基于石墨烯的導(dǎo)電復(fù)合材料_第1頁(yè)
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1、基于石墨烯的導(dǎo)電復(fù)合材料進(jìn)展課程:聚合物結(jié)構(gòu)與性能 學(xué)生:張恩重 學(xué)號(hào):201110102626自2004年英國(guó)曼徹斯特大學(xué)Geim教授首次制備出單層石墨烯1(graphene)以來(lái),其獨(dú)特的性質(zhì)就引起了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注。石墨烯是單層碳原子緊密堆積而形成的炭質(zhì)新材料,單層石墨烯是以二維晶體結(jié)構(gòu)存在,厚度只有0.335nm,是目前世界上最薄的二維材料,它是構(gòu)筑其它維度碳質(zhì)材料的基本單元,可以包裹起來(lái),形成零維的富勒烯,卷起來(lái)形成一維的碳納米管,層層堆積形成三維石墨,如圖 1。石墨烯是一種沒(méi)有能隙的半導(dǎo)體材料,具有比單晶硅高100倍左右的載流子遷移率(2×105cm(V·s)

2、2在室溫下具有微米級(jí)自由程和大的相干長(zhǎng)度,因此它是納米電路的理想材料。另外,石墨烯還具有良好的導(dǎo)熱性(導(dǎo)熱率為5000W(m·K)3、高強(qiáng)度高達(dá)130GPa4、高透明度(對(duì)自然光的吸收率只有2.3%左右)和超大的比表面積(2630m2/g)5。由于石墨烯具有上述優(yōu)異的性能,使其有望在微電子、能源、信息材料和生物醫(yī)藥等領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用前景。圖1 2D結(jié)構(gòu)的石墨烯片層演變成C60、碳納米管和石墨的示意圖 目前制約石墨烯和其復(fù)合材料發(fā)展的兩個(gè)主要因素是:一、具有單層結(jié)構(gòu)石墨烯的大規(guī)模制備;二、石墨烯的可控功能化。本文將從聚合物復(fù)合導(dǎo)電材料、聚合物復(fù)合材料導(dǎo)電機(jī)理,石墨烯的制備和石墨烯聚合

3、物復(fù)合導(dǎo)電材料的性能研究進(jìn)展等方面介紹基于石墨烯的導(dǎo)電復(fù)合材料,并了解其未來(lái)研究領(lǐng)域。導(dǎo)電高分子材料近二十年,尤其導(dǎo)電高分子獲得諾貝爾獎(jiǎng)以來(lái),導(dǎo)電高分子材料作為高分子材料發(fā)展的一個(gè)新領(lǐng)域,其研究與開(kāi)發(fā)已成為功能高分子材料研究的一個(gè)重要方面。按導(dǎo)電機(jī)理的不同,導(dǎo)電高分子材料可以分為復(fù)合型和結(jié)構(gòu)型兩種:復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料是利用向高分子材料中加入各種導(dǎo)電填料來(lái)實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)電能力;結(jié)構(gòu)型導(dǎo)電高分子材料是改變高分子結(jié)構(gòu)使高分子自身具有導(dǎo)電性來(lái)實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)電能力6。本文主要介紹以石墨烯為填料的復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料。復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料 復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料是指將各種導(dǎo)電填料和高分子材料通過(guò)不同的復(fù)合方法制備的具

4、有導(dǎo)電功能的多相復(fù)合材料。這類材料既具有導(dǎo)電功能,同時(shí)又保持高分子材料的特點(diǎn),并且成本較低,因而得到了廣泛的應(yīng)用。根據(jù)導(dǎo)電填料的不同它又可分為碳基材料填充型及金屬材料填充型。 1、碳基材料填充型碳基材料主要包括石墨烯、足球烯、碳納米管、石墨。碳基材料填填充型導(dǎo)電材料是目前復(fù)合型導(dǎo)電材料中應(yīng)用最廣泛的一種,應(yīng)用最多的碳基材料是石墨烯、碳納米管和石墨,它的優(yōu)點(diǎn)有以下幾個(gè)方面:一、碳基材料填價(jià)格低廉,實(shí)用性強(qiáng);二、碳基材料填能根據(jù)不同的導(dǎo)電要求有較大的選擇余地;三是導(dǎo)電持久穩(wěn)定7。2、金屬材料填充型金屬材料填充型復(fù)合導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性能優(yōu)良,比傳統(tǒng)金屬材料輕且易成型加工,是具有潛在優(yōu)勢(shì)的新型導(dǎo)電材料和

