第3章現(xiàn)代電力電子器件

1、現(xiàn)代電力電子學第3章現(xiàn)代電力電子器件3.1概述3.2電力電子器件原理與特性3.3現(xiàn)代整流二極管3.4功率MOS 3.5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)3.6寬禁帶半導體電力電子器件3.7本章小結3.1概述3.1.1電力電子器件概述3.1.2發(fā)展沿革與趨勢3.1.1電力電子器件概述1.電力電子器件的基本構成2.電力電子器件的分類及其特點1.電力電子器件的基本構成1) PN結：P型(以帶正電的空穴作為主要載流子)和N型(以電子為主要載流子)半導體薄層或微區(qū)在原子尺度上的緊密結合體；P層和N層為同種材料者叫同質結，為不同材料者叫異質結。2) 金屬-半導體肖特基勢壘接觸(MES)：有選擇的金屬薄層與半導體

2、表面的緊密接觸，具有類似于PN結的單向導電性。3) 金屬-氧化物-半導體系統(tǒng)(MOS)：半導體硅表面經(jīng)氧化處理后再淀積一層金屬薄膜構成的3層系統(tǒng)，例如Al-SiO2-Si系統(tǒng)。2.電力電子器件的分類及其特點圖3-1主要雙極電力電子器件的構造示意圖電力電子器件按功能分為整流和開關兩大類，按基本工作原理分為單極器件、雙極器件和復合型器件三大類。單極器件指僅由一種載流子(N型半導體中的電子或P型半導體中的空穴，即多數(shù)載流子)導電的器件，雙極器件指額外載流子(熱平衡統(tǒng)計數(shù)之外的載流子)也參與導電，而且對器件特性產(chǎn)生重要影響的器件。雙極器件完全以PN結作為基本構成元素，其電導調(diào)制效應即歸功于PN結正向導

3、通時的額外載流子注入。2.電力電子器件的分類及其特點圖3-2普通SBD和帶PN結的SBD2.電力電子器件的分類及其特點圖3-3P溝和N溝平面MOSFET2.電力電子器件的分類及其特點圖3-4功率MOS和IGBT結構示意圖2.電力電子器件的分類及其特點圖3-5SIT和SITH結構示意圖20世紀50年代中后期之前，在電力系統(tǒng)中起整流和開關作用的有源電子器件主要是真空管和離子管等電真空器件。自20世紀70年代中后期起，各種通、斷兩態(tài)雙可控的大功率開關器件逐漸開始推廣應用。3.1.2發(fā)展沿革與趨勢3.1.2發(fā)展沿革與趨勢圖3-650V功率MOSFET的比電阻同結構單元的重復距離及工藝水平的關系3.1.

4、2發(fā)展沿革與趨勢圖3-7功率集成電路的基本功能與構成3.2電力電子器件原理與特性3.2.1整流原理與阻斷特性3.2.2開關原理與頻率特性3.2.3電導調(diào)制原理與通態(tài)特性3.2.4功率損耗原理與高溫特性3.2.1整流原理與阻斷特性1. PN結2.肖特基勢壘接觸1. PN結當同一種半導體的N型薄層和P型薄層緊密結合成PN結時，二者之間同種載流子密度的懸殊差異引起空穴從P區(qū)向N區(qū)、電子從N區(qū)向P區(qū)擴散。對P區(qū)，空穴離開后留下了不可動的帶負電的電離受主，形成負空間電荷區(qū)。同樣，電子的擴散在PN結附近的N型側形成一個由不可動的電離施主構成的正空間電荷區(qū)。這些空間電荷產(chǎn)生從N區(qū)指向P區(qū)的電場，稱之為自建電

