光電檢測(cè)復(fù)習(xí)資料

1、精品文檔簡(jiǎn)答題1、光電探測(cè)器常見(jiàn)的噪聲有哪幾類(lèi)？分別簡(jiǎn)要說(shuō)明。（ 1）熱噪聲：由載流子熱運(yùn)動(dòng)引起的電流起伏或電壓起伏成為熱噪聲，熱噪聲功率與溫度有關(guān)( 2)散粒噪聲：隨機(jī)起伏所形成的噪聲(3) 產(chǎn)生 - 復(fù)合噪聲：載流子濃度起伏引起半導(dǎo)體電導(dǎo)率的起伏，在外加電壓下，電導(dǎo)率的起伏是輸出電流中帶有產(chǎn)生- 復(fù)合噪聲(4)1/f噪聲：這種噪聲功率譜近似與頻率成反比(5) 溫度噪聲：是由于器件本身溫度變化引起的噪聲2、光電二極管與一般二極管相比有什么相同點(diǎn)和不同點(diǎn)？相同點(diǎn)：都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)而工作的不同點(diǎn)：（ 1）就制作襯底材料的摻雜濃度而言，一般二極管要比光電二極管濃度較高（ 2）光電二極管的電

2、阻率比一般二極管要高（ 3）普通二極管在反向電壓作用時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只能流過(guò)微弱的反向電流，光電二極管是在反向電壓作用下工作的，（ 4） 光電二極管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使PN結(jié)的面積相對(duì)較大，以便接收入射光。3、簡(jiǎn)述光電三極管的工作原理。光電三極管的工作原理分為兩個(gè)過(guò)程：一是光電轉(zhuǎn)換； 二是光電流放大。 就是將兩個(gè) pn 結(jié)組合起來(lái)使用。以NPN型光電三極管為例，基極和集電極之間處于反偏狀態(tài)，內(nèi)建電場(chǎng)由集電極指向基極。光照射p 區(qū)，產(chǎn)生光生載流子對(duì)，電子漂移到集電極， 空穴留在基極， 使基極與發(fā)射極之間電位升高，發(fā)射極便有大量電子經(jīng)基極流向集電極，最后形成光電流。光照越強(qiáng)，由此形成的光電流越4、

3、簡(jiǎn)述聲光相互作用中產(chǎn)生布喇格衍射的條件以及布喇格衍射的特點(diǎn)。產(chǎn)生布喇格衍射條件： 聲波頻率較高， 聲光作用長(zhǎng)度 L 較大，光束與聲波波面間以一定的角度斜入射。特點(diǎn)：衍射光各高級(jí)次衍射光將互相抵消，只出現(xiàn)0 級(jí)和+11 級(jí)）衍射光，合理選擇參數(shù)，并使超聲場(chǎng)足夠強(qiáng)，可使入射光能量幾乎全部轉(zhuǎn)移到 1 級(jí)（或 1 級(jí)）。1 歡迎下載精品文檔5、什么是熱釋電效應(yīng)？熱釋電器件為什么不能工作在直流狀態(tài)？熱釋電效應(yīng)： 熱釋電晶體吸收光輻射溫度改變， 溫度的變化引起了熱電晶體的自發(fā)極化強(qiáng)度的變化， 從而在晶體的特定方向上引起表面電荷的變化， 這就是熱釋電效應(yīng)。根據(jù)熱釋電效應(yīng)，熱釋電探測(cè)器的電流和溫度的變化滿(mǎn)足，

4、如果照射光是恒定的， 那么溫度 T 是恒定值，電流為零，所以熱電探測(cè)器是一種交流器件6、噪聲等效功率？投射到探測(cè)器敏感元件上的輻射功率所產(chǎn)生的輸出電壓（或電流）正好 等于探測(cè)器本身的噪聲電壓（或電流），則這個(gè)輻射功率就叫“噪聲等效功率”。7、光伏效應(yīng)？當(dāng)光輻射到半導(dǎo)體上時(shí)， 產(chǎn)生光生載流子， 電勢(shì)壘的內(nèi)建電場(chǎng)將把電子與空穴分開(kāi)，從而在勢(shì)壘兩側(cè)形成電荷堆積，產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)，簡(jiǎn)稱(chēng)光伏效應(yīng)8、像管的主要功能是什么？有哪幾部分組成？像管和攝像管的最大區(qū)別是什么？像管主要功能是把不可見(jiàn)輻射圖像或微弱光圖像通過(guò)光電陰極和電子光學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光圖像像管由光電陰極、電子透鏡、熒光屏三個(gè)基本部分組成像管和攝

