第9章電力電子技術(shù)

1、第第9章章 電力電子技術(shù)電力電子技術(shù) 范國偉范國偉 安徽工業(yè)大學(xué)安徽工業(yè)大學(xué) 電力電子技術(shù)電力電子技術(shù) l電力電子技術(shù)是使用電力電子器件對(duì)電能電力電子技術(shù)是使用電力電子器件對(duì)電能 進(jìn)行變換和控制的技術(shù)，它可以看成是弱進(jìn)行變換和控制的技術(shù)，它可以看成是弱 電控制強(qiáng)電的技術(shù)。電力電子器件是電力電控制強(qiáng)電的技術(shù)。電力電子器件是電力 電子技術(shù)的基礎(chǔ)，目前的電力電子器件均電子技術(shù)的基礎(chǔ)，目前的電力電子器件均 是由半導(dǎo)體材料制成的，故也稱電力半導(dǎo)是由半導(dǎo)體材料制成的，故也稱電力半導(dǎo) 體器件。因此，電力電子器件也往往專指體器件。因此，電力電子器件也往往專指 電力半導(dǎo)體器件?，F(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展電力半導(dǎo)體器件

2、?，F(xiàn)代電力電子技術(shù)發(fā)展 與電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展密不可分，隨新與電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展密不可分，隨新 型控制器件的誕生，新型變換電路也有新型控制器件的誕生，新型變換電路也有新 突破。突破。 9.1 電力半導(dǎo)體器件電力半導(dǎo)體器件 l電力電子器件發(fā)展非常迅速，品種也非常電力電子器件發(fā)展非常迅速，品種也非常 多，但目前最常用的主要有：電力二極管、多，但目前最常用的主要有：電力二極管、 晶閘管（晶閘管（SCR）及晶閘管派生器件、可關(guān)）及晶閘管派生器件、可關(guān) 斷晶閘管（斷晶閘管（GTO）、雙極型功率晶體管）、雙極型功率晶體管 （BJT或或GTR）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P- MOSFET）

3、、絕緣柵雙極型功率晶體管）、絕緣柵雙極型功率晶體管 （IGBT），以及新型的功率集成模塊），以及新型的功率集成模塊PIC、 智能功率模塊智能功率模塊IPM等。等。 9.1.1 晶閘管晶閘管 l晶閘管又稱可控硅（晶閘管又稱可控硅（Silicon Controlled Rectifier）是實(shí)現(xiàn)大容量功率變換和控制）是實(shí)現(xiàn)大容量功率變換和控制 的半導(dǎo)體器件，在整流、逆變、變頻、調(diào)的半導(dǎo)體器件，在整流、逆變、變頻、調(diào) 壓和開關(guān)控制等方面得到了廣泛的應(yīng)用。壓和開關(guān)控制等方面得到了廣泛的應(yīng)用。 20世紀(jì)世紀(jì)60年代以來，晶閘管研制和應(yīng)用年代以來，晶閘管研制和應(yīng)用 發(fā)展很快，特別是近年來在電力牽引、交發(fā)展

4、很快，特別是近年來在電力牽引、交 流傳動(dòng)與控制技術(shù)中，晶閘管器件都起著流傳動(dòng)與控制技術(shù)中，晶閘管器件都起著 十分關(guān)鍵的作用，晶閘管變流技術(shù)正向著十分關(guān)鍵的作用，晶閘管變流技術(shù)正向著 集成化、模塊化方向發(fā)展。集成化、模塊化方向發(fā)展。 1、晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理、晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理 l晶閘管有三個(gè)電極：陽極晶閘管有三個(gè)電極：陽極A、陰極、陰極K、門極、門極G。 l晶閘管與硅整流二極管相似，都具有反向阻晶閘管與硅整流二極管相似，都具有反向阻 斷能力，但晶閘管還具有正向阻斷能力，即晶斷能力，但晶閘管還具有正向阻斷能力，即晶 閘管的正向?qū)ū仨氂幸欢ǖ臈l件閘管的正向?qū)ū仨氂幸欢ǖ臈l件陽極加陽極加

