化學(xué)鍵和分結(jié)構(gòu)_第1頁
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文檔簡介

1、化學(xué)鍵和分結(jié)構(gòu)科塞爾(Kossel)-離子鍵理論(G.N. Lewis)-共價鍵理論化學(xué)鍵化學(xué)鍵分子中的兩個(或多個)原子之間的相互作用分子中的兩個(或多個)原子之間的相互作用4-1 4-1 離子鍵理論離子鍵理論離子型化合物:活潑金屬原子與活潑非金屬原子所形成的化合物v主要以晶體形式存在v較高熔點(diǎn)和沸點(diǎn)v熔融或水溶解后能導(dǎo)電1-1 離子鍵的形成離子鍵的形成(以以 NaCl 為例為例)分別形成分別形成 Ne 和和 Ar 的稀有氣體原子的稀有氣體原子的結(jié)構(gòu),形成穩(wěn)定離子。的結(jié)構(gòu),形成穩(wěn)定離子。首先形成穩(wěn)定離子首先形成穩(wěn)定離子NaNaNaNa+ + 2s 2 2p 6 3s 1 2s 2 2p 6

2、ClClClCl- - 2s 2 2p 5 2s 2 2p 6然后由靜電吸引,然后由靜電吸引, 形成化學(xué)鍵形成化學(xué)鍵 。V0Vr0r0rr 為核間距V為體系的勢能r = r0 ,(平衡距離)吸引作用與排斥作用達(dá)到暫時平衡,V 有極小值,此時體系最穩(wěn)定,表明形成離子鍵。r r0 ,當(dāng) r 減小時,V 急劇上升。電子云之間的斥力急劇增加,導(dǎo)致勢能驟然上升。離子鍵理論 當(dāng)電負(fù)性小的活潑金屬與電負(fù)性大的活潑非金屬原子相遇時,發(fā)生電子的得失產(chǎn)生正負(fù)離子;對于主族元素來講形成離子具有稀有氣體結(jié)構(gòu)即P軌道全充滿;正負(fù)離子發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成能量較低的新體系。離子鍵離子鍵由原子間發(fā)生電子的轉(zhuǎn)移,形成正負(fù)離子,由

3、原子間發(fā)生電子的轉(zhuǎn)移,形成正負(fù)離子,并通過靜電作用而形成的化學(xué)鍵并通過靜電作用而形成的化學(xué)鍵離子型化合物離子型化合物由離子鍵形成的化合物由離子鍵形成的化合物 堿金屬和堿土金屬(堿金屬和堿土金屬(Be除外)的鹵化物是典型的除外)的鹵化物是典型的離子型化合物離子型化合物1-2 離子鍵的特點(diǎn)離子鍵的特點(diǎn) (1) 作用力的本質(zhì)是靜電作用力作用力的本質(zhì)是靜電作用力221rqqFq1 ,q2 分別為正負(fù)離子所帶電量 ,r 為正負(fù)離子的核間距離,F為靜電引力。離子間的距離越小,則離子間的引力越強(qiáng)。(2)離子鍵沒有方向性離子鍵沒有方向性與任何方向的電性不同的離子相吸引,所以無方向性與任何方向的電性不同的離子相

4、吸引,所以無方向性(4)鍵的離子性與元素的電負(fù)性有關(guān)鍵的離子性與元素的電負(fù)性有關(guān),發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成離子鍵;發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成離子鍵; ,不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成共價鍵。不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成共價鍵。離子鍵與共價鍵并非有明顯界線。離子鍵與共價鍵并非有明顯界線。(3) 離子鍵沒有飽和性離子鍵沒有飽和性只要是正負(fù)離子之間,則彼此吸引,即無飽和性。只要是正負(fù)離子之間,則彼此吸引,即無飽和性。1-3 離子的特征離子的特征(1)離子的電荷)離子的電荷(2)離子的電子層構(gòu)型)離子的電子層構(gòu)型電荷高,離子鍵強(qiáng)電荷高,離子鍵強(qiáng)離子的電子層構(gòu)型有以下幾種離子的電子層構(gòu)型有以下幾種A. 2電子構(gòu)型電子構(gòu)型B. 8電子構(gòu)

