扭梁懸臂梁支撐的扭擺式MEMS永磁雙穩(wěn)態(tài)機構_圖文

1、第27卷第1期2006年1月半導體學報CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27No. 1J an. ,20063教育部科學技術研究資助項目(批準號:0307 通信作者. Email :. cn 2005206218收到,2005210204定稿2006中國電子學會扭梁懸臂梁支撐的扭擺式MEMS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構3姜政 丁桂甫王艷張東梅王志明馮建智(上海交通大學微納科學技術研究院, 上海200030摘要:在進行理論分析證實可行性和模擬仿真優(yōu)化參數(shù)后, 利用非硅表面微加工方法中的犧牲層工藝制備了一種扭梁懸臂梁支撐的扭擺式M E

2、MS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構. 該雙穩(wěn)態(tài)結構尺寸為119mm ×116mm ×0103mm , 通過永磁力實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)姿態(tài)無功耗保持, 通過對其單側觸點施加縱向驅動力使之達到30m 的縱向驅動位移, 可以實現(xiàn)機構的雙穩(wěn)態(tài)姿態(tài)切換, 可以通過控制永磁體磁片、懸臂梁和扭梁的尺寸來靈活調(diào)控穩(wěn)態(tài)切換所需的驅動力矩. 此雙穩(wěn)態(tài)機構可與電磁驅動、電熱驅動和靜電驅動等類型的微驅動器聯(lián)用構成永磁雙穩(wěn)態(tài)M EMS 微繼電器. 關鍵詞:永磁; 雙穩(wěn)態(tài); M EMS ; 微繼電器EEACC :1350; 2180; 2575中圖分類號:TN60315文獻標識碼:A 文章編號:025324177(2006 0

3、1201432071前言通信、儀表和汽車等工業(yè)領域廣泛使用各種繼電器, 當插入損耗和絕緣性要求較高時, 與固態(tài)繼電器相比, 傳統(tǒng)的機電繼電器無疑將會是最佳選擇. 然而, 機電繼電器微型化技術的進展相對于芯片技術要滯后很多, 因此成為了控制模塊集成化和微型化的技術瓶頸. 微型機電系統(tǒng)技術(micro electrome 2chanical systems , M EMS 一方面保持著傳統(tǒng)機電繼電器的金屬觸點接通與斷開模式設計, 一方面能夠以類似半導體技術的集成工藝批量制造, 集機電繼電器和固態(tài)繼電器兩者的優(yōu)點于一身, 因此有可能是繼電器微型化的可行技術途徑.但是伴隨著繼電器尺寸的減小,M EMS

4、 器件的功耗成為制約其工作穩(wěn)定性的關鍵因素之一, 為此一些開關類器件嘗試采用雙穩(wěn)態(tài)機制工作以降低整體功耗. 比如電磁驅動的雙穩(wěn)態(tài)開關和繼電器, 僅在需要開/閉狀態(tài)切換時才接通電源, 而在姿態(tài)保持階段則借助雙穩(wěn)態(tài)機構實現(xiàn)無功耗保持. 已經(jīng)有多種此類實驗室樣品誕生14, 其中大多數(shù)采用靈巧機械機構, 借助彈性能的積聚與轉移實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)的保持與切換. 其中典型的是雙端固定的彎曲梁機構, 它借助機械變形的彈性力實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài). 但是這類機構通常結構比較復雜、效率較低, 而且部件疲勞損傷嚴重, 聯(lián)動的機械機構進一步延緩了可動部件的響應速度. 而已有的采用永磁機制的雙穩(wěn)態(tài)機構是平面內(nèi)驅動方式, 與大多數(shù)驅動器的縱

5、向驅動方式不兼容. 因此至今尚未有任何雙穩(wěn)態(tài)機構能夠真正達到實用化水平, 探索新的雙穩(wěn)態(tài)機構仍然是該方向的重要研究內(nèi)容.本文設計并制備了一種可以借助微加工技術實現(xiàn)的采用扭梁懸臂梁支撐的扭擺式M EMS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構. 它不但體積小、易于實現(xiàn)縱向位移、穩(wěn)態(tài)姿態(tài)保持無需功耗, 而且方便與各種驅動機制的微驅動器實現(xiàn)工藝與功能的兼容, 具有廣泛適用性. 2永磁雙穩(wěn)態(tài)機構設計2. 1結構及原理如圖1所示, 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構組成部分包括下軟磁回路、永磁體、基臺、扭梁、懸臂梁、觸點和外接電極, 其中扭梁、懸臂梁、觸點、基臺和下軟磁回路均為軟磁材料. 機構兩側的觸點被扭梁和懸臂梁支撐懸浮于外接電極的引線端口和

