IC工藝原理習(xí)題

1、第一章 外延思考題1. 外延是_。2. 名詞解釋:同質(zhì)結(jié)外延,異質(zhì)結(jié)外延 正外延,反外延 SOS，SOI結(jié)構(gòu) 軟誤差，3. 埋層外延中的圖形漂移與滑移原因及解決辦法。4. 分析外延中的自摻雜效應(yīng),討論解決辦法。5. 分析外延中的可能產(chǎn)生的幾種缺陷,討論解決辦法。6. 總結(jié)影響外延生長(zhǎng)速率的幾種因素,如何提高外延層質(zhì)量。7. 根據(jù)兩種硅氣相外延的原理，比較兩種硅氣相外延的特點(diǎn)。8. 外延技術(shù)在雙極及MOS電路的主要用途第二章 氧化工藝10001. 根據(jù)硅和二氧化硅的密度和分子量，說(shuō)明生長(zhǎng)厚度為x0的氧化層，計(jì)算要消耗厚度為_(kāi) x0的硅層，二氧化硅的密度用2.27g/cm3,硅的密度用2.33g/

2、cm3，硅的原子量為28，氧的原子量為16。選擇題10002. 氧化層厚度和氧化時(shí)間的關(guān)系式為x0=，請(qǐng)化簡(jiǎn)，當(dāng)氧化時(shí)間很短時(shí)，即, 則X0=_A. B. C. D.10004 .氧化層厚度和氧化時(shí)間的關(guān)系式為X0=，當(dāng)氧化時(shí)間很短時(shí)，即，它屬于（ ）A. 表面反應(yīng)控制 B. 擴(kuò)散控制10006在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（ ）A.干氧 B.濕氧 C.水汽氧化10008. 二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些_1雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)2雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)3二氧化硅

3、的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度4二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度A2,4 B.1,3 C.1,4 D.2,310010. 半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（ ）A結(jié)晶形二氧化硅 B. 無(wú)定形二氧化硅10011. 二氧化硅薄膜在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)上的應(yīng)用有：（ ）1 對(duì)雜質(zhì)的掩蔽作用2 對(duì)器件表面的保護(hù)和鈍化作用3 用于器件的電絕緣和電隔離4 作為電容器的介質(zhì)材料5 作為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的絕緣柵材料A1,2 B. 1,2,3 C. 1,2,4,5 D.1,2,3,4,510012. 擴(kuò)散系數(shù)與下列哪些因素一定成增函數(shù)關(guān)系（ ）1雜質(zhì)的濃度梯度 2 溫度 3 擴(kuò)散過(guò)程的激活

4、能 4 雜質(zhì)的遷移率 A. 1,2 B. 2,3 C. 2,4 D.1,410013. 硅平面制造工藝的硼、磷擴(kuò)散都屬于_ A. 代位式擴(kuò)散 B.間隙式擴(kuò)散填空題:20001. 在硅-二氧化硅系統(tǒng)中存在_電荷、可動(dòng)電荷、界面態(tài)電荷和氧化層陷阱電荷。20006. 溫度是影響氧化速率的一個(gè)重要因素，溫度越高，氧化速率越_（大/?。?。20008. 在一定的氧化條件下，通過(guò)改變氧化劑分壓可以改變氧化層生長(zhǎng)速率，氧化劑分壓越_（大/小），生長(zhǎng)速率越慢。20016. 清洗硅片所用的化學(xué)試劑、去離子水和生產(chǎn)工具、操作者的汗液及呼出的氣體等是氧化層中的_離子的來(lái)源。20017. 在用干涉法測(cè)量氧化層厚度時(shí)，光

5、的波長(zhǎng)為5400，暗條紋數(shù)為6條，則氧化層厚度為_(kāi) .30001. 某MOS管在1100下，用干氧制備柵氧化膜，時(shí)間為30min,A=0.09,B=4.510-42/min,=4.56min,計(jì)算所生成的柵氧化層厚度_.(保留兩位有效數(shù)字)30002. 氧化溫度為1200，要求氧化層厚度為500nm,試求濕氧(水溫95)需要_min(只保留整數(shù))，已知A=0.05, B=1.210-22/min,=0。30003. 氧化溫度為1200，要求氧化層厚度為500nm,試求干氧需要_min(只保留整數(shù))，已知干氧A=0.04, B=7.510-42/min,=1.62min。30004. 氧化溫度為

