Chap1-硅的制備及其晶體結(jié)構(gòu)

1、天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)晶體的概念及硅材料的特點(diǎn)晶體的概念及硅材料的特點(diǎn)1單晶硅片的制備單晶硅片的制備23硅晶體中的雜質(zhì)硅晶體中的雜質(zhì)45硅晶體中的缺陷硅晶體中的缺陷單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)Chap.1 硅的制備及其晶體結(jié)構(gòu)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)氣態(tài)（氣態(tài)（gas state）液態(tài)（液態(tài)（liquid state）固態(tài)（固態(tài)（solid state）等離子體（等離子體（plasma）物質(zhì)物質(zhì)substance晶體（晶體（crystal）非晶體、無定形體非晶體、無定形體（amorphous solid）單晶：水晶、金剛石、單晶硅單晶：水晶、金剛石、單晶硅多晶：金屬、陶瓷多晶：金

2、屬、陶瓷晶體（晶體（crystal）物質(zhì)存在形式天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)無定形體和晶體天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)多晶體天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)l 晶體結(jié)構(gòu)的基本特征：原子（或分子、離子）在三維空間晶體結(jié)構(gòu)的基本特征：原子（或分子、離子）在三維空間 呈周期性重復(fù)排列（呈周期性重復(fù)排列（periodic repeated arrayperiodic repeated array） ， 即存在長程有序（即存在長程有序（long-range orderlong-range order）l 性能上兩大特點(diǎn)：固定的熔點(diǎn)（性能上兩大特點(diǎn)：固定的熔點(diǎn)（melting pointmelti

3、ng point）, , 各向異性（各向異性（anisotropyanisotropy）晶體的特點(diǎn)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.1 硅材料的特點(diǎn)v 硅器件室溫下有較佳的特硅器件室溫下有較佳的特性性v 熱穩(wěn)定性好，更高的熔化熱穩(wěn)定性好，更高的熔化溫度允許更寬的工藝容限溫度允許更寬的工藝容限v 高品質(zhì)的氧化硅可由熱生高品質(zhì)的氧化硅可由熱生長的方式較容易地制得長的方式較容易地制得v 硅元素含量豐富（硅元素含量豐富（2525），），成本低成本低v 高頻、高速場合特性較差高頻、高速場合特性較差天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)硅片與封裝好的模塊天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 1.2 單晶硅片的制備石英巖，硅砂石英巖，硅砂

4、（SiOSiO2 2）單晶硅片單晶硅片（wafer)wafer)切片切片 拋光拋光單晶硅錠單晶硅錠（ingotingot）拉制單晶拉制單晶多晶硅多晶硅(poly-silicon)(poly-silicon)還原還原天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.2.1 多晶硅的制備石英巖石英巖 （高純度硅砂）（高純度硅砂）冶金級硅冶金級硅 （9898）碳、煤等碳、煤等還原還原三氯化硅三氯化硅（SiHClSiHCl3 3）粉碎粉碎HClHCl電子級多晶硅電子級多晶硅（99.9999.99以上）以上）分餾分餾氫還原氫還原天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)v 直拉法直拉法 （CzochralskiCzochralski法法) )

5、v 區(qū)域熔融法區(qū)域熔融法（Floating ZoneFloating Zone法）法）1.2.2 單晶硅錠的制備直拉法系統(tǒng)示意圖直拉法系統(tǒng)示意圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)直拉法（CZ）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)區(qū)域熔融法（FZ）區(qū)域提煉系統(tǒng)的原理圖區(qū)域提煉系統(tǒng)的原理圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)熔融液石墨基座石英坩堝單晶錠籽晶籽晶夾持器CCW氬氣固體熔融液界面RF線圈CW氬氣籽晶單晶熔化區(qū)多晶硅柱射頻線圈石英管頸部區(qū)域熔融系統(tǒng)的原理圖直拉法系統(tǒng)的原理圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)直拉法和區(qū)熔法的比較直拉法直拉法區(qū)熔法區(qū)熔法優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：可以生長更大直徑的晶錠；可以生長更大直徑的晶錠；生長過程同時可以加入摻雜