5、型電子構(gòu)型C. 18電子構(gòu)型電子構(gòu)型D. (18+2)電子構(gòu)型電子構(gòu)型E. 8 18電子構(gòu)型電子構(gòu)型在離子的半徑和電荷大致相同條件下,不同構(gòu)型的正離子對在離子的半徑和電荷大致相同條件下,不同構(gòu)型的正離子對同種負(fù)離子的結(jié)合力的大小規(guī)律:同種負(fù)離子的結(jié)合力的大小規(guī)律:8電子層構(gòu)型的離子電子層構(gòu)型的離子817電子層構(gòu)型的離子電子層構(gòu)型的離子18或或18+2電子層構(gòu)型的離子電子層構(gòu)型的離子(3)離子半徑)離子半徑離子半徑離子半徑: 將離子晶體中的離子看成是相切的球體,正將離子晶體中的離子看成是相切的球體,正負(fù)離子的核間距負(fù)離子的核間距 d 是是 r + 和和 r 之和之和 。dr+r -推算半徑的方法

6、:鮑林半徑哥德希密特半徑Zcrn離子半徑的變化規(guī)律離子半徑的變化規(guī)律a ) 同主族從上到下,電子層增加,具有相同電荷數(shù)的離子半徑增加。同主族從上到下,電子層增加,具有相同電荷數(shù)的離子半徑增加。 Li + Na + K + Rb + Cs + F Cl Br Mg 2 + Al 3 + K + Ca 2 + 過渡元素,離子半徑變化規(guī)律不明顯過渡元素,離子半徑變化規(guī)律不明顯 。c ) 同一元素,不同價態(tài)的離子,電荷高的半徑小。同一元素,不同價態(tài)的離子,電荷高的半徑小。 如如 Ti 4 + Ti 3 + ; Fe 3 + r +/ r +1-5 晶格能晶格能晶格能是相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)的正負(fù)離子結(jié)合成晶格

7、能是相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)的正負(fù)離子結(jié)合成1 mol離子晶體所釋放離子晶體所釋放的能量,用的能量,用 U 表示。表示。Na + ( g ) + Cl ( g ) = NaCl ( s ) H = U 晶格能晶格能 U 越大,則形成離子鍵得到離子晶體時放出的能量越多,越大,則形成離子鍵得到離子晶體時放出的能量越多,離子鍵越強(qiáng)。離子鍵越強(qiáng)。玻恩玻恩 哈伯循環(huán)哈伯循環(huán) ( Born Haber Circulation )Born 和和 Haber 設(shè)計了一個熱力學(xué)循環(huán)過程,從已知的熱力學(xué)數(shù)設(shè)計了一個熱力學(xué)循環(huán)過程,從已知的熱力學(xué)數(shù)據(jù)出發(fā),計算晶格能。據(jù)出發(fā),計算晶格能。4-2 4-2 共價鍵理論共價鍵理論1

8、916 年,美國科學(xué)家年,美國科學(xué)家 Lewis 提出共價鍵理論:分子中的原子可以通提出共價鍵理論:分子中的原子可以通過共用電子對來形成稀有氣體的穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)。過共用電子對來形成稀有氣體的穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)。:N :N :N N: +=成功地解釋了由相同原子組成的分子(H2、O2、N2等)以及性質(zhì)相近的不同原子組成的分子(HCl、H2O等),并揭示了共價鍵和離子鍵的區(qū)別。遇到的問題BClClClClClClPClCl電子數(shù)82-1 2-1 價鍵理論價鍵理論 價鍵理論(:又稱電子配對法,簡稱VB法。1927年,年,Heitler 和和 London 用量子力學(xué)處理氫氣分用量子力學(xué)處理氫氣分子子 H2問

9、題所得結(jié)果的推廣。問題所得結(jié)果的推廣。 價鍵理論的基本論點(diǎn):價鍵理論的基本論點(diǎn):(1)共價鍵的本質(zhì))共價鍵的本質(zhì)E0DRro兩個兩個 1s 電子以自旋相同,電子以自旋相同,r 越小,越小,V 越越大。不能形成化學(xué)鍵。大。不能形成化學(xué)鍵。自旋相反時,自旋相反時, r = r 0 時,時, V 值最小,為值最小,為 E= D ( D 0 , D 孤電對孤電對-成鍵電子成鍵電子 成鍵電子成鍵電子 -成鍵電子成鍵電子 ;叁鍵叁鍵雙鍵雙鍵單鍵單鍵(2) 判斷共價分子結(jié)構(gòu)的一般規(guī)則判斷共價分子結(jié)構(gòu)的一般規(guī)則(a)確定中心價層電子的總數(shù)和對數(shù)確定中心價層電子的總數(shù)和對數(shù)Axm中中A的價電子層總電子對數(shù)的價電