6、1200，要求氧化層厚度為500nm,試求水汽氧化需要_min(只保留整數(shù))，已知干氧A=0.017, B=1.45710-42/min,=0。30005. 氧化溫度為1100，先干氧10min ,再濕氧40min(T水=95)，再干氧10min,求總的氧化層厚度_。（答案保留兩位有效數(shù)字）已知：干氧A=0.09, B=4.510-42/min,=4.56min。 濕氧A=0.11, B=0.8510-22/min,=0min。30006. 已知3DK3開(kāi)關(guān)管硼預(yù)淀積的溫度為950，淀積時(shí)間共11分鐘；硼再分布溫度為1180，時(shí)間共40分鐘。在擴(kuò)散過(guò)程中，對(duì)硼起掩蔽作用所需最小SiO2層厚度為

7、（ ）。(只保留整數(shù))（預(yù)淀積擴(kuò)散系數(shù)為10-17厘米2/秒，1180下，擴(kuò)散系數(shù)為410-15厘米2/秒）30007. 3DK3開(kāi)關(guān)管,基區(qū)硼擴(kuò)散溫度為1180，（硼的擴(kuò)散系數(shù)為410-15厘米2/秒），時(shí)間為40分鐘，發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散溫度為1050（硼的擴(kuò)散系數(shù)為310-16厘米2/秒），時(shí)間為25分鐘，因此，在基區(qū)硼擴(kuò)散和發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散過(guò)程中，對(duì)硼起掩蔽作用的最小SiO2層厚度為（ ）。(只保留整數(shù))30009. 某雙極型晶體管制備SiO2膜時(shí)，先在1000下濕氧（T水=95）氧化60min,后來(lái)又在1200用濕氧（T水=95）氧化60min,求出兩次氧化后所生成的氧化層總厚度（ ）。(只保留

8、整數(shù))。 已知： 1000 濕氧A=0.226,B=0.4810-22/min。=0 1200 濕氧A=0.050,B=1.210-22/min。=030010. 某一硅片上面已覆蓋有0.2厚的SiO2層，現(xiàn)需要在1200下用干氧氧化法再生長(zhǎng)0.1厚的氧化層，問(wèn)干氧氧化的時(shí)間是（ ）min.已知：干氧A=0.04,B=7.510-42/min, =1.62min。 第三章 擴(kuò)散工藝10012. 擴(kuò)散系數(shù)與下列哪些因素一定成增函數(shù)關(guān)系（ ）:1雜質(zhì)的濃度梯度 2 溫度 3 擴(kuò)散過(guò)程的激活能 4 雜質(zhì)的遷移率.A. 1,2 B. 2,3 C. 2,4 D.1,410013. 硅平面制造工藝的硼、磷

9、擴(kuò)散都屬于_A. 代位式擴(kuò)散 B.間隙式擴(kuò)散10014. 下面哪個(gè)方程是擴(kuò)散方程（ ） B. C. 10015. 以下過(guò)程不屬于恒定表面源擴(kuò)散的有（ ）。隱埋擴(kuò)散 B.隔離擴(kuò)散的硼預(yù)淀積 C. 基區(qū)擴(kuò)散的硼預(yù)淀積 D.基區(qū)主擴(kuò)散10016. 下面選項(xiàng)屬于預(yù)擴(kuò)散的作用有（ ）。A. 調(diào)節(jié)表面濃度 B.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量 C. 控制結(jié)深 10017. 下面選項(xiàng)屬于主擴(kuò)散的作用有（ ）。1.調(diào)節(jié)表面濃度 2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量 3.控制結(jié)深A(yù). 1 B. 2 C . 3 D. 1,310018. 以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（ ）A. 擴(kuò)散是微觀(guān)粒子的一種熱運(yùn)動(dòng)方式，運(yùn)動(dòng)結(jié)果使?jié)舛确植稼呌?/p>