6、劑方便地?fù)诫s生長過程同時可以加入摻雜劑方便地?fù)诫s缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：生長過程中容器、氣氛污染較多生長過程中容器、氣氛污染較多優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：生長過程中污染少，可生長極高生長過程中污染少，可生長極高純單晶（高功率、高壓器件）純單晶（高功率、高壓器件）缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：渦流感應(yīng)加熱的渦流感應(yīng)加熱的“趨膚趨膚”效應(yīng)限效應(yīng)限制了生長的單晶硅錠的直徑制了生長的單晶硅錠的直徑天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.2.3 IC制造的基本工藝流程天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.2.4 硅片(晶園、wafer)的制備1.單晶生長2.單晶硅錠3.單晶去頭和徑向研磨4.定位邊研磨5.硅片切割6.倒角7.粘片8.硅片刻蝕9.拋光10.硅片檢查天津工

7、業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)定位邊研磨天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 硅片的定位邊90（100）p 型（111）p 型45主標(biāo)志面次標(biāo)志面（111）n 型180（100）n 型D200mm:天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)硅片拋光和倒角天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)硅片的CMP拋光天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.3 硅晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)簡單立方（SC）體心立方（BCC）面心立方（FCC）晶胞晶胞：最大限度反映晶體對稱性的最小單元：最大限度反映晶體對稱性的最小單元原胞原胞：晶體中最小的周期性重復(fù)單元：晶體中最小的周期性重復(fù)單元天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)四面體結(jié)構(gòu)圖 金剛石結(jié)構(gòu)（Si、Ge、GaAs）abcd金剛石結(jié)構(gòu)（Diamond）1

8、410雜化后的電子結(jié)構(gòu)圖硅原子成鍵平面圖1426 222硅原子的電子結(jié)構(gòu)圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 原子密度及晶體內(nèi)部空隙v原子密度原子密度 晶格常數(shù)晶格常數(shù)a a (Si=5.43(Si=5.43) ) 原子密度晶胞中包含原子個數(shù)原子密度晶胞中包含原子個數(shù)/ /晶胞體積晶胞體積v晶體內(nèi)部空隙晶體內(nèi)部空隙 空間利用率晶胞包含原子個數(shù)空間利用率晶胞包含原子個數(shù)* *原子體積原子體積/ /晶胞晶胞總體積總體積天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)金剛石結(jié)構(gòu)abcd金剛石結(jié)構(gòu)（Diamond）8 8個頂點(diǎn)原子；個頂點(diǎn)原子；6 6個面心原子個面心原子4 4個體心原子個體心原子總原子個數(shù)總原子個數(shù)1 13 34 48

9、 8晶格常數(shù)為晶格常數(shù)為a (Si=5.43a (Si=5.43) )硅晶體中的硅晶體中的原子密度原子密度為：為：8/a8/a3 3=5=5* *10102222/cm/cm2 2硅原子的半徑硅原子的半徑硅晶體中的硅晶體中的空間利用率空間利用率AarSi17. 18/3%348/3/433arSi天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 1.4 晶體中的晶面zy111x(100)晶面zy111x（110）晶面zy111x(111)晶面晶向、晶面、米勒指數(shù)晶向 晶向 晶向天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)面心立方（FCC）yz1/32/31面心立方結(jié)構(gòu)（FCC）中的（123）晶面天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)金剛石結(jié)構(gòu)中的晶面

10、金剛石結(jié)構(gòu)（100面）金剛石結(jié)構(gòu)（110面）金剛石結(jié)構(gòu)（111面）a2a3a天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)aa(100)a(110)a1/2(3/2)1/2aa1/2(111)2224141aa2342232212414aaa22422212414aaa常見晶面的面密度天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 之前我們討論的都是之前我們討論的都是完美完美的晶體，的晶體，i.e.i.e.具有完美的周期性具有完美的周期性排列。排列。 但是由于晶格粒子本身的熱振動、晶體生長過程中外界的但是由于晶格粒子本身的熱振動、晶體生長過程中外界的影響、外界雜質(zhì)的摻入、外部電、機(jī)械、磁場等應(yīng)力的影影響、外界雜質(zhì)的摻入、外部電、機(jī)械、磁

11、場等應(yīng)力的影響等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范圍內(nèi)偏離完美響等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范圍內(nèi)偏離完美的周期性。這種偏離晶格周期性的情況就稱為的周期性。這種偏離晶格周期性的情況就稱為缺陷缺陷（defect）。 缺陷是不能完全避免的，實際中理想的完美晶體也是不存缺陷是不能完全避免的，實際中理想的完美晶體也是不存在的，雖然在某些情況下，缺陷的存在會造成一些危害，在的，雖然在某些情況下，缺陷的存在會造成一些危害，然而缺陷在半導(dǎo)體應(yīng)用中有著非常重要的作用。然而缺陷在半導(dǎo)體應(yīng)用中有著非常重要的作用。1.5 硅晶體中的缺陷天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 缺陷的分類間隙位置雜質(zhì)弗倫克爾缺陷間隙硅原子替代

