半導(dǎo)體器件與工藝

1、雙極型晶體管雙極型晶體管 哈爾濱工程大學(xué)哈爾濱工程大學(xué) 微電子學(xué)微電子學(xué) 半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體器件與工藝 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的基本結(jié)構(gòu)和分類 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管雙極型晶體管 n均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管 均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)雜質(zhì)是均勻分布的，載流子在基區(qū) 內(nèi)的傳輸主要靠擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行，又稱擴(kuò)散型晶體管。 緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)雜質(zhì)是緩變的，載流子在基區(qū)內(nèi)的 傳輸

2、除了靠擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)外，還存在漂移運(yùn)動(dòng)且往往以漂移運(yùn)動(dòng)為 主，又稱漂移型晶體管。 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管的電流放大原理 假設(shè)條件： 發(fā)射區(qū)與集電區(qū)寬度遠(yuǎn)大于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，基區(qū)寬度遠(yuǎn)小于少 子擴(kuò)散長(zhǎng)度。 發(fā)射區(qū)與集電區(qū)電阻率足夠低，外加電壓全部降落在勢(shì)壘區(qū)， 勢(shì)壘區(qū)外無電場(chǎng)。 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)空間電荷區(qū)寬度遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，且不存 在載流子的產(chǎn)生與復(fù)合。 各區(qū)雜質(zhì)均勻分布，不考慮表面的影響，且載流子僅做一維傳 輸。 小注入，即注入的非平衡少子濃度遠(yuǎn)小于多子濃度。 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)為理想突變結(jié)，且面積相等。 雙極型晶體管雙極型晶體管 n平衡晶體管的能帶和載流子的分布 雙極型晶體管雙極型晶體管

3、n非平衡晶體管的能帶和載流子的分布 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管載流子的傳輸 雙極型晶體管雙極型晶體管 n晶體管載流子的傳輸 n 發(fā)射結(jié)正向偏置發(fā)射電子 n 載流子在基區(qū)的傳輸與復(fù)合 n 集射結(jié)反向偏置收集電子 BCE III 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （1）共基極直流電流放大系數(shù) 表征從發(fā)射極輸入的電流中有多大比例傳輸?shù)郊姌O成為輸 出電流，或者說由發(fā)射極發(fā)射的電子有多大比例傳輸?shù)搅思?極。共基極接法的晶體管不能放大電流，但由于集電極允許接入 阻抗較大的負(fù)載，所以仍能夠獲得電壓放大和功率放大。 E C I I 0 n晶體管電

4、流放大系數(shù)和電流放大能力 （2）共射極直流電流放大系數(shù) 共發(fā)射極電路是用 去控制 以實(shí)現(xiàn)電流放大的。 B C I I 0 B I C I 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （3） 與 的關(guān)系 0 0 0 0 0 1 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （4）晶體管具有放大能力所滿足的條件（以NPN管為例） 發(fā)射區(qū)高摻雜，能發(fā)射大量電子； 基區(qū)低摻雜且基區(qū)寬度窄，減少電子的復(fù)合損失； 發(fā)射結(jié)正向偏置，發(fā)射電子； 集射結(jié)反向偏置，收集電子。 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 晶體管

5、的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n均勻基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n均勻基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 為什么 總是小于 ？ 主要原因在于發(fā)射極發(fā)射的電子在傳輸?shù)郊姌O的過 程中，有兩個(gè)階段電子會(huì)損失：一是發(fā)射區(qū)的電于與來自 基區(qū)的少子空穴的復(fù)合損失，該復(fù)合形成了空穴電流；一 是電子在穿越基區(qū)往集電結(jié)擴(kuò)散的過程中，與基區(qū)中空穴 的復(fù)合損失，形成體內(nèi)復(fù)合電流。 C I E I 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n均勻基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 為了表征兩個(gè)階段電子損失的比例大小，再定義兩個(gè)參量： 發(fā)射效率： 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)： peb b