10、子層總電子對數(shù)=(A的價電子的價電子+X供給的電子)供給的電子)/2例: 價電子數(shù) 價電子對數(shù) NH4+ N = 5 + 4 - 1=8 CCl4 N = 8 NO2 N = 5 ICl2- N = 10 OCl2 N = 8 PO43- N = 5+3 = 844454(b)根據(jù)中心原子根據(jù)中心原子A周圍的電子對數(shù),找出相應(yīng)的理想周圍的電子對數(shù),找出相應(yīng)的理想幾何結(jié)構(gòu)圖形幾何結(jié)構(gòu)圖形(p162,圖圖4-23)電子對數(shù) 2 3 4 5 6 電子對排布 直線 平面三角 四面體 三角雙錐 八面體(c)畫出結(jié)構(gòu)圖畫出結(jié)構(gòu)圖(d)確定排斥力最小的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)確定排斥力最小的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) SO32 - IF3

11、NO2 電子對數(shù) 4 5 3電子對構(gòu)型分子構(gòu)型 三角錐三角錐 T字形字形 V字形字形(3)判斷共價分子結(jié)構(gòu)的實(shí)例)判斷共價分子結(jié)構(gòu)的實(shí)例SOOOFFFNOO2-4 分子軌道理論分子軌道理論(1)理論基本要點(diǎn))理論基本要點(diǎn)分子中電子不從屬于某些特定的原子,而是遍及整個分子范圍;分子中電子不從屬于某些特定的原子,而是遍及整個分子范圍;分子軌道由原子軌道線性組合而成,而且分子軌道的數(shù)目與參與組分子軌道由原子軌道線性組合而成,而且分子軌道的數(shù)目與參與組合的原子軌道數(shù)目相等;合的原子軌道數(shù)目相等;每一個分子軌道都有一相應(yīng)的能量和圖象;每一個分子軌道都有一相應(yīng)的能量和圖象;電子的排布也遵從原子軌道電子排布

12、的原電子的排布也遵從原子軌道電子排布的原則;則;(2) 原子軌道線性組合的類型原子軌道線性組合的類型 s-s重疊、重疊、s-p重疊、重疊、p-p重疊、重疊、p-d重疊、重疊、d-d重疊重疊s-s重疊重疊一個原子的ns軌道與另一原子的ns軌道組合成兩個分子軌道。反鍵軌道:電子云偏向兩核外側(cè),核間稀疏,不能抵消兩核的斥力,體系能量較高。成鍵軌道:電子云在核間分布密集,對兩核的吸引能夠抵消兩核間的斥力,能使分子的原子之間發(fā)生鍵合。p-p重疊重疊(3) 原子軌道線性組合的原則原子軌道線性組合的原則A. 能量相近原則能量相近原則 H 1s 1312 kJmol 1 Na 3s 496 kJmol 1 O

13、 2p 1314 kJmol 1 Cl 3p 1251 kJmol 1 ( 以以上數(shù)據(jù)根據(jù)上數(shù)據(jù)根據(jù) I1 值估算值估算 ) 1s、2p、3p 個軌道能量相近,彼此間均個軌道能量相近,彼此間均可組合,形成分子軌道可組合,形成分子軌道 ;但;但 3 s 個軌道個軌道的能量高,不能與之組合。的能量高,不能與之組合。B. 最大重疊原理最大重疊原理 原子軌道重疊原子軌道重疊越大,越易形成分子軌道,或說越大,越易形成分子軌道,或說共價鍵越強(qiáng)。共價鍵越強(qiáng)。C. 對稱性一致原則對稱性一致原則對稱性相同的原子軌道才能組成分子對稱性相同的原子軌道才能組成分子軌道。即重疊部分的原子軌道的正、軌道。即重疊部分的原子

14、軌道的正、負(fù)號相同。負(fù)號相同。(4)同核雙原子分子的分子軌道能級圖)同核雙原子分子的分子軌道能級圖2p2p *2xp *2zp *2yp 2 yp 2 zp 2xp2s 2s 2s *2s 1s *1s MO 1s 1sAOAOO2 ,F(xiàn)2 分子分子 *2xp1s1s 1s *1s2s 2s 2s *2sAO2p2p MO AO *2zp *2yp 2 yp 2 zp 2xpB2,C2,N2 等分子等分子A. 圖圖1適用于適用于 O2 ,F(xiàn)2 分子;圖分子;圖2適用于適用于 B2,C2,N2 等分子等分子 B. 成鍵分子軌道的能量比原子軌道能量低,反鍵分子成鍵分子軌道的能量比原子軌道能量低,反