12、位置雜質(zhì)空位或肖特基缺陷 p點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷 p線缺陷線缺陷 位錯位錯p面缺陷面缺陷 層錯層錯p體缺陷體缺陷 雜質(zhì)的沉積雜質(zhì)的沉積自間隙原子、空位、肖特基缺陷、自間隙原子、空位、肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷弗倫克爾缺陷外來原子缺陷（替位或間隙式）外來原子缺陷（替位或間隙式）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)點(diǎn)缺陷空位 Point defects - Vacancies 空位即晶格中組成粒子的缺失，如果一個晶格正?？瘴患淳Ц裰薪M成粒子的缺失，如果一個晶格正常位置上的原子跑到表面，在體內(nèi)留下一個晶格空位，位置上的原子跑到表面，在體內(nèi)留下一個晶格空位，則稱為肖特基（則稱為肖特基（ Schottky ）缺陷。）缺陷?？?/p>

13、位空位 : 點(diǎn)缺陷（點(diǎn)缺陷（point defect) 晶格中點(diǎn)的范圍內(nèi)產(chǎn)生晶格中點(diǎn)的范圍內(nèi)產(chǎn)生空位是可以在晶格中移動的空位是可以在晶格中移動的天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)空位（ Vacancies ） 空位的產(chǎn)生需要打破化學(xué)鍵，因而需要一定的能量，空位的產(chǎn)生需要打破化學(xué)鍵，因而需要一定的能量，空位的數(shù)量隨溫度的增加而增加?？瘴坏臄?shù)量隨溫度的增加而增加。 在不考慮雜質(zhì)的情況下（即本征在不考慮雜質(zhì)的情況下（即本征intrinsic 情況下），情況下），含有含有N個粒子的晶體，在溫度為個粒子的晶體，在溫度為T時空位的平衡濃度為：時空位的平衡濃度為：TkEexpNnBVEV 是空位產(chǎn)生能量，是空位產(chǎn)生能

14、量， kB 是是Boltzmann常數(shù)，常常數(shù)，常溫下肖特基缺陷濃度約為溫下肖特基缺陷濃度約為1*1010cm-3天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)間隙原子（Interstitials） 晶格中存在著大量的空隙，如果有原子偏離了自身的晶晶格中存在著大量的空隙，如果有原子偏離了自身的晶格位置進(jìn)入間隙位置，則成為了間隙原子。格位置進(jìn)入間隙位置，則成為了間隙原子。顯然，間隙原子也是一種點(diǎn)缺陷，當(dāng)間隙原子和晶格原子大顯然，間隙原子也是一種點(diǎn)缺陷，當(dāng)間隙原子和晶格原子大小相當(dāng)時，會引起很大的晶格破壞，因而需要很大的能量。小相當(dāng)時，會引起很大的晶格破壞，因而需要很大的能量。如果間隙原子的體積比晶格原子小的多，則可以

15、穩(wěn)定存在。如果間隙原子的體積比晶格原子小的多，則可以穩(wěn)定存在。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)弗蘭克爾缺陷（Frenkel Defects） 通?？瘴缓烷g隙原子是成對出現(xiàn)的，通?？瘴缓烷g隙原子是成對出現(xiàn)的，離子離開它離子離開它原來的位置進(jìn)入間隙形成間隙離子，同時留下一個空位。原來的位置進(jìn)入間隙形成間隙離子，同時留下一個空位。這種缺陷成為這種缺陷成為Frenkel Defect，它仍然是電中性的。，它仍然是電中性的。Frenkel defects Frenkel defects 可以由光可以由光照或者熱激發(fā)，而且也可以照或者熱激發(fā)，而且也可以自身復(fù)合消失，放出一定的自身復(fù)合消失，放出一定的能量（發(fā)光）。

