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文檔簡介
1、- 選擇題1 .關(guān)于高斯定理的理解有下面幾種說法,其中正確的是:(A)如果高斯面上E處處為零,則該面內(nèi)必無電荷;(B)如果高斯面內(nèi)無電荷,則高斯面上E處處為零;(C)如果高斯面上E處處不為零,則高斯面內(nèi)必有電荷;(D)如果高斯面內(nèi)有凈電荷, 則通過高斯面的電場強度通量必不為零。答案:(D)2 .如在邊長為a的正立方體中心有一個電量為 q的點電荷,則通過該立方體任一面的電場強度通量為(A) q/%;答案:(D)(B) q/2%;(C) q/4%;(D) q/6%。3 .在電場弓II度為E = Ej的勻強電場中,有一如圖所示的三棱柱, 取表面 的法線向外,設(shè)過面 AA'CO ,面B'
2、;BOC ,面ABB'A'的電通量為外, 外,*3,則(A) ;=02 =Ebc 3 = Eb c(B) G = -Eac 包=0 *=Eac ;(C) 4 = -Eac 電=-Ecja2 +b2 43 = -Ebc ;(D) 1 = Eac 2=Ec .,a2 b23 = Ebc。 答案:(B)4 .已知一高斯面所包圍的體積內(nèi)電荷代數(shù)和(A)高斯面上各點場強均為零。(C) 穿過整個高斯面的電通量為零。答案:(C)z qi = 0,則可肯定:(B) 穿過高斯面上每一面元的電通量均為零。(D) 以上說法都不對。5.有兩個點電荷電量都是 氣,相距為2a,今以左邊的點電荷所在處為球心
3、,以a為半徑作一球形高斯面。在球面上取兩塊相等的小面積S1和S2,其位置如圖所示。設(shè)通過§和&的電場強度通量分別為 電和*2,通過整個球面的電場強度通量為小 ,則(A)©1 >外,4=q/%;(B)2 <%®=2q/%;(C) t=%e=q/%;(D) t<42/ = q/%。答案:(D)6 .一點電荷,放在球形高斯面的中心處。下列哪一種情況,通過高斯面的電場強度通量發(fā)生變化:(A)將另一點電荷放在高斯面外;(B)將另一點電荷放進高斯面內(nèi);(C)將球心處的點電荷移開,但仍在高斯面內(nèi);(D)將高斯面半徑縮小。答案:(B)r S7 .A和B為
4、兩個均勻帶電球體, A帶電荷+q , B帶電荷-q ,作一與Aa /+q同心的球面S為高斯面,如圖所示。則(B)(C)(D)通過S面的電場強度通量為 q/, S面上場強的大小為 E=工;4九.r通過S面的電場強度通量為(為)/ , S面上場強的大小為 E=工;4 7t ;0r通過S面的電場強度通量為 q/",但S面上各點的場強不能直接由高斯定理求出。(A)通過S面的電場強度通量為零,S面上各點的場強為零;答案:(D)8 .若穿過球形高斯面的電場強度通量為零,則(A)高斯面內(nèi)一定無電荷;(B)高斯面內(nèi)無電荷或正負電荷的代數(shù)和為零;(C)高斯面上場強一定處處為零;(D)以上說法均不正確。
5、答案:(B)9 .如果把一點電荷 Q放在某一立方體的一個頂點,則(A)穿過每一表面的電通量都等于(C)穿過每一表面的電通量都等于Q ;(B)穿過每一表面的電通量都等于6;(D)穿過每一表面的電通量都等于 3 2Q6;0Q24答案:(D)-2: qint10.高斯定理:E dS =S-0(A)適用于任何靜電場。(B)只適用于真空中的靜電場。(C)只適用于具有球?qū)ΨQ性、軸對稱性和平面對稱性的靜電場。(D)只適用于雖然不具有 (C)中所述的對稱性,但可以找到合適的高斯面的靜電場。答案:(A)11.半徑為R的均勻帶電球面,若其電荷面密度為(B) 2;。仃,則在距離球面a(C);4;0R處的電場強度大小