5、屏蔽材料。近年來(lái),金屬纖維填充材料發(fā)展迅速。復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料的導(dǎo)電機(jī)理復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料導(dǎo)電性主要取決于填料的分散狀態(tài)8。根據(jù)逾滲理論,原來(lái)孤立分散的填料微粒在體積分散達(dá)到某一臨界含量以后就會(huì)形成連續(xù)的導(dǎo)電通路,這時(shí)粒子處于兩種狀態(tài):一是粒子間發(fā)生物理接觸,電荷載流子可在連續(xù)的導(dǎo)體內(nèi)流動(dòng);二是粒子間有粘結(jié)劑薄層存在,載流子本身被激活后可以通過(guò)粘接劑而運(yùn)動(dòng)。填料成分、填料粒子的分散狀態(tài)及其與高聚物基體的相互作用決定復(fù)合材料的導(dǎo)電性。只有填料粒子能較好地分散形成相互連接的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),復(fù)合材料才能具有良好的導(dǎo)電性9。石墨烯的制備方法1、 微機(jī)械分離法微機(jī)械分離法是采用機(jī)械分離的手段獲得石墨烯

6、的方法,即直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來(lái)。2004年,曼徹斯特大學(xué) Geim等1,采用機(jī)械法從高定向熱解石墨(HOPG)上剝離出單層石墨烯,他們?cè)贖OPG表面用氧等離子刻蝕微槽,并用光刻膠將其轉(zhuǎn)移到玻璃襯底上,用透鏡膠帶反復(fù)撕揭,爾后將玻璃襯底放入丙酮溶液中超聲清洗,并在溶液中放入單晶硅片,單層石墨烯會(huì)在范德華力作用下吸附到硅片表面。后來(lái)機(jī)械法簡(jiǎn)化為直接用膠帶從上揭下一層石墨,然后在膠帶之間反復(fù)粘貼,石墨片層會(huì)越來(lái)越薄,再將膠帶貼在襯底上,單層石墨烯就轉(zhuǎn)移到襯底上了。同時(shí)還有許多其他機(jī)械方法出現(xiàn),如機(jī)械壓力法、滾動(dòng)摩擦法等,機(jī)械法制備單層石墨烯的最大優(yōu)點(diǎn)在于工藝簡(jiǎn)單、制作成本低,而且樣

7、品的質(zhì)量高,但是產(chǎn)量低,不可控,且從大片的厚層中尋找單層石墨烯比較困難,同時(shí)樣品所在區(qū)域會(huì)存在少許膠漬,表面清潔度不高。2、化學(xué)氣相沉積法12化學(xué)氣相沉積法首次在規(guī)?;苽涫┑膯?wèn)題方面有了新的突破,為可控制備石墨烯提供了一種的有效方法,用該法制備石墨烯不需要顆粒狀催化劑,它是將平面金屬薄膜、金屬單晶等基底置于高溫可分解的甲烷乙烯等前驅(qū)體氣氛中,通過(guò)高溫退火,使碳原子沉積在基底表面形成石墨烯,再用化學(xué)腐蝕法去除金屬基底后得到石墨烯片。通過(guò)選擇基底的類型,生長(zhǎng)的溫度,前驅(qū)體的流量等參數(shù)可調(diào)控石墨烯的生長(zhǎng)速率、厚度和面積10。此方法已能成功制備出面積達(dá)平方厘米級(jí)的單層或多層石墨烯,其最大的優(yōu)點(diǎn)在