6、e E n L W I XI 1 1)( 2 0 2 2 22 3 * 0 2 1 1 )()( )( nb b n C n n L W XI I XI XI 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) n緩變基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 發(fā)射效率： 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)： peb be L W 1 1 0 2 2 * 0 1 1 nb b L W eb be W W 1 1 0 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 1.在N型硅片上經(jīng)硼擴(kuò)散后，得到集電結(jié)結(jié)深 ，有源基區(qū)方塊電阻 ，再經(jīng) 磷擴(kuò)散后，得發(fā)射結(jié)結(jié)深 ，發(fā)射區(qū) 方塊電阻 。設(shè)基區(qū)少子壽命 ，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)擴(kuò)散系數(shù) ，基區(qū) 自建

7、場(chǎng)因子 ，試求該晶體管的電流放大系 數(shù) 與 分別為多少？ mx jc 1 . 2sqRSB/800 mx je 3 . 1 sqRSE/10s B 7 10 12 15 scmDB 8 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 2.在基區(qū)摻雜濃度隨距離按指數(shù)式變化的緩 變基區(qū)晶體管中，基區(qū)自建電場(chǎng)強(qiáng)度為常 數(shù)。如果基區(qū)寬度為0.3 的晶體管中存在 500 的均勻基區(qū)自建電場(chǎng)，基區(qū)中靠 近發(fā)射結(jié)一側(cè)的摻雜濃度是 ，試問 基區(qū)中靠近集電結(jié)一側(cè)的摻雜濃度為多少？ m 1 cmV 317 10 cm 提高發(fā)射區(qū)摻雜濃度，增大正向注入電流； 減小基區(qū)寬度，減少復(fù)合電流； 提高基區(qū)雜質(zhì)分布梯度，以

8、提高電場(chǎng)因子； 提高基區(qū)載流子壽命和遷移率，以增大載流子的擴(kuò)散長(zhǎng) 度。 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 晶體管基區(qū)寬變效應(yīng)晶體管基區(qū)寬變效應(yīng) 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 習(xí)題1 在材料種類相同、摻雜濃度分布相 同、基區(qū)寬度相同的條件下、PNP晶體管 和NPN晶體管相比，哪種晶體管的發(fā)射結(jié) 注入效率較大？哪種晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系 數(shù)較大？ 影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素 發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合對(duì)電流放大系數(shù)的影響 影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s對(duì)電流放大系數(shù)的影響 影響晶

9、體管的直流電流放大系數(shù)的因素影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素 基區(qū)寬變效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響 影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素 溫度對(duì)電流放大系數(shù)的影響 晶體管的直流伏安特性曲線（共基極）晶體管的直流伏安特性曲線（共基極） 晶體管的直流伏安特性曲線（共射極）晶體管的直流伏安特性曲線（共射極） 兩種組態(tài)輸出特性曲線比較兩種組態(tài)輸出特性曲線比較 n電流放大系數(shù)的差別 n 增大對(duì)電流放大系數(shù)的影響 n 減小對(duì)輸出電流的影響 CE U CE U 晶體管的穿通電壓晶體管的穿通電壓 （基區(qū)穿通）（基區(qū)穿通） 晶體管的穿通電壓晶體管的穿通電壓 （外延層穿通）（外延層穿

10、通） 外延層穿通所決定的擊穿電壓 外延層厚度 2 cc CBOB mcmc WW BUU XX jcmc dXX 3.已知某硅NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬 度 ，基區(qū)摻雜濃度 ，集電區(qū) 摻雜濃度 ，試求當(dāng) 、 時(shí) 電流放大系數(shù)如何變化并計(jì)算厄爾利電壓。 mWB5 . 2 317 10 cmN B 316 10 cmNCVVCB0VVCE10 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 4.某廠在試制晶體管時(shí)，由于不注意清潔衛(wèi)生，在高溫?cái)U(kuò)散 時(shí)引入了金、鎳等雜質(zhì)，結(jié)果得到如圖所示的晶體管輸出特 性曲線。你能否說明這個(gè)輸出特性曲線與標(biāo)準(zhǔn)輸出特性曲線 的差別在哪里，原因是什么？ 晶體管的直流電

