微電子器件(3-7)

1、 1、對(duì)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響、對(duì)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響 2bB2BB*114WL 緩變基區(qū)小注入時(shí)，緩變基區(qū)小注入時(shí)， 均勻基區(qū)小注入時(shí)，均勻基區(qū)小注入時(shí)， B2Bb02limDW1122B2BbDW 發(fā)生大注入時(shí)發(fā)生大注入時(shí)，2BbB4WD2BbB4WD 2、對(duì)注入效率的影響、對(duì)注入效率的影響2EBC2BEE14OD WID Q 3、對(duì)電流放大系數(shù)的影響、對(duì)電流放大系數(shù)的影響22EBCB22BBEEO144D W IWLD Q 122EBCB22BBEEO144D W IWLD Q 當(dāng)越過(guò)基區(qū)的載流子以一定的濃度和一定的速度進(jìn)入集電當(dāng)越過(guò)基區(qū)的載流子以一定的濃度和一定的速度進(jìn)入集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)時(shí)，載流

2、子電荷會(huì)對(duì)勢(shì)壘區(qū)中的電荷及電場(chǎng)分布產(chǎn)生結(jié)勢(shì)壘區(qū)時(shí)，載流子電荷會(huì)對(duì)勢(shì)壘區(qū)中的電荷及電場(chǎng)分布產(chǎn)生影響，其重要后果之一，就是當(dāng)集電結(jié)電壓不變，集電極電流影響，其重要后果之一，就是當(dāng)集電結(jié)電壓不變，集電極電流增加時(shí)，中性基區(qū)會(huì)變寬，從而導(dǎo)致基區(qū)渡越時(shí)間變長(zhǎng)。這個(gè)增加時(shí)，中性基區(qū)會(huì)變寬，從而導(dǎo)致基區(qū)渡越時(shí)間變長(zhǎng)。這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為現(xiàn)象稱(chēng)為 ，或，或 。 基極電流通過(guò)基極電阻時(shí)產(chǎn)生的壓降，會(huì)使晶體管發(fā)射結(jié)基極電流通過(guò)基極電阻時(shí)產(chǎn)生的壓降，會(huì)使晶體管發(fā)射結(jié)上不同區(qū)域的偏壓不相等。由于發(fā)射極電流與發(fā)射結(jié)偏壓之間上不同區(qū)域的偏壓不相等。由于發(fā)射極電流與發(fā)射結(jié)偏壓之間有指數(shù)關(guān)系，所以發(fā)射結(jié)偏壓只要略有差異，發(fā)射極電流就

3、會(huì)有指數(shù)關(guān)系，所以發(fā)射結(jié)偏壓只要略有差異，發(fā)射極電流就會(huì)有很大的變化。當(dāng)晶體管的電流很大時(shí)，基極電阻產(chǎn)生的壓降有很大的變化。當(dāng)晶體管的電流很大時(shí)，基極電阻產(chǎn)生的壓降也就很大，這會(huì)使得發(fā)射極電流在發(fā)射結(jié)上的分布極不均勻。也就很大，這會(huì)使得發(fā)射極電流在發(fā)射結(jié)上的分布極不均勻。實(shí)際上實(shí)際上這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為為 ，又稱(chēng)為，又稱(chēng)為 。 1、電流集中型二次擊穿、電流集中型二次擊穿 當(dāng)晶體管的當(dāng)晶體管的VCE 逐漸增大到某一數(shù)值時(shí)，集電極電流急劇逐漸增大到某一數(shù)值時(shí)，集電極電流急劇上升，出現(xiàn)通常的雪崩擊穿，這個(gè)首次出現(xiàn)的擊穿稱(chēng)為一次擊上升，出現(xiàn)通常的雪崩擊穿，這個(gè)首次出現(xiàn)的擊穿稱(chēng)為一次擊穿，這是非破壞性

4、的。穿，這是非破壞性的。 當(dāng)當(dāng)VCE 再稍有增大，使再稍有增大，使 IC 增大到某一臨界值時(shí)，晶體管上增大到某一臨界值時(shí)，晶體管上的壓降突然降低，電流仍繼續(xù)增大，這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為二次擊穿。的壓降突然降低，電流仍繼續(xù)增大，這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為二次擊穿。在二次擊穿過(guò)程中，從高電壓低電流區(qū)急速地過(guò)渡到低電壓大在二次擊穿過(guò)程中，從高電壓低電流區(qū)急速地過(guò)渡到低電壓大電流區(qū)，出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象，同時(shí)晶體管發(fā)生不可恢復(fù)的損壞。電流區(qū)，出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象，同時(shí)晶體管發(fā)生不可恢復(fù)的損壞。 由于發(fā)射結(jié)的摻雜不均勻及晶格缺陷等原因，晶體管內(nèi)電由于發(fā)射結(jié)的摻雜不均勻及晶格缺陷等原因，晶體管內(nèi)電流的初始分布不可能是完全均勻的。又由于電流具有正溫度系流的初始分布不可能是完全均勻的。又由于電流具有正溫度系數(shù)，這種初始的不均勻在一定的條件下可能產(chǎn)生惡性循環(huán)，使數(shù)，這種初始的不均勻在一定的條件下可能產(chǎn)生惡性循環(huán)，使電流和溫度分布的不均勻越來(lái)越嚴(yán)重，最后導(dǎo)致電流和溫度集電流和溫度分布的不均勻越來(lái)越嚴(yán)重，最后導(dǎo)致電流和溫度集中在一個(gè)極小的區(qū)域內(nèi)。中在一