半導(dǎo)體一些術(shù)語(yǔ)的中英文對(duì)照

1、半導(dǎo)體一些術(shù)語(yǔ)的中英文對(duì)照離子注入機(jī) ion implanterLSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory又稱“林漢德-斯卡夫-斯高特理論”。溝道效應(yīng) channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距離 stopping distance阻止本領(lǐng) stopping power標(biāo)準(zhǔn)阻止截面 standard stopping cross section退火 annealing激活能 activation energy等溫退火 isot

2、hermal annealing激光退火 laser annealing應(yīng)力感生缺陷 stress-induced defect擇優(yōu)取向 preferred orientation制版工藝 mask-making technology圖形畸變 pattern distortion初縮 first minification精縮 final minification母版 master mask鉻版 chromium plate干版 dry plate乳膠版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干

3、版 plate for ultra-microminiaturization掩模 mask掩模對(duì)準(zhǔn) mask alignment對(duì)準(zhǔn)精度 alignment precision光刻膠 photoresist又稱“光致抗蝕劑”。負(fù)性光刻膠 negative photoresist正性光刻膠 positive photoresist無(wú)機(jī)光刻膠 inorganic resist多層光刻膠 multilevel resist電子束光刻膠 electron beam resistX射線光刻膠 X-ray resist刷洗 scrubbing甩膠 spinning涂膠 photoresist coatin

4、g后烘 postbaking光刻 photolithographyX射線光刻 X-ray lithography電子束光刻 electron beam lithography離子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻機(jī) mask aligner投影光刻機(jī) projection mask aligner曝光 exposure接觸式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光學(xué)投影曝光法 optical projection exposure method電子

5、束曝光系統(tǒng) electron beam exposure system分步重復(fù)系統(tǒng) step-and-repeat system顯影 development線寬 linewidth去膠 stripping of photoresist氧化去膠 removing of photoresist by oxidation等離子體去膠 removing of photoresist by plasma刻蝕 etching干法刻蝕 dry etching反應(yīng)離子刻蝕 reactive ion etching, RIE各向同性刻蝕 isotropic etching各向異性刻蝕 anisotropic e

6、tching反應(yīng)濺射刻蝕 reactive sputter etching離子銑 ion beam milling又稱“離子磨削”。等離子體刻蝕 plasma etching鉆蝕 undercutting剝離技術(shù) lift-off technology又稱“浮脫工藝”。終點(diǎn)監(jiān)測(cè) endpoint monitoring金屬化 metallization互連 interconnection多層金屬化 multilevel metallization電遷徙 electromigration回流 reflow磷硅玻璃 phosphorosilicate glass硼磷硅玻璃 boron-phospho

7、rosilicate glass鈍化工藝 passivation technology多層介質(zhì)鈍化 multilayer dielectric passivation劃片 scribing電子束切片 electron beam slicing燒結(jié) sintering印壓 indentation熱壓焊 thermocompression bonding熱超聲焊 thermosonic bonding冷焊 cold welding點(diǎn)焊 spot welding球焊 ball bonding楔焊 wedge bonding內(nèi)引線焊接 inner lead bonding外引線焊接 outer lea

8、d bonding梁式引線 beam lead裝架工藝 mounting technology附著 adhesion封裝 packaging金屬封裝 metallic packaging陶瓷封裝 ceramic packaging扁平封裝 flat packaging塑封 plastic package玻璃封裝 glass packaging微封裝 micropackaging又稱“微組裝”。管殼 package管芯 die引線鍵合 lead bonding引線框式鍵合 lead frame bonding帶式自動(dòng)鍵合 tape automated bonding, TAB激光鍵合 laser

9、 bonding超聲鍵合 ultrasonic bonding紅外鍵合 infrared bonding微電子辭典Abrupt junction 突變結(jié) Accelerated testing 加速實(shí)驗(yàn) Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 積累、堆積 Accumulating contact 積累接觸 Accumulation region 積累區(qū) Accumulation layer 積累層 Active region 有源區(qū) Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Act

10、ivation energy 激活能 Active region 有源（放大）區(qū) Admittance 導(dǎo)納 Allowed band 允帶 Alloy-junction device合金結(jié)器件 Aluminum(Aluminium) 鋁 Aluminum oxide 鋁氧化物 Aluminum passivation 鋁鈍化 Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度 Amorphous 無(wú)定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴(kuò)音器 放大器 Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom 埃 Anneal 退火