5、像管的最大區(qū)別： 像管內(nèi)部沒(méi)有掃描機(jī)構(gòu)， 不能輸出電視信號(hào)， 對(duì)它的使用就像使用望遠(yuǎn)鏡去觀察遠(yuǎn)處景物一樣，觀察者必須通過(guò)它直接面對(duì)事物9、簡(jiǎn)述光頻外差探測(cè)的特點(diǎn)。答：（ 1）高的轉(zhuǎn)換增益。（ 2）良好的濾波性能。（ 3）良好的空間和偏振鑒別能力。（4）小的信噪比損失； 有利于微弱光信號(hào)的探測(cè)。 （ 5）探測(cè)靈敏度高 （或具有極限靈敏度）。10、比較光子探測(cè)器和光熱探測(cè)器在作用機(jī)理、性能及應(yīng)用特點(diǎn)等方面的差異。答：光子探測(cè)器和光熱探測(cè)器分別應(yīng)用了光子效應(yīng)和光熱效應(yīng)。光子效應(yīng)是指單個(gè)光子的性質(zhì)對(duì)產(chǎn)生的光電子起直接作用的一類(lèi)光電效應(yīng)。探測(cè)器吸收光子后，直接引起原子或分子的內(nèi)部電子狀態(tài)的改變。光子能量

6、的大小， 直接影響內(nèi)部電子狀態(tài)改變的大小。 光子效應(yīng)就對(duì)光波頻率表現(xiàn)出選擇性，在光子直接與電子相。2 歡迎下載精品文檔互作用的情況下，其響應(yīng)速度一般比較快。（ 3 分） 光熱效應(yīng)和光子效應(yīng)完全不同。探測(cè)元件吸收光輻射能量后， 并不直接引起內(nèi)部電子狀態(tài)的改變， 而是把吸收的光能變?yōu)榫Ц竦臒徇\(yùn)動(dòng)能量，引起探測(cè)元件溫度上升 , 溫度上升的結(jié)果又使探測(cè)元件的電學(xué)性質(zhì)或其他物理性質(zhì)發(fā)生變化。 所以，光熱效應(yīng)與單光子能量h外波段上，材料吸收率高， 光熱效應(yīng)也就更強(qiáng)烈， 所以廣泛用于對(duì)紅外線輻射的探測(cè)。因?yàn)闇囟壬呤菬岱e累的作用， 所以光熱效應(yīng)的響應(yīng)速度一般比較慢， 而且容易受環(huán)境溫度變化的影響。11、光電

7、探測(cè)器性能參數(shù)包括哪些方面。答：為了評(píng)價(jià)探測(cè)器性能優(yōu)劣， 比較不同探測(cè)器之間的差異， 從而達(dá)到根據(jù)具體需要合理正確選擇光電探測(cè)器件的目的， 制定了一套性能參數(shù)。 通常包括積分靈敏度，也成為響應(yīng)度，光譜靈敏度，頻率靈敏度，量子效率，通量閾和噪聲等效功率，歸一化探測(cè)度及工作電壓、電流、溫度及入射光功率允許范圍。12、光子效應(yīng)和光熱效應(yīng)。答：光子效應(yīng)是指單個(gè)光子的性質(zhì)對(duì)產(chǎn)生的光電子起直接作用的一類(lèi)光電效應(yīng)。探測(cè)器吸收光子后， 直接引起原子或分子的內(nèi)部電子狀態(tài)的改變。光子能量的大小，直接影響內(nèi)部電子狀態(tài)改變的大小。因?yàn)椋庾幽芰渴莌h 是普朗克常數(shù) ,電子相互作用的情況下， 其響應(yīng)速度一般比較快。 光