11、流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 5.某廠在試制NPN平面管時(shí)，發(fā)現(xiàn)所得到的輸出特性曲線為 “靠背椅”式，如圖所示。你能否用基區(qū)表面形成反省層 （即所謂“溝道” ）來解釋這種輸出特性曲線？ 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 6.某廠在試制某種晶體管時(shí)，發(fā)現(xiàn)輸出特性曲線“過度傾 斜”，如圖所示。你能否用制造過程不當(dāng)，使基區(qū)過薄來解 釋此種現(xiàn)象？ 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管的直流電流放大系數(shù) 7.某廠在試制某種晶體管時(shí)，發(fā)現(xiàn)輸出特性曲線如圖所示。 你能否用集電極有較大的串聯(lián)電阻（如歐姆接觸電阻之類） 來解釋此種現(xiàn)象？如何改進(jìn)工藝條件來避免此種現(xiàn)象？ 晶體管的直流電流放大系數(shù)晶

12、體管的直流電流放大系數(shù) 8.某廠在試制某種晶體管時(shí)，發(fā)現(xiàn)輸出特性曲線如圖所示。 你能否用集電結(jié)在表面處有很大的漏電流來解釋此種現(xiàn)象？ 晶體管的頻率特性晶體管的頻率特性 晶體管的頻率特性晶體管的頻率特性 晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù)晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù) 晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù)晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù) 提高特征頻率的途徑提高特征頻率的途徑 1、減小基區(qū)寬度，并采用擴(kuò)散基區(qū)。 2、盡量減小發(fā)射極面積。 3、基區(qū)擴(kuò)散的薄層電阻大些，即基區(qū)雜質(zhì)濃度 稍低些，也有利于提高特征頻率。 4、減小集電結(jié)面積，適當(dāng)降低集電區(qū)電阻率。 晶體管的噪聲晶體管的噪聲 噪聲系數(shù)噪聲

13、系數(shù) 采用信號(hào)噪聲比（即信號(hào)功率與噪聲功率之比， 簡(jiǎn)稱信噪比）來衡量噪聲的大小。常用晶體管的輸入 信號(hào)噪聲比同輸出信號(hào)噪聲比的比值來標(biāo)志晶體管的 噪聲特性，這個(gè)比值就叫噪聲系數(shù)。 晶體管的噪聲晶體管的噪聲 噪聲來源噪聲來源 （1）熱噪聲 雜亂無章的熱運(yùn)動(dòng)疊加在載流子的有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)之上，就會(huì)引 起電流的起伏，成為噪聲。 （2）散粒噪聲 半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生、復(fù)合過程有漲有落，參加導(dǎo)電的載流 于數(shù)目將在其平均值 附近起伏，這種由載流子數(shù)目起伏而引起的噪 聲。 （3） 噪聲 在半導(dǎo)體中還存在著一種影響很大的噪聲，叫做噪聲，這種噪 聲同頻率有關(guān)，頻率越低，噪聲越大。 f 1 晶體管的功率特性晶體管的功

14、率特性 基區(qū)大注入效應(yīng)基區(qū)大注入效應(yīng) （1）大注入基區(qū)電大調(diào)制效應(yīng)和自建電場(chǎng)）大注入基區(qū)電大調(diào)制效應(yīng)和自建電場(chǎng) （2）大注入基區(qū)少子分布）大注入基區(qū)少子分布 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)縱向擴(kuò)展效應(yīng)基區(qū)縱向擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)橫向擴(kuò)展效應(yīng)基區(qū)橫向擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)對(duì)電特性的影響基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)對(duì)電特性的影響 2 2 0 1 2 ebb bpenb