6、下軟磁回路的上方, 扭梁和懸臂梁安裝在基臺上, 基臺和永磁體安裝在下軟磁回路上.該雙穩(wěn)態(tài)機構各組成部分的作用及整體工作原理如下:永磁體提供磁場; 下軟磁回路導磁; 基臺支撐懸臂梁和扭梁, 并為觸點提供氣隙空間; 扭梁將懸半導體學報第27卷圖1扭梁懸臂梁支撐的永磁MEMS 雙穩(wěn)態(tài)機構示意圖1:永磁體;2:下軟磁回路;3:觸點;4:懸臂梁;5:扭梁;6:基臺;7:外接電極Fig. 1Schematic configuration of a teeterboard pattern M EMS permanent magnet bistable structure supported by torsi

7、on and cantilever beam 臂梁的縱向位移轉化為橫向扭轉小形變; 懸臂梁的縱向位移導致觸點的閉合和斷開, 觸點閉合使懸臂梁連通了兩外接電極, 斷開便使懸臂梁脫離兩外接電極; 四個外接電極可作為微繼電器的雙向電極溝通外電路. 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構通過被聯(lián)用的驅動器驅動工作. 當其一側觸點被聯(lián)用的驅動器抬起或下壓, 另一側觸點將同步下沉或上升. 當下沉一端的觸點與下軟磁回路接觸時, 雙穩(wěn)態(tài)機構中便溝通形成“永磁體2扭梁2懸臂梁2觸點2下軟磁回路2永磁體”的閉合磁路, 其中的磁作用力能一直保持該觸點的下沉狀態(tài)而無需聯(lián)用驅動器持續(xù)出力. 該下沉的觸點同時能溝通外接電極, 形成繼電器的通態(tài).

8、 此時的磁作用力同時能夠提供觸點接觸的壓力, 使繼電器的接入電阻維持在較低的水平. 如果要切斷這一側電路, 只需要給聯(lián)用驅動器一個脈沖電流, 抬起該側懸臂梁或下壓另外一側懸臂梁, 該側觸點就會被抬起, 這側電路便被切斷, 而另一側的觸點就會下壓從而形成與前述相似的磁回路與電回路, 同樣實現(xiàn)無功耗姿態(tài)保持. 2. 2特點該雙穩(wěn)態(tài)機構基于金屬對金屬接觸的導通機制, 觸點閉合時為金屬直接接觸, 接觸電阻小、插入損耗低; 觸點斷開時為氣隙隔絕, 開路電阻大、隔斷效果好. 因此將其應用到微繼電器中時, 可以使繼電器擁有機電繼電器式的優(yōu)點.該雙穩(wěn)態(tài)機構通過永磁吸引力來保持穩(wěn)態(tài), 不需要外加電流來保持穩(wěn)態(tài),

9、 因此用于微器件可以克服持續(xù)功耗所導致的散熱困難. 永磁體可以通過電鍍方法進行原位制備6, 這種與半導體技術兼容的工藝對集成制造十分有利, 但目前通過電鍍獲得的永磁體磁性能遠不如常規(guī)永磁體磁片, 因此永磁體磁片仍然是當前最合適的選擇.該雙穩(wěn)態(tài)機構的三維磁路構造形式未見報道,對其施加縱向小位移驅動可以實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)切換. 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的穩(wěn)態(tài)切換所需力矩可以通過控制懸臂梁、扭梁和永磁體的尺寸靈活控制, 切換所需的觸點位移可以通過控制基臺高度精確控制, 切換速度可以通過控制施加外加驅動力的大小和施加速度來控制. 鑒于一般的微驅動器的驅動位移也是縱向的, 驅動位移也不大, 故該雙穩(wěn)態(tài)機構與一般的微驅動器在

10、驅動方式上的兼容性極好. 該雙穩(wěn)態(tài)機構的制備工藝可以用簡單的光刻膠犧牲層常溫表面微加工工藝, 也可改用耐高溫的金屬犧牲層技術制備, 因而其在工藝上與各種微驅動器也能有很好的兼容性. 可見, 該雙穩(wěn)態(tài)機構具有與各種類型的微驅動器協(xié)同構成永磁雙穩(wěn)態(tài)M EMS 器件的潛力. 借助此類永磁雙穩(wěn)態(tài)機構, 與電磁型微驅動器聯(lián)合制備, 我們已經(jīng)制備出了電磁型永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器. 同理, 此永磁雙穩(wěn)態(tài)機構也可以與其他電熱、靜電等類型的微驅動器聯(lián)用構成永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器.3雙穩(wěn)態(tài)機構的建模與仿真分析扭梁懸臂梁支撐的永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的等效磁路如圖2所示, 每一個穩(wěn)態(tài)的磁回路都由“永磁體2扭梁2懸臂梁2觸點2下軟磁回