10、均勻。B. 間隙式雜質(zhì)從一個(gè)間隙到相鄰位置的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為間隙式擴(kuò)散。C. 以間隙形式存在于硅中的雜質(zhì)，主要是那些半徑較小的雜質(zhì)原子。替位式擴(kuò)散就是替位雜質(zhì)和近鄰晶格位置上的原子互換。10019. 下面哪個(gè)條件不屬于恒定表面源擴(kuò)散（ ）A. B. C. D., x010020. 預(yù)擴(kuò)散是在較_ 溫度下（與主擴(kuò)散相比），采用_擴(kuò)散方式，在硅片表面擴(kuò)散一層數(shù)量一定，按_ 形式分布的雜質(zhì)。（ ）A高、恒定表面源、余誤差函數(shù) B高、有限表面源、高斯函數(shù)C低、恒定表面源、余誤差函數(shù) D高、有限表面源、余誤差函數(shù) 10021. 下面對(duì)擴(kuò)散層薄層電阻的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A. 薄層電阻就是表面為正方形、厚度為Xj的

11、半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻B. ,就是擴(kuò)散表面雜質(zhì)的電阻率。C. 擴(kuò)散層薄層電阻反映了擴(kuò)散到半導(dǎo)體內(nèi)部的雜質(zhì)總量。D. 擴(kuò)散層薄層電阻Rs僅與擴(kuò)散層厚度和平均電阻率有關(guān)。10022. 以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A 采用恒定表面源擴(kuò)散可以比較準(zhǔn)確地控制擴(kuò)入硅片表面的雜質(zhì)總量和獲得高的表面濃度。B 采用恒定表面源擴(kuò)散可以獲得任意控制的表面濃度。C 有限表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布為 ,在擴(kuò)散過(guò)程中Q為常量。D 有限表面源擴(kuò)散，當(dāng)溫度保持恒定，隨著擴(kuò)散時(shí)間的增加，雜質(zhì)擴(kuò)散深度增大，表面雜質(zhì)濃度不斷下降。10023. 結(jié)深表達(dá)式可統(tǒng)一寫(xiě)成：，對(duì)于恒定表面源擴(kuò)散，A=（ ） A B 10024. 結(jié)深表達(dá)式可

12、統(tǒng)一寫(xiě)成：，對(duì)于有限表面源擴(kuò)散，A=（ ） A B10025. 如果用腳碼“1”表示預(yù)擴(kuò)散有關(guān)參數(shù)，用腳碼“2”表示主擴(kuò)散有關(guān)參數(shù)，則當(dāng)D1t1D2t2時(shí)，雜質(zhì)分布為：（）A高斯分布 B. 余誤差分布 CSmith分布10026. 如果用腳碼“1”表示預(yù)擴(kuò)散有關(guān)參數(shù)，用腳碼“2”表示主擴(kuò)散有關(guān)參數(shù)，則當(dāng)D1t1kS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過(guò)程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制_（對(duì)/錯(cuò)）20033.在LPCVD中，由于hGkS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過(guò)程主要是表面反應(yīng)速率控制_（對(duì)/錯(cuò)）20034.LPCVD淀積多晶硅，其

13、摻雜方法有三種：CVD法、_法和離子注入法。20035.LPCVD淀積多晶硅，其摻雜方法有三種：CVD法、擴(kuò)散法和_法。20036.氣相摻雜將影響多晶硅的淀積速率，如與不摻雜多晶硅相比，摻As約減少7倍，摻P約減少2.5倍，摻B提高2倍，原因是這些雜質(zhì)在表面的吸附，起著抑制或促進(jìn)SiH4分解反應(yīng)的作用。這句話(huà)_(正確/錯(cuò)誤)20037.LPCVD淀積SiO2采用正硅酸乙酯Si（OC2H5）4，（TEOS），熱分解法，用O2作稀釋氣體，并通入一定量的N2，反應(yīng)式為：Si（OC2H5）4+12O2 500 SiO2 +10H2O+8CO2這句話(huà)_（正確/錯(cuò)誤）20038.LPCVD SiN4的淀積