11、Anisotropic 各向異性的 Anode 陽(yáng)極 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇過(guò)程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿 Avalanche excitation雪崩激發(fā) Background carrier 本底載流子 Background doping 本底摻雜 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流電阻 Ball bond 球形鍵合 Band 能帶 Band gap 能帶間隙 Barrier 勢(shì)壘 Barrier layer 勢(shì)

12、壘層 Barrier width 勢(shì)壘寬度 Base 基極 Base contact 基區(qū)接觸 Base stretching 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) Base transit time 基區(qū)渡越時(shí)間 Base transport efficiency基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) Base-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 雙向開(kāi)關(guān) Binary code 二進(jìn)制代碼Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體 Bipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor (

13、BJT)雙極晶體管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻擋能帶 Blocking contact 阻擋接觸 Body - centered 體心立方 Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲曼 Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價(jià)電子 Bonding pad 鍵合點(diǎn) Bootstrap circuit 自舉電路 Bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 邊界條件 Bound

14、 electron 束縛電子 Breadboard 模擬板、實(shí)驗(yàn)板 Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折 Brillouin 布里淵 Brillouin zone 布里淵區(qū) Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric field 內(nèi)建電場(chǎng) Bulk 體/體內(nèi) Bulk absorption 體吸收 Bulk generation 體產(chǎn)生 Bulk recombination 體復(fù)合 Burn - in 老化 Burn out 燒毀 Buried channel 埋溝 Buried diffusion region 隱埋擴(kuò)散區(qū) Can 外殼 Capacitan

15、ce 電容 Capture cross section 俘獲截面 Capture carrier 俘獲載流子 Carrier 載流子、載波 Carry bit 進(jìn)位位 Carry-in bit 進(jìn)位輸入 Carry-out bit 進(jìn)位輸出 Cascade 級(jí)聯(lián) Case 管殼 Cathode 陰極 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 溝道 Channel breakdown 溝道擊穿 Channel current 溝道電流 Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短 Channel width 溝道寬度 Charact

16、eristic impedance 特征阻抗 Charge 電荷、充電 Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng) Charge conservation 電荷守恒 Charge neutrality condition 電中性條件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動(dòng)/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲(chǔ) Chemmical etching 化學(xué)腐蝕法 Chemically-Polish 化學(xué)拋光 Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機(jī)械拋光 Chip 芯片 Chip y

17、ield 芯片成品率 Clamped 箝位 Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面 Clock rate 時(shí)鐘頻率 Clock generator 時(shí)鐘發(fā)生器 Clock flip-flop 時(shí)鐘觸發(fā)器 Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu) Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極 Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 補(bǔ)償運(yùn)放 Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發(fā)射極連接 Common-gate/drain/sour

18、ce connection 共柵/漏/源連接 Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模輸入 Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 補(bǔ)償 Compensated impurities 補(bǔ)償雜質(zhì) Compensated semiconductor 補(bǔ)償半導(dǎo)體 Complementary Darlington circuit 互補(bǔ)達(dá)林頓電路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Tra

19、nsistor(CMOS) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Complementary error function 余誤差函數(shù) Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)/ 測(cè)試 /制 造 Compound Semiconductor 化合物半導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo) Conduction band (edge) 導(dǎo)帶(底) Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài) Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率 Configuration 組態(tài) Conlomb 庫(kù)侖 Con

20、pled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù) Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源擴(kuò)散 Contact 接觸 Contamination 治污 Continuity equation 連續(xù)性方程 Contact hole 接觸孔 Contact potential 接觸電勢(shì) Continuity condition 連續(xù)性條件 Contra doping 反摻雜 Controlled 受控的 Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer 傳輸器 Copper interc

21、onnection system 銅互連系統(tǒng)Couping 耦合 Covalent 共階的 Crossover 跨交 Critical 臨界的 Crossunder 穿交 Crucible坩堝 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶體缺陷/晶面/晶向/晶 格 Current density 電流密度 Curvature 曲率 Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 電流漂移/驅(qū)動(dòng)/共享 Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲 Custom integrated circuit 定制集成電路

22、 Cylindrical 柱面的 Czochralshicrystal 直立單晶 Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（Cz法直拉晶體J） Dangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流 Dead time 空載時(shí)間 Debye length 德拜長(zhǎng)度 De.broglie 德布洛意 Decderate 減速 Decibel (dB) 分貝 Decode 譯碼 Deep acceptor level 深受主能級(jí) Deep donor level 深施主能級(jí) Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級(jí) Deep trap 深陷阱 Defea

23、t 缺陷 Degenerate semiconductor 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 Degeneracy 簡(jiǎn)并度 Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開(kāi)氏溫度 Delay 延遲 Density 密度 Density of states 態(tài)密度 Depletion 耗盡 Depletion approximation 耗盡近似 Depletion contact 耗盡接觸 Depletion depth 耗盡深度 Depletion effect 耗盡效應(yīng) Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡MOS D

24、epletion region 耗盡區(qū) Deposited film 淀積薄膜 Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計(jì)規(guī)則 Die 芯片（復(fù)數(shù)dice） Diode 二極管 Dielectric 介電的 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離 Difference-mode input 差模輸入 Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分電容 Diffused junction 擴(kuò)散結(jié) Diffusion 擴(kuò)散 Diffusion coefficient 擴(kuò)散系數(shù) Diff

25、usion constant 擴(kuò)散常數(shù) Diffusivity 擴(kuò)散率 Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴(kuò)散電容/勢(shì)壘/電流/爐 Digital circuit 數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇 Dipole layer 偶極層 Direct-coupling 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition 直接躍遷 Discharge 放電 Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution 分布 Dist

26、ributed capacitance 分布電容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移 Dislocation 位錯(cuò) Domain 疇 Donor 施主 Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑 Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體 Doping concentration 摻雜濃度 Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴(kuò)散MOS. Drift 漂移 Drift field 漂移電場(chǎng) Drift mobility 遷移率 Dry etching 干法腐蝕 Dry/wet oxidation 干/濕法

27、氧化 Dose 劑量 Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝 Dynamics 動(dòng)態(tài) Dynamic characteristics 動(dòng)態(tài)屬性 Dynamic impedance 動(dòng)態(tài)阻抗 Early effect 厄利效應(yīng) Early failure 早期失效 Effective mass 有效質(zhì)量 Einstein relation(ship) 愛(ài)因斯坦關(guān)系 Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲(chǔ)器 Electrode 電極 Electro

28、minggratim 電遷移 Electron affinity 電子親和勢(shì) Electronic -grade 電子能 Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光 Electron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級(jí)純水 Electron trapping center 電子俘獲中心 Electron Volt (eV) 電子伏 Electrostatic 靜電的 Element 元素/元件/配件 Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體 Ellipse 橢圓 Ellipsoid 橢球 Emi

29、tter 發(fā)射極 Emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對(duì) Emitter follower 射隨器 Empty band 空帶 Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng) Endurance test =life test 壽命測(cè)試 Energy state 能態(tài) Energy momentum diagram 能量-動(dòng)量(E-K)圖 Enhancement mode 增強(qiáng)型模式 Enhancement MOS 增強(qiáng)性MOS Entefic (低)共溶的 Environmental test

30、環(huán)境測(cè)試 Epitaxial 外延的 Epitaxial layer 外延層 Epitaxial slice 外延片 Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效電路 Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子 Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（編程）存儲(chǔ)器 Error function complement 余誤差函數(shù) Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑 Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過(guò)剩載流子 Excitation energy

31、激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài) Exciton 激子 Extrapolation 外推法 Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體 Face - centered 面心立方 Fall time 下降時(shí)間 Fan-in 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài) Feedback 反饋 Fermi level 費(fèi)米能級(jí) Fermi-Dirac Distribution 費(fèi)米-狄拉克分布 Femi potential 費(fèi)米勢(shì) Fick equation 菲克方程（擴(kuò)散）

32、 Field effect transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Field oxide 場(chǎng)氧化層 Filled band 滿帶 Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲(chǔ)器 Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝 Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn) Floating gate 浮柵 Fluoride etch 氟化氫刻蝕 Forbidden band 禁帶 Forward bias 正向偏置 Forward blocking /conducting正向阻斷/導(dǎo)通 Frequency deviation noise頻率

33、漂移噪聲 Frequency response 頻率響應(yīng) Function 函數(shù) Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀 Gamy ray r 射線 Gate 門(mén)、柵、控制極 Gate oxide 柵氧化層 Gauss（ian） 高斯 Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布Generation-recombination 產(chǎn)生-復(fù)合 Geometries 幾何尺寸 Germanium(Ge) 鍺 Graded 緩變的 Graded (gradual) channel 緩變溝道 Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶

34、粒 Gradient 梯度 Grown junction 生長(zhǎng)結(jié) Guard ring 保護(hù)環(huán) Gummel-Poom model 葛謀-潘 模型 Gunn - effect 狄氏效應(yīng) Hardened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱 Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/輕 空穴帶 Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾效應(yīng) Heterojunction 異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu) Heterojunction Bipolar Tr

35、ansistor（HBT）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 High field property 高場(chǎng)特性 High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 歸一化 Horizontal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器 Hot carrior 熱載流子 Hybrid integration 混合集成 Image - force 鏡象力 Impact ionization 碰撞電離 Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整結(jié)構(gòu) Implantation dose 注入劑量 Implanted ion 注入離子 I

