2015模電總復(fù)習(xí)題

1、2015模電總復(fù)習(xí)題一、單選題（每題1分）1 .半導(dǎo)體的導(dǎo)電阻率為 。A p <10-6 Q mB p >108Q - mC p 介于 10-6 108Q m,VD p >1010 Q - m2 .本征激發(fā)是指 現(xiàn)象。A價電子從外界獲得足夠能量而掙脫共價 鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥腣B價電子依靠本身的運(yùn)動能量而掙脫共價 鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥腃價電子依靠互相的碰撞增加運(yùn)動能量而 掙脫共價鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥? .P（N）型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅 （或錯）中摻入少量的而獲得的雜質(zhì)半導(dǎo)體。A二價元素，B三價元素，VC四價元素，D五價元素（V ）5 .模擬信號是指的信號。A時間連續(xù)，

2、B數(shù)值連續(xù)，C時間和數(shù)值都連續(xù)，VD時間和數(shù)值都不連續(xù)6 .放大電路放大倍數(shù)是指。A輸出信號與輸入信號的比值，VB輸入信號與輸出信號的比值，C輸出電壓與輸入電流的比值，D輸出電流與輸入電壓的比值。7 .某放大電路的電壓增益為 60dB,則該電路 的電壓放大倍數(shù)為倍。A 10, B 102, C 103, D 1048 .放大電路中的非線性失真是有引起的。A電抗元件，B放大元器件的非線性，VC非電抗元件，D輸入信號的失真。9 . PN結(jié)雪崩擊穿主要主要發(fā)生在情況下。A PN結(jié)反偏較低，B PN結(jié)正偏電壓較高，C PN結(jié)反偏較高，VD PN結(jié)正偏電壓較低。10. PN結(jié)齊納擊穿主要主要發(fā)生在 下。

3、情況A PN結(jié)反偏較低，VB PN結(jié)正偏電壓較高，C PN結(jié)反偏較高，D PN結(jié)正偏電壓較低。11 .錯（硅）晶體二極管的正常工作電壓約 為 oA 0. 7V,（V）B 0.5V,C 0. IV,D 0.2VoV12 .晶體三極管工作在放大（飽和、截止）狀態(tài)的外部條件為A.B.C.D.發(fā)射結(jié)正偏, 發(fā)射結(jié)反偏, 發(fā)射結(jié)正偏, 發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏, 集電結(jié)正偏, 集電結(jié)正偏, 集電結(jié)反偏。V（飽V）（截V）13 . PNJ雪崩擊穿和齊納擊穿同時出現(xiàn)在反偏電壓為ABCD5V以下, 81000V, 58V, 10"500Vo14.硅（錯）晶體二極管的門坎電壓（又稱為死區(qū)電壓）為。A0.

4、7V,B0.5V,C0. IV,D0.2VoV（V）15.對于低頻小功率晶體管的基區(qū)體電阻rb,通常情況下為A. 200 QVB. 100 QC. 150 QD. 300 Q16.當(dāng)溫度升高loC時,晶體管的參數(shù)VBE將增大 。A. 一（22.5）或， VB. （22. 5） mV,C. （ri.5）mV,D. -（ri.5）mV17.當(dāng)溫度升高loC時,晶體管的參數(shù)B將增A. 0.5%,B. 0. 5%1 0%,VC. 0.5%2.0%D. 1.0%2.0%18 .三極管的電流分配關(guān)系為。A. IE = IC+I BVB. IE = IC-IBC. IC=IB-IED.舊= IC IE19

5、.晶體三極管放大作用的實質(zhì)是。A.把微弱的電信號加以放大，B.以弱電流控制強(qiáng)電流，C.以強(qiáng)電流控制弱電流，D.以弱電流控制強(qiáng)電流，把直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能。V20.多級放大電路總的放大倍數(shù)等于各級放大倍數(shù) 。A.的乘積，VB.的和，C.的差，D.相除的商。21.多級放大電路的頻率特性（響應(yīng)）隨著級數(shù) 的增加而 。A.變寬，B.變窄，VC.變大， D.變小。22. fH(fL)稱為放大電路的。A.截止頻率，B.上限頻率，VC.下限頻率，(V)D.特征頻率。23. f 3 (fT)稱為共發(fā)射極。A.截止頻率，VB.上限頻率，C.下限頻率，D.特征頻率。(V)24. BJT(FET)又稱為。A.單極

