,人造衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)將迎來重要發(fā)展機(jī)遇期。從未來發(fā)展趨勢來看,空間用太陽能電池正處于由晶體硅太陽能電池向三結(jié)太陽能電池過渡階段,鍺基砷化鎵太陽能電池取代晶體硅太陽能電池已成為大勢所趨?,F(xiàn)階段,我國鍺基砷化鎵太陽能電池的應(yīng)用領(lǐng)域仍以空間應(yīng)用為主,我國發(fā)射的衛(wèi)星上使用的太陽能電池完全由我國企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)生產(chǎn),未來空間用太陽能電池市場將有望開放給企業(yè),也將帶動(dòng)鍺襯

49、底材料在相關(guān)領(lǐng)域需求的提升。四、 培育壯大“五大產(chǎn)業(yè)集群”打造清潔能源產(chǎn)業(yè)集群。立足風(fēng)能、水能等資源優(yōu)勢,布局抽水蓄能、改性甲醇、風(fēng)電等項(xiàng)目,積極推進(jìn)栗子灣抽水蓄能電站建設(shè),加快推進(jìn)五洞巖三期、蓮花山等風(fēng)電項(xiàng)目建設(shè),根據(jù)國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)定,適時(shí)啟動(dòng)大唐國際豐都核電項(xiàng)目和瓦屋山光伏發(fā)電項(xiàng)目。進(jìn)一步優(yōu)化能源結(jié)構(gòu),提高能源效率,逐步完善多能互補(bǔ)、系統(tǒng)融合的能源產(chǎn)業(yè)體系,推動(dòng)能源效率進(jìn)一步提高。力爭到2025年,清潔能源產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到50億元。打造食品加工產(chǎn)業(yè)集群。圍繞“1+4+X”農(nóng)業(yè)產(chǎn)業(yè)體系,大力發(fā)展肉制品、調(diào)味品、糧油食品和果蔬等加工業(yè),加快推進(jìn)牛肉深加工廠房及凍庫建設(shè)、綜合屠宰加工一體化、東方希望

50、生豬屠宰及精深加工等肉制品加工項(xiàng)目,進(jìn)一步提升榨菜深加工能力,依托口岸物流優(yōu)勢大力發(fā)展糧油加工,進(jìn)一步完善食品加工產(chǎn)業(yè)鏈條,促使食品加工業(yè)鏈條向產(chǎn)業(yè)鏈后端發(fā)展,提升產(chǎn)品附加值,培育壯大食品加工產(chǎn)業(yè)集群,力爭到2025年,食品加工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到200億元。打造綠色建材產(chǎn)業(yè)集群。依托石灰石資源及現(xiàn)有水泥企業(yè)規(guī)模優(yōu)勢,推動(dòng)建筑材料產(chǎn)業(yè)向高端發(fā)展,升級(jí)發(fā)展高端水泥、特種水泥等高端產(chǎn)品,大力發(fā)展裝配式混凝土房屋生產(chǎn)(綜合管廊、市政家具等)、交通橋梁隧道設(shè)施生產(chǎn)、鋼結(jié)構(gòu)及木結(jié)構(gòu)建筑工廠等,進(jìn)一步延伸產(chǎn)業(yè)鏈,壯大產(chǎn)業(yè)集群。大力推進(jìn)以裝配式建筑PC構(gòu)件為代表的新型建筑工業(yè)化,建設(shè)全市裝配式建筑智能制造基地、智能

51、家居生產(chǎn)基地、裝配式建筑應(yīng)用示范基地。力爭到2025年,綠色建材產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到150億元。打造醫(yī)療用品產(chǎn)業(yè)集群。圍繞大健康發(fā)展醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè),積極發(fā)揮“醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)建設(shè)基地”的集聚效應(yīng),擴(kuò)大醫(yī)療器械及醫(yī)用材料生產(chǎn)規(guī)模、轉(zhuǎn)型升級(jí)發(fā)展醫(yī)藥產(chǎn)品、智能可穿戴醫(yī)療設(shè)備。結(jié)合全縣畜禽養(yǎng)殖產(chǎn)業(yè)的獸藥需求,發(fā)展抗感染藥、抗寄生蟲病藥、抗生素、激素、疫苗、消毒劑等獸藥。利用雞蛋生產(chǎn)規(guī)模、成本優(yōu)勢,發(fā)展生產(chǎn)雞胚疫苗。重點(diǎn)發(fā)展血清、血液制藥等生物制藥。力爭到2025年,醫(yī)藥及醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到50億元。打造裝備制造產(chǎn)業(yè)集群。積極承接?xùn)|部和主城汽摩產(chǎn)業(yè)、環(huán)保裝備、能源裝備等產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,重點(diǎn)發(fā)展智能化電氣機(jī)械和器材制造業(yè)、