15、鍵分子軌道高于相應(yīng)的數(shù)量軌道高于相應(yīng)的數(shù)量 C. 原子軌道能量由原子的核電荷有關(guān),而分子軌道能量受組成分原子軌道能量由原子的核電荷有關(guān),而分子軌道能量受組成分子軌道的原子軌道的影響子軌道的原子軌道的影響 D. 簡并軌道:軌道形狀相同,能量相等簡并軌道:軌道形狀相同,能量相等 (5)異核雙原子分子的分子軌道能級圖)異核雙原子分子的分子軌道能級圖2-5 鍵參數(shù)與分子的性質(zhì)鍵參數(shù)與分子的性質(zhì)(1) 鍵級鍵級2反鍵鍵電子成鍵鍵電子鍵級He2:N2: 32410鍵級0222鍵級(2)鍵能)鍵能AB ( g ) A ( g ) + B ( g ) H = EABAB分子的鍵離解能分子的鍵離解能 D(A-B

16、):絕對零度下,將處于基態(tài)的雙原子絕對零度下,將處于基態(tài)的雙原子分子分子AB拆開成也處于基態(tài)的拆開成也處于基態(tài)的A原子和原子和B原子時所需要的能量原子時所需要的能量雙原子分子離解能就是鍵能雙原子分子離解能就是鍵能 NH3 ( g ) H ( g ) + NH2 ( g ) D1 = 427 kJmol1 NH2 ( g ) H ( g ) + NH ( g ) D2 = 375 kJmol1 NH ( g ) H ( g ) + N ( g ) D3 = 356 kJmol1)(386311563)(1321molKJDDDHNE(3)鍵長)鍵長鍵長鍵長:分子中成鍵兩原子核之間的距離。分子中成

17、鍵兩原子核之間的距離。 一般鍵長越小,鍵越強(qiáng)。一般鍵長越小,鍵越強(qiáng)。 鍵長鍵長 / pm 鍵能鍵能 / kJmol-1 C C C 120 835.1 N N 145 167 N = N 125 418 N N 110 (4)鍵角)鍵角 鍵角是分子中鍵與鍵之間的夾角鍵角是分子中鍵與鍵之間的夾角如如 NH3 , HNH 鍵角為鍵角為 107 18, NH3分分子的構(gòu)型為子的構(gòu)型為 三角錐三角錐又如又如 CO2 , OCO 的鍵角為的鍵角為 180,則,則 CO2 分子為直線形分子為直線形 。COONHHH(5)鍵的極性)鍵的極性A。非極性共價鍵非極性共價鍵 同原子分子:同原子分子:H2, O2

18、,N2, Cl2B。 極性共價鍵極性共價鍵 不同原子分子:不同原子分子:HCl2-6 分子晶體和原子晶體分子晶體和原子晶體(1)分子晶體)分子晶體共價型非金屬單質(zhì)和化合物分子(鹵素、氫、鹵化氫、水、氨、二氧化碳等)特點(diǎn):晶格的質(zhì)點(diǎn)是分子;質(zhì)點(diǎn)間的作用力是分子與分子之間的作用力。性質(zhì):熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較低,硬度較小;一般不導(dǎo)電。(2)原子晶體)原子晶體一些共價型非金屬單質(zhì)和化合物分子(SiC、SiO2、BN等)特點(diǎn):晶格的質(zhì)點(diǎn)是原子;原子間是通過共價相互結(jié)合在一起的。性質(zhì):熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高,硬度較大;一般不導(dǎo)電。硅、碳化硅等具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。 4-3 金屬鍵理論金屬鍵理論3-1 金屬鍵的改性共價鍵理論金