8、熱效應(yīng)和光子效應(yīng)完全不同。探測(cè)元件吸收光輻射能量后， 并不直接引起內(nèi)部電子狀態(tài)的改變， 而是把吸收的光能變?yōu)榫Ц竦臒徇\(yùn)動(dòng)能量，引起探測(cè)元件溫度上升 , 溫度上升的結(jié)果又使探測(cè)元件的電學(xué)性質(zhì)或其他物理性質(zhì)發(fā)生變化。 所以，光熱效應(yīng)與單光子能量 h波段上，材料吸收率高，光熱效應(yīng)也就更強(qiáng)烈，所以廣泛用于對(duì)紅外線輻射的探測(cè)。因?yàn)闇囟壬呤菬岱e累的作用， 所以光熱效應(yīng)的響應(yīng)速度一般比較慢， 而且容易受環(huán)境溫度變化的影響。 值得注意的是， 以后將要介紹一種所謂熱釋電效應(yīng)是響應(yīng)于材料的溫度變化率， 比其他光熱效應(yīng)的響應(yīng)速度要快得多， 并已獲得日益廣泛的應(yīng)用。13、請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)出 InSb 和 PbS光敏電阻的特

9、性。3 歡迎下載精品文檔答：（ 1）PbS近紅外輻射探測(cè)器波長(zhǎng)響應(yīng)范圍在1 3.4 m，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為 2m 內(nèi)阻（暗阻）大約為1M 響應(yīng)時(shí)間約 200s （ 2） InSb在 77k 下,噪聲性能大大改善峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為5m 響應(yīng)時(shí)間短（大約50× 10-9s ）14、為什么說(shuō)光電池的頻率特性不是很好?答 : 光電池總的來(lái)說(shuō)頻率特性不是很好, 這是由于兩個(gè)方面的原因:第一 , 光電池的光敏面一般做的較大 , 因而極間電容較大 ; 第二 , 光電池工作在第四象限 , 有較小的正偏壓存在 , 所以光電池的內(nèi)阻較低 , 而且隨入射光功率變差 , 因此光電池的頻率特性不好 .15、直接光電探

10、測(cè)器的平方律特性表現(xiàn)在哪兩個(gè)方面?答：一是光電流正比于光電場(chǎng)振幅的平方，二是電輸出功率正比于入射光功率的平方16、什么是半波電壓？當(dāng)光波的兩個(gè)垂直分量 ExEy）時(shí)所需要加的電壓，稱(chēng)為半波電壓。17、說(shuō)明光子效應(yīng)和光熱效應(yīng)各自特點(diǎn)。光子效應(yīng)：指單個(gè)光子的性質(zhì)對(duì)產(chǎn)生的光電子起直接作用的一類(lèi)光電效應(yīng)。探測(cè)器吸收光子后，直接引起原子或分子的內(nèi)部電子狀態(tài)的改變。光子能量的大小，直接影響內(nèi)部電子狀態(tài)的改變。（2 分）特點(diǎn)：光子效應(yīng)對(duì)光波頻率表現(xiàn)出選擇性，響應(yīng)速度一般比較快。（1 分）光熱效應(yīng)：探測(cè)元件吸收光輻射能量后，并不直接引起內(nèi)部電子狀態(tài)的改變，而是把吸收的光能變?yōu)榫Ц竦臒徇\(yùn)動(dòng)能量，引起探測(cè)元件溫度

11、上升, 溫度上升的結(jié)果又使探測(cè)元件的電學(xué)性質(zhì)或其他物理性質(zhì)發(fā)生變化。（2 分）特點(diǎn)：原則上對(duì)光波頻率沒(méi)有選擇性，響應(yīng)速度一般比較慢。18、紅外光學(xué)系統(tǒng)的特點(diǎn)（ 1）紅外輻射源的輻射波段位于1 m以上的不可見(jiàn)光區(qū)，普通光學(xué)玻璃對(duì)2.5 m以上的光波不透明，而在所有有可能透過(guò)紅外波段的材料中，只有幾種材料有必需的機(jī)械性能，并能得到一定的尺寸，如鍺、硅等，這就大大限制了透鏡系統(tǒng)在紅外光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，使反射式和折反射式光學(xué)系統(tǒng)占有比較重要的地。4 歡迎下載精品文檔位。 （2）為了探測(cè)遠(yuǎn)距離的微弱目標(biāo)， 紅外光學(xué)系統(tǒng)的孔徑一般比較大。（3）在紅外光學(xué)系統(tǒng)中廣泛使用各類(lèi)掃描器， 如平面反射鏡、 多面