5、場。 PN結空間電荷區(qū)及其自建電場的建立，反映在載流子的能量關系上就是如圖3-8所示的能帶彎曲。1. PN結圖3-8熱平衡狀態(tài)下的PN結能帶圖1. PN結外加電壓使PN結偏離熱平衡狀態(tài)，空間電荷區(qū)及其中的能帶彎曲發(fā)生相應改變，并有相應的電流產(chǎn)生。對P區(qū)接正、N區(qū)接負的正偏置狀態(tài)，外加電壓U在空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生與自建電場方向相反的電場，使總電場強度降低，空間電荷減少，空間電荷區(qū)變窄，勢壘高度也相應地由qVD降低到q(VD-U)，如圖3-9a所示。少子注入提高了P區(qū)和N區(qū)的載流子密度，改善了PN結的導電性。由于少子的注入量與正偏壓的大小有關，因而導電性的改善程度依賴于電壓的大小。這就是電導調(diào)制，是P

6、N結的基本效應之一，是雙極器件通流能力強的根本原因。對P區(qū)接負、N區(qū)接正的反偏置狀態(tài)，偏壓-U在空間電荷區(qū)中產(chǎn)生的電場與自建電場方向一致，因而使空間電荷區(qū)展寬，電場升高，勢壘高度由qVD增高至q(VD+U)，如圖3-9b所示。1. PN結圖3-9正偏置PN結和反偏置PN結的能帶結構示意圖1. PN結1. PN結PN結有三種不同的擊穿機制，分別是雪崩擊穿、隧道擊穿和熱電擊穿。(1) 雪崩擊穿(2) 隧道擊穿(3) 熱電擊穿(二次擊穿)1. PN結圖3-10一個理想硅PN結的伏安特性曲線(1) 雪崩擊穿(1) 雪崩擊穿(2) 隧道擊穿圖3-11重摻雜PN結的隧道擊穿(3) 熱電擊穿(二次擊穿)(3

7、) 熱電擊穿(二次擊穿)圖3-12PN結熱電擊穿時的反向伏安特性2.肖特基勢壘接觸2.肖特基勢壘接觸圖3-13的金屬-N型半導體接觸前后的能帶圖2.肖特基勢壘接觸圖3-14N型半導體肖特基勢壘接觸在不同偏置狀態(tài)下的電子勢壘3.2.2開關原理與頻率特性1. MOS柵原理2. PN結與MES柵原理3.電流控制型器件的開關原理4. PN結的反向恢復過程與雙極器件的開關特性1. MOS柵原理規(guī)定表面的電勢比內(nèi)部高時，VS取正值，反之取負值。表面勢及空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的極性隨加在金屬-半導體間電壓(柵壓)UG的變化而變化，表現(xiàn)為載流子堆積、耗盡和反型三種不同特征。(1) 多數(shù)載流子累積(2) 多數(shù)載流子耗

8、盡(3) 少子變多子的反型狀態(tài)圖3-15P型MOS結構在各種下的空間電荷分布和能帶圖a) 多數(shù)載流子累積b) 多數(shù)載流子耗盡c) 反型1. MOS柵原理(1) 多數(shù)載流子累積當UG0(即金屬接正)時，表面勢VS為正值，能帶在表面附近向下彎曲，形成高度為qVS的空穴勢壘，如圖3-15b所示。這時，價帶頂隨著UG的增大而在表面附近逐漸遠離費米能級，空穴密度隨之降低。表面層因空穴的退出而帶負電，電荷密度基本上等于電離受主雜質濃度。表面層的這種狀態(tài)稱作載流子耗盡。這時，表面空穴密度隨VS絕對值的升高而指數(shù)衰減。如果表面勢壘qVS足夠高，耗盡近似能夠成立，則此時耗盡層內(nèi)的電場、電勢分布和能帶彎曲的情形跟

9、突變PN+結中P型一側空間電荷區(qū)的情形完全相同，其寬度亦可按式(3-3)求出。(3) 少子變多子的反型狀態(tài)(3) 少子變多子的反型狀態(tài)(3) 少子變多子的反型狀態(tài)(3) 少子變多子的反型狀態(tài)圖3-16臨界強反型條件下的能帶圖(3) 少子變多子的反型狀態(tài)(3) 少子變多子的反型狀態(tài)2. PN結與MES柵原理空間電荷區(qū)中的自由載流子密度極低，利用PN結或MES結構在反向偏置條件下形成的空間電荷區(qū)，不但可以在整流電路中阻斷反向電壓，也可在電路開啟的情況下，利用空間電荷區(qū)的擴展和勢壘的升高將電流通路夾斷。電路需要重新開啟時，只須取消反向偏置電壓。由于反向偏置是PN結和MES結構的高阻狀態(tài)，因而這種形式