11、路2永磁體”構成.圖2永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的等效磁路圖:永磁體磁激勵力; R p :永磁體磁阻; R t :扭梁磁阻; R c1, R c2:懸臂梁磁阻; R a1, R c2:氣隙磁阻; R m1, R m2:軟磁回路磁阻; 0:永磁體磁通; 1, 2:回路1,2中的磁通; 01, 02:氣隙1,2中的磁通Fig. 2Equivalent magnet path diagram of permanent magnet bistable structure基于雙穩(wěn)態(tài)機構的構造及其等效磁路, 我們對雙穩(wěn)態(tài)機構的單側觸點位移與機構的勢能的關系進行了系統(tǒng)分析.假定機構的金屬材料的懸梁為理想彈性. 機構的勢

12、能包括扭梁形變所儲存的機械勢能和機構的磁場勢能. 記該側觸點水平時的位移s 為0.機構的扭梁形變后存儲的機械勢能大小可以等效表示為:441第1期姜政等:扭梁懸臂梁支撐的扭擺式M EMS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構N =2K2(s =2K arctan 2L其中K 為等效的扭轉常數(shù); s 為氣隙高度; L 為懸梁長度.對于磁穩(wěn)雙穩(wěn)態(tài)機構中閉合磁路, 沿其對磁場H 進行線積分得到磁動勢:F MM =H L m +H s s其中H 與H s 分別為磁路和氣隙的磁場強度; L m和s 分別為磁路和氣隙的長度.結合分析氣隙中的磁通量, 可以獲得該機構中存儲的磁勢能:W (F MM , s =22s +L m其中A

13、為觸點面積.因此機構的勢能u 為: u=2K arctan 2L-22a +s +L m-22a -s +L m , s (-a , 02K arctan 2 L-22a -s +L m-22a +s +L m, s (0, a 以典型的結構參數(shù)代入上式求解, 可得如圖3 所示的單側觸點位移s 與機構勢能u 的關系. 從中可見, 機構的該側觸點從水平位置逐漸運動達到一定的臨界點時, 由于機構機械勢能快速上升, 磁勢能緩慢下降, 使得機構勢能逐漸上升達到峰值; 該側觸點繼續(xù)運動超過此臨界點后, 機構機械勢能上升較慢, 機構的磁勢能迅速下降, 使得機構勢能呈迅速下降趨勢; 當該機構的單側觸點位移達

14、到向上或向下的最大位移(止停位置 時, 機構的勢能達到最小值; 當觸點達到止停位置后便無法產(chǎn)生進一步位移, 此時若強行壓擠觸點, 機構的勢能將急劇上升. 根據(jù)能量最低原理, 勢能最低的狀態(tài)最穩(wěn)定. 因此當該側觸點位移處于止停位置的時候, 機構的勢能最低, 這是機構的穩(wěn)態(tài). 由于止停位置兩側的勢能曲線都比較陡峭, 如要打破此穩(wěn)態(tài), 需克服的勢能勢壘較高, 所圖3觸點位移與勢能關系圖Fig. 3Relationship between the replacement and theenergy at the contact以機構的穩(wěn)態(tài)是比較穩(wěn)定的; 在對機構進行穩(wěn)態(tài)切換時, 對觸點施加驅動, 使得

15、該側觸點位移超過另側臨界點, 機構的勢能越過勢壘, 機構便可切換到另一個穩(wěn)態(tài). 因此該雙穩(wěn)態(tài)機構的雙穩(wěn)態(tài)功能在理論上是可以實現(xiàn)的.為了使永磁雙穩(wěn)態(tài)機構能獲得較好的穩(wěn)態(tài)性能, 其在結構上有諸多講究. 雙穩(wěn)態(tài)機構在有限的尺寸范圍內(nèi)需獲得較大的吸附力和驅動位移, 同時也需獲得較好的剩余磁感應強度、導磁率和電導率. 因此我們使用最大磁能積(B H max 為180kJ /m 3的高強度永磁體磁片提供吸附力. 根據(jù)仿真結果, 實際需要的永磁體磁片厚度僅需數(shù)十微米即可, 但鑒于永磁體磁片采用普通切片工藝進行加工并需將其組裝嵌入到下軟磁回路中, 為了便于加工與組裝小尺寸永磁體磁片, 取永磁體磁片厚度為200

