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文檔簡介

1、1. 已知電路如圖示,輸出 L與輸入 A、 B 的邏輯關(guān)系為:A、L=A?BB、L=A?BC、L=A+BD、L=A+B2. (本題為簡答題,標(biāo)準(zhǔn)分 5分)已知電路如圖,請回答:1. 在電阻 R阻值很小時(shí),發(fā)光管 VD1、VD2是否發(fā)光?2. 在電阻 R 值較大時(shí),發(fā)光管 VD1、 VD2是否發(fā)光?3. VHDL 的含義是甚高速集成電路描述語言,其主要作用是()和()。4. 下列數(shù)據(jù)中,數(shù)值最大的為:A 、(10 1001 )2B、( 52)10C、( 0010 1001)BCDD、( 231)165.已知放大電路輸入波形是較為理想的方波,其輸出信號的波形可能為V01或V02,其主要原因可能與放

2、大器的下限截止頻率f L和上限截止頻率f H有關(guān):A 、產(chǎn)生波形失真的主要原因是 f L、f H均過低B 、產(chǎn)生波形失真的主要原因是 f L、f H均過高C 、產(chǎn)生 V01波形失真的主要原因是 f L過低,產(chǎn)生 V02波形失真的主要原因是f H過高D 、產(chǎn)生 V01 波形失真的主要原因是 f L 過高,產(chǎn)生 V02 波形失真的主要原因是 f H過低6. FPGA 的顯著特點(diǎn)是它的靈活性、高速性及豐富的資源。7. 當(dāng) 51 單片機(jī)被復(fù)位后,程序計(jì)數(shù)器 PC 中的內(nèi)容總是被設(shè)置成 0000H。8. N 進(jìn)制計(jì)數(shù)器可以實(shí)現(xiàn)( N-1)次分頻。9. (本題為簡答題,標(biāo)準(zhǔn)分 5分)已知電路如下,輸入為方

3、波,周期為2S, 請回答:1. 若要求輸出 V0仍近似為方波, RC值大致為多少?2. 若要求輸出 V0近似為三角波, RC值大致為多少?3. 將本電路改為微分電路,應(yīng)如何處理? RC值大致為多少?10已知放大電路如圖示,若電容 Ce值變小,則會(huì)造成:A、下限截止頻率f L變低上限截止頻率f H變高B 、f L變高, f H變低C 、f L、 f H均變高D、f L、 fH 圴變低11. 示波器正常,但打開電源后,看不到掃描線或亮點(diǎn),其可能的原因有:A 、Y軸衰減過大或過小 C 、上下位移調(diào)節(jié)不當(dāng)B 、掃描周期過長或過短 D 、觸發(fā)掃描旋轉(zhuǎn)位置不當(dāng)12. 采用軟件去按鍵抖動(dòng)影響的辦法是在檢測到

4、有鍵位按下時(shí),執(zhí)行一個(gè)(),之后再確認(rèn)該鍵電平是否仍()。13. (本題為綜合設(shè)計(jì)題,標(biāo)準(zhǔn)分 10分)已知某溫度采集系統(tǒng)的信號調(diào)理及A/D轉(zhuǎn)換的部分電路, 如圖所示,圖中電阻 RX用來模擬溫度傳感器的數(shù)值變化,其值由100138.5 可變,相應(yīng)代表溫度0100 的變化,請回答:1. 求兩級放大器的總增益(電位器取值 1.8K )。( 3分)2. 求 RX變化( 100138.5 )時(shí), P點(diǎn)電位的變化范圍。(3分)3. 求 A/D轉(zhuǎn)換器輸入端 Q點(diǎn)信號電壓變化范圍。( 2分)4. 若要求溫度誤差為 0.2,則至少需要多少位的 A/D 轉(zhuǎn)換器?( 2 分)14. 51 單片機(jī)的 P0P3 四個(gè)

5、I/O 端口,在作輸入接口使用時(shí), 均需由 CPU 向其寫入“ 1”,以免誤讀。15. 低通濾波電路對信號的相移為正值, 即輸出信號的相位要落后于輸入信號一個(gè)相角。16. 已知倍壓整流濾波電路如圖示,已知輸入的交流電壓為 10伏,則二極管D1的耐壓為:A、大于 10VB、大于 14.14VC、大于 20VD、大于 28.28V17.邏輯代數(shù)中,存在下述關(guān)系: A+BC=(A+B)(A+C) 。18.74LS47 是輸出低電平有效的 7 段字形譯碼器,與其相配合使用的LED 數(shù)碼管應(yīng)為共陰接法。19. 在共 e、共 b、共 c 三類放大器中,通頻帶最寬的是放大器,通頻帶最窄的是放大器。20. (

