MOSFET與IGBT的區(qū)別..

1、MOSFET 與 IGBT 的區(qū)別MOSFE 和 IGBT 內部結構不同，決定了其應用領域的不同.1,由于 MOSFE 的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上 KA,但是前提耐壓能力沒有 IGBT 強,IXYS 有 一款MOSFET,VMM1500-0075P（75V,1500A,0.5 毫歐）,這是電流最大的一款；電壓高的一款 IXFN38N100Q2（1000V,38A 這個是目前推廣最多的產品,用于高頻感應加熱2,IGBT 可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代 IGBT 硬開關 速度可以到 100KHZ 那已經是不錯了 .不過相對于 MOSFE 的

2、工作頻率還是九牛一毛,MOSFE 可以工作到 幾百KHZ,上 MHZ 以至幾十 MHZ 射頻領域的產品.3,就其應用，根據其特點：MOSFE 應用于開關電源，鎮(zhèn)流器,高頻感應加熱，高頻逆變焊機，通信電源等等 高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機，逆變器,變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域開關電源（Switch ModePower Supply ； SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇 IGBT 還是 MOSFE 的問題， 但針對特定 SMPS 應用中的 IGBT 和 MOSFE進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到

3、一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS （零電壓轉換）拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗一導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過 舉例說明二極管的恢復特性是決定 MOSFE或 IGBT 導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對 于硬開關拓撲的影響。SMPS 勺進展一直以來，離線式 SMP 產業(yè)由功率半導體產業(yè)的功率元件發(fā)展所推動。作為主要的功率開關器件IGBT、功率 MOSFE 和功率二極管正不斷改良，相應地也是明顯地改善了SMPS 勺效率，減小了尺寸，重量和成本也隨之降低。由于器件對應用性能的這種直接影響，SMPSS 計人

4、員必須比較不同半導體技術的各種優(yōu)缺點以優(yōu)化其設計。例如，MOSFE 一般在較低功率應用及較高頻應用（即功率 3&024sso-1sso-13SSu.u.dodo圭HfllHfll圖 8 典型硬開關應用中的柵極驅動電路總結在選用功率開關器件時，并沒有萬全的解決方案，電路拓撲、工作頻率、環(huán)境溫度和物理尺寸， 所有這些約束都會在做出最佳選擇時起著作用。在具有最小 Eon 損耗的 ZVS 和 ZCS 應用中，MOSFE 由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗， 因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關應用而言，MOSFE 寄生二極管的恢復特性可能是個缺點。 相反，由于 IGBT 組合封裝內 的二極管

5、與特定應用匹配，極佳的軟恢復二極管可與更高速的SMP 瞬件相配合。后語：MOSF 和 IGBT 是沒有本質區(qū)別的，人們常問的“是 MOSFE 好還是 IGBT 好”這個問題本 身就是錯誤的。至于我們?yōu)楹斡袝r用 MOSFET 有時又不用 MOSFE 而采用 IGBT，不能簡單的用好和壞 來區(qū)分，來判定，需要用辯證的方法來考慮這個問題。另附網友們的熱烈討論IGBT 與 MOS 有什么區(qū)別!?| T 1 帖 liuanjun 營長 335562005-04-22 12:25我用 3842 做開關電源本打算用10N60,可送來的是 11N60C3查資料原來是 IGBT,不知到是否可用.現在我的電源沒輸

6、出那位用過的能否介紹介紹回復 1 帖|2 帖freesoul 排長 3,1792005-04-22 13:32igbt 和 mosfet 不一樣，由于 igbt 存在電流脫尾，因此 igbt 頻率不能太高，同時 igbt 不能加負壓加速關斷，不 象 mosfet 可以加負壓加速關斷.此外,igbt 還有個電流擎住效應.回復 2 帖| 3 帖人在旅途旅長卄青 16862005-04-27 10:38答得好！回復 3 帖II 4 帖 蒲公英的翅膀 團長 皆 8452005-04-27 17:20兄臺好像你的說法有點問題吧？IGBT 可以加負壓關斷的，而且一般是推薦加負壓關斷來提高抗干擾能力的!回復

