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1、Ppt7真空¡薄膜為什么需要真空環(huán)境?¡若非真空，蒸氣分子不能沿直線，不易成膜¡若非真空，成膜物質(zhì)與空氣中活性分子反應，形成化合物。即生成 另外物質(zhì)，如 Al 膜化成 Al2O3氧¡非真空，蒸發(fā)器（加熱器）極易損壞，加熱器采用W、Ta 等難熔金屬，但由于吸氣效應產(chǎn)生脆性（氫脆），另外由于生成化合物易損壞¡非真空，殘余氣體進入 形成化合物¡非真空，影響靶材料氣化¡非真空， 改變基片表面狀態(tài)，影響薄膜生長真空系統(tǒng)：透明導電薄膜光學特性、摻雜原理和載流子濃度變化范圍¡二氧化錫 （SnO2）N 型寬能隙半導體 3.5-4e

2、V；可見光至近紅外光區(qū)透射率 80%；等離子邊 3.2 微米 ；與陶瓷基片附著良好 ；氧空穴在高溫中容易消失 ；常用的摻雜元素 Sb，F(xiàn) 等 ；FTO：直接帶隙 4.13eV，載流子遷移率 2550cm2/(vs), 電阻率可達 9×10-3ohm.cm¡氧化銦錫 ITO2021typically 90% In2O3, 10% SnO2；可見光透過率 85%；載流子濃度 10 10 cm-3；遷移率 10-30cm2/Vs缺點 ：化學性欠佳 ；銦資源有限 ；摻 Sn 的 In2O3 中，四價的 Sn 替代三價的 In，給導電貢獻一個。ITO 的結構可以表示為 In2-xSnxO3-2x¡氧化鋅 ZnO既有閃鋅礦結構又有纖鋅礦 ；具有較大的壓電系數(shù) ；感應能力強，光傳感器摻 Al 和Ga 具有高電導率 ；摻 Li 和Mg 可作為材料 ；摻 Mn 具有磁性 ；摻 Cr 或者 Mg 可以調(diào)節(jié)禁帶寬度(2.84eV)；高質(zhì)量單晶體可作為藍光紫外光激光發(fā)射器導電薄膜的光學性能：ppt7 175 頁紫外截止特性：強吸收性有價帶到導帶的躍遷決定摻雜元素摻雜量(at.%)電阻率(10-4c

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