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1、電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告mosfet升降壓斬波電路設(shè)計(jì)班 級(jí): 110306班 姓 名: *學(xué) 號(hào): 20111049 指導(dǎo)教師: 侯云海 時(shí) 間: 2014年1月10日 題目:mosfet升降壓斬波電路設(shè)計(jì)一、課程設(shè)計(jì)的目的1. 電力電子技術(shù)的課程設(shè)計(jì)是電力電子技術(shù)課程的一個(gè)重要的實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)。它與理論教學(xué)和實(shí)踐教學(xué)相配合,可使我們?cè)诶碚撀?lián)系實(shí)際,綜合分析,理論計(jì)算,歸納整理和實(shí)驗(yàn)研究方面得到綜合訓(xùn)練和提高,從而培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立解決實(shí)際問(wèn)題的能力。2. 加深理解電力電子技術(shù)的課程內(nèi)容,建立正確的設(shè)計(jì)思想,熟悉工程設(shè)計(jì)的順序和方法,提高正確使用技術(shù)資料,標(biāo)準(zhǔn),手冊(cè)等的獨(dú)立工作能力。3. 為后續(xù)課程

2、的學(xué)習(xí)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。二、設(shè)計(jì)的技術(shù)數(shù)據(jù)及要求1、交流電源:?jiǎn)蜗?20v;2、前級(jí)整流輸出輸電壓: ud=50v80v;3、輸出功率:300w;4、開(kāi)關(guān)頻率5khz;5、占空比10%90%;6、輸出電壓脈率:小于10%。三、設(shè)計(jì)內(nèi)容及要求 1、方案的論證及方案的選擇: 1.1總體方案論證 圖11.2 方案一:mosfet降壓斬波電路Ø mosfet降壓斬波電路原理圖 降壓斬波電路的原理圖以及工作波形如圖2所示。該電路使用一個(gè)全控型器件 v,圖中為mosfet。為在mosfet關(guān)斷時(shí)給負(fù)載中電感電流提供通道,設(shè)置了續(xù)流二極管vd。斬波電路主要用于電子電路的供電電源,也可拖動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)或

3、帶蓄電池負(fù)載等。 圖2 降壓斬波電路原理圖Ø mosfet降壓斬波電路工作原理圖 直流降壓斬波電路使用一個(gè)全控型的電壓驅(qū)動(dòng)器件mosfet,用控制電路和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制mosfet 的導(dǎo)通或關(guān)斷。當(dāng)t=0 時(shí)mosfet 管被激勵(lì)導(dǎo)通電源u向負(fù)載供電,負(fù)載電壓為uo=u,負(fù)載電流io 按指數(shù)曲線(xiàn)上升,當(dāng)t=t1時(shí)控制mosfet 關(guān)斷負(fù)載電流經(jīng)二極管vd 續(xù)流負(fù)載電壓uo 近似為零,負(fù)載電流呈指數(shù)曲線(xiàn)下降。為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動(dòng)小通常使串聯(lián)的電感l(wèi)較大。電路工作時(shí)的波形圖如圖3所示。至一個(gè)周期t結(jié)束,再驅(qū)動(dòng)mosfet導(dǎo)通,重復(fù)上一周期的過(guò)程。當(dāng)電力電子系統(tǒng)工作處于穩(wěn)態(tài)時(shí),負(fù)載電流在

4、一個(gè)周期的初值和終值相等,如圖2所示。負(fù)載電壓平均值為: (2.1) 負(fù)載電流平均值為: (2.2) 式中,ton為mosfet處于通態(tài)的時(shí)間;toff為mosfet處于斷態(tài)的時(shí)間;t為開(kāi)關(guān)周期;為導(dǎo)通占空比。由式(1.1)可知,輸出到負(fù)載的電壓平均值uo最大為u,減小占空比,uo隨之減小。因此將該電路稱(chēng)為降壓斬波電路。也稱(chēng)buck變換器。根據(jù)對(duì)輸出電壓平均值進(jìn)行調(diào)試的方式不同,可分為三種工作方式: (1) 保持開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間 不變,改變開(kāi)關(guān)t,稱(chēng)為頻率調(diào)制工作方式; (2) 保持開(kāi)關(guān)周期t不變,調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間 ,稱(chēng)為脈沖寬調(diào)制工作方式;3) 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間和開(kāi)關(guān)周期t 都可調(diào),稱(chēng)為混合型。 圖

