Semi-Phys01new概述

1、半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1 1頁(yè)頁(yè)2012016 6年年9 9月月1818日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)一、本課程的教學(xué)計(jì)劃一、本課程的教學(xué)計(jì)劃二、主要參考書二、主要參考書 半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)顧祖毅顧祖毅 半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)劉文明劉文明三、習(xí)題課三、習(xí)題課四、考試成績(jī)分配四、考試成績(jī)分配 最后期末成績(jī)最后期末成績(jī)80%+10%作業(yè)作業(yè)+10%平時(shí)平時(shí)半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部課程地位：課程地位：本課程是電子科學(xué)與技術(shù)本科專業(yè)的專業(yè)基礎(chǔ)課本課程是電子科學(xué)與技術(shù)本科專業(yè)的專業(yè)基礎(chǔ)課；前續(xù)課前續(xù)課有普通物理、理論物理、固體物理有普

2、通物理、理論物理、固體物理；后續(xù)課程后續(xù)課程是半導(dǎo)體器件物理、集成電路設(shè)計(jì)、光電子器件和功率是半導(dǎo)體器件物理、集成電路設(shè)計(jì)、光電子器件和功率器件等課程，是本專業(yè)中，開(kāi)始了解和掌握利用半導(dǎo)體晶體制器件等課程，是本專業(yè)中，開(kāi)始了解和掌握利用半導(dǎo)體晶體制備固態(tài)器件的首門課程。備固態(tài)器件的首門課程。課程通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶體特性的學(xué)習(xí)，掌握半導(dǎo)體中導(dǎo)電粒子（電課程通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶體特性的學(xué)習(xí)，掌握半導(dǎo)體中導(dǎo)電粒子（電子和空穴）的狀態(tài)描述，雜質(zhì)對(duì)導(dǎo)電能力改進(jìn)機(jī)理，以及載流子和空穴）的狀態(tài)描述，雜質(zhì)對(duì)導(dǎo)電能力改進(jìn)機(jī)理，以及載流子在半導(dǎo)體中多種運(yùn)動(dòng)規(guī)律，進(jìn)而制備最基本子在半導(dǎo)體中多種運(yùn)動(dòng)規(guī)律，進(jìn)而制備最基本PNPN

3、結(jié)，結(jié)，MOSMOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)利用載流子傳輸、處理信息的基本原理。通過(guò)課程的學(xué)，實(shí)現(xiàn)利用載流子傳輸、處理信息的基本原理。通過(guò)課程的學(xué)習(xí)，除了掌握為后續(xù)課程所需的基本知識(shí)點(diǎn)，還要掌握半導(dǎo)體習(xí)，除了掌握為后續(xù)課程所需的基本知識(shí)點(diǎn)，還要掌握半導(dǎo)體中分析和處理載流子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的方法和能力。中分析和處理載流子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的方法和能力。 第第2 2頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 教學(xué)目的：教學(xué)目的： 總的教學(xué)目標(biāo)是：使學(xué)生掌握總的教學(xué)目標(biāo)是：使學(xué)生掌握“半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體物理”中的基本中的基本概念、基本理論、基本原理和分析方法，從

4、整體上認(rèn)識(shí)概念、基本理論、基本原理和分析方法，從整體上認(rèn)識(shí)如何利用半導(dǎo)體晶體實(shí)現(xiàn)功能信息處理的核心理論和知如何利用半導(dǎo)體晶體實(shí)現(xiàn)功能信息處理的核心理論和知識(shí)點(diǎn)，并掌握半導(dǎo)體器件中分析載流子運(yùn)動(dòng)特性的方法識(shí)點(diǎn)，并掌握半導(dǎo)體器件中分析載流子運(yùn)動(dòng)特性的方法和理論。和理論。 第第3 3頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部對(duì)本專業(yè)畢業(yè)要求的支持度對(duì)本專業(yè)畢業(yè)要求的支持度: : 通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，對(duì)畢業(yè)要求能力要求指標(biāo)點(diǎn)的支撐：畢業(yè)要求1：半導(dǎo)體物理屬于本專業(yè)必修基礎(chǔ)課程之一，掌握這些理論，能夠培養(yǎng)學(xué)生解決器件在設(shè)計(jì)、制備和應(yīng)用領(lǐng)域