19、屬鍵的改性共價鍵理論 金屬鍵理論認(rèn)為,在固態(tài)或液態(tài)金屬中,價電子金屬鍵理論認(rèn)為,在固態(tài)或液態(tài)金屬中,價電子可以自由地從一個原子跑向另一個原子,這些用電子可以自由地從一個原子跑向另一個原子,這些用電子起到把(或離子)粘合在一起的作用了金屬鍵。起到把(或離子)粘合在一起的作用了金屬鍵。自由電子自由電子+金屬離子金屬離子金屬原子金屬原子位錯位錯+特點(diǎn):較大密度、有金屬光澤、良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和機(jī)械加工性等3-2 金屬鍵的能帶理論金屬鍵的能帶理論理論基本論點(diǎn)理論基本論點(diǎn)(1)電子是離域的)電子是離域的 所有電子屬于金屬晶體,或說為整個金屬大分子所共有,不所有電子屬于金屬晶體,或說為整個金屬大分子所共

20、有,不再屬于哪個原子。我們稱電子是離域的再屬于哪個原子。我們稱電子是離域的 。 (2)組成金屬能帶)組成金屬能帶 ( Energy Band)(3)分子軌道所形成的能帶可看成是緊密堆)分子軌道所形成的能帶可看成是緊密堆積的金屬原子的電子能級發(fā)生的重疊。積的金屬原子的電子能級發(fā)生的重疊。(4)滿帶、)滿帶、 導(dǎo)帶和空帶導(dǎo)帶和空帶滿帶:由充滿電子的原子軌道能級所滿帶:由充滿電子的原子軌道能級所形成的低能量能帶形成的低能量能帶 (如(如Li 的的1s能帶)能帶)導(dǎo)帶:由末充滿電子的能級所導(dǎo)帶:由末充滿電子的能級所形成的高能量能帶形成的高能量能帶 (如(如Li 的的2s能帶)能帶)禁帶:滿帶頂和導(dǎo)帶底

21、之間的能量間隔禁帶:滿帶頂和導(dǎo)帶底之間的能量間隔 (如(如Li 的的1s與與2s之間的間隔)之間的間隔)(5)能帶重疊)能帶重疊3n 個個 2pn 個個 2s相鄰近的能帶,有時可以重疊。相鄰近的能帶,有時可以重疊。 即能即能量范圍有交叉。量范圍有交叉。 如如 Be 的的 2s 能帶和能帶和 2p 能帶,可以部分重疊能帶,可以部分重疊 。能帶結(jié)構(gòu)中禁帶寬度和能帶中電子充能帶結(jié)構(gòu)中禁帶寬度和能帶中電子充填的善,可以決定固體材料是導(dǎo)體、填的善,可以決定固體材料是導(dǎo)體、半導(dǎo)體或絕緣體。半導(dǎo)體或絕緣體。3-3 金屬晶體金屬晶體為使電子的能級可以盡可能多的重疊,形成為使電子的能級可以盡可能多的重疊,形成“

22、少電子少電子多中心多中心”鍵,金屬在形成晶體時傾向于組成極為緊密鍵,金屬在形成晶體時傾向于組成極為緊密的結(jié)構(gòu)。的結(jié)構(gòu)。六方緊密堆積 IIIB,IVB面心立方緊密堆積 IB,Ni,Pd, Pt立方體心堆積 IA,VB,VIB晶格 六方緊堆晶格六方緊堆晶格面心立方緊堆晶格面心立方緊堆晶格體心立方晶格體心立方晶格 4 分子間作用力分子間作用力4-1 極性分子與非極性分子極性分子與非極性分子 雙原子分子雙原子分子 HCl 的正負(fù)電重心不重合,是極性分子。若的正負(fù)電重心不重合,是極性分子。若正電(正電( 和負(fù)電和負(fù)電 )重心上的電荷的電量為)重心上的電荷的電量為 q ,正負(fù)電重心之間正負(fù)電重心之間的距離

23、為的距離為 d ( 稱偶極矩長稱偶極矩長 ),則偶極矩),則偶極矩 = q d 。1 永久偶極永久偶極 分子的正電重心和負(fù)電重心不重合,則為極分子的正電重心和負(fù)電重心不重合,則為極性分子,其極性的大小可以用偶極矩性分子,其極性的大小可以用偶極矩 來度量。來度量。 偶極矩以德拜(偶極矩以德拜(D)為單位,當(dāng)為單位,當(dāng) q = 1.62 101 9 庫侖(庫侖(電子的電量電子的電量 ),), d = 1.0 1010 m ( ) 時,時, = 4.8 D 。 2 誘導(dǎo)偶極和瞬間偶極誘導(dǎo)偶極和瞬間偶極 誘導(dǎo)偶極:外電場影響下所產(chǎn)生的偶極誘導(dǎo)偶極:外電場影響下所產(chǎn)生的偶極瞬間偶極:瞬間偶極: 在某一瞬

