半導體制造前道工藝

1、半導體半導體制造前道工藝制造前道工藝 半導體制造前道工藝 Attention 在參考資料的時候，有的步驟 或是工藝在不同資料里面的說 法有點出入，所以本PPT可能 有很多不對的地方，希望大家 多多指正。 半導體制造前道工藝 前道工序 晶圓處理清洗 氧化 化學氣相沉 積 光刻 蝕刻 晶圓針測 制作 半導體制造前道工藝 晶圓晶圓 晶圓是指硅半導體集成電路制作所 用的硅晶片，由于其形狀為圓形， 故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制 作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有 特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原 始材料是硅，而地殼表面有用之不 竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由 電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾 后，制成了高純

2、度的多晶硅，其純 度高達99.999999999%。 半導體制造前道工藝 晶圓處理工序晶圓處理工序 本工序主要是通過清洗、氧化、 化學氣相沉積、涂膜、曝光、顯 影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍 等反復步驟在晶圓上制作電路及 電子元件，最終在晶圓上完成數(shù) 層電路及元件加工與制作。 半導體制造前道工藝 清洗：用特殊的清洗機和不同的清 洗劑進行多道清洗。用于減少污染 物。 氧化：使硅片表面形成氧化膜。主 要方法有熱氧化法及氣相成長法。 （絕緣、保護等作用） 化學氣相沉積：反應物質(zhì)在氣態(tài)條 件下發(fā)生化學反應，生成固態(tài)物質(zhì) 沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而 制得固體材料的工藝技術。 半導體制造前道工藝 光刻加

3、工光刻加工 光刻是一種利用類似于照片洗印的原 理通過曝光和選擇性化學腐蝕將掩膜 版上的集成電路印制到硅片上的精密 表面加工技術。 硅片清洗烘干（用于減少污染物，減少缺陷，使光刻 膠更容易粘附。） 涂底 旋轉(zhuǎn)涂膠*（利用離心力） 軟烘（去除圓片表面的潮氣，增加粘附性） 邊緣光刻膠的去除 對準* 曝光*（接觸、接近、投影、步進） 后烘（平衡駐波效應，提高分辨率。） 顯影* 硬烘（提高刻蝕和注入的抵抗力，提高粘附性） 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 清洗 半導體制造前道工藝 預烘和底膜涂覆 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 半

4、導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 蝕刻蝕刻 通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻，指通過曝 光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜 去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解 腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效 果。（選擇性刻蝕轉(zhuǎn)移光刻膠上的IC設計 圖形到晶圓表面） 干法蝕刻 濕法蝕刻（ HNO3-HF-H2O(HAC) ） 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 離子注入離子注入 用離子束去撞擊固態(tài)物體。固態(tài)物 體會對離子束的運動產(chǎn)生阻礙，使 其最終留在固體中，這一現(xiàn)象就是 離子注入。(摻雜、真空、低溫、加 速) 半導體制造前道工藝 半導體制造前道工藝 晶元針測晶元針測 經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了 一個個的晶粒，然后用針測儀對每 個晶粒檢測其性能，將不合格的晶 粒標上記號。之后再把將晶圓切開， 分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其 電氣特性分類，保留合格的晶粒， 舍棄不合格的晶粒。 半導體制造前道工藝 此課