硅片的清洗與制絨-一次清洗培訓(xùn)材料-修改ppt課件

1、硅片的清洗與制絨硅片的清洗與制絨電池技術(shù)部電池技術(shù)部 2021 2021年年1212月月硅片的化學(xué)清洗硅片的化學(xué)清洗 由硅棒、硅錠或硅帶所切割的硅片,外表能夠沾污的雜質(zhì)可歸納為三類：油脂、松香、蠟、聚乙二醇等有機(jī)物；金屬、金屬離子及一些無機(jī)化合物；塵埃及其他顆粒硅，碳化硅等。 硅片外表沾污的雜質(zhì)硅片外表沾污的雜質(zhì)硅片的化學(xué)清洗硅片的化學(xué)清洗 顆粒沾污：運(yùn)用物理方法，可采取機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除。 超聲波清洗時(shí)，由于空洞景象，只能去除 0.4 m 顆粒。兆聲清洗時(shí)，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除 0.2 m 顆粒，即使液溫下降到40也能得到與80超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可防止

2、超聲洗硅片產(chǎn)生損傷。 超聲清洗超聲清洗硅片的化學(xué)清洗硅片的化學(xué)清洗 硅片化學(xué)清洗的主要目的是針對(duì)上述能夠存在的硅片外表雜質(zhì)進(jìn)展去除。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑如甲苯、二甲苯、丙酮、三氯乙烯、四氯化碳等、濃酸、強(qiáng)堿以及高純中性洗滌劑等。 常用的化學(xué)清洗劑常用的化學(xué)清洗劑硅片的化學(xué)清洗硅片的化學(xué)清洗1硫酸 熱的濃硫酸對(duì)有機(jī)物有劇烈的脫水炭化作用，采用濃硫酸能有效去除硅片外表有機(jī)物；2王水 王水具有極強(qiáng)的氧化性、腐蝕性和強(qiáng)酸性，在清洗中主要利用王水的強(qiáng)氧化性； 王水能溶解金等不活潑金屬是由于王水溶液中生成了氧化才干很強(qiáng)的初生態(tài)氯Cl和氯化亞硝酰； HNO3+HCl=NOCl+2Cl+2H2O

3、 幾種常用化學(xué)清洗劑的去污作用幾種常用化學(xué)清洗劑的去污作用硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗3RCA洗液 堿性和酸性過氧化氫溶液RCA號(hào)堿性過氧化氫溶液，配比如下體積比： DI H2O：H2O2:NH4OH=5:1:1-5:2:1RCA號(hào)酸性過氧化氫溶液，配比如下體積比： DI H2O：H2O2:HCl=6:1:1-8:2:1 RCA洗液運(yùn)用方法：7585oC，清洗時(shí)間1020分鐘，清洗順序?yàn)橄忍?hào)后號(hào)。硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 IC IC行業(yè)硅片常規(guī)行業(yè)硅片常規(guī)RCARCA清洗清洗H2SO4/H2O2DI Water RisingHF/DHFDI Water RisingRCA DI Water Ris

4、ingRCA DI Water RisingDry硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 作用：硫酸、過氧化氫溶液經(jīng)過氧化作用對(duì)有機(jī)薄膜進(jìn)展分解，從而完成有機(jī)物去除。清洗過程，金屬雜質(zhì)不能去除，繼續(xù)殘留在硅片外表或進(jìn)入氧化層。溶液配比：H2SO498：H2O2(30%)=2:1-4:1。清洗方法：將溶液溫度加熱到100oC以上130oC，將硅片置于溶液中，浸泡1015分鐘，浸泡后的硅片先用大量去離子沖洗，隨后采用HF進(jìn)展清洗。 H2SO4/H2O2 H2SO4/H2O2硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗作用： 去除硅外表氧化物，清洗后的外表構(gòu)成SiH鍵荷層。 配制方法： 40%HF與去離子水DI Water以1：10