6、型晶體管，(V)B.雙極型晶體管，VC.電子型晶體管， D.空穴型晶體管。26 .互補(bǔ)對稱功率放大電路 BJT工作在甲乙 類、負(fù)載電阻為理想值，忽略 VCES寸的效率約 為 。A. 30%B. 78.5%,VC. 60%D. 85%27 .甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路當(dāng)工作點不 合適時，將產(chǎn)生 。A.交越失真，VB.線性失真，C.頻率失真，D.相位失真。28.甲乙（甲、乙）類功放電路晶體管的導(dǎo)通角 0為 。A. 2 兀，（甲 V ）B.兀，（乙V ）C.兀 < 9 <2 兀,VD. 0<兀。29 .乙類雙電源互補(bǔ)對稱功率放大電路實際上 是。A.由兩個不同類型晶體管構(gòu)成的共發(fā)射極

7、放 大電路組成，B.由兩個不同類型晶體管構(gòu)成的共基極放大 電路組成，C.由兩個不同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成，VD.由兩個相同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成。30 .大規(guī)模集成電路在一個硅片上可集中制作 。A.十幾十個元件，B.幾十個幾百個元件，C.幾百個幾千個元件，VD.幾千個以上元件；31.三點式振蕩電路的相位平衡條件為。A.基（集同）射反，B.射同基（集）反， VC.基同射反，D.集同射反，32.正弦振蕩的起振（平衡）條件為。VA. AF >1 ,B. AF <1 ,（V）C. AF =1, D. AF < 0 。33.在電源電壓不變的情況下，提高 OTL功率 放大

8、電路輸出功率的有效方法是。A.加接自舉電路，VB.C.D.改變工作狀態(tài)，34.正弦波電壓信號的數(shù)學(xué)表達(dá)式是Vs 2Vs-(sin 0t2Vs當(dāng) nT0當(dāng)(2ni-sin 3 3t (2n1)T/2十 1 一 v(t) = G0t sin 5 0t 51)T / 2 時t (n 1)T 時Vm sin( t )DV35.路如圖所示,A o設(shè)二極管是理想二極管，該電降低靜態(tài)工作點, 提高靜態(tài)工作點。A: VAO 6V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。 B: VAO= 12V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài), C : VAO= -6V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài), D : VAO 12V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài),36.

9、如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路 B 。A: VAO= 15V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)B: VAO= 12V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。C : VAO= 15V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。D : VAO= - 12V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。FFH_I0 Al_613kO不：15VJ12Vo。|37 .如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該 電路 C 。A: VAO 12V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截 止。B: VAO 15V, D1反偏截止，D2正偏導(dǎo) 通。C : VAO= 0V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。D : VAO= 0V,。D2正偏導(dǎo)通，D1反偏截止。寸I IH0 AJ_ Da13

10、kCT一 12V38 .如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路 D。A: VAO= 12V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截 止。B: VAO= 12V, D1反偏截止，D2正偏導(dǎo) 通。C : VAO= 6V , D1正偏導(dǎo)通，D2反偏 截止。D : YAO 6V D1反偏截止，D2正偏導(dǎo) 通。2AD3HDI歸39. 有兩個BJT,其中一個管子的0 = 150,ICEO= 200 p A,另一個管子的50,=10 nA,其它參數(shù)一樣，你選BA:0 = 150, ICEO= 200pA 的管子B: B= 50, ICEO= 10 p A 的管子。1分，共2040.橋式整流輸出電壓與電源變壓器次級電 壓

11、的關(guān)系為 A ,電容濾波電路輸出電壓與電源變壓器次級電壓的關(guān)系為 C 。A. VL= 0.9V2,B.VL= 1.0V2,C. VL= 1.2V2,D.VL= 1.4V2。41.給乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路D，可消除E 。A.加一放大電路，B.加一很大的集電極電流，C.加一衰減電路，D.加一合適的靜態(tài)工作點。E.交越失真， F.線性失真，G.頻率失真， H.相位失真。42. 晶體三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動規(guī)律為B 、 D 、 C 。A. 基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入載流子B. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入載流子C. 集電區(qū)收集載流子D. 非平衡載流子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合E. 發(fā)射區(qū)收集載流子F. 載流子在發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合4