5、解決遇到的較大問(wèn)題能力，能夠運(yùn)用這些知識(shí)解決半導(dǎo)體材料、微電子器件或微電子電路（含集成電路）領(lǐng)域的基本問(wèn)題。畢業(yè)要求2：能夠應(yīng)用半導(dǎo)體物理基本原理，識(shí)別、表達(dá)，并通過(guò)文獻(xiàn)研究，分析與器件、電路（含集成電路）或簡(jiǎn)單系統(tǒng)相關(guān)的復(fù)雜工程問(wèn)題，以獲得有效結(jié)論。畢業(yè)要求4：能夠基于半導(dǎo)體物理并采用科學(xué)方法對(duì)半導(dǎo)體器件、微電子電路（含集成電路）等領(lǐng)域的工程問(wèn)題進(jìn)行研究，包括設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)、分析與解釋數(shù)據(jù)、并通過(guò)信息綜合得到合理有效的結(jié)果。畢業(yè)要求12：通過(guò)半導(dǎo)體物理學(xué)習(xí)，建立較好的基礎(chǔ)，并逐步具有自主學(xué)習(xí)和終身學(xué)習(xí)的意識(shí)，有不斷學(xué)習(xí)和適應(yīng)發(fā)展的能力。 第第4 4頁(yè)頁(yè)2012015 5年年9 9月月2121日星期

6、一日星期一半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部本課程主要內(nèi)容：本課程主要內(nèi)容： 半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體中電子態(tài)半導(dǎo)體中電子態(tài) 半導(dǎo)體摻雜半導(dǎo)體摻雜 半導(dǎo)體中載流子濃度半導(dǎo)體中載流子濃度 載流子輸運(yùn)特性載流子輸運(yùn)特性 非平衡態(tài)載流子非平衡態(tài)載流子 半導(dǎo)體半導(dǎo)體PNPN結(jié)結(jié) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體MOSMOS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 金屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)金屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第6 6頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日固體固體非晶體：玻璃，塑料等非晶體：玻璃，塑料等晶體晶體單晶體：?jiǎn)尉w：Si，Ge，GaAs等等多晶體：多晶硅等多

7、晶體：多晶硅等 第一章第一章 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷 固體物理基本概念回顧固體物理基本概念回顧固態(tài)電子器件是關(guān)心電子在固體中運(yùn)動(dòng)的性質(zhì)；固態(tài)電子器件是關(guān)心電子在固體中運(yùn)動(dòng)的性質(zhì)；而電子的運(yùn)動(dòng)一定與固體中原子的排列相關(guān)；而電子的運(yùn)動(dòng)一定與固體中原子的排列相關(guān)；半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第7 7頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日 單晶單晶 非晶非晶 多晶多晶 有周期性有周期性 無(wú)周期性無(wú)周期性 每個(gè)小區(qū)域有周期性每個(gè)小區(qū)域有周期性非晶（無(wú)定型材料）非晶（無(wú)定型材料）：只在幾個(gè)原子或分子內(nèi)有序；：只在幾個(gè)原子或分子內(nèi)有序；多

8、晶：多晶：在許多個(gè)原子或分子的尺度上有序；在許多個(gè)原子或分子的尺度上有序；單晶：?jiǎn)尉В涸谡麄€(gè)區(qū)域內(nèi)原子和分子有序；在整個(gè)區(qū)域內(nèi)原子和分子有序；半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部原子力顯微晶體圖像原子力顯微晶體圖像半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第9 9頁(yè)頁(yè)一、晶格的周期性一、晶格的周期性基元基元：每個(gè)最小的重復(fù)單元。：每個(gè)最小的重復(fù)單元。原胞原胞：一個(gè)晶格最小的周期性單元：一個(gè)晶格最小的周期性單元原胞的選取不是唯一的；原胞的選取不是唯一的；三維晶格的原胞通常是一個(gè)平行六面體。三維晶格的原胞通常是一個(gè)平行六面體。半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工