5、3 降壓斬波電路的工作波形2、主電路的設(shè)計(jì) 2.1 整流電路的設(shè)計(jì) 整流電路尤其是單相橋式可控整流電路是電力電子技術(shù)中最為重要,也是應(yīng)用最為廣泛的電路。不僅應(yīng)用于工業(yè),也廣泛應(yīng)用于交通運(yùn)輸,電力系統(tǒng),通信系統(tǒng),能源系統(tǒng)等其他領(lǐng)域。本實(shí)驗(yàn)裝置采用單相橋式全控整流電路(所接負(fù)載為純電阻負(fù)載),如圖4所示。圖 4 單相橋式全控整流電路在單項(xiàng)橋式全控整流電路中,晶閘管 vt1 和 vt4 組成一對(duì)橋臂,vt2 和 vt3 組 成另一對(duì)橋臂。在 u2 正半周(即 a 點(diǎn)電位高于 b 點(diǎn)電位) ,若 4 個(gè)晶閘管均不導(dǎo) 通,負(fù)載電流 id 為零,ud 也為零,vt1、vt4 串聯(lián)承受電壓 u2,設(shè) vt1

6、 和 vt4 的漏電 阻相等,則各承受 u2 的一半。若在觸發(fā)角處給 vt1 和 vt4 加觸發(fā)脈沖,vt1、 vt4 即導(dǎo)通,電流從 a 端經(jīng) vt1、r、vt4 流回電源 b 端。當(dāng) u2 為零時(shí),流經(jīng)晶閘管 的電流也降到零,vt1 和 vt4 關(guān)斷。在 u2 負(fù)半周,仍在觸發(fā)延遲角處觸發(fā) vt2 和 vt3(vt2 和 vt3 的=0 處為 t=) ,vt2 和 vt3 導(dǎo)通,電流從電源的 b 端流出,經(jīng) vt3、r、vt2 流回電源 a 端。 到 u2 過(guò)零時(shí),電流又降為零,vt2 和 vt3 關(guān)斷。此后又是 vt1 和 vt4 導(dǎo)通。如此循環(huán)工作下去。晶閘管承受的最大正向電壓和反向電

7、壓分別為u2和u2。圖5是電阻性負(fù)載的單項(xiàng)橋式全控整流電路波形圖。 圖 5 單項(xiàng)橋式全控整流電路電阻性負(fù)載波形圖整流電壓平均值為:向負(fù)載輸出的直流電流平均值為:流過(guò)晶閘管的電流平均值為:題目中要求前級(jí)整流輸出電壓限制在50v100v之間,輸入電壓u1為220v,則輸入電壓u2最大為41.7 ,變壓器匝數(shù)比n1:n2=4:1 。 2.2 電路各元件的參數(shù)設(shè)定 2.2.1 mosfet簡(jiǎn)介 mosfet的原意是:mos(metal oxide semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),fet(field effect transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(m)的柵極隔著氧化層(o)利

8、用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(s)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),簡(jiǎn)稱(chēng)功率mosfet(power mosfet)。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱(chēng)作靜電感應(yīng)晶體管(static induction transistor-sit)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高,熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)于gtr,但其電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kw的電力電子裝置。 功率mosfet的種類(lèi):按導(dǎo)電溝道可分為p溝道和n溝道。按柵極電壓幅值可分為

9、;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對(duì)于n(p)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道,功率mosfet主要是n溝道增強(qiáng)型。 2.2.2 功率mosfet的結(jié)構(gòu) 功率mosfet的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖6所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率mos管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率mos管是橫向?qū)щ娖骷?,功率mosfet大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱(chēng)為vmosfet, (vertical mosfet),大大提高了mosfet器件的耐壓和耐電流能力。 圖6 mosfet的結(jié)構(gòu)與電氣圖形符號(hào) 2.2.3 功率mosfet

10、的工作原理截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。p基區(qū)與n漂移區(qū)之間形成的pn結(jié)j1反偏,漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。 導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓ugs,柵極是絕緣的,所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面p區(qū)中的空穴推開(kāi),而將p區(qū)中的少子-電子吸引到柵極下面的p區(qū)表面。  當(dāng)ugs大于ut(開(kāi)啟電壓或閾值電壓)時(shí),柵極下p區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度,使p型半導(dǎo)體反型成n型而成為反型層,該反型層形成n溝道而使pn結(jié)j1消失,漏極和源極導(dǎo)電。 2.2.4 各元件參數(shù)計(jì)算 根據(jù)設(shè)計(jì)要求可選大小為的直流電壓源,如果選取降壓斬波電路的占空比為,則輸出電壓,輸出功率,要求輸出功率為,