12、反射鏡、 折射棱鏡及光楔等。 （4）8 至 14m波段的紅外光學(xué)系統(tǒng)必須考慮衍射效應(yīng)的影響。 （5）在各種氣象條件下或在抖動(dòng)和振動(dòng)條件下，具有穩(wěn)定的光學(xué)性能19、光電倍增管的供電電路分為負(fù)高壓供電和正高壓供電，試說(shuō)明這兩種供電電路的特點(diǎn)，舉例說(shuō)明它們分別適用于哪種情況。答：采用陽(yáng)極接地，負(fù)高壓供電。這樣陽(yáng)極輸出不需要隔直電容，可以直流輸出，一般陽(yáng)極分布參數(shù)也較小?？墒窃谶@種情況下， 必須保證作為光屏蔽和電磁屏蔽的金屬筒距離管殼至少要有 1020mm，否則由于屏蔽筒的影響，可能相當(dāng)大地增加陽(yáng)極暗電流和噪聲。 如果靠近管殼處再加一個(gè)屏蔽罩， 并將它連接到陰極電位上，則要注意安全。 采用正高壓電源就

13、失去了采用負(fù)高壓電源的優(yōu)點(diǎn)，這時(shí)在陽(yáng)極上需接上耐高壓、噪聲小的隔直電容，因此只能得到交變信號(hào)輸出?？墒?，它可獲得比較低和穩(wěn)定的暗電流和噪聲。20、微弱輻射作用下，光電導(dǎo)材料的光電靈敏度有什么特點(diǎn)。答：在微弱輻射下， 光電導(dǎo)材料的光電靈敏度是定值， 光電流與入射光通量成正比，即保持線性關(guān)系。21、為什么結(jié)型光電器件正向偏置時(shí)，沒(méi)有明顯的光電效應(yīng)？必須在哪種偏置狀態(tài)？為什么？答：因?yàn)?p-n 結(jié)在外加正向偏壓時(shí)， 即使沒(méi)有光照， 電流也隨著電壓指數(shù)級(jí)在增加，所以有光照時(shí)，光電效應(yīng)不明顯。p-n結(jié)必須在反向偏壓的狀態(tài)下，有明顯的光電效應(yīng)產(chǎn)生， 這是因?yàn)?p-n 結(jié)在反偏電壓下產(chǎn)生的電流要飽和， 所以

14、光照增加時(shí)，得到的光生電流就會(huì)明顯增加。22、光電探測(cè)器與熱探測(cè)器在工作原理、性能上有什么區(qū)別？答：所謂光電效應(yīng)是指，光輻射入射到光電材料上時(shí)，光電材料發(fā)射電子，或者其電導(dǎo)率發(fā)生變化， 或者產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。 光電效應(yīng)實(shí)質(zhì)上是入射光輻射與物質(zhì)中束縛于晶格的電子或自由電子的相互作用所引起的。 光電效應(yīng)就對(duì)光波頻率（或波長(zhǎng)）表現(xiàn)出選擇性。在光子直接與電子相互作用的情況下，其響應(yīng)速度一般比較快。 按照是否發(fā)射電子， 光電效應(yīng)又分為內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)。具體有光電子發(fā)射效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)、光子牽引效應(yīng)和光電磁效應(yīng)等。 光熱效應(yīng)的實(shí)質(zhì)是探測(cè)元件吸收光輻射能量后， 并不直接引起內(nèi)部。5

15、歡迎下載精品文檔電子狀態(tài)的改變， 而是把吸收的光能變?yōu)榫Ц竦臒徇\(yùn)動(dòng)能量， 引起探測(cè)元件溫度上升，溫度上升的結(jié)果又使探測(cè)元件與溫度有關(guān)的電學(xué)性質(zhì)或其他物理性質(zhì)發(fā)生變化。原則上，光熱效應(yīng)對(duì)光波頻率（或波長(zhǎng)）沒(méi)有選擇性，因而物質(zhì)溫度的變化僅決定于光功率（或其變化率），而與入射光輻射的光譜成分無(wú)關(guān)。因?yàn)闇囟壬呤菬岱e累的作用， 所以光熱效應(yīng)的響應(yīng)速度一般比較慢， 而且容易受環(huán)境溫度變化的影響。光熱效應(yīng)包括熱釋電效應(yīng)、溫差電效應(yīng)和測(cè)熱輻射計(jì)效應(yīng)等23、什么是光纖的色散？答：光纖的色散就是輸入脈沖在光纖內(nèi)的傳輸過(guò)程中， 由于光波的群速度不同而出現(xiàn)的脈沖展寬現(xiàn)象。 光纖色散是傳輸?shù)男盘?hào)脈沖發(fā)生畸變， 從而限

