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1、COB面光源封裝工藝COB介紹介紹COB封裝工藝流程封裝工藝流程COB應(yīng)用應(yīng)用前景前景FFCOB介紹什么是COB?COB:Chip On Board 板上芯片封裝技術(shù)(英文的簡寫)也可以理解為:多顆LED芯片集成封裝在同一基板上的發(fā)光體。 COB集成封裝為新型的LED封裝方式,但是隨著LED產(chǎn)品在照明領(lǐng)域的應(yīng)用,COB面光源一定會是未來封裝產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品。下面針對COB封裝的工藝做簡單的介紹。COB介紹介紹COB封裝工藝流程封裝工藝流程COB應(yīng)用應(yīng)用前景前景FFCOB產(chǎn)品的封裝工藝COB流程一:固晶1 原材料原材料 芯片 銀膠 基板銀膠作用?銀膠作用?1.固定芯片2.散熱3.導(dǎo)電基板作用?基板

2、作用?1.固定芯片固定芯片2.電路走線電路走線3.散熱散熱1.2、烘烤A. 固晶完畢的材料必須在1小時內(nèi)放入烤箱烘烤。B.調(diào)制好使用烘烤溫度.注意:烘烤事項(xiàng)二:焊線a.焊線就是把芯片和基板上的電路進(jìn)行連接導(dǎo)通,使芯片在通電情況下正常發(fā)光。b.焊好線的產(chǎn)品要經(jīng)過QC檢驗(yàn)后轉(zhuǎn)入下站工序。焊線產(chǎn)品全自動焊線機(jī)全自動焊線機(jī)三、圍壩圍壩主要為了方便后面點(diǎn)熒光粉工序和發(fā)光面積的需要。3.2、烘烤圍壩好的材料必須在1小時內(nèi)放入烤箱烘烤。注意:必須使用專用烤箱,不能與固精烤箱混用。透明A+B硅膠*膠水必須配好后方可開始攪拌B硅A硅四、勻底膠4.1先配膠水4.2抽真空抽出攪拌時產(chǎn)生的氣泡注意事項(xiàng)。注意事項(xiàng)。真空

3、箱必須潔凈抽真空的時間和溫度。勻膠作用?1.方便制成控制2.提高產(chǎn)品良率注意:1.勻膠膠量需要保持一致,防止產(chǎn)生色差。2.必須均勻平鋪COB發(fā)光區(qū)域,底膠平鋪前底膠平鋪后4.3勻膠4.1抽真空抽出勻膠時產(chǎn)生的氣泡注意事項(xiàng)。注意事項(xiàng)。真空箱必須潔凈抽真空的時間和溫度。4.2、烘烤A. 勻好底膠的材料必須在1小時內(nèi)放入烤箱烘烤。B.調(diào)制好使用烘烤溫度.注意:注意烘烤溫度和烤箱水平度五、點(diǎn)熒光膠流程1、熒光粉用途: 1、 和黃色、紅色LED熒光粉混和使用制作高顯色性白光LED。 2、 配合藍(lán)光芯片封裝水綠色、青色LED。亦可適用于紫外芯片和短波長藍(lán)光芯片。2、配粉硅膠硅膠:與熒光粉有較好的兼容性,需

4、要較長時間的攪拌,易沉淀,粘度大,膠量變異大,白光顏色不均勻,往往有黃圈。 優(yōu)點(diǎn):1、耐藍(lán)光輻射,光衰小。2、彈性體,防止產(chǎn)生裂膠。3、抗紫外線能力強(qiáng)。4、散熱性好。 3、電子分析天平1熒光粉2硅膠配粉:稱取一定比例的熒光粉和硅膠,將兩者均勻混和,經(jīng)過脫泡處理后封裝成LED進(jìn)行測試。調(diào)整粉膠比例后進(jìn)行封裝測試直到達(dá)到滿意的效果。(亦可與其他熒光粉按混合使用)4.點(diǎn)粉1.使用自動點(diǎn)膠機(jī)作業(yè)(圖1)2.點(diǎn)分后熒光膠自動平鋪表面,后轉(zhuǎn)入下一工序。注意:1.點(diǎn)粉時注意空氣潔凈度,人員需帶口罩和無塵手套。2.嚴(yán)禁點(diǎn)粉時接觸橡膠制品3.嚴(yán)禁附近有化學(xué)品和易揮發(fā)液體。如:丙酮、酒精等。5抽真空抽出點(diǎn)粉時產(chǎn)生

5、的氣泡注意事項(xiàng)。注意事項(xiàng)。真空箱必須潔凈抽真空的時間和溫度。檢測成品與樣品顏色和光斑是否一致。使用加熱板對點(diǎn)粉的材料進(jìn)行初步烘烤。調(diào)制好溫度進(jìn)行烘烤。注意1.烘烤時確保加熱板水平。2.保持烘烤房間空氣潔凈6.6.烘烤烘烤7、長烤最后一次烘烤,對熒光膠進(jìn)行完全固化烘烤,確保產(chǎn)品穩(wěn)定。注意:1.長烤時沒有特殊情況禁止打開烤箱。2.使用專用烤箱烘烤。3.烘烤時間6.外觀檢驗(yàn)檢驗(yàn)項(xiàng)目1.雜物2.氣泡3.多膠/少膠4.刮傷測試分光 測試分BIN項(xiàng)目1.光通量2.顯色指數(shù)3.相關(guān)色溫5.電壓6.電流7.電性不良老化測試噴碼、包裝入庫可根據(jù)客戶需求進(jìn)行噴碼、包裝。COB介紹介紹COB封裝工藝流程封裝工藝流程

6、發(fā)光原理發(fā)光原理前景前景FF什么是LED發(fā)光二極管 周期表 LED晶片的元素為III-V族化合半單體1 基本原理基本原理IBIIBIIIIVVVIVIIB 硼硼CN 氮氮OFAl 鋁鋁SiP 磷磷SCLCuZnGa鎵鎵GeAs 砷砷SeBrAgCdIn 銦銦SnSb 銻銻TeILED發(fā)光原理 材料的排列模式材料的排列模式: Si (硅)(硅) 原子內(nèi)各層的穩(wěn)定電子數(shù): 2, 8, 8, .個 矽的外層電子數(shù)為4個電子 N-type的排列模式的排列模式: Si (硅)(硅)+ As(砷)(砷) 在Si(硅)的排列中放入As(砷),則將多出一個電子, 在結(jié)構(gòu)上稱為帶負(fù)電(Negative),故定義為N-type. P-type的排列模式的排列模式: Si(硅)(硅) + B ( 硼)硼) 在Si的排列中放入B, 在結(jié)夠上將少一個電子, 可視為帶正電(Positive)的空域,成為電洞(hole), 定義為P

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