15、 WW LL 0 1 2 T b ff 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)發(fā)射極電流集邊效應(yīng) ( )(0)(1)(0) BBB eff jxjej xS (1)(0) ( )(0) B BB eff ej jxxj S (1)(0) ( )( )(0) B BBB eff ej dIxjx ldxxjldx S 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)

16、發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 2 0 (1)(0)(1)(0) ( )(0)(0) 2 x BB BBB effeff ejejx Ixxjldxjlx SS ( )( ) Bb b dx dU xIx W l 222 0 (1)(0)(2)(0)1 ()( )(0) 626 eff S BSbBSb effeffSbBeffeff ejRejRkT U SdU xSRjSS q 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 1/2 1/2 6/ 2(0) eff SbB kT q S eRj 1/2 1/2 0 6/ 2(1)(0) eff SbE kT q S eRj 1/

17、21/2 1/2 00 /6 1.86 2 eff SbEpSbEp kT qkT qe S eRjRj 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率集電結(jié)最大耗散功率 集電結(jié)最大耗散功率是晶體管參數(shù)的變化不超過 規(guī)定值時(shí)的最大集電結(jié)耗散功率。 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率相關(guān)因素集電結(jié)最大耗散功率相關(guān)因素 在晶體管的散熱情況和環(huán)境溫度一定時(shí)，消耗的 功率越大，管芯的結(jié)溫就越高。由于管芯結(jié)溫不能超 過晶體管的最高結(jié)溫，因此晶體管的耗散功率也不允 許任意大。顯然與最高結(jié)溫對(duì)應(yīng)的耗散功率就是晶體 管的最大允許耗散功率，即 晶體管的最高結(jié)溫是指晶體管能正常地、長(zhǎng)期可

18、靠工作的最高PN結(jié)溫度。 () CMjMa PK TT 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 晶體管熱阻晶體管熱阻 晶體管工作時(shí)，集電結(jié)產(chǎn)生的熱量要散發(fā)到 周圍空間中去，會(huì)遇到一種阻力，把這種阻力叫 “熱阻”。晶體管的熱阻是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn) 生的熱量向外散發(fā)的能力，它表示晶體管散熱能力 的大小。 jMa T CM TT R P 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 晶體管熱阻晶體管熱阻 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 降低晶體管熱阻降低晶體管熱阻 降低內(nèi)熱阻：通過適當(dāng)減薄硅片和鋁片厚度，增大 集電結(jié)面積或周界長(zhǎng)度來減小內(nèi)熱阻。 降低外熱阻：可以通過減小接觸熱阻，增大散熱面 積來實(shí)現(xiàn)。 減少接觸熱

19、阻的措施： 盡量使管座與散熱器的接觸面平整、光滑、清 潔且不氧化。 在接觸界面處涂覆硅脂。 在安裝晶體管時(shí)，接觸面應(yīng)盡量壓緊。 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿晶體管的二次擊穿 當(dāng)集電極反向偏壓增大 到某一值時(shí)，集電極電流急 劇增加，出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，這 個(gè)首先出現(xiàn)的擊穿現(xiàn)象稱為 一次擊穿。當(dāng)集電極反向偏 壓進(jìn)一步增大，增大到某一 臨界值時(shí)，晶體管上的壓降 突然降低，而電流繼續(xù)增長(zhǎng)， 這個(gè)現(xiàn)象稱為二次擊穿。 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿晶體管的二次擊穿 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 二次擊穿機(jī)理二次擊穿機(jī)理電流集中二次擊穿電流集中二次擊穿 在晶體管內(nèi)部出