5、正向電壓，同時(shí)門極還必須加正向觸發(fā)電壓。正向電壓，同時(shí)門極還必須加正向觸發(fā)電壓。 l晶閘管一旦導(dǎo)通，門極即失去控制作用。要晶閘管一旦導(dǎo)通，門極即失去控制作用。要 使晶閘管關(guān)斷，必須做到亮點(diǎn)：一是將陽極電使晶閘管關(guān)斷，必須做到亮點(diǎn)：一是將陽極電 流減小到小于其維持電流流減小到小于其維持電流IH，二是將陽極電壓，二是將陽極電壓 減小到零或使之反向。減小到零或使之反向。 2、晶閘管的派生器件、晶閘管的派生器件 l1）快速晶閘管（）快速晶閘管（FST）和高頻晶閘管）和高頻晶閘管 l快速晶閘管和高頻晶閘管主要用于斬波電路和高頻逆變電路中。普通快速晶閘管和高頻晶閘管主要用于斬波電路和高頻逆變電路中。普通

6、晶閘管的關(guān)斷時(shí)間為幾百微秒，快速晶閘管為幾十微秒，而高頻晶閘晶閘管的關(guān)斷時(shí)間為幾百微秒，快速晶閘管為幾十微秒，而高頻晶閘 管為管為10s左右。與普通晶閘管相比，高頻晶閘管的不足在于其電壓和左右。與普通晶閘管相比，高頻晶閘管的不足在于其電壓和 電流定額都不易做高。電流定額都不易做高。 l2）雙向晶閘管（）雙向晶閘管（TRIAC） l雙向晶閘管是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通晶閘管構(gòu)成，電路簡(jiǎn)單，工作雙向晶閘管是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通晶閘管構(gòu)成，電路簡(jiǎn)單，工作 穩(wěn)定可靠，常用在交流電路中進(jìn)行調(diào)壓，穩(wěn)定可靠，常用在交流電路中進(jìn)行調(diào)壓， l3）逆導(dǎo)晶閘管（）逆導(dǎo)晶閘管（RCT） l逆導(dǎo)晶閘管是將普通晶閘管與一

7、個(gè)續(xù)流二極管反并聯(lián)集成在同一硅片逆導(dǎo)晶閘管是將普通晶閘管與一個(gè)續(xù)流二極管反并聯(lián)集成在同一硅片 上，是一種反向?qū)ǖ木чl管。這種器件不具有承受反向電壓的能力，上，是一種反向?qū)ǖ木чl管。這種器件不具有承受反向電壓的能力， 一旦承受反向電壓即導(dǎo)通。一旦承受反向電壓即導(dǎo)通。 l4）光控晶閘管（）光控晶閘管（LTT） l光控晶閘管是利用一定波長的光照信號(hào)控制的開關(guān)器件光控晶閘管是利用一定波長的光照信號(hào)控制的開關(guān)器件. l5）門極可關(guān)斷晶閘管（）門極可關(guān)斷晶閘管（GTO） l可關(guān)斷晶閘管也屬于可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，普通晶閘管只能用門極正四層三端器件，普通晶閘管只能用門極正 信號(hào)觸發(fā)其導(dǎo)

8、通。信號(hào)觸發(fā)其導(dǎo)通。 9.1.2 其它電力半導(dǎo)體器件其它電力半導(dǎo)體器件 l1）電力晶體管（）電力晶體管（GTR） l電力晶體管（電力晶體管（Giant Transistor）是一種）是一種 耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管 （Bipolar Junction Transistor,BJT），）， 應(yīng)用于高電壓大電流場(chǎng)合。它具有自關(guān)斷，應(yīng)用于高電壓大電流場(chǎng)合。它具有自關(guān)斷， 開關(guān)時(shí)間短，飽和壓降低和安全工作區(qū)寬開關(guān)時(shí)間短，飽和壓降低和安全工作區(qū)寬 等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于交直流電機(jī)調(diào)速，等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于交直流電機(jī)調(diào)速， 中頻電源等電力變流裝置。中頻電源等電力變流裝

