基于LTCC工藝的設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)

1、基于LTCC工藝的設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)1材料特性 特性相關(guān)參數(shù)值1相對(duì)介電常數(shù)Er：5.9±0.2(1100GH)2介質(zhì)損耗角正切：<0.002 （1100GHz)3電阻率：>at 100DVC5層數(shù)：最多30層6每層層厚：0.1mm7導(dǎo)體厚度：0.01mm8孔徑：最小直徑0.1mm 可選6mil 8mil 10mil 12mil9密度：Density3.210鍍金屬：銅（Cu）頂層：嵌入其中，中間層：上下各嵌入50 過孔鍍銀（Ag）11.基板尺寸（最大）105mm×105mm12生瓷片精度橫向平面精度：±5um眾向生瓷精度：±10um2.導(dǎo)體線寬和

2、間距 建議尺寸 最小尺寸ABC頂層45um45um45um內(nèi)層100um100um100umNote: 可能的情況下推薦更大的間距，密度過大或者焊盤過近將造成潛在的短路問題 相關(guān)參數(shù): 網(wǎng)印最小線寬/間距 100um/100um 直描最小線寬/間距 50um/75um蝕刻最小線寬/間距 45um/45um3導(dǎo)體到基板邊緣的間距/和腔體間隙 推薦尺寸 最小尺寸4電氣過孔214 的可選通孔直徑為：6mils、8mils、10mils、12mils互連通孔最小直徑：0.1mm 5.同層通孔間距A一般取3倍于孔徑尺寸注意：散熱和RF通孔排除在此標(biāo)準(zhǔn)外相關(guān)參數(shù)：互連通孔最小節(jié)距：0.3mm6.過孔托盤在

3、通孔上面和下面的托盤必須以一定的距離與通孔的所有邊都重疊，除非密集布線情況時(shí)不允許使用此方法（通孔直接與導(dǎo)線相連）7基板邊緣電氣通孔A值推薦34倍于通孔直徑，最小為1825mil8器件安裝處通孔分布當(dāng)設(shè)計(jì)的密度需要長的通孔串時(shí)，通孔必須交錯(cuò)分布以防發(fā)生突然折斷的裂縫。層與層直接的電氣通孔之間的交錯(cuò)連接：通孔采取垂直方向的交錯(cuò)（Z字型），以使傳送通道（routing channels）的封閉(blockage)降到最小,并減小通孔的“加速效應(yīng)”（posting effect）。以下是交錯(cuò)通孔技術(shù)的示例： 可接受的Z字形 推薦的階梯型 堆疊通孔通孔堆棧：說明：電連接建議使用交錯(cuò)通孔，在特別情況下，

4、在同一通孔處最多可以通孔15 層。9地和電源面板大面積的裸露導(dǎo)體區(qū)域，比如面板，必須是實(shí)心的。燒結(jié)板在所有可能的地方應(yīng)該網(wǎng)格化。鋪地的區(qū)域必須是實(shí)心的，以此在需要時(shí)提供對(duì)傳輸線或其他關(guān)鍵信號(hào)線的保護(hù)。所有鋪地板的邊緣（在基板的周圍和腔體附近）都必須造成城形，來提升生瓷帶層與層之間的迭片結(jié)構(gòu)的粘合性。相鄰層之間的面板的柵格形狀必須是可以相互抵消(offset)的，使基板頂層和地層表面較為平整注意：接地板的網(wǎng)格應(yīng)盡可能的大來減小多余增量和損耗，對(duì)于大面積地面/電源面，建議使用柵格形式，對(duì)于特別情況，局部可以使用面地面/面電源面。10空腔空腔底部導(dǎo)體與空腔壁之間的間隙如果有必要，底部導(dǎo)體的電氣連接可以穿過空腔壁，但是不能超過壁長的25，最大50，城形的金屬化設(shè)計(jì)可以用來滿足該設(shè)計(jì)。裸露/燒結(jié)導(dǎo)體到腔體壁之間的間隙11通孔與腔體的間隙通孔和腔體壁之間的間隙連接架注意：在設(shè)計(jì)確認(rèn)前應(yīng)該檢查連接架上的空腔壁高度12空腔與空腔的間隔：最小尺寸 注意：1 燒結(jié)腔體壁長度不應(yīng)超過5