6、為:a(D)答案:(C)12.同一束電場線穿過大小不等的兩個平面,如圖所示。則兩個平面的(A)(C)E通量和場強關(guān)系是:i:i通2= "2E1 = E2;E1 > E2;(B)(D)E1 = E2 ;E1 <E2。O答案:(D)13在靜電場中,一閉合曲面外的電荷的代數(shù)和為(A) :s E dS =0S(B) T E dl =0q,則下列等式不成立的是:qq(C);s E dS(D) E dlSfLf答案:(C)R ,電場強度的方向與OR,電場強度的O二填空題1 .如圖所示,在場強為 E的均勻電場中取一半球面,其半徑為 半球面的對稱軸平行。則通過這個半球面的電通量為 答案:
7、E二R22 .如圖所示,在場強為 E的均勻電場中取一半球面,其半徑為 方向與半球面的對稱軸垂直。則通過這個半球面的電通量為答案:03 .反映靜電場性質(zhì)的高斯定理表明靜電場是 場。答案:有源場4 .如圖所示,真空中有兩個點電荷,帶電量分別為 Q和-Q,相距2R。 若以負電荷所在處 O點為中心,以R為半徑作高斯球面 S,則通過該球 面的電場強度通量之=。答案:-Q/ ;05 .電荷q1、q2、43和q4在真空中的分布如圖所示,其中q2是半彳空為R的 均勻帶電球體,S為閉合曲面,則通過閉合曲面S的電通量s E dS =答案:(5 q2)6 .一面積為S的平面,放在場強為 E的均勻電場中,已知 E與平
8、面法線的夾 角為日(<三),則通過該平面的電場強度通量的數(shù)值 e =2答案:|E|Scosu7 .有一個球形的橡皮膜氣球,電荷q均勻地分布在球面上,在此氣球被吹大的過程中,被氣球表面掠過的點(該點與球中心距離為 r),其電場強度的大小將由 變?yōu)? 。答案:q24 二;0R28 .把一個均勻帶電量+Q的球形肥皂泡由半徑r1吹脹到口,則半徑為R(ri<R<r2)的高斯球面上任一點的場強大小 E由 一q-變?yōu)?二;0R2答案:09 .在勻強電場E中,取一半徑為R的圓,圓面的法線 n與E成 600角,如圖所示,則通過以邃圓地為邊線的如圖所示的任意 曲面S的電通量c)e =刊 E dS
9、 = 。S S S答案:-2E二 R210 .均勻電場E垂直于以R為半徑的的圓面,以該圓周為邊線作兩個曲面Si和S2 , S和5構(gòu)成閉合曲面,如圖所示。則通過 6、&的電通量 1和d分別為 和。答案:-E 二 R2E 二 R211 .一點電荷q處在球形高斯面的中心,當將另一個點電荷置于高斯球 面外附近時,穿過此高斯面的E通量是否會發(fā)生變化? O答案:不變化12 .一點電荷q處在球形高斯面的中心, 當將另一個點電荷置于高斯球面外附近時,此高斯面上任意點的電場強度是否會發(fā)生變化?。答案:變化13 .把一個均勻帶有電荷+Q的球形肥皂泡由半徑r1吹脹到r2,則半徑為R(rj<R<r
10、2)的高斯球面上任一點的場強大小 E是否變化: 。答案:變化14 .一均勻帶電球面,半徑是 R ,電荷面密度為 處產(chǎn)生的電場強度為 。球面上面元dS帶有仃dS的電荷,該電荷在球心答案:二 dS4 二;0R2三計算題15 一半徑為R的帶電球體,其電荷體密度分布為P = Ar (r < R) , P = 0 (r > R) , A為大于零的常量。試求球體內(nèi)外的場強分布及其方向。答案:在球內(nèi)取半徑為r、厚為dr的薄球殼,該殼內(nèi)所包含的電荷為dq = :;dV = Ar 4二r2 dr = 4 Ar3dr在半彳空為r的球面內(nèi)包含的總電荷為Vd一,3 44 Ar d r = Ar(r m R