10、的柵跟MOS柵一樣具有功耗低、反應快、驅動電路簡單等優(yōu)點。2. PN結與MES柵原理利用反偏PN結做柵制成的常開型開關器件，除圖3-5所示的SITH和SIT之外，最典型的還有JFET(結型場效應晶體管)。這種器件因其開關速度高而廣泛應用于微波功率控制。利用反偏MES結構做柵，可以彌補砷化鎵等高電子遷移率材料和氮化鎵等寬禁帶材料因不能生長天然氧化物而難以制造高遷移率MOSFET的不足，由此制成的開關器件MESFET(肖特基柵場效應晶體管)，是重要的微波功率器件，尤其對微波單片集成電路(MMIC)的開發(fā)具有舉足輕重的作用。3.電流控制型器件的開關原理(1) BJT開關原理(2) 普通晶閘管和GTO

11、的開關原理(1) BJT開關原理圖3-17共射極連接NPN晶體管示意圖(2) 普通晶閘管和GTO的開關原理圖3-18晶閘管門極觸發(fā)機構示意圖(2) 普通晶閘管和GTO的開關原理圖3-19PN結二極管關斷過程示意圖4. PN結的反向恢復過程與雙極器件的開關特性3.2.3電導調(diào)制原理與通態(tài)特性1. PN結的電導調(diào)制作用2.器件的通態(tài)特性1. PN結的電導調(diào)制作用1. PN結的電導調(diào)制作用2.器件的通態(tài)特性圖3-20通態(tài)功率MOS的等效電阻示意圖2.器件的通態(tài)特性3.2.4功率損耗原理與高溫特性1.功率損耗2.結溫與熱阻3.高溫特性1.功率損耗(1) 通態(tài)損耗(2) 開關損耗(3) 驅動損耗(4)

12、斷態(tài)漏電損耗1.功率損耗(1) 通態(tài)損耗(2) 開關損耗(3) 驅動損耗(4) 斷態(tài)漏電損耗2.結溫與熱阻2.結溫與熱阻2.結溫與熱阻圖3-21連續(xù)功率脈沖引起的結溫變化a) 低頻b) 高頻2.結溫與熱阻3.高溫特性(1) 高溫通態(tài)特性(2) 高溫阻斷特性(1) 高溫通態(tài)特性(2) 高溫阻斷特性(2) 高溫阻斷特性3.3現(xiàn)代整流二極管3.3.1普通肖特基勢壘二極管3.3.2PN結-肖特基勢壘復合二極管3.3.3MOS-肖特基勢壘復合二極管3.3.4改進的PIN二極管3.3.1普通肖特基勢壘二極管圖3-22不同整流二極管正向特性的比較3.3.1普通肖特基勢壘二極管圖3-23硅SBD功耗隨溫度和勢

13、壘高度的變化3.3.1普通肖特基勢壘二極管3.3.2PN結-肖特基勢壘復合二極管1. JBS(Junction Barrier SBD)JBS是一種利用反偏PN結的空間電荷區(qū)為SBD承受較高反向偏壓，從而可使其適當降低肖特基勢壘以保持較低正向壓降的復合結構型器件，其結構剖面如圖3-24所示。2. MPS(Merged PN Junction SBD)MPS的結構類似于圖3-24所示的JBS復合結構，但其設計目標和設計方法都與JBS不同。MPS的創(chuàng)意在于引進PN結的電導調(diào)制作用降低SBD在高密度正向電流下的壓降。1. JBS(Junction Barrier SBD)圖3-24JBS結構剖面圖2

