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1、題目:旁路電容對(duì)共射極放大電路低頻特性的影響電路如圖所示,BJT為NPN型硅管,型號(hào)為2N3904,放大倍數(shù)為50,電路其他元件參數(shù)如圖所示。分析旁路電容Ce對(duì)共射極放大電路低頻特性的影響。步驟如下:1、 繪制原理圖如上圖所示。2、 修改三極管的放大倍數(shù) Bf=50;雙擊交流源v1設(shè)置其屬性為:ACMAG=15mv,ACPHASE=0。3、修改c3的大小,雙擊c3的大小,設(shè)置value=cval。如圖所示:4、Get New PartParam,從元件庫中找到符號(hào)Param。雙擊Param并設(shè)置其屬性Name1=cval, Value1=50uf。如圖所示:5、設(shè)置分析類型(根據(jù)題意,需設(shè)置交
2、流掃描分析和參數(shù)掃描分析):交流掃描分析:選擇Analysisset upAC Sweep,參數(shù)設(shè)置如下:參數(shù)掃描分析:選擇Analysisset upParametric,參數(shù)設(shè)置如下:6、 AnalysisSimulate,調(diào)用Pspice A/D對(duì)電路進(jìn)行仿真計(jì)算。計(jì)算完畢后,彈出如下對(duì)話框,表明有三項(xiàng)模擬結(jié)果的波形資料,點(diǎn)擊All三個(gè)波形全顯示在probe下,或只點(diǎn)擊其中一條,在probe下只顯示其中一條曲線。點(diǎn)擊All。得到如下結(jié)果:選擇Trace Add(添加輸出波形),彈出Add Trace對(duì)話框,在Trace Expression中編輯v(out)/v(in)單擊ok按鈕,仿真
3、結(jié)果如下:波形顯示了電壓增益的幅值隨頻率變化的關(guān)系,即幅頻特性。同時(shí)還反映了旁路電容對(duì)電壓增益的影響。最左邊的是ce為200uf時(shí)的幅頻特性曲線,中間的那條是ce為50uf時(shí)的幅頻特性曲線,最右邊的那條是ce為0.1uf時(shí)的幅頻特性曲線。問題:從仿真結(jié)果中可以看出,旁路電容越大,下限截止頻率fL(越低還是越高)?下面測(cè)量c3=50uf時(shí)的放大電路的低頻截止頻率。步驟如下:1、取消參數(shù)掃描分析。2、 AnalysisSimulate,調(diào)用Pspice A/D對(duì)電路進(jìn)行仿真計(jì)算。3、在probe下,選擇Trace Add(添加輸出波形),彈出Add Trace對(duì)話框,在Trace Expression中編輯v(out)/v(in)單擊ok按鈕,仿真結(jié)果如下:4、在probe下,選擇ToolsCursorDisplay ,出現(xiàn)游標(biāo),然后再選擇選擇ToolsCursorMax ,通過游標(biāo)讀出最高點(diǎn)的電壓增益為130.603,將該數(shù)值乘以0.707得到92.336.在曲線上找到v(out)/v(in)為92.336的點(diǎn),讀出此時(shí)的橫坐標(biāo)值即為下限截止頻率。選擇ViewArea,準(zhǔn)確找到該點(diǎn)。找到該
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