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文檔簡介
1、MSAP工藝可行性驗(yàn)證方案工藝可行性驗(yàn)證方案研發(fā)中心研發(fā)中心2012.05TPC現(xiàn)有工藝:現(xiàn)有工藝: 目前,TPC二廠工藝為傳統(tǒng)的減成法,首先進(jìn)行全板電鍍銅,在經(jīng)圖形轉(zhuǎn)移蝕刻掉多余的銅,形成線路,此工藝目前線路加工能力極限為75um線寬間距,而此時(shí)受表面銅厚、銅厚均勻性、蝕刻均勻性等因素影響,隨線寬間距的降低,產(chǎn)品良率急劇下降。 當(dāng)線寬線距小于50m(2mil)時(shí),傳統(tǒng)CCL 的減成法幾已無用武之地。SAP工藝:工藝: 當(dāng)線寬間距小于50um時(shí),目前量產(chǎn)多采用SAP(Semi-Additive Process)半加成法。但此工藝受材料影響較大,需采用日商“大運(yùn)味之素”旗下“味之素精密技術(shù)”公司
2、(AFT)的高價(jià)ABF(Ajinomoto Bond Film)板材,與傳統(tǒng)減成法工藝相比,流程復(fù)雜,控制點(diǎn)較多。MSAP工藝:工藝: 針對(duì)SAP工藝成本較高,推出較便宜的超薄銅皮式模擬SAP法,簡稱MSAP工藝( Modified Semi-Additive Process )。 圖形電鍍圖形電鍍+填孔填孔褪膜褪膜差分蝕刻差分蝕刻MSAP與與SAP區(qū)別:區(qū)別:1、板材需求:、板材需求:SAP工藝板材必須使用工藝板材必須使用ABF板材,板材,MSAP對(duì)板材要求與傳統(tǒng)對(duì)板材要求與傳統(tǒng)CCL工藝相同;工藝相同;2、黑孔應(yīng)用:、黑孔應(yīng)用:MSAP工藝可使用黑孔加工,而工藝可使用黑孔加工,而SAP工藝
3、只能使用沉厚銅完成工藝只能使用沉厚銅完成3、過程穩(wěn)定性:、過程穩(wěn)定性:MSAP工藝電鍍過程中表面還有工藝電鍍過程中表面還有3um基銅銅,較基銅銅,較SAP工藝表面工藝表面1um沉銅層穩(wěn)定性高沉銅層穩(wěn)定性高M(jìn)SAP與與CCL區(qū)別:區(qū)別:1、線路加工能力的提高:、線路加工能力的提高:MSAP線路加工能力極限可線路加工能力極限可以達(dá)到線寬間距以達(dá)到線寬間距25um;2、成本降低:、成本降低:MSAP使用圖形電鍍,與全板電鍍相比,使用圖形電鍍,與全板電鍍相比,降低降低Cu消耗,同時(shí)降低蝕刻液消耗;消耗,同時(shí)降低蝕刻液消耗;SAP工藝的關(guān)鍵要素,在工藝的關(guān)鍵要素,在MSAP工藝中均可工藝中均可以得到完美
4、解決:以得到完美解決:1、鍍層表面附著力:、鍍層表面附著力:MSAP工藝中電鍍層與工藝中電鍍層與層壓基銅相連,可以擁有較好的表面附著力;層壓基銅相連,可以擁有較好的表面附著力;2、線路之間高隔絕性:、線路之間高隔絕性:SAP必須保證線路間必須保證線路間金屬耙去除徹底,金屬耙去除徹底,MSAP工藝中通過差分蝕工藝中通過差分蝕刻去除線路間基銅時(shí),可去除徹底線路間碳刻去除線路間基銅時(shí),可去除徹底線路間碳粉,實(shí)現(xiàn)高隔絕性粉,實(shí)現(xiàn)高隔絕性3、非電鍍銅在孔內(nèi)覆蓋性能:黑孔貫孔能力、非電鍍銅在孔內(nèi)覆蓋性能:黑孔貫孔能力優(yōu)于沉銅工藝優(yōu)于沉銅工藝4、優(yōu)秀的過孔連接可靠性:、優(yōu)秀的過孔連接可靠性:MSAP工藝避免
5、工藝避免使用厚化銅過程,化學(xué)銅層物理性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低使用厚化銅過程,化學(xué)銅層物理性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電鍍銅層。于電鍍銅層。SAP工藝關(guān)鍵要素工藝關(guān)鍵要素SAP工藝流程:工藝流程:內(nèi)層內(nèi)層ABF壓合壓合激光鉆孔激光鉆孔除膠除膠沉銅沉銅圖形轉(zhuǎn)移圖形轉(zhuǎn)移圖形電鍍圖形電鍍+填孔填孔褪膜蝕刻褪膜蝕刻MSAP工藝設(shè)想工藝設(shè)想內(nèi)層基材內(nèi)層基材/層壓板層壓板減薄銅減薄銅激光鉆孔激光鉆孔激光鉆孔前處理激光鉆孔前處理激光鉆孔后處理激光鉆孔后處理除膠除膠流流 程程 及及 結(jié)結(jié) 構(gòu)構(gòu)流流 程程 及及 結(jié)結(jié) 構(gòu)構(gòu)產(chǎn)品特性(現(xiàn)狀及要求)產(chǎn)品特性(現(xiàn)狀及要求)使用低輪廓銅箔,銅厚使用低輪廓銅箔,銅厚9-12um,目前,目前12um銅箔銅