5、1：1000比例混合。當(dāng)比例為1：501：1000時(shí)，溶液又成為DHF。清洗方法： 室溫條件下，將硅片置于酸液中浸泡1至數(shù)分鐘。 HF HF和和DHFDHF硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 作用： 去除硅片外表有機(jī)物薄膜及其他外表雜質(zhì)和外表粘附的微粒。配制方法： DI Water:NH4OH(30%):H2O2(30%)5:1:1-5:2:1清洗方法： 把溶液溫度控制在7090oC，將硅片置于溶液中浸泡1020分鐘。 RCA RCA 硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 作用機(jī)理： 有機(jī)物薄膜主要是經(jīng)過H2O2的氧化以及NH4OH的溶解而得以去除。在高的PH條件下如10、11，H2O2是很強(qiáng)的氧化劑，使硅片外表發(fā)

6、生氧化，而與此同時(shí)，NH4OH那么漸漸地溶解所產(chǎn)生的氧化物。正是這種氧化-溶解，再氧化再溶解過程，SC 洗液逐漸去除硅片外表的有機(jī)薄膜，硅片外表雜質(zhì)微粒的去除也是基于這種原理。 RCA RCA 作用機(jī)理作用機(jī)理硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 作用機(jī)理： SC 洗液還能去除硅片外表的部分金屬雜質(zhì)，如B族，B族，及Au，Cu，Ni，Cd，Co和Cr等。金屬雜質(zhì)的去除是經(jīng)過金屬離子與NH3構(gòu)成絡(luò)合物的方式去除。 經(jīng)SC 洗液處置，硅片的外表粗糙度并不會(huì)得到改善。降低洗液中NH4OH的含量可以在保證清洗效果的同時(shí)，提高硅片的外表的光滑程度。經(jīng)過超聲處置可以加強(qiáng)洗液對(duì)微粒的去除才干，同時(shí)，對(duì)硅片外表粗糙度的改

7、善也具備一定的促進(jìn)作用，而這種促進(jìn)作用在洗液溫度較高時(shí)更為明顯。 RCA RCA 作用機(jī)理作用機(jī)理硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗作用： 去除硅片外表的金屬雜質(zhì)，主要是堿金屬離子以及在SC清洗過程中沒有去除的金屬雜質(zhì)離子。洗液的配置： HCl(37%)：H2O2(30%)：DI Water=1：1：61：2：8清洗方法： 堅(jiān)持溶液溫度在7085，硅片在溶液中浸泡1020min。 RCA RCA 硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗作用機(jī)理： SC洗液并不能腐蝕氧化層以及硅，經(jīng)SC洗液處置，會(huì)在硅片外表產(chǎn)生一層氫化氧化層。 SC洗液雖然可以有效去除硅片中的金屬雜質(zhì)離子，但是它并不能使硅片的外表粗糙程度得到改善，相反

8、地，由于電位勢(shì)的相互作用，硅片外表的粗糙程度將變得更差。 與SC洗液中H2O2的分解由金屬催化不同，在SC洗液中的H2O2分解非常迅速，在80下，約20min左右，H2O2就已全部分解。只需在硅片外表含有金等其他貴重金屬元素時(shí)，H2O2的存在才非常必需。 RCA RCA 作用機(jī)理作用機(jī)理硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗作用： 在常規(guī)RCA清洗過程中，在室溫下，利用超凈高阻的DI Water對(duì)硅片進(jìn)展沖洗是非常重要的步驟。 在常規(guī)RCA清洗過程中，在前一個(gè)步驟完成后，進(jìn)展第二個(gè)步驟前都需求用去離子水對(duì)硅片進(jìn)展清洗，一個(gè)作用是沖洗硅片外表曾經(jīng)脫附的雜質(zhì)，另外一個(gè)作用是沖洗掉硅片外表的剩余洗液，防止對(duì)接下來

9、的洗液產(chǎn)生負(fù)面影響。 DI Water (De-Ionized Water Rinse) DI Water (De-Ionized Water Rinse)硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 硅片清洗的最后一個(gè)步驟就是硅片的烘干。烘干的目的主要是防止硅片再污染及在硅片外表產(chǎn)生印記。 僅僅在去離子水沖洗后，在空氣中風(fēng)干是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。普通可以經(jīng)過旋轉(zhuǎn)烘干，或經(jīng)過熱空氣或熱氮?dú)馐构杵兏?。另外的方法是?jīng)過在硅片外表涂拭易于揮發(fā)的液體，如異丙醇等，經(jīng)過液體的快速揮發(fā)來枯燥硅片外表。 硅片的烘干硅片的烘干硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 新型清洗技術(shù)新型清洗技術(shù)DHF/HCl或DHFRinse+O3/HCl/mega-s

