錫須試驗方案

1、一、關(guān)于錫須試驗一、關(guān)于錫須試驗三、使用標準及推薦方案三、使用標準及推薦方案四、錫須試驗經(jīng)典案例四、錫須試驗經(jīng)典案例錫須試驗方案錫須試驗方案二、錫須試驗所用設(shè)備介紹二、錫須試驗所用設(shè)備介紹蘇州市電子產(chǎn)品檢驗所有限公司 地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓； 聯(lián)系人：陳蓉 電話手機；網(wǎng)址： 一、關(guān)于錫須試驗一、關(guān)于錫須試驗材料在焊接之后，經(jīng)過一段時間的存放，焊錫的晶體因為內(nèi)應(yīng)力的原因開始發(fā)生材料在焊接之后，經(jīng)過一段時間的存放，焊錫的晶體因為內(nèi)應(yīng)力的原因開始發(fā)生物理位移，產(chǎn)生錫須現(xiàn)象，對于一些很精密的元件

2、，除了元器件本身可能因為應(yīng)物理位移，產(chǎn)生錫須現(xiàn)象，對于一些很精密的元件，除了元器件本身可能因為應(yīng)力導致開裂外，產(chǎn)生的錫須會導致產(chǎn)品的跳火和短路等故障。力導致開裂外，產(chǎn)生的錫須會導致產(chǎn)品的跳火和短路等故障。因此在生產(chǎn)工藝中，對錫須生長的實驗就對元件可靠性驗證愈發(fā)重要。因此在生產(chǎn)工藝中，對錫須生長的實驗就對元件可靠性驗證愈發(fā)重要。Whiskers Seen Right After Plating Incubation period reported in literatures : 3 weeks Can be as short as 80 min Very sensitive to curren

3、t density, especially in the initial stage Whisker growing depends on the stress at the interface of Plating / Base metal地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話手機；網(wǎng)址： 二、錫須試驗所用設(shè)備溫度范圍：溫度范圍：常溫+10+280溫度波動度：溫度波動度：0.5溫度均勻度：溫度均勻度：2作用：作用：模擬焊接過程中溫度應(yīng)力對材料內(nèi)應(yīng)力的激發(fā)溫度范圍溫度范圍: -60+170升降溫速

4、率升降溫速率：0.75/min波動度波動度/均勻度均勻度：0.5/2濕度范圍濕度范圍：常濕98%R.H濕度波動濕度波動： +2-3%用來觀察物體表面形貌，并對發(fā)現(xiàn)的異物進行元素分析。應(yīng)用范圍包括晶圓，用來觀察物體表面形貌，并對發(fā)現(xiàn)的異物進行元素分析。應(yīng)用范圍包括晶圓， 封裝材料封裝材料表面的微裂紋觀察，斷口觀察分析，引線鍵合失效和芯片內(nèi)部物理缺陷觀察分析，錫須量表面的微裂紋觀察，斷口觀察分析，引線鍵合失效和芯片內(nèi)部物理缺陷觀察分析，錫須量測等。測等。 用立體顯微鏡或者金相顯微鏡來對樣品進行外觀觀察，常規(guī)可放大幾十幾千倍用立體顯微鏡或者金相顯微鏡來對樣品進行外觀觀察，常規(guī)可放大幾十幾千倍地址：蘇

5、州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話傳真網(wǎng)址： 三、參考標準及推薦方案三、參考標準及推薦方案序號序號No.檢測項目檢測項目Description計價單位計價單位Unit數(shù)量數(shù)量QTY備注備注Remark1過回流焊爐過回流焊爐小時小時1樣品數(shù)為樣品數(shù)為20個個.2過回流焊爐后電鏡觀察過回流焊爐后電鏡觀察樣品樣品20共共20個樣品個樣品,建議應(yīng)用建議應(yīng)用.3過回流焊爐后光學顯微鏡觀察過回流焊爐后光學顯微鏡觀察樣品樣品20客戶自選客戶自選.4TCT（1000循環(huán)循環(huán))小時小時834共共1000cyle.本

6、次試驗樣品總數(shù)為本次試驗樣品總數(shù)為10個個.注意：注意：500個循環(huán)的時候進行電鏡觀察一次錫須個循環(huán)的時候進行電鏡觀察一次錫須生長情況，后續(xù)在生長情況，后續(xù)在1000個循環(huán)的時候用電鏡觀個循環(huán)的時候用電鏡觀察一次錫須生長情況。察一次錫須生長情況。5分別在分別在TCT500循環(huán)和循環(huán)和1000循環(huán)后的循環(huán)后的電鏡觀察電鏡觀察樣品樣品20共共10個樣品個樣品,每個樣品電鏡觀察每個樣品電鏡觀察2次次,樣品數(shù)即為樣品數(shù)即為20個計算個計算.6高溫高濕存儲高溫高濕存儲小時小時4320試驗時間試驗時間:6個月個月.注意注意:試驗試驗1個月的時候進行電個月的時候進行電鏡觀察一次錫須生長情況鏡觀察一次錫須生長

7、情況,后續(xù)在進行后續(xù)在進行6個月時個月時候用電鏡再次觀察一次錫須生長情況候用電鏡再次觀察一次錫須生長情況.7分別在高溫高濕存儲分別在高溫高濕存儲1個月后和個月后和6個個月后的電鏡觀察月后的電鏡觀察樣品樣品20共共10個樣品個樣品,每個樣品電鏡觀察每個樣品電鏡觀察2次次, 樣品數(shù)即為樣品數(shù)即為20個計算個計算.參考標準：JEDEC地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話手機；網(wǎng)址： 1. 根據(jù)ANSI標準進行抽樣2. 對樣品進行觀察，將焊點開裂、焊點刮傷或者焊絲的現(xiàn)象剔除3. 對真正的錫須(多晶和單晶)和焊絲掛連、毛刺進行辨別）進行拍照分析驗證四、錫須試驗案例四、錫須試驗案例地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話手機；網(wǎng)址： 1. 某元器件公司的錫須案例Whisker seen in Cerquad package地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話手機；網(wǎng)址： 五、錫須試驗案例五、錫須試驗案例2. 某半導體公司的錫須案例地址：蘇州市吳中大道1168號國際教育園電子樓；電話：0512-8957