單片機(jī)掉電保護(hù)總結(jié)_第1頁(yè)
單片機(jī)掉電保護(hù)總結(jié)_第2頁(yè)
單片機(jī)掉電保護(hù)總結(jié)_第3頁(yè)
單片機(jī)掉電保護(hù)總結(jié)_第4頁(yè)
單片機(jī)掉電保護(hù)總結(jié)_第5頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)斷電時(shí)的數(shù)據(jù)保護(hù)方法 在測(cè)量、控制等領(lǐng)域的應(yīng)用中,常要求單片機(jī)內(nèi)部和外部RAM中的數(shù)據(jù)在電源掉電時(shí)不丟失,重新加電時(shí),RAM中的數(shù)據(jù)能夠保存完好,這就要求對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)加接掉電保護(hù)電路。掉電保護(hù)通??刹捎靡韵氯N方法:一是加接不間斷電源,讓整個(gè)系統(tǒng)在掉電時(shí)繼續(xù)工作,二是采用備份電源,掉電后保護(hù)系統(tǒng)中全部或部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容;三是采用EEPROM來(lái)保存數(shù)據(jù)。由于第一種方法體積大、成本高,對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)來(lái)說(shuō),不宜采用。第二種方法是根據(jù)實(shí)際需要,掉電時(shí)保存一些必要的數(shù)據(jù),使系統(tǒng)在電源恢復(fù)后,能夠繼續(xù)執(zhí)行程序,因而經(jīng)濟(jì)實(shí)用,故大量采用1。EEPROM既具有ROM掉電不丟失數(shù)據(jù)的

2、特點(diǎn),又有RAM隨機(jī)讀寫(xiě)的特點(diǎn)。但由于其讀寫(xiě)速度與讀寫(xiě)次數(shù)的限制,使得EEPROM不能完全代替RAM。下面將介紹最常用的一些掉電保護(hù)的處理方法,希望能對(duì)相關(guān)設(shè)計(jì)人員在實(shí)際工作中有所幫助。  1 簡(jiǎn)單的RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)電路         在具有掉電保護(hù)功能的單片機(jī)系統(tǒng)中,一般采用CMOS單片機(jī)和CMOS RAM。CMOS型RAM存儲(chǔ)器靜態(tài)電源小,在正常工作狀態(tài)下一般由電源向片外RAM供電,而在斷電狀態(tài)下由小型蓄電池向片外RAM供電,以保存有用數(shù)據(jù),采用這種方法保存數(shù)據(jù),時(shí)間

3、一般在35個(gè)月2。然而,系統(tǒng)在上電及斷電過(guò)程中,總線狀態(tài)的不確定性往往導(dǎo)致RAM內(nèi)某些數(shù)據(jù)的變化,即數(shù)據(jù)受到?jīng)_失。因此對(duì)于斷電保護(hù)數(shù)據(jù)用的RAM存儲(chǔ)器,除了配置供電切換電路外,還要采取數(shù)據(jù)防沖失措施,當(dāng)電源突然斷電時(shí),電壓下降有個(gè)過(guò)程,CPU在此過(guò)程中會(huì)失控,可能會(huì)誤發(fā)出寫(xiě)信而沖失RAM中的數(shù)據(jù),僅有電池是不能有效完成數(shù)據(jù)保護(hù)的,還需要對(duì)片選信號(hào)加以控制,保證整個(gè)切換過(guò)程中CS引腳的信號(hào)一直保持接近VCC。通常,采用在RAM的CS和VCC引腳之間接一個(gè)電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)COMS RAM的電源切換,然而,如果在掉電時(shí),譯碼器的輸出出現(xiàn)低電平,就可能出現(xiàn)問(wèn)題,圖1給出一種簡(jiǎn)單的電路設(shè)計(jì),它能夠避

4、免上述問(wèn)題的產(chǎn)生。         圖1中,4060開(kāi)關(guān)電路起到對(duì)CS控制的作用。當(dāng)電壓小于等于4.5V時(shí)就使開(kāi)關(guān)斷開(kāi),CS線上拉至"1",這樣,RAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)沖失;當(dāng)電壓大于4.5V時(shí),4060開(kāi)關(guān)接通,使RAM能正常進(jìn)行讀寫(xiě)。  2 可靠的RAM掉電保護(hù)電路         上述的電路雖然簡(jiǎn)單,但有時(shí)可能起不到RAM掉電保護(hù)的作用,原因是在電源掉電和重新加電的過(guò)程中,