11、可計(jì)算出負(fù)載電阻。電壓控制電壓源和脈沖電壓源可組成mosfet功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。 計(jì)算:由式,周期可由開(kāi)關(guān)頻率得出為,把、代入上式得出。雖說(shuō)電感l(wèi)的值越大,得到的圖形越穩(wěn)定,但在此電路中,需要看到文波,因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。 計(jì)算:由式,要求脈動(dòng)率,取,計(jì)算,代入上式計(jì)算出。雖說(shuō)電容c的值越大,得到的圖形越穩(wěn)定,但在此電路中,需要看到文波,因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。 若取其他占空比時(shí)各參數(shù)值的計(jì)算方法與此一致,不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值如表7所示。 占空比輸出電壓u0(v)脈動(dòng)電壓(v)負(fù)載r()電感值(h)電容值c(f)20%2021.331.07×10-43.74&#

12、215;10-440%4045.333.20×10-49.38×10-550%5058.334.17×10-46.00×10-580%80821.334.27×10-42.34×10-590%90927.002.70×10-41.85×10-5 表7 不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值 3、控制電路設(shè)計(jì) sg3525 是一種性能優(yōu)良、功能齊全和通用性強(qiáng)的單片集成pwm控制芯片,它簡(jiǎn)單可靠及使用方便靈活,輸出驅(qū)動(dòng)為推拉輸出形式,增加了驅(qū)動(dòng)功能;內(nèi)部含有欠壓鎖定電路、軟啟動(dòng)控制電路、pwm鎖存器,有過(guò)流保護(hù)功能,頻率可調(diào),同時(shí)能

13、限制最大占空比。其特點(diǎn)如下: (1)工作電壓范圍寬:835v。 (2)5.1(11.0%)v微調(diào)基準(zhǔn)電源。(3)振蕩器工作頻率范圍寬:100hz400khz. (4)具有振蕩器外部同步功能。(5)死區(qū)時(shí)間可調(diào)。(6)內(nèi)置軟啟動(dòng)電路。 (7)具有輸入欠電壓鎖定功能。(8)具有pwm瑣存功能,禁止多脈沖。 (9)逐個(gè)脈沖關(guān)斷。 (10)雙路輸出(灌電流/拉電流):ma(峰值)。 sg3525內(nèi)置了5.1v精密基準(zhǔn)電源,微調(diào)至1.0%,在誤差放大器共模輸入電壓范圍內(nèi),無(wú)須外接分壓電組。sg3525還增加了同步功能,可以工作在主從模式,也可以與外部系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)同步,為設(shè)計(jì)提供了極大的靈活性。在ct引腳

14、和discharge引腳之間加入一個(gè)電阻就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)死區(qū)時(shí)間的調(diào)節(jié)功能。由于sg3525內(nèi)部集成了軟啟動(dòng)電路,因此只需要一個(gè)外接定時(shí)電容。sg3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2.5所示,直流電源 vs 從腳 15 接入后分兩路,一路加到或非門(mén);另一路送到基準(zhǔn)電壓穩(wěn)壓器的輸入端,產(chǎn)生穩(wěn)定的元器件作為電源。振蕩器腳 5 須外接電容 ct,腳 6須外接電阻 rt。振蕩器頻率由外接電阻rt 和電容ct決定,振蕩器的輸出分為兩路,一路以時(shí)鐘脈沖形式送至雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及兩個(gè)或非門(mén);另一路以鋸齒波形式送至比較器的同相輸入端,比較器的反向輸入端接誤差放大器的輸出,誤差放大器的輸出與鋸齒波電壓在比較器中進(jìn)行比較,輸出一個(gè)隨誤