14、. MPS(Merged PN Junction SBD)PIN二極管一般需要在通態(tài)損耗和開關損耗之間進行折衷。PIN二極管反向恢復電流較大的主要原因是正向導通時I區(qū)(N-漂移區(qū))存儲的額外載流子密度較大。MPS正向電流密度較高時雖然也有明顯的額外載流子注入，但這些載流子相對于PIN二極管中的注入載流子而言多一條360的橫向擴展路徑，這既提高了注入比，也提高了復合率，因而其存儲載流子的密度不高，反向恢復電流較小。計算機模擬表明MPS正向導通時的存儲電荷密度只是相同規(guī)格PIN二極管的1/4左右。由于MPS反向恢復電流的減小不是通過縮短額外載流子壽命來實現(xiàn)的，因而其正向壓降不會升高。將MOS結構結

15、合到SBD之中，利用MOS結構在適當偏壓下的載流子耗盡作用(見圖3-15b)，也可像JBS那樣在肖特基勢壘區(qū)之下再形成一個空間電荷區(qū)，使低勢壘SBD的反向漏電流大幅度極低。這種器件名叫TMBS(Trench MOS-Barrier SBD)，其結構如圖3-25所示。3.3.3MOS-肖特基勢壘復合二極管3.3.3MOS-肖特基勢壘復合二極管圖3-25TMBS結構示意圖不借助于其他器件元素，也不必縮短額外載流子壽命(這會影響其他特性)，功率PIN二極管的反向恢復特性可以通過PN結自身的結構變化得到明顯改善。這就是圖3-26所示的SSD(Static Screened Diode)。這種結構與常規(guī)

16、PIN二極管的不同之處僅在于其P層不具有均勻的厚度和雜質濃度，而是在較低濃度的淺結P型薄層中鑲嵌了均勻分布的高濃度深結P+微區(qū)。3.3.4改進的PIN二極管圖3-26SSD結構示意圖3.3.4改進的PIN二極管3.4功率MOS3.4.1功率MOS的基本結構與工作原理3.4.2功率MOS的特征參數(shù)3.4.3功率MOS的基本特性3.4.4功率MOS的可靠性問題3.4.1功率MOS的基本結構與工作原理1.基本結構2.基本工作原理1.基本結構功率MOS主要有兩種基本結構，一種是表面不開槽的，因采用擴散工藝而稱為DMOS(早期文獻中也稱VDMOS)；另一種是表面開槽的，因槽的截面形狀而簡稱為UMOS(早

17、期開槽器件因槽截面為V形而稱為VMOS或VVMOS)。(1) DMOS(2) UMOS(3) CoolMOS(1) DMOSN溝道DMOS的基本結構已在前節(jié)圖3-20中示意地畫出。與小信號電路中使用的平面N溝MOS不同，由于電子流要從襯底背面的漏極引出，制造N溝功率MOS不用P型硅片而用N型硅片，而且是重摻雜的低阻硅片，以使器件通態(tài)比電阻最低。DMOS最主要的管芯制造工藝，是在N+襯底上的N-外延層中用類似于雙極型器件制造工藝中的雙擴散技術形成一個N+PN-結構。(2) UMOS圖3-27UMOS結構示意圖圖3-28CoolMOS結構示意圖(3) CoolMOS2.基本工作原理由于不同結構功率

18、MOS的基本工作原理大同小異，以下以基本結構DMOS為例進行討論。由圖3-20可見，雖然源、漏極間有兩個PN結，但是由N+源區(qū)與P阱形成的第一個PN結(PN+結)已被源電極永久短接，源、漏兩電極間只在P阱與N-漂移區(qū)間的第二個PN結(PN-結)被反向偏置、且導電溝道尚未形成之前才會處于關斷狀態(tài)。所以，源負漏正，是作為開關器件使用的N溝功率MOS的正常接法，此時的漏-源電壓UDS0。不過，正的UDS對PN-結卻是一個反向偏置電壓，在柵-源短接時必將引起結兩側空間電荷區(qū)的擴展。2.基本工作原理由于P阱的摻雜濃度遠高于漂移區(qū)的摻雜濃度，空間電荷區(qū)主要在漂移區(qū)擴展，是UDS的主要降落區(qū)。因此，漂移區(qū)的