9、置。 2）電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（）電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power- MOSFET） l電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種大功率的場(chǎng)效應(yīng)晶體電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種大功率的場(chǎng)效應(yīng)晶體 管，它有源極管，它有源極S、漏極、漏極D和柵極和柵極G三個(gè)極，其基三個(gè)極，其基 本結(jié)構(gòu)及其符號(hào)如圖本結(jié)構(gòu)及其符號(hào)如圖9-9所示。它和場(chǎng)效應(yīng)晶體所示。它和場(chǎng)效應(yīng)晶體 管一樣可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效管一樣可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效 應(yīng)管兩大類：應(yīng)管兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：它利用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：它利用PN結(jié)反結(jié)反 向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制來改變漏極、源極向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制來改變漏極、源極 之間的導(dǎo)電溝道寬度，從而控制漏、

10、源極間電之間的導(dǎo)電溝道寬度，從而控制漏、源極間電 流的大小。流的大小。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：它利用柵極絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：它利用柵極 和源極之間電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)來改變半導(dǎo)體表面和源極之間電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)來改變半導(dǎo)體表面 的感生電荷改變導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電能力，從而控的感生電荷改變導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電能力，從而控 制漏極和源極之間的電流。制漏極和源極之間的電流。 3）絕緣柵雙極型晶體管（）絕緣柵雙極型晶體管（IGT 或或IGBT） l絕緣柵雙極晶體管（絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor, IGBT或或IGT）是由一個(gè)柵極為）是由一個(gè)柵極為MOS 結(jié)構(gòu)的（絕緣柵）晶體管

11、并聯(lián)一個(gè)其基極同結(jié)構(gòu)的（絕緣柵）晶體管并聯(lián)一個(gè)其基極同 PNP晶體管互補(bǔ)連接的晶體管互補(bǔ)連接的NPN晶體管，這種連接晶體管，這種連接 方式恰好是方式恰好是PNPN四層的晶閘管等效電路（如四層的晶閘管等效電路（如 圖圖9-11(a)）。其等效電路如圖）。其等效電路如圖9-11（b）所示。）所示。 l它綜合了它綜合了MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙）和雙 極晶體管（極晶體管（GTR）的優(yōu)點(diǎn)，因此，逐步取代了）的優(yōu)點(diǎn)，因此，逐步取代了 MOSFET和和GTR的單獨(dú)使用。的單獨(dú)使用。IGBT具有輸入阻具有輸入阻 抗高，開關(guān)速度快，工作電壓高，承受電流大，抗高，開關(guān)速度快，工作電壓高

12、，承受電流大， 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，功率大等優(yōu)點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，功率大等優(yōu)點(diǎn)。 4）靜電感應(yīng)晶體管（）靜電感應(yīng)晶體管（SIT） l靜電感應(yīng)晶體管（靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor） 是一種多子導(dǎo)電的器件，它實(shí)際上是一種結(jié)型是一種多子導(dǎo)電的器件，它實(shí)際上是一種結(jié)型 場(chǎng)效應(yīng)晶體管。將用于信息處理的小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。將用于信息處理的小功率SIT器器 件的橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即可制件的橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即可制 成大功率的成大功率的SIT器件。其符號(hào)如圖器件。其符號(hào)如圖9-13所示，三所示，三 個(gè)引出極分別為源極個(gè)引出極分別為源極S、漏極、漏極D和

13、柵極和柵極G。在柵。在柵 極信號(hào)時(shí)，源極和漏極之間的極信號(hào)時(shí)，源極和漏極之間的N型半導(dǎo)體是很型半導(dǎo)體是很 寬的垂直導(dǎo)電溝道，因此寬的垂直導(dǎo)電溝道，因此SIT稱為正常導(dǎo)通型器稱為正常導(dǎo)通型器 件。在柵源極加負(fù)電壓信號(hào)時(shí)，件。在柵源極加負(fù)電壓信號(hào)時(shí)，P型和型和N型層之型層之 間的間的PN結(jié)受反向電壓形成了耗盡層，耗盡層不結(jié)受反向電壓形成了耗盡層，耗盡層不 導(dǎo)電，如果反向電壓足夠高耗盡層很寬，垂直導(dǎo)電，如果反向電壓足夠高耗盡層很寬，垂直 導(dǎo)電溝道將被夾斷使導(dǎo)電溝道將被夾斷使SIT關(guān)斷。關(guān)斷。 5）靜電感應(yīng)晶閘管（）靜電感應(yīng)晶閘管（SITH） l靜電感應(yīng)晶閘管（靜電感應(yīng)晶閘管（Static Induc