16、能量（發(fā)光）。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)線缺陷位錯 Line Defects - dislocations 晶體中的位錯可以設(shè)想是在外力的作用下由滑移引起的，晶體中的位錯可以設(shè)想是在外力的作用下由滑移引起的，滑移后兩部分晶體重新吻合，滑移的晶面中，在滑移部分滑移后兩部分晶體重新吻合，滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分的交界處形成位錯。和未滑移部分的交界處形成位錯。Slipping天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)刃位錯 Edge dislocations 滑移量的大小和反向可用滑移矢量滑移量的大小和反向可用滑移矢量B B（Burgers vector ）來描述，當(dāng)位錯線與滑移矢量垂直時，稱為刃位錯。來描

17、述，當(dāng)位錯線與滑移矢量垂直時，稱為刃位錯。懸掛鍵可以給出一個電子或從晶體中接受一個電子，從而懸掛鍵可以給出一個電子或從晶體中接受一個電子，從而對晶體的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響。對晶體的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)螺位錯 Screw dislocations當(dāng)位錯線與滑移矢量平行時，稱為螺位錯。當(dāng)位錯線與滑移矢量平行時，稱為螺位錯。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)對一般晶體而言，沿某些晶面往往容易發(fā)生滑移，這樣的對一般晶體而言，沿某些晶面往往容易發(fā)生滑移，這樣的晶面稱為滑移面。構(gòu)成滑移面的條件時該面上的原子面密晶面稱為滑移面。構(gòu)成滑移面的條件時該面上的原子面密度大，而晶面之間的原子價鍵密度小，且間

18、距大。對于硅度大，而晶面之間的原子價鍵密度小，且間距大。對于硅晶體來說，晶體來說，111111晶面中，雙層密排面之間原子價鍵密度晶面中，雙層密排面之間原子價鍵密度最小，結(jié)合最弱，因此滑移常沿最小，結(jié)合最弱，因此滑移常沿111111面發(fā)生。面發(fā)生。除了應(yīng)力形變可以產(chǎn)生位錯外，晶格失配也可以引起位錯除了應(yīng)力形變可以產(chǎn)生位錯外，晶格失配也可以引起位錯。若某一部分摻入較多的外來原子，就會使晶格發(fā)生壓縮。若某一部分摻入較多的外來原子，就會使晶格發(fā)生壓縮或膨脹，在摻雜和未摻雜的兩部分晶體界面上就會產(chǎn)生位或膨脹，在摻雜和未摻雜的兩部分晶體界面上就會產(chǎn)生位錯，以減少因晶格失配產(chǎn)生的應(yīng)力。錯，以減少因晶格失配產(chǎn)

19、生的應(yīng)力。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)abcccaabbabcccbbbaaaabcccaabba無缺陷層錯無缺陷面缺陷層錯 Side defects多晶的晶粒間界是最明顯的面缺陷，晶粒間界是一個原子錯多晶的晶粒間界是最明顯的面缺陷，晶粒間界是一個原子錯排的過渡區(qū)。在密堆積的晶體結(jié)構(gòu)中，層錯又稱為堆積層錯排的過渡區(qū)。在密堆積的晶體結(jié)構(gòu)中，層錯又稱為堆積層錯，是由原子排列順序發(fā)生錯亂引起的。層錯并不改變晶體的，是由原子排列順序發(fā)生錯亂引起的。層錯并不改變晶體的電學(xué)性質(zhì)，但是會引起擴(kuò)散雜質(zhì)分布不均勻等影響。電學(xué)性質(zhì)，但是會引起擴(kuò)散雜質(zhì)分布不均勻等影響。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)體缺陷 Body defe

20、cts當(dāng)向晶體中摻入雜質(zhì)時，因為雜質(zhì)在晶體中的溶解當(dāng)向晶體中摻入雜質(zhì)時，因為雜質(zhì)在晶體中的溶解度是有限的，如果摻入數(shù)量超過晶體可接受的濃度度是有限的，如果摻入數(shù)量超過晶體可接受的濃度時，雜質(zhì)將在晶體中沉積，形成體缺陷。這是一種時，雜質(zhì)將在晶體中沉積，形成體缺陷。這是一種三維尺度上的缺陷。三維尺度上的缺陷。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)1.6 硅中雜質(zhì) Impurities 制備純的晶體是非常困難的，因為在制備的過程中周制備純的晶體是非常困難的，因為在制備的過程中周圍的氣氛以及容器中的原子會進(jìn)入晶體替代晶體本身的圍的氣氛以及容器中的原子會進(jìn)入晶體替代晶體本身的原子，這種外來的其他原子就稱為雜質(zhì)（原子，