16、制了光束的傳輸帶寬24、光纖傳感器的基本構(gòu)成？光纖傳感器由光源、敏感元件（光纖的或非光纖的）、光探測(cè)器、信號(hào)處理系統(tǒng)以及光纖等組成。25、相位調(diào)制型光纖傳感器的工作原理？答: 當(dāng)一束波長(zhǎng)為的相干光在光纖中傳播時(shí)，光波的相位角與光纖的長(zhǎng)度L、纖芯折射率 n1 和纖芯直徑 d 有關(guān)。 光纖受物理量作用時(shí)，這三個(gè)參數(shù)就會(huì)發(fā)生不同程度的變化， 引起光相移。 一般來(lái)說(shuō)，纖芯直徑引起的光相位變化可以忽略。而在一段長(zhǎng)為L(zhǎng) 的單模光纖（纖芯折射率為n1）中，波長(zhǎng)為的輸出光相對(duì)輸入端來(lái)說(shuō)，其相位角為。6 歡迎下載精品文檔計(jì)算題1、假設(shè)將人體作為黑體，正常人體體溫為36.5 °C。計(jì)算（ 1）正常人體所

17、發(fā)出的輻射出射度；（2）正常人體的峰值輻射波長(zhǎng)。（斯忒藩- 玻爾茲曼常數(shù)5.67010 8 (J/m 2 s K 4 ) ，維恩常數(shù)為 2897.9m ）2、用 Si 光電二極管測(cè)緩變光輻射， 伏安特性曲線如圖 1 所示，在入射光最大功率為 8W時(shí)，電壓 10V，反向偏置電壓為 40V，Si 光電二極管的靈敏度 S=0.5A/ W，結(jié)電導(dǎo)為 0.005 S，求（1）畫(huà)出光電二極管的應(yīng)用電路圖（ 2）計(jì)算二極管的臨界電導(dǎo)（ 3）計(jì)算最大線性輸出時(shí)的負(fù)載 RL 。圖1圖23、與象限探測(cè)器相比PSD有什么特點(diǎn)？如何測(cè)試圖中（如圖2 所示）光點(diǎn) A。7 歡迎下載精品文檔偏離中心的位置？答：PSD是利用

18、離子注入技術(shù)制成的一種可確定光的能量中心位置的結(jié)型光電器件，其特點(diǎn)是， (1) 它對(duì)光斑的形狀無(wú)嚴(yán)格要求，只與光的能量中心有關(guān) (2) 光敏面上無(wú)須分割，消除了死區(qū)，可連續(xù)測(cè)量光斑位置，分辨率高。(3) 可同時(shí)檢測(cè)位置和光強(qiáng)， PSD器件輸出總電流和入射光強(qiáng)有關(guān)，所以從總的電流可求得相應(yīng)的入射光強(qiáng)。（ 4 分） 工作原理：當(dāng)光束入射到PSD器件光敏層上距中心點(diǎn)的距離為 xA 時(shí)，在入射位置上產(chǎn)生與入射輻射成正比的信號(hào)電荷，此電荷形成的光電流通過(guò)電阻p 型層分別由電極1 與 2 輸出。設(shè) p 型層的電阻是均勻的， 兩電極間的距離為2L，流過(guò)兩電極的電流分別為I1 和 I2 ，則流過(guò) n 型層上電