9、大信息學(xué)部 第第1010頁(yè)頁(yè)單胞單胞：反映晶體的周期性和對(duì)稱性。：反映晶體的周期性和對(duì)稱性。如如SiSi、GeGe的金剛石結(jié)構(gòu)；的金剛石結(jié)構(gòu)；布拉伐格子布拉伐格子：基元代表點(diǎn)的空間分布；：基元代表點(diǎn)的空間分布；面心立方、體心立方、鉛鋅礦結(jié)構(gòu)；面心立方、體心立方、鉛鋅礦結(jié)構(gòu)；123aaiaajaak晶格基矢：是指原胞的邊矢量晶格基矢：是指原胞的邊矢量 半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1111頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日二、二、晶體的對(duì)稱性晶體的對(duì)稱性定義：相同的性質(zhì)在不同的方向或位置上有規(guī)律的重復(fù)定義：相同的性質(zhì)在不同的方向或位置上有規(guī)律的

10、重復(fù)的性質(zhì)叫做對(duì)稱性；的性質(zhì)叫做對(duì)稱性；當(dāng)晶體經(jīng)過(guò)一個(gè)運(yùn)動(dòng)操作后，晶體的各種性質(zhì)不發(fā)生任當(dāng)晶體經(jīng)過(guò)一個(gè)運(yùn)動(dòng)操作后，晶體的各種性質(zhì)不發(fā)生任何變化；何變化； 一般該操作稱為對(duì)稱操作；一般該操作稱為對(duì)稱操作；半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1212頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日三、三、晶向晶向同一個(gè)格子可以形成方向不同一個(gè)格子可以形成方向不同的晶列，每一個(gè)晶列定義同的晶列，每一個(gè)晶列定義了一個(gè)方向，該方向稱為晶了一個(gè)方向，該方向稱為晶向；向；晶向指數(shù)晶向指數(shù)標(biāo)記：沿某一晶向，標(biāo)記：沿某一晶向，從一個(gè)原子到最近的原子位從一個(gè)原子到最近的原子位移矢量

11、為移矢量為則該晶向就用則該晶向就用l l1 1、l l2 2、l l3 3標(biāo)志，標(biāo)志，寫成寫成 l l1 1l l2 2l l3 3 ，稱為晶向指，稱為晶向指數(shù)。數(shù)。332211alalal半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1313頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日以簡(jiǎn)立方晶格為例，以簡(jiǎn)立方晶格為例，100100 : OA 立方邊立方邊111111 : OC 體對(duì)角線體對(duì)角線110110 : OB 面對(duì)角線面對(duì)角線 半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1414頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日等效晶向

12、等效晶向 由于晶格的對(duì)稱性，晶體在一些方向上的性質(zhì)完全由于晶格的對(duì)稱性，晶體在一些方向上的性質(zhì)完全相同，統(tǒng)稱這些晶向?yàn)榈刃Ь颉Ｏ嗤y(tǒng)稱這些晶向?yàn)榈刃Ь颉?立方邊共有立方邊共有6 6個(gè)不同的晶向，寫成個(gè)不同的晶向，寫成100100； 面對(duì)角線共有面對(duì)角線共有1212個(gè)，寫成個(gè)，寫成； 體對(duì)角線共有體對(duì)角線共有8 8個(gè)，寫成個(gè)，寫成；半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1515頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日四、四、晶面晶面晶格的格點(diǎn)可以看成分列在平行等距的平面系上，這晶格的格點(diǎn)可以看成分列在平行等距的平面系上，這樣的平面稱為晶面，樣的平面稱為