8、于可制備出面積較大的石墨烯。3、 SiC外延生長(zhǎng)法1314SiC外延生長(zhǎng)法主要通過(guò)加熱單晶6H-SiC脫除Si,在單晶面上分解出石墨烯,其主要過(guò)程是將氧離子刻蝕的6H-Si在高真空下用電子轟擊加熱去除氧化 物,再將樣品加熱至1300左右形成極薄的石墨層。石墨烯的層厚主要由加熱溫度決定11。4、 氧化石墨烯還原法151617氧化石墨烯還原法是將石墨轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸?,再將氧化石墨烯還原制備石墨烯,該方法所需原料石墨價(jià)廉易得且制備過(guò)程簡(jiǎn)單,是目前最有可能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制備石墨烯的方法。雖然采用氧化石墨烯還原法使石墨烯的電子結(jié)構(gòu)及晶體的完整性受到強(qiáng)氧化劑作用產(chǎn)生嚴(yán)重的破壞,使其電子性質(zhì)受到影響,一定程度上

9、限制了其在精密微電子領(lǐng)域的應(yīng)用,但是氧化石墨烯還原法簡(jiǎn)便且成本較低,可以制備出大量石墨烯,且有利于制備石墨烯衍生物,可有效拓寬石墨烯的應(yīng)用領(lǐng)域。石墨烯復(fù)合導(dǎo)電材料的研究進(jìn)展石墨烯復(fù)合導(dǎo)電材料的制備根據(jù)加入石墨烯方式目前主要有直接還原法、溶液共混法、熔融共混法和原位插層法1819。直接還原法:這種方法主要是純石墨烯凝膠,利用不同的方法還原分散的氧化石墨烯,還原的過(guò)程中石墨烯片層由于片層之間的相互作用力進(jìn)行自組裝,得到有序的結(jié)構(gòu)。Shi Gaoquan等20將分散好的GO溶液在180下進(jìn)行水熱還原12小時(shí)得到自組裝的純石墨烯水凝膠,冷凍干燥后得到相應(yīng)的氣凝膠,當(dāng)初始GO含量為2mg/mL時(shí)該氣凝膠

10、就具有很好的的力學(xué)強(qiáng)度,貯存模量G可以達(dá)到470 kPa,凝膠的同時(shí)具有非常好的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率可以達(dá)到5×10-3S/cm。Gao Chao等21,將已經(jīng)具有一定有序結(jié)構(gòu)的氧化石墨烯液晶利用類似紡絲的方法,紡成纖維,圖 2: (a)淬火后的纖維在不同溫度下(5-300K)的I-V曲線,插圖是該纖維可以作為L(zhǎng)ED燈的導(dǎo)線;(b)凝膠在低溫時(shí)電導(dǎo)率隨溫度上升而上升放進(jìn)液氮中猝冷固定結(jié)構(gòu),然后再利用溴化氫在80下還原8小,最后將還原后的纖維在1100下淬火處理2小時(shí)得到具有很好導(dǎo)電性能的石墨烯纖維,纖維具有很好的有序結(jié)構(gòu),出色的力學(xué)性能,斷裂強(qiáng)度約220KPa,導(dǎo)電性能如圖2(a),該凝

11、膠在極低溫度下仍然具有非常好的導(dǎo)電性,可以作為L(zhǎng)ED燈的導(dǎo)線,而且在低溫范圍內(nèi),電導(dǎo)率是隨著溫度上升而上升的,如圖2(b),具有明顯的半導(dǎo)體的性質(zhì),而且最大電導(dǎo)率可以達(dá)到近5000S/m。溶液共混法:利用溶劑的作用將聚合物分子插入具有片層結(jié)構(gòu)的石墨烯中,形成納米復(fù)合材料。聚合物以及石墨烯可以溶解或分散在溶劑中,石墨烯或改性的石墨烯需要在合適的溶劑中分散,例如水、丙酮、氯仿、四氫呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)或甲苯,然后聚合物會(huì)吸附在剝離的石墨烯片層上,當(dāng)溶劑揮發(fā)掉時(shí),片層會(huì)重新堆疊并將聚合物夾在層間形成納米復(fù)合材料。Stankovich22等在DMF中將聚苯乙烯與異氰酸苯酯改性氧化石墨