20、現(xiàn)電流局部集中，形成過熱點(diǎn)， 導(dǎo)致該處發(fā)生局部熱擊穿的結(jié)果。 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 鎮(zhèn)流電阻鎮(zhèn)流電阻 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 二次擊穿機(jī)理二次擊穿機(jī)理雪崩注入二次擊穿雪崩注入二次擊穿 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 集電極最大工作電流集電極最大工作電流 共發(fā)射極電流放大系數(shù)下降到最大值的一半時(shí) 所對(duì)應(yīng)的集電極電流。 晶體管的功率特性晶體管的功率特性 不使晶體管損壞和老化，而且工作可靠性又 較高的區(qū)域叫做安全工作區(qū)。 晶體管的安全工作區(qū)晶體管的安全工作區(qū) 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 晶體管的開關(guān)作用晶體管的開關(guān)作用 開關(guān)電路中的晶體管多采用共發(fā)射極接法。晶 體管的開

21、關(guān)作用是通過基極輸入脈沖控制集電極回 路的通斷來實(shí)現(xiàn)的。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 晶體管的開關(guān)工作區(qū)域晶體管的開關(guān)工作區(qū)域 晶體管做開關(guān)運(yùn)用時(shí)， 它的“開”與“關(guān)”兩種工 作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)子輸出特性 曲線中的飽和區(qū)和截止區(qū)。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 飽和區(qū)飽和區(qū) 在飽和狀態(tài)時(shí)，晶體管 的發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā) 射結(jié)偏壓約為0.7V，而C，E 間的壓降約為0.3V。這表明 C極電位低于B極，即集電結(jié) 也處于正向偏置，這是晶體 管飽和的重要特點(diǎn)之一。使 晶體管由放大區(qū)進(jìn)入飽和區(qū) 的臨界基極電流稱為臨界飽 和基極電流。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 截止區(qū)截止區(qū) 晶體管的發(fā)射結(jié)

22、加 上 反 向 偏 壓 （ 或 零 偏 壓），集電結(jié)也加上反 向偏壓，晶體管就處于 截止區(qū)，這時(shí)晶體管內(nèi) 只有反向漏電流流過， 其數(shù)值極小。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 理想晶體管的開關(guān)波形理想晶體管的開關(guān)波形 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 實(shí)際晶體管的開關(guān)波形實(shí)際晶體管的開關(guān)波形 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 延遲過程延遲過程 在晶體管開啟以前，晶體管處于截止態(tài)，發(fā)射結(jié)和 集電結(jié)都處于反向偏置，因此它們的勢(shì)壘區(qū)是比較寬的， 勢(shì)壘區(qū)中有比較多的空間電荷。在輸入電壓剛剛變正時(shí)， 發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘區(qū)還保持在原來的狀態(tài)，即勢(shì)壘區(qū)有比較 多的空間電荷，勢(shì)壘區(qū)還很寬。由于發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容電 壓不

23、能突變，也就是發(fā)射結(jié)仍然保持在負(fù)偏壓或零偏壓 的狀態(tài)，所以沒有析從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 上升過程上升過程 在延遲過程結(jié)束后，晶體管的發(fā)射結(jié)偏壓將繼續(xù)上升， 從0.5 V變到0.7V左右，于是發(fā)射區(qū)就向基區(qū)注人較多的電子， 電子在基區(qū)中積累，形成一定的濃度梯度，其中一部分在 基區(qū)中復(fù)合掉，其余的輸運(yùn)到集電結(jié)，形成集電極電流。隨 著發(fā)射結(jié)偏壓的上升，注入到基區(qū)的電子增多，電子的濃度 梯度增大，集電極電流也隨著增大，這就是上升過程。 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 在上升過程結(jié)束以后，由于晶體管處于過驅(qū)動(dòng)狀態(tài)， 集電結(jié)從零偏變?yōu)檎?，集電區(qū)除了要向基區(qū)注入電子 外，基區(qū)也要向集電區(qū)注入空穴，所以在集電區(qū)中也有 一部分空穴電荷累量超量貯存電荷超量貯存電荷。 貯存電荷貯存電荷 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 下降過程下降過程 在貯存過程結(jié)束后