半導(dǎo)體光電器件實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書_第1頁
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文檔簡介

1、半導(dǎo)體光電器件實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書實(shí)驗(yàn)一 半導(dǎo)體光電探測材料的吸收系數(shù)和光學(xué)禁帶寬度的計(jì)算 1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?)通過對半導(dǎo)體材料透射光譜的測試,理解半導(dǎo)體材料對入射光子的吸收特性, 計(jì)算半導(dǎo)體材料的光吸收系數(shù)隨波長的變化;2)理解如何通過調(diào)整材料的組分實(shí)現(xiàn)在特定波段對光子的探測,計(jì)算半導(dǎo)體材料 的光學(xué)禁帶寬度。2實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1)測試半導(dǎo)體光電探測材料的透射光譜;2)根據(jù)測試數(shù)據(jù)計(jì)算材料的光吸收系數(shù)隨入射波長的變化,并由此推算材料的光 學(xué)禁帶寬度。3實(shí)驗(yàn)器材(設(shè)備、元器件)1)紫外 可見光分光光度計(jì)一臺;2)實(shí)驗(yàn)樣品 3 個;3)空白基片 1 個。4基于透射光譜的光吸收系數(shù)及光學(xué)禁帶寬度計(jì)算原理 當(dāng)物體受到外來光波

2、的照射時,光子會和物體中的微粒發(fā)生相互作用。由于組成物 體的分子和分子間的結(jié)構(gòu)不同,使入射光分成幾個部分:一部分被物體吸收(吸收) , 一部分被物體反射(反射) ,還有一部分穿透物體而繼續(xù)傳播(透射) 。透射是入射光經(jīng)過折射穿過物體后的出射現(xiàn)象。被透射的物體為透明體或半透明 體,若透明體是無色的,除少數(shù)光被反射外,大多數(shù)光均透過物體。為了表示透明體透 過光的程度,通常用入射光通量與透過后的光通量之比 T 來表征物體的透光性質(zhì), T 稱 為光透射率。常用的分光光度計(jì)能精確測量材料的透射率,測試方法具有簡單、操作方便、精度 高等突出優(yōu)點(diǎn),是研究半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)及其它性質(zhì)的最基本、最普遍的光學(xué)方法之一

3、。當(dāng)一定波長的光照射半導(dǎo)體材料時, 電子吸收能量后會從低能級躍遷到能量較高的 能級。對于本征吸收,電子吸收足夠能量后將從價帶直接躍遷入導(dǎo)帶。發(fā)生本征吸收的2(1)條件是:光子的能量必須等于或大于材料的禁帶寬度Eg,即h v亠 hov=gE而當(dāng)光子的頻率低于“,或波長大于本征吸收的長波限時,不可能發(fā)生本證吸收,半導(dǎo) 體的光吸收系數(shù)迅速下降,這在透射光譜上表現(xiàn)為透射率的迅速增大。光波透過厚度為d的樣品時,吸收系數(shù)同透射率的關(guān)系如式(2):(2)(3)T =(1 _R)2e:d即:2Jln皿d T其中d為樣品厚度,R是對應(yīng)波長的反射率,T是對應(yīng)波長的透射率。實(shí)驗(yàn)中,我們所選樣品為 ZnO基薄膜材料,

4、入射光垂直照射在樣品表面,且樣品 表面具有納米級的平整度,在紫外和可見光波段的反射率很小,所以在估算禁帶寬度時, 忽略反射率的影響,則吸收系數(shù) a可簡單表示為:In(4)因此,在已知薄膜厚度的情況下,可以通過不同波長的透射率求得樣品的吸收系數(shù)。在求得材料的吸收系數(shù)情況下,可以通過公式(5)計(jì)算半導(dǎo)體材料的禁帶寬度:m:h =A(h -Eg)2(5)式中,a為吸收系數(shù),hv是光子能量;Eg為材料的禁帶寬度;A是材料折射率、折合質(zhì) 量和真空中光速的函數(shù);m是常數(shù),對于直接躍遷來說,1;如果是間接躍遷,m = 4。ZnO薄膜是一種直接帶隙半導(dǎo)體,在本征吸收過程中產(chǎn)生電子的直接躍遷,因此m取1,則式(