19、寬度及其摻雜濃度要符合阻斷電壓的需要，以保證器件在導電溝道形成之前一直處于關斷狀態(tài)。然而導電溝道一旦形成，漏極正電壓即驅動電子繞開PN-結，從源區(qū)經(jīng)過溝道和漂移區(qū)向漏極運動，形成電流。電流的大小取決于UDS以及溝道的開通程度，而后者是柵壓UG的函數(shù)，因而柵極不但控制功率MOS的開關狀態(tài)，也控制確定UDS下漏極電流ID的大小。3.4.2功率MOS的特征參數(shù)功率MOS的通態(tài)電阻和極間電容，是兩個在本質上取決于器件結構，又從根本上決定著器件特性的重要參數(shù)，分別在其定態(tài)特性和瞬態(tài)特性中起著關鍵作用。3.4.2功率MOS的特征參數(shù)圖3-29功率MOS的極間電容及其與棚源電壓和漏源電壓的關系3.4.3功率

20、MOS的基本特性1.極限參數(shù)與安全工作區(qū)2.靜態(tài)特性3.開關特性1.極限參數(shù)與安全工作區(qū)1.極限參數(shù)與安全工作區(qū)圖3-30功率MOS正向SOA示意圖2.靜態(tài)特性(1) 輸出特性(2) 轉移特性與跨導(3) 阻斷特性(1) 輸出特性圖3-31功率MOS與功率BJT輸出特性的比較(2) 轉移特性與跨導轉移特性指器件ID與UGS的關系。跟其他場效應器件一樣，功率MOS也有一個最低UGS，對應于P阱前沿強反型形成導電溝道時的最低柵壓，因而稱為開啟電壓，通常用UT表示。UGSUT之后，ID首先隨著UGS的升高而線性增長，然后逐漸趨于飽和。作為轉移特性的一階導數(shù)，跨導gm的大小反映了UGS對ID的控制能力

21、。功率MOS跨導隨溫度的變化較小，其溫度系數(shù)大約只有-0.2%/。BJT的類似參數(shù)是放大系數(shù)，其溫度系數(shù)為0.8%/?？梢姽β蔒OS比功率BJT的開關特性要穩(wěn)定得多。(3) 阻斷特性功率MOS在柵-源電極短接的狀態(tài)下，施加在漏-源之間的正向電壓使其P阱與N-漂移區(qū)間的PN-結反向偏置，因而處于阻斷狀態(tài)。此前對阻斷狀態(tài)的分析僅著眼于N-漂移區(qū)，這其實是不夠全面的。寄生N+PN-晶體管的客觀存在，也對功率MOS的正向阻斷特性產(chǎn)生重要影響。由于P阱的主要功能是產(chǎn)生柵控導電溝道，其雜質濃度受開啟電壓的限制，不能太高，因而阻斷狀態(tài)下P阱層中也有空間電荷區(qū)的形成和擴展。3.開關特性圖3-32功率MOS在時

22、的開關波形決定功率MOS開關速度的主要因素有兩個：一個是柵電極的電位變化速率，一個是載流子在漂移區(qū)的渡越時間。當載流子的漂移路程不是很長時，第一個因素起主導作用，輸入電容的充放電時間成為決定開關速度的關鍵參數(shù)。3.開關特性圖3-33功率MOS開關時間常數(shù)的定義3.開關特性3.4.4功率MOS的可靠性問題1.du/dt誤導通模式2.du/dt誤導通預防措施3.4.4功率MOS的可靠性問題圖3-34分析du/dt誤導通的等效電路1.du/dt誤導通模式(1)模式 (2)模式(1)模式 參照圖3-34，當UGS=0、功率MOS處于關斷狀態(tài)并準備繼續(xù)維持關斷時，若在漏-柵之間加上一個隨時間變化的電壓u

