N個(gè)觸發(fā)器可以構(gòu)成能寄存()位二進(jìn)制數(shù)碼的寄存器

1、習(xí)題十一、選擇題1. N個(gè)觸發(fā)器可以構(gòu)成能寄存()位二進(jìn)制數(shù)碼的寄存器。A.N-1 B.N C.N+1 D.2N2.要產(chǎn)生10個(gè)順序脈沖，若用四位雙向移位寄存器CT74LS194來(lái)實(shí)現(xiàn)，需要()片。A.3 B.4 C.5 D.1038位移位寄存器，串行輸入時(shí)經(jīng)( )個(gè)脈沖后，8位數(shù)碼全部移入寄存器中。A.1 B.2 C.4 D.84某移位寄存器的時(shí)鐘脈沖頻率為100KHZ，欲將存放在該寄存器中的數(shù)左移8位，完成該操作需要()時(shí)間。A.10S B.80S C.100S D.800ms5要產(chǎn)生10個(gè)順序脈沖，若用四位雙向移位寄存器CT74LS194來(lái)實(shí)現(xiàn)，需要()片。A.3 B.4 C.5 D.1

2、06一個(gè)容量為 的RAM，則共有( )個(gè)存儲(chǔ)單元，( )根地址線，( )根數(shù)據(jù)線。A 60000 , 14 , 2 B 65536 , 16 , 4C 56521 , 16 , 6 D 45862 , 8 , 87一個(gè)容量為8192的ROM，他的每個(gè)字是4位。則有( ) 字，地址碼有( )位。 A 1024，14 B 2048，11 C 1000，20 D 2000，88若存儲(chǔ)芯片的容量為位，則訪問(wèn)該芯片要( )位地址線。設(shè)該芯片再存儲(chǔ)器中的首地址為A0000H時(shí)，末地址是( ) 。 A 16 ，C0000 B 17，BFFFF C 18 ，C0001 D 20 ，D3210二、判斷題1：RO

3、M和RAM是結(jié)構(gòu)相同但性能不同的存儲(chǔ)器。()2：存儲(chǔ)器就是容量特別大的寄存器。()3對(duì)于隨機(jī)存儲(chǔ)器,如果字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠用，可采用位擴(kuò)展法。()4需要用6片4K×4位的RAM才能將其容量擴(kuò)展成8K×8位。()5一個(gè)容量為8192的ROM，他的每個(gè)字是4位。則有11字，地址碼有2048 位。()6根據(jù)用途不同，存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)，一類(lèi)是只讀存儲(chǔ)器 ROM，另一類(lèi)稱(chēng)為隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM。()7隨機(jī)存取存儲(chǔ)器按結(jié)構(gòu)分可分為靜態(tài)RAM 和動(dòng)態(tài)RAM。三、填空題1、一個(gè)容量為 的RAM，則共有( )個(gè)存儲(chǔ)單元，( )根地址線， ( ) 根數(shù)據(jù)線。2：對(duì)于隨機(jī)存儲(chǔ)器,如果字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不

4、夠用，可采用（ ）。3：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器按結(jié)構(gòu)分可分為 ( ) 和 ( )。4：需要用( )片4K×4位的RAM才能將其容量擴(kuò)展成8K×8位。5：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱(chēng) ( ) ，它主要由 ( ) 、地址譯碼器和 ( ) 組成。6：根據(jù)用途不同，存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)，一類(lèi)是( )，另一類(lèi)稱(chēng)為 ( ) 。7：若存儲(chǔ)芯片的容量為位，則訪問(wèn)該芯片要 (17) 位地址線。設(shè)該芯片再存儲(chǔ)器中的首地址為A0000H時(shí)，末地址是 ( ) 。8：一個(gè)容量為8192的ROM，他的每個(gè)字是4位。則有 ( ) 字，地址碼有 ( ) 位。9：對(duì)于隨機(jī)存儲(chǔ)器,如果位數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠用，可采用（ ）。四、分析題

5、1：分析如圖P10-1電路，說(shuō)明功能。圖P10-174LS194功能表輸 入輸 出0×××××××××00001××0××××××保 持1 1 1 × × 1 0 1 × 1 × × × ×11 0 1 × 0 × × × × 01 1 0 1 × × × × 

6、5;11 1 0 0 × × × × ×01 0 0 × × × × × × ×保 持2：分析如圖P10-2 7329電路，說(shuō)明功能。圖P10-274LS194功能表輸 入輸 出0×××××××××00001××0××××××保 持1 1 1 × × 1 0 1 × 1 

7、5; × × ×11 0 1 × 0 × × × × 01 1 0 1 × × × × ×11 1 0 0 × × × × ×01 0 0 × × × × × × ×保 持3：試畫(huà)出用4K×4位的RAM芯片擴(kuò)展成8K×8位RAM的邏輯圖。 圖P10-34：如圖P10-4所示，試畫(huà)出用4K×4位的RAM芯片擴(kuò)展成8K×4位的RAM存儲(chǔ)器的邏輯圖。圖P10-45：如圖P10-5所示，試畫(huà)出用4K×4位的RAM芯片擴(kuò)展成4K×8位的RAM存儲(chǔ)器的邏輯圖。圖P10-56：一ROM點(diǎn)陣如圖