14、tion Thyristor）是在）是在SIT的漏極層上附加一層的漏極層上附加一層 與漏極層導(dǎo)電類型不同的發(fā)射極層而得到與漏極層導(dǎo)電類型不同的發(fā)射極層而得到 的，可以看作是的，可以看作是SIT和和GTO復(fù)合而成。復(fù)合而成。 6）MOS控制晶閘管（控制晶閘管（MCT） lMOS控制晶閘管（控制晶閘管（MOS Controlled Thyristor）是將）是將MOSFET與晶閘管組合與晶閘管組合 而成的復(fù)合型器件。其電氣圖形符號(hào)如圖而成的復(fù)合型器件。其電氣圖形符號(hào)如圖 9-15所示。所示。MCT集集MOSFET的高輸入阻的高輸入阻 抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程和晶閘抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過

15、程和晶閘 管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)于管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)于 一身，具有高電壓、大電流、高載流密度、一身，具有高電壓、大電流、高載流密度、 低通態(tài)壓降、開關(guān)損耗小的特點(diǎn)。低通態(tài)壓降、開關(guān)損耗小的特點(diǎn)。 7）集成門換流晶閘管（）集成門換流晶閘管（IGCT） l集成門換流晶閘管（集成門換流晶閘管（Integrated Gate- Commutated Thyristor）是把可關(guān)斷晶）是把可關(guān)斷晶 閘管閘管GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū) 動(dòng)電路集成在一起，再將其門極驅(qū)動(dòng)器在動(dòng)電路集成在一起，再將其門極驅(qū)動(dòng)器在 外圍以低電感方式連接環(huán)狀的門電極。外圍

16、以低電感方式連接環(huán)狀的門電極。 lIGCT是是20世紀(jì)世紀(jì)90年代后期出現(xiàn)的新型電年代后期出現(xiàn)的新型電 力電子器件，又稱為發(fā)射極關(guān)斷晶閘管力電子器件，又稱為發(fā)射極關(guān)斷晶閘管 ETO。它具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率。它具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率 較高、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、損耗低、成較高、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、損耗低、成 本低、成品率較高等特點(diǎn)。本低、成品率較高等特點(diǎn)。 8）集成功率模塊）集成功率模塊 l智能功率模塊（智能功率模塊（Intelligent Power Module, IPM）把功率開關(guān)器件與驅(qū)動(dòng)電）把功率開關(guān)器件與驅(qū)動(dòng)電 路集成在一起。路集成在一起。IPM就是就是IGBT芯片、驅(qū)芯

17、片、驅(qū) 動(dòng)器、全面的傳感保護(hù)以及自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)動(dòng)器、全面的傳感保護(hù)以及自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng) 的集合。在變頻器中相對(duì)成為一個(gè)小的獨(dú)的集合。在變頻器中相對(duì)成為一個(gè)小的獨(dú) 立系統(tǒng)，這個(gè)系統(tǒng)所能完成的功能相當(dāng)于立系統(tǒng)，這個(gè)系統(tǒng)所能完成的功能相當(dāng)于 一個(gè)功率變換核心所做的全部工作。一個(gè)功率變換核心所做的全部工作。 l由于由于IPM工作頻率高，電流、電壓容量都工作頻率高，電流、電壓容量都 很大，目前，很大，目前，IPM正以強(qiáng)大的功能和較高正以強(qiáng)大的功能和較高 的可靠性贏得越來越廣泛的市場(chǎng)。的可靠性贏得越來越廣泛的市場(chǎng)。 9.2 電力半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路電力半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路 l電力電子器件的驅(qū)動(dòng)是通過控制極加一定

