模擬電子技術(shù)習(xí)題答案1

1、模擬電子技術(shù)習(xí)題答案電工電子教學(xué)部2012.2第一章 緒論一、填空題：1. 自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過 傳感器 將非電量轉(zhuǎn)換為電量，即 電信號 。2. 信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的 頻譜 。3. 通過傅立葉變換可以實(shí)現(xiàn)信號從 時域 到頻域的變換。4. 各種信號各頻率分量的 振幅 隨角頻率變化的分布，稱為該信號的幅度頻譜。5. 各種信號各頻率分量的 相位 隨角頻率變化的分布，稱為該信號的相位頻譜。6. 周期信號的頻譜都由 直流分量 、 基波分量 以及 無窮多項(xiàng)高次諧波分量 組成。7. 在時間上和幅值上均是連續(xù)的信號稱為模擬信號。8. 在時間上和幅值上均是離散的信號稱為數(shù)字信號。9.

2、 放大電路分為 電壓放大電路 、 電流放大電路 、互阻放大電路 以及 互導(dǎo)放大電路 四類。10. 輸入電阻 、輸出電阻 、增益 、 頻率響應(yīng) 和 非線性失真 等主要性能指標(biāo)是衡量放大電路的標(biāo)準(zhǔn)。11. 放大電路的增益實(shí)際上反映了 電路在輸入信號控制下，將供電電源能量轉(zhuǎn)換為信號能量 的能力。12. 放大電路的電壓增益和電流增益在工程上常用“分貝”表示，其表達(dá)式分別是 電壓增益 20lg Av dB 、 電流增益 20lg Ai dB 。13. 放大電路的頻率響應(yīng)指的是，在輸入正弦信號情況下，輸出隨 輸入信號頻率連續(xù)變化 的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。14. 幅頻響應(yīng)是指 電壓增益的模與角頻率 之間的關(guān)系 。、某放

3、大電路輸入信號為15. 相頻響應(yīng)是指 放大電路輸出與輸入正弦電壓信號的相位差與角頻率 之間的關(guān)系 。10pA 時，輸出為 500mV，它的增益是多少？屬于哪一類放大電路？解：Arvoii500mV10pA100.511VA 5 1010屬于互阻放大電路三、某電唱機(jī)拾音頭阻為 1M，輸出電壓為 1V（有效值），如果直接將它與 10 揚(yáng)聲器連接，揚(yáng)聲器上的 電壓為多少？如果在拾音頭與揚(yáng)聲器之間接入一個放大電路，它的輸入電阻Ri =1M，輸出電阻 Ro=10，電壓增益為 1，試求這時揚(yáng)聲器上的電壓。該放大電路使用哪一類電路模型最方便？解：直接將它與 10 揚(yáng)聲器連接，揚(yáng)聲器上的電壓 Vo101V 1

4、06 1V 10 5 Vo 1M 10106 在拾音頭與揚(yáng)聲器之間接入放大電路后，使用 電壓放大電路模型 ，則等效電路如下圖所示Vi1M 1V1M 1M 0.5V揚(yáng)聲器上的電壓 VoLAvoVi1 0.5V 0.25VRL Ro10 10 四、試說明為什么常選用頻率可連續(xù)變化的正弦波信號發(fā)生器作為放大電路的實(shí)驗(yàn)、測試信號源。用它可 以測量放大電路的哪些性能指標(biāo)？答：因?yàn)檎也ㄐ盘栐诜?、頻率、初相位均為已知常數(shù)時，信號中就不再含有任何未知信息。并且任何 信號都可以展開為傅里葉級數(shù)表達(dá)式，即正弦波信號各次諧波分量的組合。正因?yàn)槿绱?，正弦波信號常?為標(biāo)準(zhǔn)信號用來對模擬電子電路進(jìn)行測試。用它可以測