16、m ; 使用Fe 含量為19%的電鍍坡莫合金作為下軟磁回路、懸臂梁和扭梁的軟磁材料; 當雙穩(wěn)態(tài)機構一側處于穩(wěn)態(tài)時, 為了使其穩(wěn)定吸附并維持較低的接入電阻, 該側觸點處的吸附力應大于10N 8, 而開路的另一端的氣隙高度應大于20m 以保證絕緣性; 同時, 整個雙穩(wěn)態(tài)機構的尺寸應盡可能小. 經(jīng)反復仿真與驗證, 得到了如表1的合理結構尺寸.表1永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的結構尺寸Table 1Structure dimension of the permanent magnetbistable structure結構參數(shù)尺寸/m懸臂梁寬度, w 100懸臂梁長度, L c 695扭梁寬度, d 30扭梁長度,

17、 L t 300梁厚度, B 10基臺高度, t 15永磁體寬度, b 480永磁體長度, L 620永磁體厚度, a200依據(jù)優(yōu)化的結構尺寸, 運用ANS YS 有限元分析軟件對一端閉合吸附的結構模型進行了磁場分布分析和Maxwell 磁力分析, 得到了如圖4和5所示的機構中的磁場分布和磁力分布情況. 從中可見, 機構中懸梁處的磁場強度較均勻地分布為10-6T , 而閉合端懸臂梁的磁力沿著懸梁路徑的分布的最大磁力出現(xiàn)在閉合觸點處, 其平均大小為115×10-7N ,541半導體學報第27卷累積計算閉合觸點處1000個節(jié)點的磁場吸附力可 得閉合觸點處的磁場吸附力為115×1

18、0-5N , 這與觸點實現(xiàn)閉合后懸臂梁的空間位置以及磁路分布情況是吻合的. 另對機構進行力學結構分析, 可得:機構扭梁的回復力為1×10-12N. 因此可認為在觸點處的吸附力即為磁場吸附力15 N. 圖4一端閉合的永磁雙穩(wěn)態(tài)結構的磁場強度分布圖Fig. 4Magnetic intensity distributing of permanentmagnet bistable structure with one sideclosed 圖5一端閉合的永磁雙穩(wěn)態(tài)結構的閉合端懸臂梁的沿著懸梁路徑分布的磁力細化圖Fig. 5Magnetic force distributing of perm

19、anent mag 2net bistable structure with one side closed along with cantilever beam4微加工實驗制備本永磁雙穩(wěn)態(tài)機構主要運用了非硅表面微加工技術. 其工藝流程如圖6所示.本永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的制備在玻璃基片上進行. 在經(jīng)清洗烘干的玻璃基片上濺射厚度為30nm 的Cr 膜和厚度為80nm 的Cu 膜作為后繼的電鍍種子層(圖6(a . 濺射的Cr 膜可以有效地增強后繼結構與基片的結合力, 濺射的Cu 膜可以便于后繼電鍍工藝的開展.然后涂覆5m 厚的光刻膠, 光刻出電極和下軟磁回路的圖形, 按表2的工藝條件電鍍FeNi 合金獲

20、得下軟磁回路和外接電極. 涂覆15m 厚的光刻膠, 光刻出基臺的圖形, 電鍍FeNi 合金獲得基臺(圖6圖6永磁雙穩(wěn)態(tài)機構制備工藝流程(a 濺射電鍍種子層; (b 光刻并電鍍制備下軟磁回路和基臺; (c 濺射電鍍種子層; (d 光刻并電鍍制備懸梁; (e 去除光刻膠和電鍍種子層; (f 插入永磁體獲得穩(wěn)態(tài)Fig. 6Technical flow chart of permanent magnet bi 2stable structure(b . 電鍍獲得的FeNi 合金性能如表3所示, 從中可以發(fā)現(xiàn)FeNi 合金的機械性能、磁學性能和電學性能都較好.表2電鍍FeNi 合金工藝條件Table 2