5、電源電壓躍變的干擾可能使RAM瞬間處于讀寫(xiě)狀態(tài),使原來(lái)RAM中的數(shù)據(jù)遭到破壞,因此,在掉電剛剛開(kāi)始以及重新加電直到電源電壓保持穩(wěn)定下來(lái)之前,RAM應(yīng)處于數(shù)據(jù)保持狀態(tài),6264 RAM、5101 RAM等RAM芯片上都有一個(gè)CE2引腳,在一般情況下需將此引腳拉高,當(dāng)把該引腳拉至小于或等于0.2V時(shí),RAM就進(jìn)入數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。         實(shí)用的靜態(tài)RAM掉電保護(hù)電路如圖2所示,圖2中U1、U2為電壓比較器,穩(wěn)壓管D3提供一個(gè)基準(zhǔn)電壓Vr(Vr3.5V)。當(dāng)Vcc為5V時(shí),在R4上得到的分壓大于

6、Vr,U2輸出高電平,又因?yàn)閁4輸出也為高電平,故CE2輸出為高電位,單片機(jī)此時(shí)可對(duì)RAM進(jìn)行存取,當(dāng)電源掉電時(shí),Vcc開(kāi)始下降,當(dāng)滿足如下條件時(shí):         R4×Vcc/(R4R3)/(R5R6)Vr            U2輸出低電平,通過(guò)U5和U6使CE2輸出小于等于0.2V,RAM進(jìn)入數(shù)據(jù)保持狀態(tài)(按圖2中元件參數(shù)代入上式,當(dāng)Vcc降到4.7V時(shí),U2輸出為低電位)。若Vcc繼續(xù)

7、下降使U3翻轉(zhuǎn),再通過(guò)D4、U4和U6進(jìn)一步保證CE2為低電平。此外,當(dāng)Vcc下降到小于E時(shí),D2截止,D1導(dǎo)通,這時(shí)E作為RAM的備份電源,當(dāng)單片機(jī)重新加電時(shí),Vcc由0躍變到5V時(shí),U2的輸出端會(huì)出現(xiàn)瞬間的干擾脈沖,由于U3和U4間電路的積分延遲(約0.7RC),CE2并不立即升到高電平,因而阻止了U2的干擾脈沖,當(dāng)延時(shí)結(jié)束時(shí),電源電壓已穩(wěn)定在5V,此后CE2升高,單片機(jī)便可對(duì)RAM進(jìn)行存取。圖2中U3和U6為一塊四施秘特與非門(mén)(CD4093),該電路直接由E供電,這樣才能保證掉電后使CE20.2V,并在重新加電時(shí)CE2不受電源電壓躍變的干擾,比較器U1和U2為電源供電,Vcc為后備電源U

8、1的電壓監(jiān)視電路,當(dāng)后備電池快用完時(shí)(小于3.5V),發(fā)光管會(huì)發(fā)出亮光,表明要換上新電池,備份電源可用3節(jié)5號(hào)干電池,也可以采用鋰電池或鎳電池。 3 利用TL7705對(duì)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)         單片機(jī)構(gòu)成的應(yīng)用系統(tǒng)在突然斷電時(shí),往往使片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)遭到破壞,下面介紹一種利用TL7705構(gòu)成的電源監(jiān)控電路,使單片機(jī)系統(tǒng)在掉電時(shí)自動(dòng)保護(hù)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。  3.1 TL7705的工作原理        

9、0;TL7705是電源監(jiān)控用集成電路,采用8腳雙列直插式封裝,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖3所示。圖3中,基準(zhǔn)電壓發(fā)生器具有較高的穩(wěn)定性,可由1腳輸出2.5V基準(zhǔn)電壓,為了吸收電源的同脈沖干擾,通常在1腳上接一個(gè)0.1F的濾波電容來(lái)提高其抗干擾能力,被監(jiān)控的電源電壓由SENSE端7腳引入,經(jīng)過(guò)R1和R2分壓后送入比較器CMP1,與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,當(dāng)其值小于基準(zhǔn)電壓時(shí),T1導(dǎo)通,定時(shí)電容CT通過(guò)T1放電,使CMP2比較器翻轉(zhuǎn),T2和T3導(dǎo)通,輸出腳RESET為高電平,SESET反為低電平,當(dāng)送入CMP1比較器的電壓高于基準(zhǔn)電壓時(shí),T1截止100A恒流源給CT充電,當(dāng)CT上的電壓高于2.5V時(shí),CMP2比較器翻