14、溫度為800-850，溫度偏高，不適用于多層布線(xiàn)的絕緣介質(zhì)膜及金屬化后的表面鈍化膜可用_CVD淀積SiN4作絕緣介質(zhì)膜和鈍化膜。第六章光 刻-第七章刻蝕10061.不論正膠或負(fù)膠，光刻過(guò)程中都包括如下步驟：1刻蝕 2. 前烘 3. 顯影 4. 去膠 5涂膠 6. 曝光 7. 堅(jiān)膜. 以下選項(xiàng)排列正確的是：（）A. 2561437 B.5263471 C. 5263741 D.526371410062.以下關(guān)于正膠的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A 分辨率高 B. 抗干法腐蝕能力和抗熱處理能力強(qiáng)B. 粘附性好 D. 抗?jié)穹ǜg能力差10063.以下有關(guān)負(fù)膠的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A 對(duì)環(huán)境因素不太靈敏，感光速度

15、高 B. 粘附性好C. 抗蝕性好 D.分辨率高10064.光刻膠的性能有：A感光度 B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蝕性 E. 針孔密度 F. 留膜率 G穩(wěn)定性哪個(gè)是表征光刻膠對(duì)光敏感度的性能指標(biāo)（ ）10065.光刻膠的性能有：A感光度 B. 分辨率 C. 粘附性D. 抗蝕性 E. 針孔密度 F. 留膜率 G穩(wěn)定性哪個(gè)是表征光刻精度的性能指標(biāo)，它不僅與光刻膠本身有關(guān)，還與光刻工藝條件和操作技術(shù)等因素有關(guān)（ ）10066.光刻膠的性能有：A感光度 B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蝕性 E. 針孔密度 F. 留膜率G穩(wěn)定性生產(chǎn)上要求光刻膠具有一定的（ ），即要求光刻膠在常溫和光（主要是紫

16、外光）屏蔽的情況下，即使加入增感劑，光刻膠也不會(huì)發(fā)生暗發(fā)應(yīng)。若進(jìn)行烘烤干燥，加熱到一定溫度時(shí)，也要求光刻膠不發(fā)生交聯(lián)。10067.光刻膠的性能有：A感光度 B. 分辨率 C. 粘附性D. 抗蝕性 E. 針孔密度 F. 留膜率G穩(wěn)定性生產(chǎn)上要求光刻對(duì)酸、堿化學(xué)腐蝕液具有良好的（ ）10068.以下關(guān)于涂膠的說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（ ）A. 涂膠工藝中必須注意的問(wèn)題主要是防止膠層與硅片表面粘附不牢。B. 膠膜太厚，針孔較多，抗蝕能力差 C. 膠膜太厚，分辨率低。D. 為了保證光刻質(zhì)量，涂膠應(yīng)在超凈臺(tái)或在防塵操作箱內(nèi)進(jìn)行。10069.下面哪個(gè)不屬于涂膠的基本要求：（ ）A 膜厚符合要求 B. 膠層厚度均勻性

17、好 C. 膠層和硅片表面粘附性好D. 膠層中心厚，兩邊薄10070.為了使膠層粘附牢，通用的辦法不包括（ ）A 膠層越薄越好 B. 涂膠前硅片嚴(yán)格清洗干凈并烘干C . 對(duì)于粘附力弱的光刻膠，先在硅片表面涂一層粘著劑，然后在涂一層膠。10071.以下不屬于前烘的作用是：（ ）A 增強(qiáng)膠層與樣品的粘附能力 B 在接觸式曝光中可以提高膠層與掩膜板接觸時(shí)的耐磨性能。C 可以提高和穩(wěn)定膠層的感光靈敏度。D . 可以提高光刻的分辨率20043.曝光后顯影時(shí)感光的膠層溶解了，沒(méi)有感光的膠層不溶解留下了，這種膠為_(kāi)(正/負(fù))膠。20044.曝光后顯影時(shí)感光的膠層沒(méi)有溶解，沒(méi)有感光的膠層溶解，這種膠為_(kāi)(正/負(fù))膠。20045.前烘的溫度應(yīng)在可使膠層干燥的前提下采用較_(高/低)的溫度。20046.正膠適于刻蝕_(細(xì)/粗)線(xiàn)條。20047