7、 4 帖| 5 帖 freesoul 排長1792005-04-27 17:24我是說 igbt 不能加負壓“加速”關斷！回復 5 帖II6 帖蒲公英的翅膀 團長 * 8452005-04-28 10:01A_A，不好意思可能是我誤解了你的意思了!還有，我想問問我的 IGBT 關斷時出現非常大的尖峰電壓，采用 RCD 吸收好像效果不是很好，能給點建議嗎？?謝謝!回復 6 帖|7 帖 freesoul 排長圧1792005-04-28 15:41用 RCD 吸收網絡是可以的，只是參數之間的適配比較難調 回復 7 帖| I IIr8 帖 蒲公英的翅膀 團長 * 8452005-04-28 18:3

8、3好像是這樣，我按照張占松和蔡宣三老師一書上的推薦公式粗略計算好像效果并不是很明顯!！回復 8 帖II9 帖 yeyeshi 排長 165 十 2005-04-28 19:05你好！我有一問題向你請教，我的反擊電源開通時尖脈沖也很大，是和引起的？回復 9 帖I I一 45 帖溜溜和尚 旅長 * 1720 一 2010-07-31 08:12在電動轎車上，由于是直流電機負載，電池保護用功率器件用IGBT 好呢還是用 MOSFET? ?不妨推薦型號和品牌，如下使用情況。電壓小于 90V，瞬間電流 400A，3s ;持續(xù)電流 120A，做普通開關用（非高頻）。先謝過了！olympic20080808

9、#回復 45 帖|10 帖 ghost 團長 * 13602005-04-27 10:58回復 10 帖I! 11 帖 蒲公英的翅膀 團長 衣 8452005-04-27 17:17兄臺，你畫圖的功夫實在是令我嘆為觀止啊，人_人！這樣的解釋很好，等效原理很一目了然，只是可能結構上來說是模糊了一點!回復 11 帖11 II12 帖ghost 團長 皆 13602005-04-27 21:381時間倉促而為，省掉了轉換過程，什么東西都是畫的描述也不清楚 回復 12 帖.當然可能也沒這個必要13 帖蒲公英的翅膀 團長 * 8452005-04-27 23:101其實除去從結構的角度來探討，你的圖很能

10、解釋了 只是我覺得讓我在畫圖板上能畫出來確實有點困難 回復13 帖!，所以兄臺鼠標用得很順啊，A_A!11 II14 帖ghost 團長 * 13602005-04-27 23:26霍霍還沒睡啊你在哪里工作回復 14 帖11 II15 帖蒲公英的翅膀 團長 音 8452005-04-28 10:02A_A，小弟在常州工作，兄臺你呢？回復 15 帖11 116 帖ghost 團長 *13602005-04-28 12:27深圳呢回復 16 帖11 1r 17 帖freesoul 排長 “ 1792005-04-28 15:49深圳哪家公司？回復 17 帖18 帖ghost 團長 *1360 九

11、2005-04-28 21:31和別人合伙做咼中頻電源的回復 18 帖| 1 II19 帖蒲公英的翅膀 團長 * 8452005-04-28 18:34A_A,好遠好遠啊!深圳那邊好像做開關電源（包括模塊）的廠家好像比較多啊!回復 19 帖Il 20 帖 wdy1699263 連長盤 u 丄 397 七 2005-04-29 09:15回復 20 帖| |J43 帖 hotpower 營長 丄圧594 三 2010-07-04 05:01俺以后多學習此法 回復 43 帖|21 帖Iqn 1981 班長 822005-04-27 12:08IGBT 通常用在大功率場合，而 MOSFE 用在中小功