10、轉(zhuǎn),T2和T3截止,RESET和RESET反輸出關(guān)斷。        3.2 TL7705與80C51單片機(jī)的接法        在某些單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中需要在系統(tǒng)掉電時(shí)記憶當(dāng)前現(xiàn)場(chǎng)狀態(tài),以使電源恢復(fù)后能繼續(xù)從斷電處運(yùn)行,圖4是以80C51單片機(jī)為例采用其空閑方式或掉電方式,在備用電池支持下實(shí)現(xiàn)掉電后的數(shù)據(jù)保護(hù)。          圖4中,

11、R1、C1和74LSO4構(gòu)成單片機(jī)的上電自動(dòng)復(fù)位和手動(dòng)按鈕復(fù)位電路,備用電池P1及D1、D2實(shí)現(xiàn)掉電時(shí)備用電池的切換。電源正常時(shí)D1不導(dǎo)通,5V直接給單片機(jī)供電,并為電池P1充電,為了減小電池耗電,備用電池只給單片機(jī)供電,保護(hù)片內(nèi)RAM中的數(shù)據(jù),電源掉電后,其他外圍電路的工作電壓僅靠電源電容維持很短的時(shí)間,電位器RW用來(lái)調(diào)節(jié)檢測(cè)電壓,范圍為4.54.75V,當(dāng)?shù)綦姇r(shí),外圍電路的電壓下降到門(mén)限設(shè)定電壓時(shí),可將片外RAM中需要保護(hù)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入片內(nèi)RAM中,并使單片機(jī)進(jìn)入掉電工作方式以完成數(shù)據(jù)保護(hù),為了保證單片機(jī)有足夠的處理時(shí)間,取檢測(cè)電壓為4.75V,當(dāng)電源電壓降至4.75V時(shí),TL7705由RES

12、ET反向單片機(jī)發(fā)出中斷請(qǐng)求信號(hào)(INTO反)。單片機(jī)運(yùn)行到一個(gè)可斷斷點(diǎn)后,相應(yīng)中斷,在中斷服務(wù)程序中保護(hù)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù),使單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)。        4 采用軟件冗余措施保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性        最常用的一種方法是采用軟件冗余措施,即將欲保護(hù)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入RAM中的不同區(qū)域,如0000H00FFH、0100H01FFH和0200H02FFH這三個(gè)區(qū)域存儲(chǔ)同樣一組數(shù)據(jù),當(dāng)使用這些數(shù)據(jù)前,先對(duì)各組進(jìn)行檢查,對(duì)于正確的數(shù)據(jù)方可應(yīng)用,同時(shí)將錯(cuò)誤的

13、數(shù)據(jù)進(jìn)行修正,在上電與斷電過(guò)程中,總線不確寫(xiě)性是隨機(jī)的,不可將所有數(shù)據(jù)完全沖失。采用硬件對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行斷電保護(hù),同時(shí)在軟件上采用冗余的措施是最常用的數(shù)據(jù)保護(hù)方法,在斷電突然發(fā)生時(shí)可保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確無(wú)誤。網(wǎng)路文章:我想在掉電時(shí)保存數(shù)據(jù)(3個(gè)字節(jié))到EEPROM中,用BOD掉電檢測(cè),不知怎樣使用。望高手指點(diǎn): 1。在BOOT區(qū)設(shè)置好BODEN,BODLEVEL,后軟件還要怎樣設(shè)置? 2。掉電中斷是否是產(chǎn)生復(fù)位?我的寫(xiě)EEPROM程序應(yīng)該放在什么地方?他和其他復(fù)位怎樣區(qū)別? 3。設(shè)置了BOOT區(qū)后,硬件上是否要加電源到一個(gè)管腳比較后才產(chǎn)生中斷? = 掉電檢測(cè)BOD的誤解 AVR自帶的BOD(Brown-o

14、ut Detection)電路,作用是在電壓過(guò)低(低于設(shè)定值)時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào),防止CPU意外動(dòng)作. 對(duì)EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過(guò)低時(shí)保持RESET信號(hào)為低,防止CPU意外動(dòng)作,錯(cuò)誤修改了EEPROM的內(nèi)容 而我們所理解的掉電檢測(cè)功能是指 具有預(yù)測(cè)功能的可以進(jìn)行軟件處理的功能。 例如,用戶想在電源掉電時(shí)把SRAM數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM,可行的方法是 外接一個(gè)在4.5V翻轉(zhuǎn)的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V),輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷) 一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷,在中斷服務(wù)程序中把數(shù)據(jù)寫(xiě)到EEPROM中保護(hù)起來(lái) 注意: 寫(xiě)一個(gè)字節(jié)的EEPROM時(shí)間長(zhǎng)達(dá)8mS,

