晶體振蕩器的應(yīng)用

1、晶體振蕩器的應(yīng)用        1引言2晶體振蕩器的組成和分類(lèi)2.1晶體振蕩器的組成溫度特性曲線(xiàn)?？梢钥闯?，SC切割有高的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)ft穩(wěn)定性、良好的老化率和相位噪聲，但缺點(diǎn)是頻率牽引靈敏度低、成本高。    常用的振蕩電路如圖2所示。它采用最穩(wěn)定的一種電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（稱(chēng)作克拉潑振蕩電路）。與考必茲振蕩電路不同的是電感支路有個(gè)電容器，此電容器可使三極管與回路間的耦合減弱，即減小了三極管對(duì)回路的影響，提高了振蕩電路的頻率穩(wěn)定性。圖3是其等效電路。電路的環(huán)路增益等于二極管跨導(dǎo)、諧振電

2、路等效并聯(lián)電阻和反饋系數(shù)之積。反饋系數(shù)為Cf=C1/C2，Cf值偏大時(shí)，環(huán)路增益大，易起振。Cf值過(guò)大時(shí)，振蕩穩(wěn)定性會(huì)變差。其輸出正弦波電平用VPP、VRMS或dBm表示，dBm的計(jì)算式為：必要時(shí)，還須注明諧波抑制比。    方波或矩形波輸出電平應(yīng)注明TTL、CMOS、HCMOS還是ECL、直流分量值。并且，表示出占空比、上升時(shí)間、下降時(shí)間、上沖等脈沖波形其它相應(yīng)參數(shù)。    標(biāo)準(zhǔn)輸出負(fù)載為50、1k、10k10pF或用驅(qū)動(dòng)幾個(gè)門(mén)電路表示，如驅(qū)動(dòng)2個(gè)門(mén)，5個(gè)門(mén)電路。    對(duì)晶體振蕩器的噪聲系數(shù)有特殊要求

3、時(shí)，則應(yīng)嚴(yán)格設(shè)計(jì)振蕩、放大電路及電源。譬如主振選用低噪聲管、低噪聲壓控電壓并使振蕩在低電壓工作，各級(jí)電路必須匹配以保證無(wú)反射、輻射。2.2晶體振蕩器常用標(biāo)頻、術(shù)語(yǔ)及電源2.3晶體振蕩器的分類(lèi)因 為 COC 故 P S , 高 達(dá) 104 106高Q值，加上穩(wěn)定的電路，可輕易地獲得1×105表1 國(guó)外產(chǎn)品的溫補(bǔ)性能 補(bǔ)償方法 溫度穩(wěn)定性(ppm) 附加電路 外殼尺寸/mm2 相位噪聲 050 4085 直 接 1 5 無(wú) 9×11 良好 間接 模擬 分立 0.5 1 無(wú) 13×20 良好 集成 0.3 0.5 無(wú) 5×7 造中 數(shù) 字 0.3 0.5 多 5×7 差 表2 各種晶振主要性能對(duì)照 主要性能 PXO VCXO TCXO OCXO 頻率范圍/MHz 0.13 分頻 分頻 分頻 分頻 335 基頻 基頻 基頻 基頻、泛音 30200 泛音 泛音高基頻 泛音、倍頻 泛音、倍頻 150300 泛音 相鎖、高基頻 相鎖 3002500 倍頻或相鎖 相鎖 相鎖 頻率溫度穩(wěn)定度 1×105 1×105 1×1051×107 1×1071×1011 外形尺寸/mm 4.81&#