23、(t)，該電壓即會通過電容CGD在柵-源回路中產(chǎn)生一個位移電流IM1，其值為IM1=CGDdu(t)/dt若該電壓變化很快，以至IM1大到通過柵極電阻Rg產(chǎn)生的壓降UGS能夠超過功率MOS的開啟電壓UT，則功率MOS即被誤導通。在這種模式中的臨界du/dt值為du(t)/dtT1=UT/(RgCGD)(1)模式 該式表明，當電壓變化較快時，為了保證器件運行的可靠性，需要設計阻抗很低的柵極驅動電路，并極力避免高溫運行，因為UT隨溫度升高而降低，使器件du/dt耐量下降。如此看來，讓功率MOS在柵-源開路的狀態(tài)下工作是不可靠的，而在柵-源短路的狀態(tài)下工作則可使其du/dt耐量極大提高。不過，這種d

24、u/dt效應在一般情況下只引起誤導通，而不會損壞器件。這是因為，一則柵壓不大會超過UT太多，二則器件誤導通后，其漏-源間電阻會下降，du/dt即會相應減小。由于柵壓不會太高，誤導通產(chǎn)生的漏極電流不會太大，因此電路中的其他元器件也不會受到損壞。(2)模式另一種du/dt誤導通機制與寄生晶體管有關。與第一種模式的起源類似，斜坡電壓u(t)通過電容CDS產(chǎn)生位移電流IM2，其值為IM2=CDSdu(t)/dt若此電流足夠大，以致它在電阻Rb上產(chǎn)生的壓降足以使寄生晶體管的發(fā)射結正向導通，寄生晶體管本身即被開通，主器件的漏-源電極間就會有電流通過。2.du/dt誤導通預防措施功率MOS電路中有兩種基本的

25、du/dt產(chǎn)生機制。一種是帶感性負載的功率MOS突然關斷時負載對器件的電壓回授。另一種du/dt產(chǎn)生機制與功率MOS體內(nèi)的寄生反并聯(lián)二極管有關。該二極管的反向恢復過程有可能在主器件的漏-源電極之間產(chǎn)生斜坡電壓。與上述感性負載的電壓回授機制不同，這種機制不一定使器件失效，除非下列三種情況同時出現(xiàn)： 1) 該二極管在開關循環(huán)中導通。2) 該二極管反向恢復很快。3) 該二極管的存儲電荷要靠一個足夠高的再加電壓來消除，其幅值至少是主器件BUDS額定值的30%50。3.5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)3.5.1IGBT的基本結構和工作原理3.5.2IGBT的工作特性3.5.3安全工作區(qū)3.5.4特種IGB

26、T與IGBT的進化3.5.1IGBT的基本結構和工作原理圖3-35N溝道IGBT結構示意圖3.5.1IGBT的基本結構和工作原理圖3-36IGBT在不同柵壓狀態(tài)下的伏安特性曲線3.5.2IGBT的工作特性1.靜態(tài)特性2.動態(tài)特性3.高溫特性1.靜態(tài)特性圖3-37分析IGBT通態(tài)特性的等效電路a) PIN/MOS等效電路b) BJT/MOS等效電路1.靜態(tài)特性圖3-38基于PIN/MOS模型的1.靜態(tài)特性3-39.耐壓600V的IGBT與相同規(guī)格BJT和功率MOS的通態(tài)特性比較2.動態(tài)特性圖3-40IGBT關斷過程中和波形3.高溫特性圖3-41一個IGBT試驗器件在不同集電極電流下的通態(tài)壓降隨環(huán)

27、境溫度的變化情況3.5.3安全工作區(qū)作為一種復合型器件，IGBT的優(yōu)化設計有兩種不同的做法。一種把IGBT當作電導調(diào)制型功率MOS，其優(yōu)化設計的重點是其中的MOSFET部分；另一種把IGBT當做MOS驅動的BJT，其優(yōu)化設計的重點是其中的BJT部分。因而不同商家、不同型號IGBT的SOA會有較大差別。設計上偏重于MOSFET的，其SOA的特征當更接近于功率MOS，其工作參數(shù)選擇的安全性主要受極限參數(shù)的限制；而設計上更注重于BJT的電流增益和電導調(diào)制的，則其SOA也必然會受到一些自鎖效應和熱電二次擊穿的限制。3.5.4特種IGBT與IGBT的進化1.P溝IGBT2.高壓IGBT3.高溫IGBT4