36、mpurity 雜質(zhì) Impurity scattering 雜志散射 Incremental resistance 電阻增量（微分電阻）In-contact mask 接觸式掩模 Indium tin oxide (ITO) 銦錫氧化物 Induced channel 感應(yīng)溝道 Infrared 紅外的 Injection 注入 Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓 Insulator 絕緣體 Insulated Gate FET(IGFET)絕緣柵FET Integrated injection logic集成注入邏輯 Integration 集成、積分 Intercon

37、nection 互連 Interconnection time delay 互連延時(shí) Interdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu) Interface 界面 Interference 干涉 International system of unions國(guó)際單位制 Internally scattering 谷間散射 Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的 Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體 Inverse operation 反向工作 Inversion 反型 Inverter 倒相器 Ion 離子 Ion beam 離子束 Ion

38、 etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入 Ionization 電離 Ionization energy 電離能 Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島 Isotropic 各向同性 Junction FET(JFET) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction isolation 結(jié)隔離 Junction spacing 結(jié)間距 Junction side-wall 結(jié)側(cè)壁 Latch up 閉鎖 Lateral 橫向的 Lattice 晶格 Layout 版圖 Lattice binding/cell/constant/defect/dist

39、ortion 晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟 /晶格缺陷/晶格畸變 Leakage current （泄）漏電流 Level shifting 電平移動(dòng) Life time 壽命 linearity 線性度 Linked bond 共價(jià)鍵 Liquid Nitrogen 液氮 Liquidphase epitaxial growth technique 液相外延生長(zhǎng)技術(shù) Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 發(fā)光二極管 Load line or Variable 負(fù)載線 Locating and Wiring 布局布線 Longitudinal 縱

40、向的 Logic swing 邏輯擺幅 Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型 Majority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板 Mask level 掩模序號(hào) Mask set 掩模組 Mass - action law質(zhì)量守恒定律 Master-slave D flip-flop主從D觸發(fā)器 Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋 Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳狀發(fā)射極結(jié) Mean time before failure (MTBF) 平均工作時(shí)間 Megeto - res

41、istance 磁阻 Mesa 臺(tái)面 MESFET-Metal Semiconductor金屬半導(dǎo)體FET Metallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù) Microelectronics 微電子學(xué) Millen indices 密勒指數(shù) Minority carrier 少數(shù)載流子 Misfit 失配 Mismatching 失配 Mobile ions 可動(dòng)離子 Mobility 遷移率 Module 模塊 Modulate 調(diào)制 Molecular crystal分子晶體 Monolithic IC 單片IC MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)

42、體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶體管 Multiplication 倍增 Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module(MCM) 多芯片模塊 Multiplication coefficient倍增因子 Naked chip 未封裝的芯片（裸片） Negative feedback 負(fù)反饋 Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻 Negative-temperature-coefficient 負(fù)溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限 Nonequilibrium

43、非平衡 Nonrolatile 非揮發(fā)（易失）性 Normally off/on 常閉/開(kāi) Numerical analysis 數(shù)值分析 Occupied band 滿帶 Officienay 功率 Offset 偏移、失調(diào) On standby 待命狀態(tài) Ohmic contact 歐姆接觸 Open circuit 開(kāi)路 Operating point 工作點(diǎn) Operating bias 工作偏置 Operational amplifier (OPAMP)運(yùn)算放大器 Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝滅 Optical trans

44、ition 光躍遷 Optical-coupled isolator光耦合隔離器 Organic semiconductor有機(jī)半導(dǎo)體 Orientation 晶向、定向 Outline 外形 Out-of-contact mask非接觸式掩模 Output characteristic 輸出特性 Output voltage swing 輸出電壓擺幅 Overcompensation 過(guò)補(bǔ)償 Over-current protection 過(guò)流保護(hù) Over shoot 過(guò)沖 Over-voltage protection 過(guò)壓保護(hù) Overlap 交迭 Overload 過(guò)載 Oscill

45、ator 振蕩器 Oxide 氧化物 Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化 Package 封裝 Pad 壓焊點(diǎn) Parameter 參數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng) Parasitic oscillation 寄生振蕩 Passination 鈍化 Passive component 無(wú)源元件 Passive device 無(wú)源器件 Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor 寄生晶體管 Peak-point voltage 峰點(diǎn)電壓 Peak voltage 峰值電壓 Permanent-stora

46、ge circuit 永久存儲(chǔ)電路 Period 周期 Periodic table 周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū) Phase-lock loop 鎖相環(huán) Phase drift 相移 Phonon spectra 聲子譜 Photo conduction 光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管 Photoelectric cell 光電池 Photoelectric effect 光電效應(yīng) Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工藝 (photo) resist （光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳 Pin