6、本題為簡答題,標(biāo)準(zhǔn)分 5分)已知電流 / 電壓( I/V )轉(zhuǎn)換電路如圖示,請回答:1. 計(jì)算 A點(diǎn)電壓變化值。2. 運(yùn)放起什么作用?計(jì)算放大倍數(shù)。3. 計(jì)算輸出電壓 V0 之變化值。21. SRAM和DRAM均為 RAM存儲(chǔ)器,二者的容量與讀寫速度為:A 、SRAM有極高的讀寫速度及大容量B 、DRAM有極高的讀寫速度及大容量C 、SRAM有極高的讀寫速度, DRAM有更大的容量D、DRAM有極高的讀寫速度, SRAM有更大的容量22. 用示波器測量晶體振蕩電路時(shí),造成振蕩器停振,可能的原因?yàn)椋篈 、晶體振蕩電路的輸出電阻過低B 、示波器的頻帶寬度不夠C、示波器的高頻等效阻抗偏低D、示波器的

7、高頻等效阻抗偏高23已知放大電路如圖示,輸出V01、 V02與輸入 Vi 信號間的幅度關(guān)系為:A、|V 01|V 02|1B、 |V 01| |V 02|1C、|V 01|V02|1D、|V 01|1 , |V 02|124. 觀察帶有毛刺的 15MHZ正弦信號波形,若要如實(shí)反映被測信號本質(zhì)仍帶毛刺,則選用的示波器帶寬應(yīng)為:A 、100MHB、40MHZDZC 、 60MH、20MHZZ25. 完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換:( 1000)10 = () 16 = ( )226按照慣例,脈沖上升沿 t r 的時(shí)間值應(yīng)在下述條件下測量:A 、在脈沖峰峰值的 0至90%處B 、在脈沖峰峰值的 10%至90%處C

8、 、在脈沖峰峰值的 10%至100%處27. 用 7812 等元器件制成串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源, 則 7812 輸入的電壓大約為 ()伏,變壓器次級的交流電壓大約為()伏。28. 多輸入端或非門中沒有用到的輸入端口最好接高電平, 以免干擾信號竄入電路。29已知音頻功率放大電路如圖示,輸入信號 Vi 為 2伏,則負(fù)載 RL上的電壓大致為(設(shè) C的容量足夠大)A、大于 2伏B、5伏左右C、略小于 2 伏D、略小于 1.4 伏30. 在數(shù)字電路系統(tǒng)中, 信號波形產(chǎn)生毛刺 (競爭冒險(xiǎn)) 的條件是在同一時(shí)刻有多個(gè)輸入信號發(fā)生突變。31. BJT 放大器中,放大管的 值為常數(shù)的條件是()、()。32.負(fù)反饋雖使

9、放大器的增益下降,但可加大放大器的頻帶寬度,即使f H、 f L均增大。33. 交流 220V 市電電網(wǎng)應(yīng)是電壓源,它的內(nèi)阻愈大愈好。34. 51 單片機(jī)中,堆棧存放數(shù)據(jù)的原則是先進(jìn)后出,后進(jìn)先出,數(shù)據(jù)進(jìn)棧后,棧頂向下移動(dòng),棧指針 SP 值隨之減小。35. ARM7 處理器的字長為 32 位,所有數(shù)據(jù)操作均以半字( 16 位)為單位。36. 基本比較器與滯回比較器相比:A 、前者靈敏度高,后者抗干擾能力強(qiáng)B 、前者靈敏度差,后者抗干擾能力強(qiáng)C 、前者靈敏度高,后者抗干擾能力差D、前者靈敏度差,后來抗干擾能力差37. (本題為綜合設(shè)計(jì)題,標(biāo)準(zhǔn)分 9分)設(shè)計(jì)一低頻功率放大電路,單電源供電,能在 10負(fù)載上輸出 2W以上功率。已知輸入音頻信號的幅度為 10mV,頻率范圍為 40HZ 10KHZ,請回答:1. 畫出系統(tǒng)的電路組成框圖,標(biāo)出主要放大電路的增益。2. 畫出末級功放的電路圖,供電電壓至少為多少伏?3. 指明檢測負(fù)載上的功率與電路效率的方法。38. 在數(shù)字電路中, A 、B、 C 三個(gè)變量所組成的最小項(xiàng)

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