11、)以該球面為高斯面,按高斯定理有24 ,E14r - Ar / 0得到Ei=Ar2/(4 年),(UR)方向沿徑向向外在球體外作一半徑為r的同心高斯球面,按高斯定理有E2 4 二r2 "AR4 / ;0得到E2 =AR4/(4%r2 ), (r >R)方向沿徑向向外2.如圖所示,有一帶電球殼,內(nèi)、外半徑分別為 a、b,電荷體密度為 P=Ar, 在球心處有一點電荷 Q。求:(1)在a wr Wb區(qū)域的電場強度;(2)當A取何值時,球殼區(qū)域內(nèi)電場強度E的大小與半徑r無關(guān)。答案:在a <r Mb區(qū)域,用高斯定理求球殼內(nèi)場強::S E dS =E214二 r = (Q,in P
12、dV);o而故:即:-r A 2r22:dV =七4二 r2dr =4二A 0 rdr =2:Ar2 - a2E=22 2 r:A r2 - a24 二;0r4 二;0rQ AAa2-2' - -24二;0r2 ;0 2 ;0r要使E的大小與r無關(guān),則應(yīng)有QAa2224二 0r 2 0r3 .有兩個同心的均勻帶電球面,半徑分別為R1、R2 (R1 <R2),若大球面的面電荷密度為 仃,且大球面外的電場強度為零,求:(1)小球面上的面電荷密度;(2)大球面內(nèi)各點的電場強度。答案:(1)設(shè)小球面上的電荷密度為由高斯定理:,s E dS =qint仃,在大球面外作同心的球面為高斯面,2
13、'二 4二:R2 4二R1大球面外E =0;0;0仃 4nR22+。' 4nR2=0解得: ;了,=-(2<1(2)大球面內(nèi)各點的場強兩個均勻帶電球面場強的迭加:內(nèi)部場強為零,外部相當點電荷在r 區(qū)域:E=E1E2=00=0在 R<r<R 區(qū)域:E = E1+E2=*+O=(,j4 .如圖所示,一個均勻分布帶電球?qū)?,電荷體密度為P,球?qū)觾?nèi)表面半徑為外表面為2R ,求:電場分布。答案:本題的電荷分布具有球?qū)ΨQ性,因而電場分布也具有對稱性,作同心球.-一二:qint面為高斯面,由高斯定理E dS =S;0由對稱性可以得到-ri E dS = 4二r2 E-S對于不
14、同的高斯面,電荷是不同的,結(jié)果如下q = 0r : R433 fq =& :(r -R ):R 二 r ; 2R283、q =二 R '3因而場強分布為E =0(r3 -R3): E = ' .23 y7R3。E = -23 orr 2Rr :二 RR : r : : 2Rr 2R5 .均勻帶電球殼內(nèi)半徑 R =6cm ,外半徑 R =10cm ,電荷體密度為 P = 2m10C,m-3。求:距 球心r1=5cm、r2 =8cm、r3 =12cm各點的場強及方向(真空介電常數(shù)&0 = 8.85黑10,2 C2N-1m-2)。答案:由高斯定理: 陰 E dS J qint ,得:E4 tt2 =.qintS卬;0當 r =5cm 時,£ q =0int故:E =0一_ 4 7t 22r =8 cm 時,2 qint =(r R ) n 3tJR34E=-32%3.48父104 N C ,方向沿半徑向外4吟rr =12 cm 時,E qm = 4 (R3 一 R13 34 R23 -R3E=-324.10X104 N C沿半徑向外.4冗設(shè)6.兩個均勻帶電的同心球面,半徑分別為 R和R ,帶電量分別為q1和q2。求(1)場強的分布;(2)當q1 = -q2 =q時,場強的分布。答案:(1)選擇高斯面:選與帶電球面同
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