12、3. BJT的制造工藝特點為：A、 D 、 C 。A. e 區(qū)摻雜濃度最高,B. e區(qū)摻雜濃度最低，C. c區(qū)摻雜濃度適中，D. b區(qū)摻雜濃度最低且最薄，E. c區(qū)摻雜濃度最高，F(xiàn). b區(qū)摻雜濃度最高且最薄。44. PNJ的單向?qū)щ娦员憩F(xiàn)為：B 、 C 。A PNJ反偏導(dǎo)通，B PNJ正偏導(dǎo)通，C PNJ反偏截止，D PNJ正偏截止。45. PN結(jié)又稱為 A、 C、和 E 。A空間電荷區(qū)，B電阻層，C耗盡層，D電位區(qū)，E勢壘區(qū)，F(xiàn)擴(kuò)散區(qū)。46. PN結(jié)的形成過程是：B 、A、 F 。A 少子的漂移運(yùn)動，B 多子的擴(kuò)散運(yùn)動C多子與少子的相互作用，D 少子的擴(kuò)散運(yùn)動，E 多子的漂移運(yùn) 動，多子的擴(kuò)

13、散與少子的漂移運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡。G多子的漂移與少子的擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡。47. 一般情況下，當(dāng)信號源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于放大 電路輸入電阻（即Rs<<Ri ）時，信號源使用A更 為有利；當(dāng)信號源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于放大電路輸入電 阻（即Rs>>Ri ）時，信號源C 使用 更為有利。A.電壓源，B.分壓電路，C.電流源，D.集成運(yùn)放。48.測得某放大電路中BJT的三個電極A、B、 C的對地電壓分別為 VA= 9V, VB= 6V, VCA:B:C:6.2V,則A為集電極,A為發(fā)射極,A為集電極,A ,該管 DB為發(fā)射極，C基極;B為集電極，C基極; B基極；C為發(fā)射極,D: 為 PNP

14、fE: 為 NPNW49. 某放大電路中BJT三個電極 A B、C的電 流如圖所示，用萬用表電流檔測得IA = 2mA 舊=0.04mA, IC = +2.04mA 該管為 B ,其A:為 PNPWB:為 NPNtC: A為集電極，B為發(fā)射極，C基極;D : A為發(fā)射極，B為集電極，C基極;E: A為集電極，B基極；C為發(fā)射極,三、判斷題（每題2分，共20分）50.晶體二極管正向工作時也具有穩(wěn)壓作用。（V）51.晶體二極管正向工作時沒有穩(wěn)壓作用（X）52 .圖a所示電路對正弦交流信號有放大作用。（X）53 .圖a所示電路對正弦交流信號無放大作用。（V）54 .圖b所示電路對正弦交流信號有放大作

15、用。（X）55 .圖b所示電路對正弦交流信號無放大作用。（V）56 .晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后 不可以恢復(fù)。（X）57 .晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后可 以恢復(fù)。（V）58 .微變等效電路即可以分析放大電路的靜態(tài) 也可以分析動態(tài)。（V）X）59 .微變等效電路僅能分析放大電路的動態(tài)，不 可以分析靜態(tài)，。60 .圖1所示電路無直流負(fù)反饋。（X）61 .圖1所示電路有直流負(fù)反饋。（V）62 .圖1所示電路有交流負(fù)反饋。（X）63 .圖1所示電路無交流負(fù)反饋。（V）圖1-64 .圖2所示電路級間為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X）65 .圖2所示電路級間為交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。（

16、X）66 .圖2所示電路級間為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X）67 .圖2所示電路級間為交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（V）68 .圖3所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。（V）69 .圖3所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X）70 .圖3所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X）71 .圖3所示電路為交流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X）OO圖 372 .圖4所示電路為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。(V)73.圖4所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。(X)74.圖4所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。(X)75.圖4所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電(X)76.77.(V) 78.(X)79.圖5所示電路為

17、橋式振蕩電路。X )圖5所示電路為電容三點式振蕩電路。圖5所示電路為電感三點式振蕩電路。圖5所示電路為RGB蕩電路。(X)RiCbTk"1:-oI 口”At80 .圖6所示電路為橋式振蕩電路。V )81 .圖6所示電路為電容三點式振蕩電路。(X)82.圖6所示電路為電感三點式振蕩電路。(X)83.圖6所示電路為RCS相振蕩電路。x )圖 684.圖7所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。(X)85.圖7所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(V)86.圖8所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。(V)87 .圖8所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(X)r：2 -r Cb圖 7T3T電-I-88 .集成運(yùn)放的兩個重要特征是虛短和虛斷。

