正裝與倒裝芯片的封裝

1、倒裝芯片的封裝  倒裝芯片通常是功率芯片主要用來(lái)封裝大功率LED(>1W)，正裝芯片通常是用來(lái)進(jìn)行傳統(tǒng)的小功率310的封裝。因此，功率不同導(dǎo)致二者在封裝及應(yīng)用的方式均有較大的差別，主要區(qū)別有如下幾點(diǎn)：1.  封裝用原材料差別：    金線支架熒光粉膠水散熱設(shè)計(jì)正裝小芯片0.80.9mil直插式Y(jié)AG環(huán)氧樹(shù)脂無(wú)倒裝芯片1.01.25milDome PowerYAG或硅酸鹽熒光粉硅膠散熱基板2封裝制程區(qū)別：(1).固晶：正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點(diǎn)上絕緣導(dǎo)熱膠來(lái)固定芯片，而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連，且

2、本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材；(2).焊線：正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動(dòng)電流較小且發(fā)熱量也相對(duì)較小，因此采用正負(fù)電極各自焊接一根0.80.9mil金線與支架正負(fù)極相連即可；而倒裝功率芯片驅(qū)動(dòng)電流一般在350mA以上，芯片尺寸較大，因此為了保證電流注入芯片過(guò)程中的均勻性及穩(wěn)定性，通常在芯片正負(fù)級(jí)與支架正負(fù)極間各自焊接兩根1.01.25mil的金線；(3).熒光粉選擇：正裝小芯片一般驅(qū)動(dòng)電流在20mA左右，而倒裝功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用過(guò)程中各自的發(fā)熱量相差甚大，而現(xiàn)在市場(chǎng)通用的熒光粉主要為YAG， YAG自身耐高溫為127左右，而芯片點(diǎn)亮后，結(jié)溫(Tj)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高

3、于此溫度，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長(zhǎng)時(shí)間老化衰減嚴(yán)重，因此在倒裝芯片封裝過(guò)程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉；(4).膠體的選擇：正裝小芯片發(fā)熱量較小，因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹(shù)脂就可以滿足封裝的需要；而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大，需要采用硅膠來(lái)進(jìn)行封裝；硅膠的選擇過(guò)程中為了匹配藍(lán)寶石襯底的折射率，建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51)，防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉；同時(shí)，硅膠彈性較大，與環(huán)氧樹(shù)脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹(shù)脂小很多，在使用過(guò)程中可以對(duì)芯片及金線起到良好的保護(hù)作用，有利于提高整個(gè)產(chǎn)品的可靠性；(5).點(diǎn)膠：正裝小芯片的封裝通常采用

4、傳統(tǒng)的點(diǎn)滿整個(gè)反射杯覆蓋芯片的方式來(lái)封裝，而倒裝功率芯片封裝過(guò)程中，由于多采用平頭支架，因此為了保證整個(gè)熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝；示意圖如下：   (6).灌膠成型：正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹(shù)脂然后將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個(gè)進(jìn)氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來(lái)填充，填充的過(guò)程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋、分層等現(xiàn)象影響成品率；(7).散熱設(shè)計(jì)：正裝小芯片通常無(wú)額外的散熱設(shè)計(jì)；而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板，特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來(lái)散熱；在

5、焊接支架到鋁基板的過(guò)程中  建議使用功率<30W的恒溫電烙鐵溫度低于230，停留時(shí)間<3S來(lái)焊接；(8).封裝后成品示意圖：                                  APT芯片使用說(shuō)明 一.18mil芯片：1芯片

6、(硅板)尺寸：826m x826m，芯片整體厚度：360±10m2芯片打線示意圖：                       3焊盤(pán)材料：Al    焊盤(pán)厚度：1m4使用金線：1.0mil，正負(fù)極各打一根金線即可；5封裝注意事項(xiàng)：(1).建議使用直插式支架(2).使用銀膠，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或接觸不良影響導(dǎo)熱；(3).白光封

7、裝建議提高YAG熒光粉與環(huán)氧樹(shù)脂的配比(912%，正白光)，點(diǎn)膠水成“微凸”即可，如不調(diào)整比例在封裝過(guò)程極易出現(xiàn)溢膠現(xiàn)象；6驅(qū)動(dòng)電流：120mA二.24mil芯片：1芯片(硅板)尺寸：1300m x820m，芯片整體厚度：360±10m2芯片打線示意圖： 3焊盤(pán)材料：Al    焊盤(pán)厚度：1m4使用金線：1.25mil，正負(fù)極各打一根或兩根金線即可；5封裝注意事項(xiàng)：(1).建議使用直插式支架或dome power支架(帶鋁基板)(2).使用銀膠，銀膠請(qǐng)?jiān)诠璋逑虏⒘悬c(diǎn)兩點(diǎn)，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或接觸不良   影響導(dǎo)熱

8、；(3).白光封裝建議提高YAG熒光粉與環(huán)氧樹(shù)脂的配比(直插式：912%，正白光；dome    power:7% 左右，正白光)，點(diǎn)膠水成“微凸”即可，直插式如不調(diào)整比例在封裝過(guò)程極易  出現(xiàn)溢膠現(xiàn)象；6驅(qū)動(dòng)電流：150mA三.40mil芯片：1芯片(硅板)尺寸：1910m x820m，芯片整體厚度：360±10m2芯片打線示意圖：3焊盤(pán)材料：Al    焊盤(pán)厚度：1m4使用金線：1.25mil，正負(fù)極各打兩根金線即可；5封裝注意事項(xiàng)：(1).dome power支架(帶鋁基板)(2).使用銀膠，銀膠請(qǐng)?jiān)诠璋逑虏⒘悬c(diǎn)兩點(diǎn)，并用量稍微多一些，避免固晶不牢或接觸不良   影響導(dǎo)熱；(3)