12、率場合另外，IGBT 的通態(tài)壓降比 MOSFET 勺小 回復 21 帖II22帖 ghost 團長 * 13602005-04-27 12:22國外有用 MOSFET到 1000KW 1MHZ 勺,主要是速度上的差別回復 22 帖|一 23 帖人在旅途 長 “ “16862005-04-27 12:26兩個觀點我都不認同 回復 23 帖|24 帖世界真奇妙 旅長 *24592005-04-27 13:163842+10N60 只能做小功率電源，不宜用 IGBT 替代 MOSFET 主要是 IGBT 的開關損耗太大，小功率電源往往沒有 良好的散熱條件IGBT 與 MOSFET 勺不同之處很多，三

13、言兩語難于說全.回復 24 帖II 25 帖人在旅途 長 * *16862005-04-27 13:25我支持！回復 25 帖II 26 帖 ghost 團長 13602005-04-27 13:55只有設計得當就好了 回復 26 帖| |27 帖 freesoul 排長 1792005-04-27 17:14大家說說 mosfet 與 igbt 的區(qū)別吧回復 27 帖II 28 帖人在旅途 旅長 *16862005-04-27 17:22一個是正溫度系數的電阻性質，隨電流溫度的增大而端電壓增大另一個是壓降性的，在一定電流范圍內壓降隨電流變化不大，且隨溫度的升高而壓降降低，驅動一般得有負壓支持

14、回復 28 帖I! 29 帖 lqn1981 班長 822005-04-27 17:25IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙級型晶體管，實質是一個場效應晶體管.三個級分別稱為:E（發(fā)射極），C（集電極），G（柵極）.MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Fied Effection Transistor），三個級分別稱為：D（漏極），S（源極），G（柵極）.回復 29 帖II一 30 帖人在旅途 旅長 *16862005-04-27 17:26MOSFE 的耐壓隨溫度的升高而升高，最大允許電流則降低IGBT 則可能

15、相反 回復 30 帖I Ir 31 帖人在旅途 旅長*16862005-04-27 17:45IGBT 的最大允許電流也可能是隨溫度的升高而下降的，耐壓也會下降回復 31 帖II 32 帖人在旅途 旅長*16862005-04-27 17:59MOSFET 勺電阻溫度系數還不小 回復 32 帖| |33 帖人在旅途 旅長 16862005-04-27 17:49IGBT 的耐壓容易做高而 MOSFET容易做高，但電流容易做大 回復 33 帖|34 帖 freesoul 排長 1792005-04-27 17:53igbt 的電流容量可以做得比mosfet 要大回復 34 帖| 35 帖人在旅途

16、 旅長 甘 * 16862005-04-27 21:43接受,謝謝指正回復 35 帖|_36 帖人在旅途 旅長 16862005-04-27 17:49希望大家批評指正回復 36 帖|37 帖 gyzzg 團長 * 9522005-04-27 17:45低壓大電流下，基本都用 MOS 高壓下 MOS 勺通態(tài)電阻無法做小，而 IGBT 的通態(tài)壓降相對不變，在高壓下，損耗相 對小回復 37 帖II 38 帖 江湖電源 師長 甘 * 32762005-04-28 05:58一般軟開關電路采用 IGBT 比較合適，頻率也可做高.回復 38 帖| |_44 帖 壓路機 工兵A18二 2010-07-07 12:12低壓大功率MOS 有優(yōu)勢，高壓大功率 IGBT 有優(yōu)勢回復 44 帖39 帖 藍海團長 *912 八 2005-04-28 23:56一般 mosfet 的導通損耗比開關損耗大（由較大的 RDS 引起的）,IGBT 的開關損耗比導通損耗大（由關斷時的電流 拖尾引起的）所以 IGBT 一般不用在高頻中.IGBT 的工作電流密度高于 MOSFET 即相同的硅片上 IGBT 可流過更 多的電流，一般硅片面積比 MOSFET、一倍但工作電流可能是它的二到三倍 回復 39 帖I! 40 帖 mjt66 排長