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文檔簡介

1、 3.3 硅片表面,Si/SiO2界面,硅鍵界面吸雜 硅片表面及Si/SiO2界面在硅片內(nèi)沒有更優(yōu)的吸雜位置 時,將會對硅片內(nèi)的過渡族金屬雜質(zhì)產(chǎn)生.盡管這種形式 的吸雜并不是大家希望得到(硅片表面吸雜會使器件去雜 質(zhì)濃度增大,但是當(dāng)在硅片內(nèi)部存在類似界面時,吸雜 便有效了. 這種吸雜方式競爭力不強,主要是由于硅片表面/器 件區(qū)也會對雜質(zhì)進行吸引,使雜質(zhì)富集. 第四章: 當(dāng)前晶體硅中過渡族金屬雜質(zhì)吸除工藝 在過去數(shù)十年中,人們在硅片中過渡族金屬雜質(zhì)的吸 除方面所取得的成果主要包括以下幾個方面: (1對硅片中過渡族金屬雜質(zhì)的電學(xué)性能及其在硅 片中的沉積行為有了更深的認識; (2進一步降低了硅片中的

2、金屬雜質(zhì)濃度; (3進一步提高了IC產(chǎn)品的價值. 在過去幾年中,在IC產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用較廣的吸雜工藝有內(nèi) 吸雜,P擴散吸雜及注入吸雜;在PV產(chǎn)業(yè)中,Al吸雜 非常有效,雖然對于IC產(chǎn)業(yè)鋁吸雜并不適用.重摻襯底 吸雜研究表明,其對Fe,Cu,Au,Co,Mn,Mo等金 屬雜質(zhì)具有很好的吸除作用.相比而言,界面吸雜作用并 不顯著. 第五章:硅片中過渡族金屬雜質(zhì)吸除展望 吸雜工藝在未來的發(fā)展主要體現(xiàn)在以下兩個方面: 一,由于產(chǎn)品生產(chǎn)實驗的成本將會越來越高,計算機 模擬吸雜過程將發(fā)揮越來越大的作用.對于計算機模擬而 言,存在的主要問題是如何準確獲得材料各種參數(shù),包括 缺陷沉積區(qū)有效密度,沉積區(qū)域平均半徑,分凝系數(shù),以 及雜質(zhì)的擴散系數(shù)等.在不遠的將來,如何獲得更為準確 的物性參數(shù),是研究這亟待解決的問題. 二,對于IC產(chǎn)業(yè),其吸雜工藝正由原來的內(nèi)吸雜,背 場釋放吸雜降低器件區(qū)雜質(zhì)濃度擴展為通過其他一些分凝 機制的吸雜工藝來降低器件區(qū)金屬雜質(zhì)濃度,這是因為對 于淺結(jié)的一些IC器件,通過釋放機制吸雜工藝,在小的熱 預(yù)算情況下并不能使器件區(qū)的雜質(zhì)濃度降到所需的要求. 對于PV產(chǎn)業(yè),不許額外高費用步驟的吸雜將越來越得到重 視,并將在未來的幾年長期居于壟斷

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