13、晶面，半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1616頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日 晶面指數(shù)晶面指數(shù) 晶面的標(biāo)志即晶面指數(shù)晶面的標(biāo)志即晶面指數(shù), ,也稱謂密勒指數(shù)。也稱謂密勒指數(shù)。 密勒指數(shù)的確定：晶格中選一格點(diǎn)為原點(diǎn)，并以密勒指數(shù)的確定：晶格中選一格點(diǎn)為原點(diǎn)，并以3 3個(gè)個(gè)基矢基矢a a1 1,a,a2 2,a,a3 3 為坐標(biāo)軸建立坐標(biāo)系。該晶面族中任為坐標(biāo)軸建立坐標(biāo)系。該晶面族中任一晶面與一晶面與3 3個(gè)坐標(biāo)軸交點(diǎn)的位矢分別為個(gè)坐標(biāo)軸交點(diǎn)的位矢分別為rara1 1,sa,sa2 2,ta,ta3 3，則它們的倒數(shù)連比可化為互質(zhì)的整數(shù)，即則它

14、們的倒數(shù)連比可化為互質(zhì)的整數(shù)，即 其中其中h、k、l為互質(zhì)的整數(shù)，晶體學(xué)中以（為互質(zhì)的整數(shù)，晶體學(xué)中以（hkl）來(lái)）來(lái)標(biāo)志該晶面，稱為密勒指數(shù)。標(biāo)志該晶面，稱為密勒指數(shù)。lkhtsr:1:1:1半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1717頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日 圖中示出了簡(jiǎn)立方中某圖中示出了簡(jiǎn)立方中某3 3個(gè)晶面的密勒指數(shù)：個(gè)晶面的密勒指數(shù)： 側(cè)面：側(cè)面： （100100） 對(duì)角面：（對(duì)角面：（110110） 頂對(duì)角面：（頂對(duì)角面：（111111）半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1818頁(yè)頁(yè)20112011年年

15、1010月月9 9日星期日日星期日等效晶面等效晶面由于晶格的對(duì)稱性，晶體在一些晶面的性質(zhì)完全相同，由于晶格的對(duì)稱性，晶體在一些晶面的性質(zhì)完全相同，統(tǒng)稱等效晶面統(tǒng)稱等效晶面立方晶體中的立方體共有立方晶體中的立方體共有6 6個(gè)不同的側(cè)面，寫成個(gè)不同的側(cè)面，寫成100;100;對(duì)角面共有對(duì)角面共有1212個(gè)，統(tǒng)稱這些對(duì)角面時(shí)，寫成個(gè)，統(tǒng)稱這些對(duì)角面時(shí)，寫成110;110;頂對(duì)角面共有頂對(duì)角面共有8 8個(gè)，統(tǒng)稱這些頂對(duì)角面時(shí)，寫個(gè)，統(tǒng)稱這些頂對(duì)角面時(shí)，寫111111；半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第1919頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)

16、半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2020頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2121頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2222頁(yè)頁(yè)20112011年年1010月月9 9日星期日日星期日電阻率介于電阻率介于1010-3-3-10-106 6.cm.cm，可變化區(qū)間大，介于金屬，可變化區(qū)間大，介于金屬（10106 6.cm.cm）和絕緣體（）和絕緣體（10101212.cm.cm）之間）之間不同摻雜類型的半導(dǎo)體做成不同摻雜類