10、onic或去掉O3PH控制Magragoni型烘干H2SO4/O3或H2O/O3氧化物的生成及有機(jī)物的去除氧化物、金屬雜質(zhì)及外表微粒去除；硅片外表氫鈍化硅片外表烘干清洗氧化物構(gòu)成層，或清洗親水性硅片外表硅片化學(xué)清洗硅片化學(xué)清洗 新型清洗技術(shù)新型清洗技術(shù)HF/H2O2/H2O/外表活化劑/Mega sonic臭氧化的DI Water + Mega sonicDHF臭氧化的DI Water去除有機(jī)物及金屬去除氧化物，外表微粒及金屬雜質(zhì)去除化學(xué)作用產(chǎn)生的氧化層去除化學(xué)雜質(zhì)及有機(jī)物DI Water + Mega sonic去除化學(xué)雜質(zhì)硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨清洗與制絨目的： 一、去除硅片外表機(jī)械損

11、傷層； 二、去除外表油污、雜質(zhì)顆粒及金屬雜質(zhì)； 三、構(gòu)成起伏不平的絨面，添加硅對(duì)太陽光的吸收。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨制絨目的與陷光原理：制絨目的： 利用陷光原理，減少光的反射，添加PN結(jié)面積，提高短路電流(Isc)，最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。陷光原理： 當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面，構(gòu)成二次或者多次吸收，從而添加吸收率。絨面陷光表示硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨單晶制絨流程：預(yù)清洗+制絨預(yù)清洗目的： 經(jīng)過預(yù)清洗去除硅片外表臟污，以及部分損傷層。 單晶制絨單晶制絨機(jī)械損傷層5-7微米硅片硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨預(yù)清洗方法： 1、10%NaOH，78oC，50sec

12、； 2、 1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；1000g Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨預(yù)清洗原理： 1、10%NaOH，78oC，50sec； 利用濃堿液在高溫下對(duì)硅片進(jìn)展快速腐蝕。損傷層存在時(shí)，采用上述工藝，硅片腐蝕速率可達(dá)5m/min；損傷去除完全后，硅片腐蝕速率約為1.2m/min。經(jīng)腐蝕，硅片外表臟污及外表顆粒脫離硅片外表進(jìn)入溶液，從而完成硅片的外表清洗。 經(jīng)50sec腐蝕處置，硅片單面減薄量約3m。采用上

13、述配比，不思索損傷層影響，硅片不同晶面的腐蝕速率比為: (110): (100): (111)=25：15：1，硅片不會(huì)因各向異性產(chǎn)生預(yù)出絨，從而獲得理想的預(yù)清洗結(jié)果。 缺陷：油污片處置困難，清洗后外表殘留物去除困難。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨預(yù)清洗原理： 2、 1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；1000g Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 利用NaOH腐蝕配合超聲對(duì)硅片外表顆粒進(jìn)展去除； 經(jīng)過SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA對(duì)硅片外表有機(jī)物進(jìn)展去除。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨單晶制絨工藝：

14、NaOH，Na2SiO3，IPA混合體系進(jìn)展硅片制絨。配比要求： NaOH濃度0.8wt%-2wt%； Na2SiO3濃度0.8wt%-2wt%；IPA濃度5vol%-8vol%。制絨時(shí)間：25-35min，制絨溫度75-90oC。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨單晶絨面： 絨面普通要求：制絨后，硅片外表無明顯色差；絨面小而均勻。 單晶制絨單晶制絨單晶絨面顯微構(gòu)造左：金相顯微鏡；右：掃描電鏡硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨制絨原理： 簡(jiǎn)言之，即利用硅在低濃度堿液中的各向異性腐蝕，即硅在(110)及(100)晶面的腐蝕速率遠(yuǎn)大于(111)晶面的腐蝕速率。經(jīng)一定時(shí)間腐蝕后，在(100)單