19、極的電流 I0 為 I1 和 I2 之和（ I0= I1+I2）。4、依據(jù)圖 3 提供的結(jié)構(gòu)和脈沖電壓圖說(shuō)明CCD電荷轉(zhuǎn)移的過(guò)程。123t1t2 t3t4圖 3答： (1) 在 t1 時(shí)刻， 1高電位， 2、 3 低電位。此時(shí)1 電極下的表面勢(shì)最大，勢(shì)阱最深。假設(shè)此時(shí)已有信號(hào)電荷（電子） 注入，則電荷就被存儲(chǔ)在 1 電極下的勢(shì)阱中。(2)t2時(shí)刻， 1、 2 為高電位，3 為低電位，則 1、 2 下的兩個(gè)勢(shì)阱的空阱深度相同，但因 1 下面存儲(chǔ)有電荷， 則 1 勢(shì)阱的實(shí)際深度比2 電極下面的勢(shì)阱淺， 1 下面的電荷將向 2 下轉(zhuǎn)移，直到兩個(gè)勢(shì)阱中具有同樣多的電荷。(3)t3時(shí)刻， 2仍為高電位，

20、 3仍為低電位，而1 由高到低轉(zhuǎn)變。此時(shí) 1下的勢(shì)阱逐漸變淺，使 1下的剩余電荷繼續(xù)向 2 下的勢(shì)阱中轉(zhuǎn)移。(4)t4時(shí)刻， 2為高電位，1、 3 為低電位， 2 下面的勢(shì)阱最深，信號(hào)電荷都被轉(zhuǎn)移到2 下面的勢(shì)阱中，這與 t1時(shí)刻的情況相似，但電荷包向右移動(dòng)了一個(gè)電極的位置。當(dāng)經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)鐘周期T 后，電荷包將向右轉(zhuǎn)移三個(gè)電極位置，即一個(gè)柵周期（也稱(chēng)一位）。因此，時(shí)鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端。5、在晶體橫向調(diào)制器中， 應(yīng)盡量消除自然雙折射對(duì)調(diào)制光的影響， 通常采用“組合調(diào)制器”的結(jié)構(gòu)進(jìn)行補(bǔ)償?，F(xiàn)有兩塊尺寸、性能完全相同的 KDP晶體，其中一。8 歡迎下載精品文檔塊

21、晶體如圖 4 放置，請(qǐng)問(wèn)另一塊晶體如何放置才能消除雙折射影響？并說(shuō)明其原理。（需標(biāo)明加電壓后晶體主軸 x,y ,z 的方向和電壓正負(fù)）KDP 晶體入射光偏振方向zy圖 4x6、設(shè)在半徑為 Rc 的圓盤(pán)中心法線上，距盤(pán)圓中心為 l 0 處有一個(gè)輻射強(qiáng)度為 I e 的點(diǎn)源 S，如圖所示。試計(jì)算該點(diǎn)源發(fā)射到圓盤(pán)的輻射功率。Sl0Rc第6題圖7、已知從鋁金屬逸出一個(gè)電子至少需要 A = 4.2 eV 的能量，若用可見(jiàn)光投射到鋁的表面，能否產(chǎn)生光電效應(yīng)？為什么？( 普朗克常量 h =6.63 × 10-34 J · s，基本電荷 e =1.60 ×10-19 C)。9 歡迎

22、下載精品文檔解：不能產(chǎn)生光電效應(yīng)因?yàn)椋轰X金屬的光電效應(yīng)紅限波長(zhǎng)0 hc / A ，而 A =4.2 eV =6.72 × 10 -19 J0296nm而可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍為390 nm770 nm >08、在兩個(gè)激光放大器之間，通常加入隔離器，使光束只沿一個(gè)方向傳播?，F(xiàn)有一 45° 法拉第旋轉(zhuǎn)器，偏振片若干，運(yùn)用所學(xué)的知識(shí)，在如圖3 所示的光路中設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的磁光隔離器，畫(huà)出結(jié)構(gòu)示意圖，并說(shuō)明其工作原理。光束傳播方向激光放大器圖 8激光放大器解： 如圖所示 , 磁光隔離器主要由起偏器、 45°法拉第旋轉(zhuǎn)器和檢偏器構(gòu)成 . 起偏器和檢偏器光軸間夾角為 45°。來(lái)自起偏器的線偏振光 , 經(jīng) 45°法拉第旋轉(zhuǎn)器之后 , 由于磁光效應(yīng)， 振動(dòng)面旋轉(zhuǎn) 45°,