47、ch off 夾斷 Pinning of Fermi level 費(fèi)米能級(jí)的釘扎（效應(yīng)） Planar process 平面工藝 Planar transistor 平面晶體管 Plasma 等離子體 Plezoelectric effect 壓電效應(yīng) Poisson equation 泊松方程 Point contact 點(diǎn)接觸 Polarity 極性 Polycrystal 多晶 Polymer semiconductor聚合物半導(dǎo)體 Poly-silicon 多晶硅 Potential (電)勢(shì) Potential barrier 勢(shì)壘 Potential well 勢(shì)阱 Power d

48、issipation 功耗 Power transistor 功率晶體管 Preamplifier 前置放大器 Primary flat 主平面 Principal axes 主軸 Print-circuit board(PCB) 印制電路板 Probability 幾率 Probe 探針 Process 工藝 Propagation delay 傳輸延時(shí) Pseudopotential method 膺勢(shì)發(fā) Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā)/調(diào)制Pulse Widen Modulator(PWM) 脈沖寬度調(diào)制 Punchth

49、rough 穿通 Push-pull stage 推挽級(jí) Quality factor 品質(zhì)因子 Quantization 量子化 Quantum 量子 Quantum efficiency量子效應(yīng) Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi Fermilevel準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) Quartz 石英 Radiation conductivity 輻射電導(dǎo)率 Radiation damage 輻射損傷 Radiation flux density 輻射通量密度 Radiation hardening 輻射加固 Radiation protection 輻射保護(hù) Radiative - r

50、ecombination輻照復(fù)合 Radioactive 放射性 Reach through 穿通 Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源 Read diode 里德二極管 Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管 Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢復(fù)時(shí)間 Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接觸 Reference 基準(zhǔn)點(diǎn) 基準(zhǔn) 參考點(diǎn) Refractive index 折射率 Register 寄存器 Registration 對(duì)準(zhǔn) Regulate

51、 控制 調(diào)整 Relaxation lifetime 馳豫時(shí)間 Reliability 可靠性 Resonance 諧振 Resistance 電阻 Resistor 電阻器 Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器） Relaxation 馳豫 Resonant frequency共射頻率 Response time 響應(yīng)時(shí)間 Reverse 反向的 Reverse bias 反向偏置 Sampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（Al2O3） Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated current range電流飽和區(qū) S

52、aturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的 Scaled down 按比例縮小 Scattering 散射 Schockley diode 肖克萊二極管 Schottky 肖特基 Schottky barrier 肖特基勢(shì)壘 Schottky contact 肖特基接觸 Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 劃片格 Secondary flat 次平面 Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 Selectivity 選擇性 Self aligned 自對(duì)準(zhǔn)的 Self diffusion 自擴(kuò)散 Semiconductor

53、 半導(dǎo)體 Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 靈敏度 Serial 串行/串聯(lián) Series inductance 串聯(lián)電感 Settle time 建立時(shí)間 Sheet resistance 薄層電阻 Shield 屏蔽 Short circuit 短路 Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流 Sidewall capacitance 邊墻電容 Signal 信號(hào) Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅 Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅

54、Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 絕緣硅 Siliver whiskers 銀須 Simple cubic 簡(jiǎn)立方 Single crystal 單晶 Sink 沉 Skin effect 趨膚效應(yīng) Snap time 急變時(shí)間 Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的 Solar battery/cell 太陽(yáng)能電池 Solid circuit 固體電路 Solid Solubility 固溶度 Sonband 子帶 Source 源極 Source follower 源隨器 Space charge 空

55、間電荷 Specific heat(PT) 熱 Speed-power product 速度功耗乘積 Spherical 球面的 Spin 自旋 Split 分裂 Spontaneous emission 自發(fā)發(fā)射 Spreading resistance擴(kuò)展電阻 Sputter 濺射 Stacking fault 層錯(cuò) Static characteristic 靜態(tài)特性 Stimulated emission 受激發(fā)射 Stimulated recombination 受激復(fù)合 Storage time 存儲(chǔ)時(shí)間 Stress 應(yīng)力 Straggle 偏差 Sublimation 升華 Substrate 襯底 Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格 Supply 電源 Surface 表面 Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下標(biāo) Switching time 開(kāi)關(guān)時(shí)間 Switch 開(kāi)關(guān) Tailing 擴(kuò)展 Terminal 終端 Tensor 張量 Tensorial 張量的 Thermal activation 熱激發(fā) Thermal co