5、5)可以表示為::h 二 A(h -Eg) 2(6)對于禁帶寬度的計(jì)算,可根據(jù)a hv hv的函數(shù)關(guān)系作圖,將吸收邊陡峭的線性 部 分外推到(a hv 2= 0處,與x軸的交點(diǎn)即為相應(yīng)的禁帶寬度值。5.實(shí)驗(yàn)步驟1)樣品準(zhǔn)備:將清洗干凈的空白基片放在樣品臺的1號位(即參考位);將摻雜濃度不同的ZnO基薄膜樣品分別置于樣品臺的2號位、3號位和4號位。42)打開儀器電源;3)選擇儀器的工作模式為波長掃描,并選擇透射率測試;4)依次測試樣品的透過率,保存數(shù)據(jù);5)實(shí)驗(yàn)測量結(jié)束,關(guān)閉電源開關(guān)。6實(shí)驗(yàn)報告要求1)整理實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果,觀察半導(dǎo)體材料吸收帶邊的變化趨勢。2)根據(jù)測試數(shù)據(jù),任選一個樣品計(jì)算材料的吸

6、收系數(shù)及光學(xué)禁帶寬度。7思考題1)從吸收系數(shù)隨波長的變化如何判斷半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)?2)通過什么技術(shù)途徑可以實(shí)現(xiàn)材料的日盲紫外探測?實(shí)驗(yàn)二 半導(dǎo)體光電導(dǎo)探測器 I-V 特性及響應(yīng)時間特性測試1 光電探測器的伏安特性和響應(yīng)時間特性光電導(dǎo)探測器的伏安特性: 由于光電導(dǎo)探測器其實(shí)質(zhì)為光敏電阻, 應(yīng)符合歐姆定律, 對多數(shù)半導(dǎo)體,當(dāng)電場強(qiáng)度超過 104 伏 /厘米(強(qiáng)光時),不遵守歐姆定律。實(shí)驗(yàn)中光電 導(dǎo)探測器樣品的電極和光電導(dǎo)體之間呈歐姆接觸,通過測試其 I-V 特性,可得其 I-V 特 性曲線大致為一條直線。響應(yīng)時間: 響應(yīng)時間是描述光電探測器對入射輻射響應(yīng)快慢的一個參數(shù)。即當(dāng)入射 輻射到光電探測

7、器后或入射輻射遮斷后, 光電探測器的輸出上升到穩(wěn)定值或下降到照射 前的值所需時間稱為響應(yīng)時間。光電導(dǎo)探測器響應(yīng)較慢,上限頻率較小。其上升時間tr定義為從最小的輸出值到峰值的 63的時間,下降時間 tf 為從峰值下降到峰值的 37 的時間。上升時間和下降時間相加即為探測器的時間常數(shù)。2實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?)了解光電導(dǎo)探測器的工作特性;2)掌握光電探測器 I-V 特性及其響應(yīng)時間特性的測量方法;3)了解光電探測器的簡單應(yīng)用電路。3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:1)光電導(dǎo)探測器的I-V特性測試;2)光電導(dǎo)探測器的響應(yīng)時間特性測試。4. 實(shí)驗(yàn)器材1)X 丫記錄儀一臺;2)數(shù)字示波器一臺;3)半導(dǎo)體光電探測器一只;4)串聯(lián)電阻一只

8、;5)紅外光源一臺。5. 實(shí)驗(yàn)步驟(1) I-V特性測試1)實(shí)驗(yàn)設(shè)備準(zhǔn)備好,檢查是否齊全。2)將探測器放置在待測支架上,如圖所示連接電路圖1探測器I-V特性測試示意圖3)打開微機(jī)及X-Y記錄儀,啟動軟件并選擇常規(guī)方式。電壓輸出設(shè)置為三角波, 范圍為-10v至+10v。4)斷開開關(guān)k,測試無光I-V特性。5)打開開關(guān)k,測試在光照下的I-V特性。6)保存結(jié)果。(2)響應(yīng)時間測試脈沖法測量光電導(dǎo)探測器的響應(yīng)時間:因?yàn)閄丫記錄儀的采樣頻率較低,無法滿足光電探測器的響應(yīng)時間測試精度。因此,在探測器響應(yīng)時間測試中,僅將X 丫記錄 儀作為恒壓源,而探測器的上升時間和下降時間通過示波器顯示并記錄。在打開光源開 關(guān)時,在示波器上會有一個上升沿 ,可以算出上升時間;關(guān)閉光源開關(guān)時 , 在示波器上有 一個下降沿 ,可以算出下降時間。1)將探測器和電阻串聯(lián)在電路中, X-Y 記錄儀作為恒壓源,以示波器測量探測器 兩端的電壓;2)打開儀器開關(guān),恒壓源提供恒定電壓;3)打開光源開關(guān),測試探測器的上升時間,記錄并保存數(shù)據(jù);4)待曲線穩(wěn)定后,關(guān)閉光源開關(guān),測試探測器的下降時間,記錄并保存數(shù)據(jù);5)測試

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