18、（V）89.集成運(yùn)放的兩個重要特征是短路和斷路。（X）90.三端穩(wěn)壓器7812表示輸出的是正12V的直流電壓。（V）91.三端穩(wěn)壓器7812表示輸出的是負(fù)12V的直流電壓。（X）92.三端穩(wěn)壓器7915表示輸出的是正15V的直流電壓。（X）流電壓93.三端穩(wěn)壓器7915表示輸出的是負(fù)15V的直(V)94. 并聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(X)95. 并聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(V)96. 串聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(X)97. 串聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(V)98.電壓負(fù)反饋降低輸出電阻。(V)99 .電壓負(fù)反饋提高輸出電阻。(X)100 .電流負(fù)反饋提高輸出電阻。(V)101 .電流負(fù)反饋降低輸出電阻。

19、(x )四、作圖題(每小題5分，共10分)102 .請畫出圖9所示電路的交流通路。103 .請畫出圖9所示電路的直流通路。104 .請畫出圖9所示電路的h參數(shù)等效電路，說 明簡化的條件，并畫出微變等效電路。圖。的直流通蹈圖9的白參數(shù)等效電路當(dāng)hre、hoe很小時，對電路的影響可忽略不計，用rbe代替hie , B代替hfe , H參數(shù)等效電路可以簡化為微變等效電路圖1。的微變等效電路五、計算題（共20分）108. 如圖 9 所示，Rb= 500kQ , Rc= 4kQ, VC = 12V, B =80, VB10.7V,試計算電路的靜態(tài) 工作點。（6分）VCC VBERb125000.024m

20、A24仙4Ib 80 0.024 1.92mA所以:VCE VCC ICRC 121.92 4=4.32 Vo +VccK>109.假設(shè)晶體管的B=50 ) Rc =RL= 4kQ ,rbe=1.2k Q,計算圖10所示電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電阻。（6分）由于Ci0+iiVo一I c R'L10由輸入回路及Ri的定義式V T R brbeRi 丁 Rb / 5 公I(xiàn) T Rb rbe又由輸出回路及Ro的定義式1.2kVTRcRoVT?I TVsRlViR'l?VoAv ViI b rbeRc / Rl 2k一I c R'LI b rbe2=-50 -8

21、3.31 2R'lbeRo=義工=Rc 2k110.如圖 11 所示，假設(shè) Ri = 85kQ,Rz = 25kQ, R=2kQ,R=R=4kQ,Vx= 21V,0=50Vb= 0.7V,試計算電路的靜態(tài)工作點。（8分）解：Rb225Vb Vcc 21Rbi Rb2 8525525110= 4.8VVb VbeC I EZVb4.82.4 mA所以Re)Vce Vcc - I c Rc 一 Re Vcc Ic(Rc =21 2.4 (4 2) 21 14.4= 6.6 VIb Ic /2.4 /500.048 mA 48 w A111 .假設(shè)圖1 2晶體管的B = 50, R=RL=4

22、kQ, VCc= 21V, Ic= 1.262mA 計算 所示電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電 阻。（8分）根據(jù)題意,r be26mVrb12(120051261.26225kQR'lAVRiRc/ RlR'lRb rbe2kQ50 21.25一80rbe 1.25 k QRc 4k Q-VtRo I VS 0I T Rl112 . 如圖 13 所示，假設(shè) VI=24V, VZ= 6V,R3= R4= Rp= 300Q,試計算該電路的輸出電壓調(diào)整范圍。（6分）V B2 V Z V BE2 V Z，解：由又有所以V B2 =R4R''pR3 R4RpVoVo =R3R4R4 RpRvVZ當(dāng) R''p =0 時，Vo= VZ(R3+R4+Rp)/R 4Vo= Vomax= 6 X (300 + 300+ 300)/300= 18V當(dāng) R''p = Rp =300Q時,Vo= Vomin= VZ(R3+R4+Rp)/(R 4+Rp)=6 X (300+300+300)/(300+300)=9V所114.計算集成運(yùn)放電路的輸出電壓。115.射極輸出器放大倍數(shù)、輸入、輸出電阻的計算。113.如圖 14 所示，假設(shè) VI =24V, VZ= 6V, RlB:R2= Rp= 200Q,試計算該電路的輸出電壓116.根