52、船舶和其他運(yùn)輸設(shè)備制造業(yè)、智能家居等產(chǎn)業(yè)。以信息化帶動(dòng)智能化,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)逐步由生產(chǎn)制造型向生產(chǎn)服務(wù)型轉(zhuǎn)變,做好產(chǎn)業(yè)鏈配套承接,推進(jìn)傳統(tǒng)制造業(yè)改造升級(jí)。力爭到2025年,裝備制造產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到50億元。五、 不斷夯實(shí)園區(qū)載體平臺(tái)持續(xù)優(yōu)化園區(qū)產(chǎn)業(yè)布局。優(yōu)化現(xiàn)有“一區(qū)四組團(tuán)”格局,積極爭取拓展北岸新工業(yè)組團(tuán)?!耙粎^(qū)”指豐都工業(yè)園區(qū)?!八慕M團(tuán)”分別指水天坪組團(tuán)、鎮(zhèn)江組團(tuán)、玉溪組團(tuán)、湛普組團(tuán)。依托北岸高鐵新區(qū)規(guī)劃布局10平方公里的新工業(yè)組團(tuán),提升承載能力。另在土地合規(guī)、有環(huán)境承載能力的鄉(xiāng)鎮(zhèn)布局工業(yè)集聚區(qū)。積極拓展工業(yè)用地,升級(jí)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),提升園區(qū)功能。力爭到2025年,園區(qū)工業(yè)總產(chǎn)值突破350億元。強(qiáng)化園區(qū)要

53、素保障。推進(jìn)工業(yè)園區(qū)道路、供電、供氣等“七通一平”基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),加快工業(yè)園區(qū)雙電源、雙氣源改造。推動(dòng)水天坪碼頭智慧營運(yùn),大力發(fā)展口岸經(jīng)濟(jì),依托長江黃金水道豐都港,有序推進(jìn)食品加工園、農(nóng)商旅加工貿(mào)易集散體驗(yàn)基地、產(chǎn)貿(mào)物流一體化基地等配套項(xiàng)目建設(shè)。強(qiáng)化工業(yè)園區(qū)僵尸企業(yè)騰退處理,積極盤活閑置土地,推動(dòng)園區(qū)土地集約高效利用,提高園區(qū)開發(fā)強(qiáng)度。著力深化園區(qū)改革,完善落實(shí)園區(qū)代辦制度,推動(dòng)黨群服務(wù)與政務(wù)服務(wù)深度融合,切實(shí)解決入園企業(yè)辦事難、辦事慢、辦事繁等問題。加快智慧園區(qū)建設(shè)。打造園區(qū)智慧門戶系統(tǒng),適度布置信息化、現(xiàn)代化的交通流量分析儀、園區(qū)全景攝像頭、自適應(yīng)信號(hào)燈。推進(jìn)園區(qū)關(guān)鍵區(qū)域、主干道及核心節(jié)點(diǎn)的

54、各類公共基礎(chǔ)設(shè)施感知化建設(shè)及智能化改造,實(shí)現(xiàn)對(duì)地上地下空間的智能化管理。完善物聯(lián)網(wǎng)感知終端設(shè)備在環(huán)境監(jiān)測方面的布設(shè)。建設(shè)“機(jī)聯(lián)網(wǎng)”“廠聯(lián)網(wǎng)”,提高企業(yè)自動(dòng)化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化制造水平。建設(shè)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)化服務(wù)企業(yè)、公眾生產(chǎn)經(jīng)營及日常生活、就業(yè)等各類服務(wù)資源的線上一體化供給。構(gòu)建智慧應(yīng)急平臺(tái),提高應(yīng)對(duì)突發(fā)公共事件的應(yīng)急處置能力。實(shí)施“綠色園區(qū)”建設(shè)。加快推動(dòng)零散工業(yè)向園區(qū)聚集。加快現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)園區(qū)整合,開展循環(huán)經(jīng)濟(jì)發(fā)展引領(lǐng)計(jì)劃,推行企業(yè)循環(huán)式生產(chǎn)、產(chǎn)業(yè)循環(huán)式組合、園區(qū)循環(huán)化改造。以企業(yè)集聚發(fā)展、產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈接、服務(wù)平臺(tái)建設(shè)為重點(diǎn),提高園區(qū)土地節(jié)約集約化利用水平,推動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的共建共享。加強(qiáng)余熱余壓廢熱資源的回

55、收利用和水資源循環(huán)利用,促進(jìn)園區(qū)內(nèi)企業(yè)廢物資源交換利用,補(bǔ)全完善園區(qū)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的綠色鏈條,推動(dòng)園區(qū)內(nèi)企業(yè)開發(fā)綠色產(chǎn)品,主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)建綠色工廠,龍頭企業(yè)建設(shè)綠色供應(yīng)鏈,實(shí)現(xiàn)工業(yè)園區(qū)綠色發(fā)展。到2025年,建成綠色工廠5-10個(gè)。第四章 產(chǎn)品規(guī)劃與建設(shè)內(nèi)容一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容(一)項(xiàng)目場地規(guī)模該項(xiàng)目總占地面積31333.00(折合約47.00畝),預(yù)計(jì)場區(qū)規(guī)劃總建筑面積52084.74。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx集團(tuán)有限公司建設(shè)能力分析,建設(shè)規(guī)模確定達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體材料,預(yù)計(jì)年?duì)I業(yè)收入32200.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項(xiàng)目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險(xiǎn)性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整,各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預(yù)測情況確定,同時(shí),把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報(bào)告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號(hào)產(chǎn)品(服務(wù))名稱單位單價(jià)(元)年設(shè)計(jì)產(chǎn)量產(chǎn)值1半導(dǎo)體材料噸xx2半導(dǎo)體材料噸xx3半導(dǎo)體材料噸xx4.噸5.噸6.噸合計(jì)xxx32200.00砷化鎵是砷與鎵的化合物,砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使

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