12、烯混合,隨后加入水合肼對(duì)氧化石墨烯行化學(xué)還原,除去溶劑干燥后進(jìn)行注模熱壓,制得了納米石墨烯/聚苯乙烯導(dǎo)電復(fù)合材料。石墨烯含量為0.1%時(shí),復(fù)合材料達(dá)到導(dǎo)電逾滲值,其用量是同類二維納米填料的三分之一,這是由于石墨烯具有非常大的長(zhǎng)徑比,而且在基體中分散非常均勻;石墨烯含量約為0.15%時(shí),復(fù)合材料的電導(dǎo)率達(dá)到了抗靜電標(biāo)準(zhǔn)(106S/m),在0.4 % 1 %之間電導(dǎo)率增長(zhǎng)迅速;當(dāng)含量為2.5%時(shí),電導(dǎo)率高達(dá)約1 S/m。Fu Qiang23等利用溶液澆膜法制備了GO/PVA復(fù)合材料薄膜如圖3,再將其在過(guò)硫酸鈉和氫氧化鈉的混合溶液中還原,得到石墨烯/PVA復(fù)合材料。這種方法抑制了還原過(guò)程中石墨烯在高

13、分子基體中的聚集,采用簡(jiǎn)單的還原方法實(shí)現(xiàn)了大量制備石墨烯復(fù)合材料。當(dāng)GO含量?jī)H為0.7 %時(shí),拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長(zhǎng)率分別提高了40%和70%。同時(shí),復(fù)合材料的導(dǎo)電性能也得到顯著提高。石墨烯含量從0.3%增加到0.7%時(shí),材料的電導(dǎo)率從1.3×10-8S/m增加到2.5×10-5 S/m,石墨烯含量為3%時(shí),材料具有的最大電導(dǎo)率為 8.9×10-3 S/m。熔融共混法:在熔融共混法中,不需要加入溶劑,墨烯或者改性石墨烯直接與聚合物熔體相混合,通常是采用傳統(tǒng)的擠出或者注塑的方法,在高溫下將聚合物與石墨烯機(jī)械混合,聚合物鏈插層到石墨烯片層間從而形成復(fù)合材料。這是制備熱塑性

14、高分子復(fù)合材料的常用方法,一些不含活性官能團(tuán)或者不適合原位聚合的高分子體系也可采用這種方法。Yu24等采用熔融共混法制備了納米石墨烯/聚苯圖3 氧化石墨烯/PVA復(fù)合薄膜和石墨烯/PVA復(fù)合薄膜圖片二甲酸乙二醇酯(PET)復(fù)合材料。石墨烯以單片層或少片層的形式在PET基體中均勻分散,石墨烯片層的卷曲和褶皺可以在PET基體中形成網(wǎng)絡(luò),從而有效提高了復(fù)合材料的導(dǎo)電性能。從圖4可以看出,石墨烯含量從0.47 %增加到1.2 %(體積分?jǐn)?shù))時(shí),石墨烯/PE復(fù)合材料的電導(dǎo)率從2.0×10-13 S/m迅速增加到7.4×10-2 S/m,比相同含量的石墨增強(qiáng)的復(fù)合材料高約9個(gè)數(shù)量級(jí)。石

15、墨烯含圖4 石墨烯/PET及石墨/PET復(fù)合材料的電導(dǎo)率隨填料體積含量的變化量達(dá)到3.0 %時(shí),PET復(fù)合材料的電導(dǎo)率最大可達(dá)到2.11 S/m。原位插層:原位插層是將單體溶液或者聚合物分子與GO膠狀分散液進(jìn)行預(yù)先混合,使單體分子或聚合物分子插入GO層間,然后投入引發(fā)劑引發(fā)聚合,或者引入交聯(lián)劑交聯(lián),使得聚合反應(yīng)或交聯(lián)反應(yīng)在石墨烯片層間進(jìn)行,得到的反應(yīng)液經(jīng)過(guò)后處理即可得到復(fù)合材料。Wang Hongzhi25等利用原位聚合法制備了石墨烯/聚異丙基丙烯酰胺(PNIPAm)水凝膠,將NIPAm單體和GO溶液超聲混合后在100下熱引發(fā)聚合,同時(shí)水熱還原GO,制備具有一定力學(xué)性能的溫敏導(dǎo)電水凝膠,在GO