17、型的半導(dǎo)體做成pnpn結(jié)后，或是金屬與半導(dǎo)體接結(jié)后，或是金屬與半導(dǎo)體接觸后，電流與電壓呈非線性關(guān)系，可以有整流效應(yīng)觸后，電流與電壓呈非線性關(guān)系，可以有整流效應(yīng)具有光敏性，用適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射后，材料的電阻率會(huì)具有光敏性，用適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射后，材料的電阻率會(huì)變化，即產(chǎn)生所謂光電導(dǎo)變化，即產(chǎn)生所謂光電導(dǎo)半導(dǎo)體中存在著電子與空穴兩種載流子半導(dǎo)體中存在著電子與空穴兩種載流子純凈半導(dǎo)體電阻率為負(fù)溫度系數(shù)，純凈半導(dǎo)體電阻率為負(fù)溫度系數(shù)，摻雜半導(dǎo)體在一定溫度區(qū)域出現(xiàn)正溫度系數(shù)摻雜半導(dǎo)體在一定溫度區(qū)域出現(xiàn)正溫度系數(shù)1.1 1.1 半導(dǎo)體的基本性質(zhì)半導(dǎo)體的基本性質(zhì)一、一、半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工

18、大信息學(xué)部 第第2323頁(yè)頁(yè) 元素半導(dǎo)體元素半導(dǎo)體元素周期表中從金屬到非金屬的過(guò)渡區(qū)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體。元素周期表中從金屬到非金屬的過(guò)渡區(qū)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體。Si、Ge是常用的半導(dǎo)體材料，用于是常用的半導(dǎo)體材料，用于VLSIVLSI，大多數(shù)半導(dǎo)體器件。，大多數(shù)半導(dǎo)體器件。 化合物半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體 某些某些族化合物（族化合物（A AIIIIIIB BV V）和）和族化合物族化合物 （A AIIIIB BVIVI）具有半導(dǎo)體性質(zhì)，具有半導(dǎo)體性質(zhì)， ：AL，Ga，In P，As，Sb（碲）（碲） ：Zn，Cd，Hg S，Se，Te 常用的有：常用的有：GaAs ，GaP ，InP，InAs，InSb，

19、PbS, GaN 用于高速器件，高速集成電路，發(fā)光，激光，紅外探測(cè)等。用于高速器件，高速集成電路，發(fā)光，激光，紅外探測(cè)等。二、常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料二、常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2424頁(yè)頁(yè)常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2525頁(yè)頁(yè)構(gòu)成半導(dǎo)體材料的主要元素及其在元素周期表中的位置構(gòu)成半導(dǎo)體材料的主要元素及其在元素周期表中的位置半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2626頁(yè)頁(yè)混合晶體構(gòu)成的半導(dǎo)體材料混合晶體構(gòu)成的半導(dǎo)體材料兩種兩種-族化合物按一比例組成族化合物按一比例組成:

20、 xA: xAC C+(1-+(1-x)Bx)BC C兩種兩種-族化合物按一比例組成族化合物按一比例組成: xA: xAC C+(1-+(1-x)Bx)BC C 由于可能通過(guò)選取不同比例的由于可能通過(guò)選取不同比例的x x，而改變混晶的，而改變混晶的物理參數(shù)物理參數(shù)( (禁帶寬度，禁帶寬度， 折射率等折射率等) )，這樣人們可以根，這樣人們可以根據(jù)光學(xué)或電學(xué)的需要來(lái)調(diào)節(jié)配比據(jù)光學(xué)或電學(xué)的需要來(lái)調(diào)節(jié)配比x x。 主要用在異質(zhì)結(jié)，超晶格和遠(yuǎn)紅外探測(cè)器主要用在異質(zhì)結(jié)，超晶格和遠(yuǎn)紅外探測(cè)器。半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)北工大信息學(xué)部北工大信息學(xué)部 第第2727頁(yè)頁(yè)1.2 1.2 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)一、常見(jiàn)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)類型與共價(jià)四面體一、常見(jiàn)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)類型與共價(jià)四面體 六種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)類型六種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)類型 金剛石結(jié)構(gòu)金剛石結(jié)構(gòu)Si、Ge 閃鋅礦結(jié)構(gòu)閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaAs、InPInP、InAs、InSb、AlP、AlSb、CdTe、 GaP 纖鋅礦結(jié)構(gòu)纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN、AlN 氯化鈉結(jié)構(gòu)氯化鈉結(jié)構(gòu)PbS、Pb