15、所以不能寫(xiě)入太多數(shù)據(jù),電源濾波電容也要選大一些 = 將AVR的BOD設(shè)為2.7V,從4.5v到2.7這段時(shí)間寫(xiě)EEPROM。AVR的供電采用14樓方案,掉電檢測(cè)使用IMP809。 軟件編寫(xiě)思路請(qǐng)參考我的M128書(shū)是第5章,或10月出版的書(shū)的第7章。參考電路如下:在圖中,外部9V電源通過(guò)7805穩(wěn)壓到5V,作為系統(tǒng)電源使用。而AVR的工作電源則是單獨(dú)提供的,由5v系統(tǒng)電源通過(guò)低壓差肖特基二極管1N5817后得到。IN5817的正向壓降為0.3v,因此,AVR的工作電壓為4.7v。電源監(jiān)控芯片IMP809-L的監(jiān)控電壓為4.63V,當(dāng)系統(tǒng)電源的電壓低于4.63V時(shí),在R腳上產(chǎn)生由高電平到低電平的變

16、化,使AVR進(jìn)入INT0中斷。該電路的工作原理為:首先通過(guò)配置AVR的熔絲位,設(shè)置BOD掉電檢測(cè)電壓門(mén)限為2.7V,并允許BOD檢測(cè)。因此,當(dāng)AVR的Vcc電壓掉到2.7v以下時(shí),AVR就停止工作(掉電檢測(cè)功能是AVR片內(nèi)的功能之一,見(jiàn)第二章的2.6.2 AVR的復(fù)位源和復(fù)位方式)。電源監(jiān)控芯片IMP809-L檢測(cè)電壓門(mén)限為4.63v,用于檢測(cè)系統(tǒng)電源的電壓。當(dāng)系統(tǒng)電源大于4.63v時(shí),IMP809-L的R端輸出高電平,整個(gè)系統(tǒng)正常工作。當(dāng)系統(tǒng)電源的電壓跌到4.63v以下時(shí),IMP809-L的R腳輸出低電平,作為AVR外部中斷INT0的申請(qǐng)。INT0設(shè)計(jì)為掉電處理中斷,其主要任務(wù)是備份系統(tǒng)運(yùn)行

17、的重要數(shù)據(jù)到EEPROM中。 在提供AVR工作的電源系統(tǒng)中,大容量的電解電容C5作為儲(chǔ)能電容,一旦系統(tǒng)電源電壓下降,二極管1N5817截止,此時(shí)AVR可以靠C5提供的電儲(chǔ)可以繼續(xù)工作一段時(shí)間。C5容量應(yīng)足夠大,在系統(tǒng)電源掉電過(guò)程中,IMP809-L的R端輸出低電平(下降到4.63v)時(shí),要能夠保證維持AVR的工作電壓Vcc從4.7v降到2.7V的時(shí)間超過(guò)300ms,使AVR有時(shí)間做緊急處理和備份數(shù)據(jù)。AVR寫(xiě)EEPROM大約需要50-100mA的電流,所以電容C5的值應(yīng)該在1000u4700u,需要保存的數(shù)據(jù)越多,C5的容量應(yīng)該越大。 INT0是AVR優(yōu)先級(jí)最高的中斷,采用外部電平變化的下降沿觸發(fā)方式。一旦IMP809-L的R腳電平由正常的高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),將觸發(fā)INT0中斷,進(jìn)入INT0掉電中斷服務(wù)程序。 在INT0掉電保護(hù)中斷服務(wù)程序中,應(yīng)按以下的步驟和過(guò)程處理: A)緊急處理,關(guān)閉所有外部器件的工作,或?qū)⑼獠繝顟B(tài)設(shè)置到安全模式,如關(guān)閉馬達(dá)、開(kāi)關(guān)等,保證系統(tǒng)不出事故。 B)將AVR所有I/O設(shè)置為輸入方式,最大程度的減少AVR芯片對(duì)電源的消耗。 C)將重要數(shù)據(jù)寫(xiě)入到EEPROM中。 D)循環(huán)檢測(cè)INT0引腳是否恢復(fù)高電平。如為高電平則轉(zhuǎn)到下一步E執(zhí)行;如果INT0電平一直為低,程序?qū)⒃诖搜h(huán),直到完全停止運(yùn)行(因?yàn)閮?chǔ)能電容C5的電

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