21、這種外來的其他原子就稱為雜質(zhì)（ impurities）。 雜質(zhì)會對晶體的性質(zhì)產(chǎn)生很大的影響，既有有利的也雜質(zhì)會對晶體的性質(zhì)產(chǎn)生很大的影響，既有有利的也有不利的，我們經(jīng)常會向晶體中加入雜質(zhì)（有不利的，我們經(jīng)常會向晶體中加入雜質(zhì)（ impurities or dopants）來達(dá)到某種目的，這個過程就是摻雜（）來達(dá)到某種目的，這個過程就是摻雜（doping）。）。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)間隙位置雜質(zhì)弗倫克爾缺陷間隙硅原子替代位置雜質(zhì)空位或肖特基缺陷替位雜質(zhì)間隙雜質(zhì)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)T本征硅（Silicon）本征硅（intrinsic）npnnTkENpniiBV 2,exp本征載流子濃度天津

22、工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（ n-type semiconductor ）摻雜硅（Doped Silicon）As是五價元素，多余一個電子，相是五價元素，多余一個電子，相當(dāng)與它給出一個電子，是施主當(dāng)與它給出一個電子，是施主(donor)。摻入摻入As的的Si是非本征是非本征(extrinsic)半半導(dǎo)體，它是電子導(dǎo)電，電子帶負(fù)電導(dǎo)體，它是電子導(dǎo)電，電子帶負(fù)電(negative)，所以稱為，所以稱為n型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。npni2天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 施主：施主：雜質(zhì)在帶隙中提供雜質(zhì)在帶隙中提供帶有電子的能級，能級略帶有電子的能級，能級略低于導(dǎo)帶底的能量，和價低于導(dǎo)帶底的能量，和

23、價帶中的電子相比較，很容帶中的電子相比較，很容易激發(fā)到導(dǎo)帶中易激發(fā)到導(dǎo)帶中 電電子載流子。含有施主雜質(zhì)子載流子。含有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，主要依靠施主的半導(dǎo)體，主要依靠施主熱激發(fā)到導(dǎo)帶的電子導(dǎo)熱激發(fā)到導(dǎo)帶的電子導(dǎo)電電 n n型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。摻雜硅（Doped Silicon）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)摻雜硅（Doped Silicon）p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（ p-type semiconductor ）B是三價元素，少一個電子，相當(dāng)是三價元素，少一個電子，相當(dāng)與它接受了一個電子，是受主與它接受了一個電子，是受主(acceptor)。摻入摻入B的的Si是非本征是非本征(extrinsic)半導(dǎo)半導(dǎo)體

24、，它是空穴導(dǎo)電，空穴帶正電體，它是空穴導(dǎo)電，空穴帶正電(positive)，所以稱為，所以稱為p型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。npni2天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)摻雜硅（Doped Silicon） 受主：受主：雜質(zhì)提供帶隙中空雜質(zhì)提供帶隙中空的能級，電子由價帶激發(fā)的能級，電子由價帶激發(fā)到受主能級要比激發(fā)到導(dǎo)到受主能級要比激發(fā)到導(dǎo)帶容易的多。主要含有受帶容易的多。主要含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，因價帶主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，因價帶中的一些電子被激發(fā)到施中的一些電子被激發(fā)到施主能級，而在價帶中產(chǎn)生主能級，而在價帶中產(chǎn)生許多空穴，主要依靠這些許多空穴，主要依靠這些空穴導(dǎo)電空穴導(dǎo)電 p p型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué)淺能級（類氫雜質(zhì)能級）雜質(zhì)v N型半導(dǎo)體：在型半導(dǎo)體：在IV族（族（Si，Ge）族化合物中摻入）族化合物中摻入V族元素族元素（P，As，Sb）；在）；在IIIV族族化合物中摻入化合物中摻入VI族元素取族元素取代代V族元素。特點(diǎn)為半導(dǎo)體材料中有多余的電子。族元素。特點(diǎn)為半導(dǎo)體材料中有多余的電子。 v P型半導(dǎo)體：在型半導(dǎo)體：在IV族（族（Si，Ge）族化合物中摻入）族化合物中摻入III族元族元素（素（Al，Ga，In）；在）；在IIIV族族化合物中摻入化合物中摻入II族元素族元素取代取代III族元素。特點(diǎn)為半導(dǎo)體材料中形成空穴。族元素。特點(diǎn)為半導(dǎo)體材料中形成空穴。 v 摻入多一