24、間,分子的正電荷重心和負(fù)在某一瞬間,分子的正電荷重心和負(fù)電荷重心會發(fā)生不重合現(xiàn)象,這時所產(chǎn)生的偶極電荷重心會發(fā)生不重合現(xiàn)象,這時所產(chǎn)生的偶極_ _ = 04-2 分子間作用力分子間作用力 (范德華力)(范德華力)化學(xué)鍵的結(jié)合能一般在化學(xué)鍵的結(jié)合能一般在 1.0 10 2 kJ mol1 數(shù)量數(shù)量級,而分子間力的能量只有幾個級,而分子間力的能量只有幾個 kJ mol1 。 1 取向力取向力 極性分子之間的永久偶極性分子之間的永久偶極而產(chǎn)生的相互作用力極而產(chǎn)生的相互作用力 2 誘導(dǎo)力誘導(dǎo)力 誘導(dǎo)偶極同極性分子的誘導(dǎo)偶極同極性分子的永久偶極間的作用力永久偶極間的作用力 極性分子作為電場,使非極性分子

25、產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極或使極性分子的偶極增大(也產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極),這時誘導(dǎo)偶極與永久偶極之間產(chǎn)生誘導(dǎo)力。因此誘導(dǎo)力存在于極性分子與非極性分子之間,也存在于極性分子與極性分子之間。它僅存在于極性分子之間,它僅存在于極性分子之間, F 2 /T/d7 。 :偶極矩;偶極矩;T:絕對溫絕對溫度;度; d:分子間距離分子間距離3 色散力色散力 由于存在由于存在“瞬間偶極瞬間偶極”而產(chǎn)生的相互作用力而產(chǎn)生的相互作用力范德華力的特點(diǎn):范德華力的特點(diǎn): a ) 永遠(yuǎn)存在于分子之間;永遠(yuǎn)存在于分子之間; b ) 力的作用很?。涣Φ淖饔煤苄?; c ) 無方向性和飽和性;無方向性和飽和性; d ) 是近程力,是近程力,F(xiàn) 1

26、 / r7; e ) 經(jīng)常是以色散力為主。經(jīng)常是以色散力為主。由于各種分子均有瞬間偶極,故色散力存在于極由于各種分子均有瞬間偶極,故色散力存在于極性分和極性分子,極性分子和非極性分子及非極性分和極性分子,極性分子和非極性分子及非極性分子和非極性分子之間性分子和非極性分子之間 。4-3 離子極化離子極化正負(fù)離子相互接近時,由于各自原子核對對方電子云的吸引和對對方原子核的排斥,總會引起對方電子云主要是最外層電子云的變形,使電子云分布的重心偏離原子核,這種現(xiàn)象稱為離子極化。1.離子極化的一般規(guī)律離子極化的一般規(guī)律 正離子半徑越小,電荷越多,極化能力越強(qiáng); 負(fù)離子半徑越大,電荷越多,越容易被極化,電子

27、云越易變形。 離子半徑,電荷相同時,18和18+2構(gòu)型的離子比8電子構(gòu)型的離子容易被極化,即過渡金屬離子比主族金屬離子容易被極化,相應(yīng)化合物的離子性減弱。一般情況下,由正離子電場引起的負(fù)離子的極化常是矛盾的主要方面,只有當(dāng)正離子最外層為18電子(如Ag+、Zn2+等)時,正離子的極化率和負(fù)離子對正離子的極化比較顯著。如AgI晶體,正負(fù)離子間的相互極化很突出,兩種離子的電子云都發(fā)生變形,離子鍵已經(jīng)過渡為共價鍵了。鍵型過渡,使鍵的極性減弱了,從而縮短了原正、負(fù)離子間的距離,例如AgI晶體,Ag+與I-間的距離按離子半徑之和約126+216=342pm,實(shí)測為299pm,縮小了43pm。2. 離子的變形性離子的變形性A. 18電子層和不規(guī)則電子層的離子,其變形性比相近半徑電子層和不規(guī)則電子層的離子,其變形性比相近半徑的稀有氣體型離子大得多。的稀有氣體型離子大得多。Ag+ K+; Hg2+ Ca2+B. 對于結(jié)構(gòu)相同的離子來說,正電荷對于結(jié)構(gòu)相同的離子來說,正電荷 越高的陽離子變形性越越高的陽離子變形性

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