15、晶硅片外表留下四個(gè)由(111)面組成的金字塔，即上圖所示金字塔。 根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，在較低濃度下，硅片腐蝕速率差別最大可達(dá)V (110)： V(100) ： V(111) =400：200：1。 雖然NaOH(KOH)，Na2SiO3，IPA(或乙醇)混合體系制絨在工業(yè)中的運(yùn)用已有近二十年，但制絨過程中各向異性腐蝕以及絨面構(gòu)成機(jī)了解釋仍存爭(zhēng)議，本文將列出部分機(jī)了解釋。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨各向異性腐蝕機(jī)理： 1967年，F(xiàn)inne和Klein第一次提出了由OH-，H2O與硅反響的各向異性反響過程的氧化復(fù)原方程式：Si+2OH-+4H2OSi(OH)62-+2H2； 1973

16、年，Price提出硅的不同晶面的懸掛鍵密度能夠在各項(xiàng)異性腐蝕中起主要作用； 1975年，Kendall提出濕法腐蝕過程中，111較100面易生長(zhǎng)鈍化層； 1985年，Palik提出硅的各向異性腐蝕與各晶面的激活能和背鍵構(gòu)造兩種要素相關(guān)，并提出SiO2OH22-是根本的反響產(chǎn)物； 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨各向異性腐蝕機(jī)理： 1990年，Seidel提出了目前最具壓服力的電化學(xué)模型，模型以為各向異性腐蝕是由硅外表的懸掛鍵密度和背鍵構(gòu)造，能級(jí)不同而引起的； 1991年，Glembocki和Palik思索水和作用提出了水和模型，即各向異性腐蝕由腐蝕劑中自在水和OH-同時(shí)參與反響；

17、最近，Elwenspolk等人試著用晶體生長(zhǎng)實(shí)際來解釋單晶硅的各向異性腐蝕，即不同晶向上的結(jié)位(kinksites)數(shù)目不同； 另一種晶體學(xué)實(shí)際那么以為(111)面屬于光滑外表，(100)面屬于粗糙外表。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨各向異性腐蝕機(jī)理： Seidel電化學(xué)模型： 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨絨面構(gòu)成機(jī)理： A、金字塔從硅片缺陷處產(chǎn)生； B、缺陷和外表沾污呵斥金字塔構(gòu)成； C、化學(xué)反響產(chǎn)生的硅水合物不易溶解，從而導(dǎo)致金字塔構(gòu)成； D、異丙醇和硅酸鈉是產(chǎn)生金字塔的緣由。 硅對(duì)堿的擇優(yōu)腐蝕是金字塔構(gòu)成的本質(zhì)，缺陷、沾污、異丙醇及硅酸鈉含量會(huì)影響金字塔的

18、延續(xù)性及金字塔大小。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨絨面構(gòu)成最終取決于兩個(gè)要素： 腐蝕速率及各向異性腐蝕速率快慢影響因子： 1、腐蝕液流至被腐蝕物外表的挪動(dòng)速率； 2、腐蝕液與被腐蝕物外表產(chǎn)生化學(xué)反響的反響速率； 3、生成物從被腐蝕物外表分開的速率。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨詳細(xì)影響因子：NaOH濃度溶液溫度異丙醇濃度制絨時(shí)間硅酸鈉含量槽體密封程度、異丙醇揮發(fā)攪拌及鼓泡 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨NaOH濃度對(duì)絨面形貌影響： NaOH對(duì)硅片反響速率有重要影響。制絨過程中，由于所用NaOH濃度均為低堿濃度，隨NaOH濃度升高，硅片腐蝕速率相對(duì)上

19、升。與此同時(shí)，隨 NaOH濃度改動(dòng)，硅片腐蝕各向異性因子也發(fā)生改動(dòng)，因此， NaOH濃度對(duì)金字塔的角錐度也有重要影響。 單晶制絨單晶制絨85oC，30min，IPA vol10%硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨NaOH濃度對(duì)絨面反射率影響： 單晶制絨單晶制絨0.130.140.150.16051015202530354045505560Concentration of NaOH (g/l)Average Reflectance硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨溫度影響： 溫度過高，IPA揮發(fā)加劇，晶面擇優(yōu)性下降，絨面延續(xù)性降低；同時(shí)腐蝕速率過快，控制困難； 溫度過低，腐蝕速率過慢，制絨周期延伸； 制絨溫