15、差放大器輸出電壓高低而改變寬度的方波脈沖,再將此方波脈沖送到或非門(mén)的一個(gè)輸入端。其他引腳分別為:引腳1為反相輸入,2為同相輸入引腳,3為同步端引腳,4為振蕩器輸出引腳,7為放電端引腳,8為軟啟動(dòng)端引腳,9為補(bǔ)償引腳,10為閉鎖控制引腳,引腳12接地。內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖8所示:圖 8 控制電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖在升降壓斬波電路中,三極管v的基極接驅(qū)動(dòng)電路的v-g,發(fā)射極e接驅(qū)動(dòng)電路的v-e,結(jié)點(diǎn)11、12、13、14為sg3525的相應(yīng)引腳。如圖9:圖 9 sg3525芯片的相應(yīng)引腳4、mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 4.1 驅(qū)動(dòng)電路方案選擇 該驅(qū)動(dòng)部分是連接控制部分和主電路的橋梁,該部分主要完成以下幾個(gè)功能:(1

16、)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?,使電力mosfe 管可靠的開(kāi)通和關(guān)斷;(2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流,使mosfet能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通;(3)盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間,以提高工作效率;(4) 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣;(5)具有靈敏的過(guò)流保護(hù)能力。 而電力mosfet 是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的,因此它的第一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率?。坏诙€(gè)顯著特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高。但是電力mosfet電流容量小,耐壓低,多用于功率不超過(guò)10kw 的電力電子裝置。 在功率變換裝置中,根據(jù)主電路的結(jié)構(gòu),起功率開(kāi)關(guān)器件一般采用直接驅(qū)動(dòng)和隔離

17、驅(qū)動(dòng)兩種方式.美國(guó)ir公司生產(chǎn)的ir2110驅(qū)動(dòng)器,兼有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點(diǎn),是中小功率變換裝置中驅(qū)動(dòng)器件的首選。 根據(jù)設(shè)計(jì)要求、驅(qū)動(dòng)要求及電力mosfet 管開(kāi)關(guān)特性,選擇驅(qū)動(dòng)芯片ir2110 來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。芯片ir2110 管腳及內(nèi)部電路圖如下圖10所示。 圖10 ir2110 管腳及內(nèi)部電路圖 4.2 驅(qū)動(dòng)電路原理 ir2110 內(nèi)部功能由三部分組成:邏輯輸入、電平平移及輸出保護(hù)。 ir2110 驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖所示,其中c1,vd1分別為自舉電容和自舉二極管,c2 為vcc的濾波電容。假定在s 關(guān)斷期間c1已經(jīng)充到足夠的電壓(vc1 vcc)。 當(dāng)hin 為高電平時(shí)如下圖11,vm

18、1開(kāi)通,vm2關(guān)斷,vc1加到s1的柵極和源極之間,c1 通過(guò)vm1,rg1和柵極和源極形成回路放電,這時(shí)c1就相當(dāng)于一個(gè)電壓源,從而使s1導(dǎo)通。由于lin與hin是一對(duì)互補(bǔ)輸入信號(hào),所以此時(shí)lin為低電平,vm3關(guān)斷,vm4導(dǎo)通,這時(shí)聚集在s2柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過(guò)rg2迅速對(duì)地放電,由于死區(qū)時(shí)間影響使s2 在s1 開(kāi)通之前迅速關(guān)斷。圖5 ir2110 驅(qū)動(dòng)半橋電路 圖 11 設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路如圖12所示: 圖12 驅(qū)動(dòng)電路圖4、 電路保護(hù)電力電子電路中,除了電力電子器件參數(shù)選擇合適,驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外,采用合適的過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)、du/dt保護(hù)和di/dt也是必須的。抑制過(guò)電壓的

19、方法:用非線(xiàn)性元件限制過(guò)電壓的幅度,用電阻消耗生產(chǎn)過(guò)電壓的能量,用儲(chǔ)能元件吸收生產(chǎn)過(guò)電壓的能量。對(duì)于非線(xiàn)性元件,不是額定電壓小,使用麻煩,就是不宜用于抑制頻繁出現(xiàn)過(guò)電壓的場(chǎng)合。所以我們選用用儲(chǔ)能元件吸收生產(chǎn)過(guò)電壓的能量的保護(hù)。使用rc吸收電路,這種保護(hù)可以把變壓器繞組中釋放出的電磁能量轉(zhuǎn)化為電容器的電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存起來(lái)。由于電容兩端電壓不能突變,所以能有效抑制過(guò)電壓,串聯(lián)電阻消耗部分產(chǎn)生過(guò)電壓的能量,并抑制lc回路的震動(dòng)。保護(hù)電路如圖13所示。圖 13 過(guò)壓保護(hù)電路圖除此之外還有其他的保護(hù)裝置,如下: 防止陽(yáng)極電壓上升率過(guò)高保護(hù)在保護(hù)電路中串聯(lián)接入適當(dāng)?shù)碾姼屑纯善鸬椒乐龟?yáng)極電壓上升率過(guò)高的保護(hù)。