16、還原的過(guò)程中自組裝成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致凝膠的導(dǎo)電性和一定的力學(xué)性能,圖5 凝膠施加21V電壓后電導(dǎo)率和體積(插圖)變化溶脹后的凝膠最高壓縮模量可以達(dá)到7.9MPa,最高電導(dǎo)率可以達(dá)到4×10-5S/cm如圖5。Xia Hesheng26等將氧化石墨烯和天然膠乳通過(guò)超聲混合后,再利用水合肼在高溫下原位還原GO制備石墨烯,通過(guò)加入硫磺,干燥后通過(guò)煉膠的方法使硫磺混合均勻,最后硫化制的導(dǎo)電橡膠,加工步驟如圖6。石墨烯的加入使橡膠的強(qiáng)度有所增強(qiáng),而且具有非常好的導(dǎo)電性能。圖6 原位還原法制備導(dǎo)電橡膠的加工步驟結(jié)語(yǔ)石墨具有良好的導(dǎo)電性、化學(xué)穩(wěn)定性以及獨(dú)特的層狀結(jié)構(gòu), 它是金屬等其他材料不能替代的導(dǎo)電

17、材料。正因?yàn)槿绱? 石墨與聚合物的復(fù)合材料一直是一個(gè)比較活躍的研究領(lǐng)域。特別是石墨烯的發(fā)現(xiàn)和成功制備, 為該領(lǐng)域的研究注入了新的生機(jī)與活力。大多數(shù)研究中,石墨層的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單層石墨的厚度,石墨層厚度降低的空間還很大。盡管出現(xiàn)了石墨烯與聚合物的復(fù)合材料的報(bào)道, 但這方面的研究工作才剛剛開(kāi)始。因此, 提高復(fù)合材料的導(dǎo)電性、降低石墨層的厚度將是石墨/ 聚合物導(dǎo)電復(fù)合材料發(fā)展的方向。參考文獻(xiàn)1 Novoselov K S,Geim A K,Morozov S V,et al.Science,2004 ,306(5296 ):666-669.2 Chen J H ,Jang C ,Xiao S D,e

18、t al. Nat. Nanotechnol.,2008 ,3(4):206-209.3 Balandin A A ,Ghosh S,Bao W Z,et al. Nano Lett .,2008 ,8(3):902-907.4 Lee C ,Wei X D ,Kysar J W,et al. Science,2008 ,321(5887 ):385-388.5 W.Lv,Q.H.Yang,P.X.Hou,et a1, ACS nano,2009,3(11),373037366 湯清,陳欣方,高分子材料科學(xué)與工程,1996,(2):17 周祚萬(wàn),盧易穎等,高分子材料科學(xué)與工程,1998,(2)

19、:58 遲麗萍,導(dǎo)電塑料概述, 1995,(2):609 王文平,劉燕,高分子材料科學(xué)與工程,2006,22:20921110 Jiajie Liang,Yanfei Xu,Yong sheng Chen,et al, J.Phys.Chem.C 2009,113:9921992711 黃桂榮,炭素技術(shù),2009,28(1):35-39.12 A.Dato,V.Radmilovic,Z.Lee,et al.Nano letters,2008,8(7):2012201613C.Berger,Z.Song,T.Li,etal.JournalofphysicalchemistryB,2004,108

20、(52):199121991614 T.Ohta,A.Bostwick,T.Seyller,et al. Science,2006,313:95195415 L.Staudenmaier ,Ber.Dtsh.Chem.Ges.,1898,31:14819916 B.C.Brodie ,Phil.Trans.Roy.Soc.,1859,149:2495917 W.S.Hummers,R.E.Offeman ,J.Am.Chem.Soc.,1958,80:133918 Tapas K, Sambhu B, Dahu Y, Nam H K, Saswata B, Joong H L. Prog Polym Sci, 2010, 35 (11): 1350137519 楊永崗,陳成猛,溫月芳,楊全紅,王茂章

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