6、箔成本最低成本最低微蝕量微蝕量4um,減薄后銅厚,減薄后銅厚9um控制最小安全銅厚,減少激光孔周圍濺出的銅控制最小安全銅厚,減少激光孔周圍濺出的銅微蝕量微蝕量2um,處理后銅厚,處理后銅厚7um1um的微蝕量,處理后銅厚的微蝕量,處理后銅厚6um水平處理水平處理如采用如采用9um銅箔,可以銅箔,可以不用減薄銅不用減薄銅MSAP工藝設(shè)想工藝設(shè)想流流 程程 及及 結(jié)結(jié) 構(gòu)構(gòu)流流 程程 及及 結(jié)結(jié) 構(gòu)構(gòu)產(chǎn)品特性(現(xiàn)狀及要求)產(chǎn)品特性(現(xiàn)狀及要求)黑孔黑孔水平處理,整體微蝕量水平處理,整體微蝕量2.0um,銅厚剩余,銅厚剩余4um圖形轉(zhuǎn)移圖形轉(zhuǎn)移前處理微蝕量前處理微蝕量1um,銅厚剩余,銅厚剩余3um
7、,覆干膜,曝光,覆干膜,曝光,有機(jī)堿顯影,有機(jī)堿顯影,AOI褪膜褪膜有機(jī)堿處理,噴淋?有機(jī)堿處理,噴淋?快速蝕刻快速蝕刻噴淋式,硫酸雙氧水體系噴淋式,硫酸雙氧水體系微蝕量微蝕量1um,處理后銅厚,處理后銅厚2um,表面鍍銅,表面鍍銅25um圖形電鍍圖形電鍍+填孔填孔試驗(yàn)設(shè)想:低輪廓銅箔的使用試驗(yàn)設(shè)想:低輪廓銅箔的使用壓合壓合 棕化后的棕化后的內(nèi)層芯板內(nèi)層芯板拆解拆解疊板疊板半固化片半固化片銅箔銅箔保證銅箔與基材的附著力,減少對(duì)快速蝕刻的影響保證銅箔與基材的附著力,減少對(duì)快速蝕刻的影響結(jié)論:結(jié)論:優(yōu)化激光鉆孔條件,對(duì)銅厚、優(yōu)化激光鉆孔條件,對(duì)銅厚、前、后處理工藝進(jìn)行驗(yàn)證以獲前、后處理工藝進(jìn)行驗(yàn)證
8、以獲取理想的盲孔狀態(tài)(主要考量取理想的盲孔狀態(tài)(主要考量對(duì)盲孔周圍濺出的銅的處理效對(duì)盲孔周圍濺出的銅的處理效果)果)關(guān)鍵技術(shù)一:激光鉆孔前、后處理關(guān)鍵技術(shù)一:激光鉆孔前、后處理Cu splash 比較比較激光鉆孔后處理激光鉆孔后處理基銅的處理:減銅比鍍銅可行基銅的處理:減銅比鍍銅可行1、減銅的均勻性優(yōu)于鍍銅的均勻性;、減銅的均勻性優(yōu)于鍍銅的均勻性;2、鍍銅的成本高于減銅的成本;、鍍銅的成本高于減銅的成本;3、鍍銅的流程比減銅的工藝流程長;、鍍銅的流程比減銅的工藝流程長;4、鍍銅工藝增加了最終鍍銅附著力、鍍銅工藝增加了最終鍍銅附著力 不良的風(fēng)險(xiǎn)不良的風(fēng)險(xiǎn)5、有利于快速蝕刻、有利于快速蝕刻結(jié)論:孔
9、化選用黑孔工藝結(jié)論:孔化選用黑孔工藝關(guān)鍵技術(shù)二:黑孔關(guān)鍵技術(shù)二:黑孔關(guān)鍵技術(shù)三:圖形轉(zhuǎn)移與快速蝕刻關(guān)鍵技術(shù)三:圖形轉(zhuǎn)移與快速蝕刻需要進(jìn)一步驗(yàn)證需要進(jìn)一步驗(yàn)證干膜干膜 日立化成:日立化成:RY系列系列http:/www.hitachi-chem.co.jp/japanese/products/pm/017.html(RY-3325SG、RY-3525、RY-3625)RY-世代世代um厚厚 旭化成:旭化成:SUNFORT系列系列http:/www.asahi-kasei.co.jp/ake-mate/dfr/jp/ 杜邦杜邦MRC干膜干膜http:/www.dmdf.jp/products/pr
10、oducts_01.html NICHIGO干膜干膜 http:/www.nichigo-morton.co.jp/n-031f-seihin-resist.htm需要進(jìn)一步驗(yàn)證需要進(jìn)一步驗(yàn)證干膜干膜顯影顯影快速蝕刻快速蝕刻L/S=7m/7mL/S=4m/12mMSAP過程控制點(diǎn):過程控制點(diǎn):1、銅厚均勻性控制 壓合后表面銅厚均勻性:12um銅箔均勻度測(cè)試 減薄后表面銅厚均勻度:減薄4um 激光棕化后表面銅厚確認(rèn):微蝕2um,銅厚7um(要控制極差在1um以內(nèi))2、線路能力確認(rèn): 顯影后金相確認(rèn):顯影能力及線路上干膜狀態(tài) 圖形電鍍后金相確認(rèn):細(xì)線電鍍加工能力 差分蝕刻后金相確認(rèn):差分蝕刻效果3、黑孔加工使用麥德美黑孔4、圖形電鍍?cè)谝粡S加工 推進(jìn)計(jì)劃推進(jìn)計(jì)劃編號(hào)試驗(yàn)內(nèi)容所需時(shí)間具體時(shí)間落實(shí)情況起止實(shí)施時(shí)間實(shí)驗(yàn)結(jié)果負(fù)責(zé)人1低輪廓銅箔
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