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各種晶體管的導(dǎo)通條件及特性SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT晶閘管晶閘管(SCR)(SCR)陽(yáng)極Anode陰極kathode導(dǎo)通條件：A-K之間加正向電壓，G-K之間加正向電壓(門極G上加觸發(fā)脈沖)；特性：當(dāng)陽(yáng)極電流上升到擎住電流(使晶閘管由關(guān)斷到導(dǎo)通的最小電流)，即使門極G電壓信號(hào)消失，晶閘管仍可繼續(xù)導(dǎo)通關(guān)斷條件：晶閘管陽(yáng)極電流小于維持電流(保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流)G-Gate門極門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)(GTO)G-Gate門極陽(yáng)極Anode陰極kathode電力晶體管電力晶體管(GTR)(GTR)基極baseC- collect集電極e- emitter發(fā)射極GTR在伏安特性區(qū)中只工作在飽和區(qū)和截止區(qū)導(dǎo)通：在基極b施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷：在基極b去掉驅(qū)動(dòng)信號(hào)電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(MOSFET)S-Source源極D-Drain漏極G-Gate門極箭頭往里為N溝道，虛線為增強(qiáng)型，實(shí)線為耗盡型絕緣柵雙極晶體管（絕緣柵雙極晶體管（IGBTIGBT）

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