28、.槽柵IGBT5.IGBT的進化1.P溝IGBT在數(shù)字和儀表控制電路中常常采用互補器件技術來提高電路的負載能力和抗干擾能力，降低功耗。比如N溝MOS與P溝MOS并聯(lián)組成的CMOS結構。P溝IGBT即為此目的而開發(fā)。由于硅中空穴的遷移率只有電子遷移率的1/3左右，相同尺寸P型溝道的通態(tài)電阻是N型溝道的三倍左右，所以P溝功率MOS很少使用。但是IGBT的情況有所不同。由于集電結j1的注入作用，P溝IGBT正向導通時由集電區(qū)注入到長基區(qū)的是遷移率高的電子，其電導調(diào)制效果比N溝IGBT強，在柵壓足夠高的線性工作區(qū)狀態(tài)下，這足以彌補溝道電阻的增高。N溝IGBT的溝道電阻雖然相對較低，但其j1結向基區(qū)注入

29、的是遷移率較低的空穴。所以，在條件相同的情況下，P溝IGBT和N溝IGBT的通態(tài)壓降其實很接近，使之更適合于互補結構的應用。2.高壓IGBT跟功率MOS一樣，提高IGBT的阻斷電壓也需要提高其長基區(qū)的材料電阻率，并增加其寬度。但是，由于j1結的高密度少子注入，IGBT的通態(tài)壓降受長基區(qū)電阻率的影響不大，主要取決于長基區(qū)的寬度。當IGBT的阻斷電壓隨長基區(qū)的加寬和材料電阻率的增高而提高時，與相同條件下的功率MOS相比，其通態(tài)壓降的增加要小得多。用阻斷電壓分別為300V、600V和1200V的對稱結構IGBT所作的通態(tài)特性比較測試表明，IGBT的通態(tài)電流密度近似地隨著擊穿電壓二次方根的增加而減小。

30、電流密度以如此平緩的比率減小的特點，表明了開發(fā)高壓大電流IGBT的可行性。3.高溫IGBT如前所述，IGBT的MOSFET部分和PIN二極管部分互補的高溫特性使其很適合于在高溫環(huán)境下使用，尤其是針對高溫應用目標而充分利用這種互補性專門設計的高溫IGBT。這種器件在額定電流下的通態(tài)壓降幾乎不隨溫度變化，而在最高允許電流下具有一定大小的正溫度系數(shù)，從而確保良好的均流效果，有利于組裝大電流IGBT模塊。高溫IGBT通常都采用P基區(qū)局部短路的非對稱器件結構(參考圖3-35)，以進一步防止寄生晶閘管在高溫工作狀態(tài)下可能發(fā)生的自鎖效應，其工作溫度高達200。4.槽柵IGBT槽柵IGBT的柵極結構與圖3-2

31、7所示的UMOS相同，可將其看成是將UMOS的N+襯底換成P+襯底的結果，因而又叫UMOS-IGBT。與UMOS類似，其U形槽必須挖到j2結之下，以使N+發(fā)射極與N基區(qū)之間能夠用柵壓感應的N型溝道連通。此外，槽柵結構可以縮小器件單元的中心距，使溝道密度增加5倍。因此槽柵IGBT的通態(tài)特性有很大改善，在N基區(qū)額外載流子壽命較高的場合，其通態(tài)壓降相對于平面柵IGBT能降低大約1/3；在為了提高開關速度而降低額外載流子壽命的情況下，這兩種結構的通態(tài)壓降會相差更大。槽柵IGBT的抗自鎖能力也比平面柵IGBT高，這歸因于槽柵結構中空穴電流路徑從橫向改為縱向，空穴電流的電阻只由N+發(fā)射區(qū)的深度決定，其值甚小，由此產(chǎn)生的壓降很低。5.IGBT的進化以N溝IGBT為例，通過對P+集電區(qū)(襯底)厚度和摻雜濃度的優(yōu)化，并通過N+緩沖層連接到N-漂移區(qū)等方法，第二代IGBT的通態(tài)壓降和關斷時間與第一代相比同時降低了30%以上。第三代IGBT借助于微電子技術