21、Technical conditions of FeNi alloy electroplating成份/參數(shù)含量/條件Ni 2+11. 7g/L Fe 2+0. 59g/L H 3BO 325. 0g/L 糖精1. 0g/L 溫度30±2p H 值2. 8±0. 2電流密度1. 0A/dm 2表3電鍍FeNi 合金性能指標Table 3FeNi alloy s performances 性能指標楊氏模量, E 1. 8×1011N/m 2拉伸強度, T 1. 9×109N/m 2矯頑力, F 4A/m 剩余磁通密度, B r 0. 5T 飽和磁通密度,

22、B s 0. 86T 相對磁導率, 105電阻率,1. 6×10-7m將基片低溫烘干, 濺射Cr/Cu 電鍍種子層(圖6(c . 低溫烘干是為了將光刻膠中含有的溶液和氣體基本烘除, 避免在后繼過程中有氣體逸出致使鍍層開裂.涂覆10m 厚的光刻膠, 光刻出懸臂梁和扭梁641第1期姜政等:扭梁懸臂梁支撐的扭擺式M EMS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的圖形, 電鍍FeNi 合金獲得懸臂梁和扭梁(圖6 (d . 此時通過仔細控制電鍍的電流密度等工藝條件可以消除內(nèi)應力, 避免后繼過程中懸空的懸臂梁和扭梁彎曲變形.依次去除最上層的光刻膠、中間的電鍍種子層、下層的光刻膠和底層的電鍍種子層(圖6(e . 需要指

23、出的是:此時應該采用稀釋的腐蝕液濕法去除電鍍種子層, 以免速度過快, 生成難去物, 破壞結構.在下軟磁磁路中組裝嵌入切割好的永磁體磁片(圖6(f . 應使磁片的磁極方向與磁路磁通流向一致以有效利用磁通.5測試與應用5. 1雙穩(wěn)態(tài)機構的尺寸該雙穩(wěn)態(tài)機構尺寸為119mm ×116mm ×0103mm , 永磁體磁片的尺寸為016mm ×015mm ×012mm. 與一般微型繼電器幾立方厘米的體積比較, 此雙穩(wěn)態(tài)機構的尺寸是相當小的, 所以如將此雙穩(wěn)態(tài)機構應用到微繼電器中會對繼電器的微型化有積極意義. 與毫米見方的M EMS 器件相較, 此雙穩(wěn)態(tài)機構的尺寸比較

24、匹配, 因此該雙穩(wěn)態(tài)機構與M EMS 繼電器在尺寸上有較好的兼容性. 5. 2雙穩(wěn)態(tài)機構的穩(wěn)態(tài)姿態(tài)保持功耗圖7(a 為永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的一端懸臂梁下壓時, 該端觸點與下磁路、外接電極閉合的電鏡照片. 從局部放大圖可以清楚地看到永磁雙穩(wěn)態(tài)機構呈一端閉合一端開路的穩(wěn)態(tài). 通過在顯微鏡下用探針輕微點擊懸梁觸點可自如地切換到如圖7(b 所示的另一個穩(wěn)態(tài). 在此兩個穩(wěn)定狀態(tài)中, 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構均未借助外力而實現(xiàn)了無功耗姿態(tài)保持, 即永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的穩(wěn)態(tài)姿態(tài)保持功耗為0.電鏡照片圖中永磁體周圍圖像發(fā)生扭曲是因為電鏡的電子束接近永磁體時發(fā)生扭曲.通過對該雙穩(wěn)態(tài)機構施加手工晃動擾動來測試穩(wěn)態(tài)時觸點處的穩(wěn)態(tài)保持效

25、果. 經(jīng)測試表明, 該雙穩(wěn)態(tài)機構能夠抵擋大幅度的晃動擾動而保持穩(wěn)態(tài). 這表明該雙穩(wěn)態(tài)機構在一些具有擾動的環(huán)境下也適用.5. 3雙穩(wěn)態(tài)機構的穩(wěn)態(tài)切換力通過使用S/N62140型納米壓入硬度測試儀對該雙穩(wěn)態(tài)機構的翹起一端的觸點施加微壓力來測量穩(wěn)態(tài)切換力. 測量采用的納米硬度壓痕儀所能施加的最小力為011mN. 經(jīng)實驗表明, 當懸臂梁一端下壓, 該側觸點閉合時, 在另外翹起一端的觸點處通過探針施加011mN的微壓力可以自如地對雙穩(wěn)態(tài)機圖7(a 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的一個穩(wěn)態(tài); (b 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的另一個穩(wěn)態(tài)Fig. 7(a One stable state of the permanent magnet