20、度范圍：75-90oC。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨IPA影響：1、降低硅片外表張力，減少氣泡在硅片外表的粘附，使金字塔更加均勻一致；2、氣泡直徑、密度對(duì)絨面構(gòu)造及腐蝕速率有重要影響。氣泡大小及在硅片外表的停留時(shí)間，與溶液粘度、外表張力有關(guān)，所以需求異丙醇來調(diào)理溶液粘滯特性。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨IPA影響： 除改善消泡及溶液粘度外，也有報(bào)道指出IPA將與腐蝕下的硅生成絡(luò)合物而溶于溶液。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨時(shí)間影響： 制絨包括金字塔的行核及長(zhǎng)大過程，因此制絨時(shí)間對(duì)絨面的形貌及硅片腐蝕量均有重要影響。 單晶制絨單晶制絨 1 mi

21、n; 5 min; 10min; 30min.硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨時(shí)間影響： 經(jīng)去除損傷層，硅片外表留下了許多淺的準(zhǔn)方形腐蝕坑。1分鐘后，金字塔如雨后春筍，零星的冒出了頭；5分鐘后，硅片外表根本被小金字塔覆蓋，少數(shù)已開場(chǎng)長(zhǎng)大。我們稱絨面構(gòu)成初期的這種變化為金字塔“成核。10分鐘后，密布的金字塔絨面曾經(jīng)構(gòu)成，只是大小不均勻，反射率也降到了比較低的程度。隨時(shí)間延伸，金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均勻。隨制絨時(shí)間進(jìn)一步延伸，絨面構(gòu)造均勻性反而下降，如圖e，f所示。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨時(shí)間影響： 單晶制絨單晶制絨e. 35min; f. 45min硅片清洗

22、與制絨硅片清洗與制絨硅酸鈉含量影響： 硅酸鈉詳細(xì)含量丈量是沒必要的，只需斷定它的含量能否過量即可。實(shí)驗(yàn)用濃鹽酸滴定，假設(shè)滴定一段時(shí)間后出現(xiàn)少量絮狀物，闡明硅酸鈉含量適中；假設(shè)滴定開場(chǎng)就出現(xiàn)一團(tuán)膠狀固體且隨滴定的進(jìn)展變多，闡明硅酸鈉過量。 相對(duì)而言，制絨過程中，硅酸鈉含量具有很寬的窗口。實(shí)驗(yàn)證明，初拋液硅酸鈉含量不超越30wt%，制絨液硅酸鈉含量不超越15wt%，均能獲得效果良好的絨面。雖然如此，含量上限確實(shí)定需根據(jù)實(shí)踐消費(fèi)確認(rèn)。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨槽體密封程度、異丙醇揮發(fā)： 槽體密封程度，異丙醇揮發(fā)對(duì)制絨槽內(nèi)的溶液成分及溫度分布有重要影響。 制絨槽密封程度差，導(dǎo)致溶液

23、揮發(fā)加劇，溶液液位的及時(shí)恢復(fù)非常必要，否那么制絨液濃度將會(huì)偏離實(shí)踐設(shè)定值。異丙醇的揮發(fā)添加化學(xué)藥品耗費(fèi)量添加的同時(shí)，絨面顯微構(gòu)造也將因異丙醇含量改動(dòng)發(fā)生相應(yīng)變化。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨攪拌及鼓泡： 攪拌及鼓泡有利于提高溶液均勻度，制絨過程中附加攪拌及鼓泡，硅片外表的氣泡能得到很好的脫附，制絨后的硅片外表顯微構(gòu)造表現(xiàn)為絨面延續(xù)，金字塔大小均勻。 但攪拌及鼓泡會(huì)略加劇溶液的揮發(fā)，制絨過程硅片的腐蝕速率也略為加快。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨小結(jié)： 單晶制絨原理為硅的各向異性腐蝕。硅片的外表沾污，缺陷等對(duì)絨面構(gòu)成有重要影響。 影響硅片腐蝕速率及絨面顯微構(gòu)造的

24、要素眾多，主要包括如下因子：NaOH濃度；溶液溫度；異丙醇濃度；制絨時(shí)間；硅酸鈉含量；槽體密封程度；異丙醇揮發(fā)；攪拌及鼓泡等。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨HCl的作用： 中和殘留在硅片外表剩余堿液； 去除在硅片切割時(shí)外表引入的金屬雜質(zhì)。 注：鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金屬離子構(gòu)成可溶于水的絡(luò)合物。 單晶制絨單晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨HF的作用： 去除硅片外表二氧化硅層； 與硅片外表硅懸掛鍵構(gòu)成Si-H鈍化鍵。 單晶制絨單晶制絨OH2SiFHHF6SiO2622硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨

25、效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 單晶制絨根本要求：損傷層去除完全；絨面延續(xù)均勻；反射率低；無色差。 單晶制絨單晶制絨制絨良好圖片硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 油污片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 來料問題，硅片切割后外表清洗任務(wù)未做好；包裝過程膠帶接觸硅片導(dǎo)致粘污。處理方法： 與硅片廠商協(xié)商處理，條件允許的前提下，適中選用有機(jī)洗劑或其他能有效去油污的清洗方法進(jìn)展清洗。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 指紋片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 人為與硅片直接接觸，能夠源于廠家以及前道工序，如來料檢，插片等。處理方法： 采用硅酸鈉配合IPA能適當(dāng)改善，但不能根治。根本處理需從源頭做起

26、，包括與廠家的協(xié)作以及本身前道工序的控制。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 發(fā)白片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 制絨時(shí)間不夠，硅片制絨溫度偏低。處理方法： 適當(dāng)延伸制絨時(shí)間，提高制絨溫度。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 發(fā)亮片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 氫氧化鈉過量，或者是制絨時(shí)間過長(zhǎng)。處理方法： 適當(dāng)降低氫氧化鈉用量或者縮短制絨時(shí)間。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 雨點(diǎn)片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 制絨過程中IPA缺乏，硅片外表氣泡脫附不好。處理方法： 提高溶液中IPA的含量，可以從初配開場(chǎng)，也可以在過程中補(bǔ)加完成。硅片清洗與制絨硅片清洗與制

27、絨效果評(píng)價(jià)及改善對(duì)策： 掛堿片： 單晶制絨單晶制絨緣由： 氫氧化鈉過量，或者是制絨時(shí)間過長(zhǎng)。處理方法： 適當(dāng)降低氫氧化鈉用量或者縮短制絨時(shí)間。硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨多晶制絨工藝： 由于多晶硅片由大小不一的多個(gè)晶粒組成，多晶面的共同存在導(dǎo)致多晶制絨不能采用單晶的各向異性堿腐蝕 (Orientation Dependent Etching)方法完成。 已有研討的多晶制絨工藝： 高濃度酸制絨；機(jī)械研磨；噴砂，線切；激光刻槽；金屬催化多孔硅；等離子刻蝕等。 綜合本錢及最終效果，當(dāng)前工業(yè)中主要運(yùn)用的多晶制絨方法為高濃度酸制絨。 多晶制絨多晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨多晶制絨工藝： 線上工藝：

28、 均為HNO3，HF，DI Water 混合體系。常用的兩個(gè)溶液配比大致如下： HNO3：HF：DI Water= 3：1：2.7； HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2 制絨溫度6-10，制絨時(shí)間120-300sec。反響方程式：HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 多晶制絨多晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨多晶制絨工藝： 制絨原理： HNO3：HF：DI Water= 3：1：2.7 該配比制絨液與位錯(cuò)腐蝕Dash液的配比根本一致，反響原理也一致，即利用硅片在缺陷或損傷區(qū)更快的腐蝕速率來構(gòu)成部分凹坑。同時(shí)，低溫反響氣泡的吸附也是絨面構(gòu)成的關(guān)鍵點(diǎn)。 由于Dash溶液進(jìn)展缺陷顯示時(shí)，反響速率很慢，因此，進(jìn)展多晶制絨時(shí)，需提高硅片的腐蝕速率(通常經(jīng)過降低溶液配比中水的含量完成)。 多晶制絨多晶制絨硅片清洗與制絨硅片清洗與制絨多晶制絨工藝： 制絨原理： HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2 該配比制絨液利用硅片的染色腐蝕。染色腐蝕是指在電化學(xué)腐蝕過程中，硅片的反響速率受硅片基體載流子濃度影響很大。載流子濃度差別導(dǎo)致硅片腐蝕速率產(chǎn)生差別，從而構(gòu)成腐蝕坑，完成硅片的 制絨。 相比上一配比，該配比下硅片