20、晶閘管的過(guò)電壓保護(hù)晶閘管的過(guò)電壓能力較差,當(dāng)它承受超過(guò)反向擊穿電壓時(shí),會(huì)被反向擊穿而損壞。如果正向電壓超過(guò)管子的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)造成晶閘管硬開(kāi)通,不僅使電路工作失常,且多次硬開(kāi)關(guān)也會(huì)損壞管子。因此必須抑制晶閘管可能出現(xiàn)的過(guò)電壓,常采用簡(jiǎn)單有效的過(guò)電壓保護(hù)措施。對(duì)于晶閘管的過(guò)電壓保護(hù)可參考主電路的過(guò)電壓保護(hù),我們使用阻容保護(hù)。 晶閘管的過(guò)電流保護(hù)常見(jiàn)的過(guò)電流保護(hù)有:快速熔斷器保護(hù),過(guò)電流繼電器保護(hù),直流快速開(kāi)關(guān)過(guò)電流保護(hù)。 快速熔斷器保護(hù)是最有效的保護(hù)措施;過(guò)電流繼電器保護(hù)中過(guò)電流繼電器開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)(只有在短路電流不大時(shí)才有用)直流快速開(kāi)關(guān)過(guò)電流保護(hù)功能很好,但造價(jià)高,體積大,不宜采用。因此,最佳

21、方案是用快速熔斷器保護(hù)??焖偃蹟嗥鳎?)前級(jí)整流電路負(fù)載平均電壓升高,紋波減小,且c越大,電容放電速率越慢,則負(fù)載電壓中的紋波成分越小,負(fù)載平均電壓越高。為得到平滑的負(fù)載電壓,一般取: =c(35) 式中t為電源交流電壓的周期。電容濾波電路的負(fù)載電壓與的關(guān)系約為: 令整流后輸出電壓為50v,則整流前輸入電壓 : =/1.2=50/1.2=41.7 因?yàn)殡娫礊榻涣鲉雾?xiàng)220v,變壓器變比需滿(mǎn)足: :=220:41.7=4:1此時(shí)前級(jí)整流輸出電壓e為50v。并且為滿(mǎn)足輸出電流最大2a,整流電路中每個(gè)二極管所承受的最大電流為,=/2=1a。變壓器二次側(cè)的電流2a,由變壓器變比為4:1,流過(guò)一次側(cè)的電

22、流為0.5a。(2)輸出直流電壓 要求輸出直流電壓在10100v可調(diào),由輸出電壓公式可知,當(dāng)為10v時(shí),占空比=1/6;當(dāng)為100v時(shí),占空比=2/3。即控制占空比在1/62/3之間,可得輸出直流電壓在10100v可調(diào)。為使電路正常工作驅(qū)動(dòng)電路中r1、r2為1k,r3為5.1k,r4為10k,電位器r0為0100k,r5為10k。要求最大輸出電流為2a,故負(fù)載功率范圍為20200w,流過(guò)vt二極管、v三極管的最大電流為2a。熔斷器的最大熔斷電流為2a??蛇xwickmann 181 2a陶瓷管保險(xiǎn)絲。(3) 其他器件選擇 整流電路中二極管選擇為in5232,驅(qū)動(dòng)電路 中二極管選擇為in4148,驅(qū)動(dòng)電路中c1為0.01f。五、總結(jié)及心得體會(huì) 此次電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)的過(guò)程,我感慨很多。從理論到實(shí)踐,在課程設(shè)計(jì)的這段時(shí)間,我遇到了很多困難,但是同時(shí)也學(xué)到了好多東西。它不僅鞏固了以前所學(xué)的理論知識(shí),更是學(xué)到了很多課外的東西,鍛煉了自己解決實(shí)際問(wèn)題的能力。  從最初拿到題目時(shí),感覺(jué)應(yīng)該很簡(jiǎn)單,可到真正動(dòng)手去做的時(shí)

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