18、電力電子器件的驅(qū)動(dòng)是通過控制極加一定 的信號(hào)使器件導(dǎo)通或關(guān)斷，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)使器件導(dǎo)通或關(guān)斷，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào) 的電路稱為驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路是主電路的電路稱為驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路是主電路 和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路 可使器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，縮短可使器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，縮短 開關(guān)時(shí)間，減小開關(guān)損耗，提高裝置的運(yùn)開關(guān)時(shí)間，減小開關(guān)損耗，提高裝置的運(yùn) 行效率。此外，器件的保護(hù)通常也通過驅(qū)行效率。此外，器件的保護(hù)通常也通過驅(qū) 動(dòng)電路來實(shí)現(xiàn)。動(dòng)電路來實(shí)現(xiàn)。 9.2.1 半控型電力半導(dǎo)體器件的半控型電力半導(dǎo)體器件的 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路 l晶閘管采用

19、脈沖觸發(fā)，其門極觸發(fā)脈沖電流的理想波形晶閘管采用脈沖觸發(fā)，其門極觸發(fā)脈沖電流的理想波形 如圖如圖9-18所示。晶閘管的驅(qū)動(dòng)電路常稱為觸發(fā)電路，它所示。晶閘管的驅(qū)動(dòng)電路常稱為觸發(fā)電路，它 包括觸發(fā)脈沖的放大和輸出環(huán)節(jié)。常見的晶閘管觸發(fā)電包括觸發(fā)脈沖的放大和輸出環(huán)節(jié)。常見的晶閘管觸發(fā)電 路如圖路如圖9-19所示。其脈沖放大環(huán)節(jié)由所示。其脈沖放大環(huán)節(jié)由V1、V2構(gòu)成，脈構(gòu)成，脈 沖輸出環(huán)節(jié)是由脈沖變壓器沖輸出環(huán)節(jié)是由脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成的。當(dāng)和附屬電路構(gòu)成的。當(dāng) V1、V2導(dǎo)通時(shí)，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰導(dǎo)通時(shí)，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰 極之間輸出觸發(fā)脈沖。極之間輸出觸發(fā)脈沖

20、。VD1和和R3是為了使是為了使V1、V2由導(dǎo)由導(dǎo) 通變?yōu)榻刂箷r(shí)脈沖變壓器通變?yōu)榻刂箷r(shí)脈沖變壓器TM釋放其儲(chǔ)存的能量而設(shè)的。釋放其儲(chǔ)存的能量而設(shè)的。 為了獲得觸發(fā)脈沖波形中的強(qiáng)脈沖部分，還需添加其他為了獲得觸發(fā)脈沖波形中的強(qiáng)脈沖部分，還需添加其他 電路環(huán)節(jié)。強(qiáng)觸發(fā)是為了加快晶閘管的導(dǎo)通速度，普通電路環(huán)節(jié)。強(qiáng)觸發(fā)是為了加快晶閘管的導(dǎo)通速度，普通 要求時(shí)也可以不需要強(qiáng)觸發(fā)。要求時(shí)也可以不需要強(qiáng)觸發(fā)。 9.2.2 全控型電力半導(dǎo)體器件的全控型電力半導(dǎo)體器件的 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路 l1、電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路、電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路 lGTR是電流驅(qū)動(dòng)型器件。電流驅(qū)動(dòng)型器件對(duì)觸發(fā)脈沖前是電流驅(qū)動(dòng)型器

21、件。電流驅(qū)動(dòng)型器件對(duì)觸發(fā)脈沖前 沿幅值和陡度要求高，整個(gè)導(dǎo)通期間都要施加正門極電沿幅值和陡度要求高，整個(gè)導(dǎo)通期間都要施加正門極電 流，關(guān)斷時(shí)施加負(fù)向電壓，減小關(guān)斷時(shí)間。理想的流，關(guān)斷時(shí)施加負(fù)向電壓，減小關(guān)斷時(shí)間。理想的GTR 基極驅(qū)動(dòng)電流波形如下圖所示?；鶚O驅(qū)動(dòng)電流波形如下圖所示。 2、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路 l電力電力MOSFET和和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。電壓驅(qū)動(dòng)型是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。電壓驅(qū)動(dòng)型 器件的柵源極之間具有極間電容，為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，器件的柵源極之間具有極間電容，為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓， 要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻；通常在柵極串入低要求驅(qū)動(dòng)電路具有較