26、 ; (b Anothor stable state of the permanent magnet bi 2stable structure構進行穩(wěn)態(tài)切換. 雖然我們對機構的穩(wěn)態(tài)切換力難以進一步量化, 但測試已經(jīng)表明該雙穩(wěn)態(tài)機構的穩(wěn)態(tài)切換力小于011mN , 而模擬分析得到的穩(wěn)態(tài)切換力15N 也確實低于011mN , 此穩(wěn)態(tài)切換力顯著低于一些微驅動器的驅動力. 因此該雙穩(wěn)態(tài)機構在與微驅動器聯(lián)用構成微繼電器方面具備可行性. 5. 4雙穩(wěn)態(tài)機構電學性能對永磁雙穩(wěn)態(tài)機構進行了電學性能測試. 運用Agilent4156C 精密半導體參數(shù)分析儀對處于穩(wěn)態(tài)下的機構的閉合端進行電阻測試結果為0101, 這

27、表明該雙穩(wěn)態(tài)機構接入電阻較小; 對機構的開路端進行電阻測試結果為絕緣, 這表明該雙穩(wěn)態(tài)機構開路電阻較大. 同時對機構的開路端進行30V 電壓加壓測試, 機構未擊穿, 這表明該雙穩(wěn)態(tài)機構耐壓性能較好. 由上可見該雙穩(wěn)態(tài)機構的電學性能良好, 能滿足常規(guī)電路對器件的要求.741148 半 導 體 學 報 第 27 卷 5. 5 應用 將此類永磁雙穩(wěn)態(tài)機構與微驅動器進行聯(lián)合制 備可以獲得永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器 . 如圖 8 ( a 所示 , 我們已經(jīng)將其與電磁驅動器聯(lián)合制備獲得了電磁型 永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器 , 其性能良好 . 圖 8 ( b 是電磁 型永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器的響應測試曲線 . 結果表明 其借助

28、于永磁雙穩(wěn)態(tài)機構實現(xiàn)了狀態(tài)切換響應功 能 . 由此可見永磁雙穩(wěn)態(tài)機構具有良好的實用性 . (a ( b 圖 8 (a 電磁型永磁雙穩(wěn)態(tài)微繼電器 ; ( b 電磁型永磁雙穩(wěn)態(tài) 微繼電器響應測試曲線 6 結論 Fig. 8 ( a Elect romagnetism permanent magnet bista2 ble M EMS relay ; ( b Respo nd curve of elect ro magnet 2 ism permanent magnet bistable M EMS relay 我們設計分析和制備了扭梁懸臂梁支撐的扭擺 © 1995-2006 Tsingh

29、ua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 式永磁 M EMS 雙穩(wěn)態(tài)機構并對其進行了性能測試 . 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構的總體尺寸為 11 9mm ×11 6mm × 01 03mm ,永磁體磁片的尺寸為 01 6mm ×01 5mm × 01 2mm. 借助插入的永磁體磁片的作用 , 永磁雙穩(wěn) 態(tài)機構的任一穩(wěn)態(tài)均能實現(xiàn)無功耗姿態(tài)保持 . 對永 磁雙穩(wěn)態(tài)機構的觸點施加低于 01 1mN 的驅動力能 使該機構在兩個穩(wěn)態(tài)間實現(xiàn)自由切換 . 穩(wěn)態(tài)切換時 , 觸點位移為 30 m. 該機構能很好地與各

30、種微驅動 器聯(lián)用構成 M EMS 微繼電器 . 參考文獻 1 Qiu Jin ,Lang J H ,Slocum A H ,et al . A high2current elect ro2 t hermal bistable M EMS relay. IEEE The Sixteent h Annual tems ,2003 :64 2 Wang Ye ,Li Zhihong , McCormick D T ,et al . A micro mach2 ined RF microrelay wit h elect rot hermal act uation. Sensors and Act u

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34、ternational Conference on Micro Elect ro Mechanical Sys2 第1期 姜 政等 : 扭梁懸臂梁支撐的扭擺式 M EMS 永磁雙穩(wěn)態(tài)機構 149 J iang Zheng , Ding Guif u , Wang Yan , Zhang Do ngmei , Wang Zhiming , and Feng J ianzhi ( M icro/ N ano S cience & Technolog y Research I nstit ute , S hang hai J i aotong Uni versit y , S hang ha

35、i 200030 , Chi na Abstract : After feasibility analysis and parameter optimizatio n ,a teeterboard pattern M EMS permanent magnet bistable st ruc2 t ure suppo rted by a to rsio n and cantilever beam is fabricated wit h sacrificial layer technology of no n2silicon surface micro fabri2 cation. The size of t he bistable