22、小的輸出電阻；通常在柵極串入低 值電阻有利于降低寄生振蕩，關(guān)斷時(shí)施加負(fù)壓有利于減值電阻有利于降低寄生振蕩，關(guān)斷時(shí)施加負(fù)壓有利于減 小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。 9.3.1 直流斬波電路直流斬波電路 l直流斬波電路（直流斬波電路（DC Chopper）是將一個(gè)恒定）是將一個(gè)恒定 的直流電壓變換成另一個(gè)固定的或可調(diào)的直流的直流電壓變換成另一個(gè)固定的或可調(diào)的直流 電壓，也稱直流斷續(xù)器、調(diào)壓器或電壓，也稱直流斷續(xù)器、調(diào)壓器或DC/DC變換變換 電路。電路。 l直流斬波電路（直流斬波電路（DC Chopper）一般是指直接）一般是指直接 將直流變成直流的情況，不包括直流將直流變成直流的情

23、況，不包括直流-交流交流-直流直流 的情況；直流斬波電路的種類很多，包括：降的情況；直流斬波電路的種類很多，包括：降 壓斬波電路，升壓斬波電路，升降壓斬波電路，壓斬波電路，升壓斬波電路，升降壓斬波電路， Cuk斬波電路，斬波電路，Sepic斬波電路，斬波電路，Zeta斬波電路，斬波電路， 其中前兩種是最基本的電路，將對(duì)其重點(diǎn)介紹。其中前兩種是最基本的電路，將對(duì)其重點(diǎn)介紹。 下面本節(jié)主要介紹直流降壓、升壓斬波電路。下面本節(jié)主要介紹直流降壓、升壓斬波電路。 9.3.2 交流調(diào)壓電路交流調(diào)壓電路 l把兩個(gè)晶閘管反并聯(lián)后串聯(lián)在交流電路中，把兩個(gè)晶閘管反并聯(lián)后串聯(lián)在交流電路中， 通過對(duì)晶閘管的控制就可以

24、控制交流電力，通過對(duì)晶閘管的控制就可以控制交流電力， 這種電路不改變交流電的頻率，稱為交流這種電路不改變交流電的頻率，稱為交流 電力控制電路。在每半個(gè)周波內(nèi)通過對(duì)晶電力控制電路。在每半個(gè)周波內(nèi)通過對(duì)晶 閘管開通相位的控制，可以方便地調(diào)節(jié)輸閘管開通相位的控制，可以方便地調(diào)節(jié)輸 出電壓的有效值，這種電路稱為交流調(diào)壓出電壓的有效值，這種電路稱為交流調(diào)壓 電路。電路。 9.4 逆變電路逆變電路 l逆變是把直流電轉(zhuǎn)變成交流電，是整流的逆變是把直流電轉(zhuǎn)變成交流電，是整流的 逆過程。逆變電路是把直流電逆變成交流逆過程。逆變電路是把直流電逆變成交流 電的電路。逆變按照負(fù)載的性質(zhì)，分為有電的電路。逆變按照負(fù)載的性質(zhì)，分為有 源逆變和無源逆變。本節(jié)介紹有源逆變和源逆變和無源逆變。本節(jié)介紹有源逆變和 無源逆變電路的工作原理，重點(diǎn)介紹無源無源逆變電路的工作原理，重點(diǎn)介紹無源 逆變。有源逆變介紹以晶閘管為開關(guān)元件逆變。有源逆變介紹以晶閘管為開關(guān)元件 的相控方式。無源逆變主要介紹以可關(guān)斷的相控方式。無源逆變主要介紹以可關(guān)斷 器件構(gòu)成的器件構(gòu)成