5、量放大電路的輸入電阻、輸出電阻、增益、頻率響 應(yīng)和非線性失真。五、在某放大電路輸入端測量到輸入正弦信號電流和電壓的峰峰值分別為10A 和 25mV，輸出端接 4k電阻負(fù)載，測量到正弦電壓信號的峰峰值1V。試計(jì)算該放大電路的電壓增益 Av、電流增益 Ai 、功率增益解：Avvovi1V25mV40(32dB)Aiio 1V/4k ii10 A(28dB)Ap，并分別換算成 dB 數(shù)表示。Ap Av Ai 40 25 1000 (30dB)六、某音響系統(tǒng)放大電路的幅頻響應(yīng)如圖所示，放大電路的帶寬是多少？半功率點(diǎn)是哪兩個點(diǎn)？半功率點(diǎn) 處的增益較中頻區(qū)的增益下降了多少分貝？折合百分比為多少？答：帶寬

6、= fH - f L =2104- 20210 4Hz半功率點(diǎn)指增益較中頻區(qū)增益下降3dB的頻率點(diǎn)（即對應(yīng) f H、f L），其輸出功率約等于中頻區(qū)輸出功率的一半。增益較中頻區(qū)增益下降所折合的百分比為70.7 。第二章 運(yùn)算放大器一、填空題：1理想運(yùn)算放大器的性能參數(shù)均被理想化，即輸入電阻為無窮大 ，輸出電阻為 零 ，開環(huán)電壓增益為 無窮大 ，輸出電壓為 接近正負(fù)電源值 。2運(yùn)算放大器有兩個工作區(qū)。在線性 區(qū)工作時，放大器放大小信號；當(dāng)輸入為大信號時，它工作在非線性 區(qū)，輸出電壓擴(kuò)展到 飽和值 。3運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時，具有 虛短 和 虛斷 兩個特點(diǎn)，凡是線性電路都可利用這兩個概念 來分析

7、電路的輸入、輸出關(guān)系。4反相比例運(yùn)算電路中集成運(yùn)放反相輸入端為 虛地 點(diǎn)，而同相比例運(yùn)算電路中集成運(yùn)放兩個輸入端對 地的電壓基本上 相等 。5 同 相 比例運(yùn)算電路的輸入電流等于零，而 反相 比例運(yùn)算電路的輸入電流等于流過反饋電阻的 電流。6同相 運(yùn)算電路的電壓增益 Au1； 反相 運(yùn)算電路的電壓增益 Au0.7V；而處于飽和區(qū)時， UCE 0.7V 。解：(a) NPN 硅管，工作在飽和狀態(tài)；(b) PNP 鍺管，工作在放大狀態(tài)；(c) PNP 鍺管，管子的 b-e 結(jié)已開路；(d) NPN 硅管，工作在放大狀態(tài)；(e) PNP 鍺管，工作在截止?fàn)顟B(tài)；(f) PNP 鍺管，工作在放大狀態(tài)；(

8、g) NPN 硅管，工作在放大狀態(tài)；(h) PNP 硅管，工作在臨界飽和狀態(tài)。2測得放大電路中的兩只晶體管的各電極直流電位如圖3.2 所示。試在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。3已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)分別為 50和 100，現(xiàn)測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖所示。試分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向，并在圓圈中畫出管子。T 的工作狀態(tài)解：（1）當(dāng)（2）當(dāng)UBB0 時， T處于截止?fàn)顟B(tài)，UBB 1V 時，因?yàn)閁O 12V。IBI BSU BB UBE 60 A RbUCC UCES 240 AIBI BSRcT 工作在放大狀態(tài)。ICUOIBUCC3mAI CRc

9、9V四、電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時UBE0.7V ，=50。試分析 UBB為 0V、1V、1.5V 三種情況下及輸出電壓 UO的值。3）當(dāng) UBB3V 時，因?yàn)镮BU BB U BE 460 ARbIBIBS T 工作在飽和狀態(tài)。UOU CES 0V五、（1）有兩只晶體管，一只的 200， I CEO 200A；另一只的 100，ICEO10A，其它參數(shù)大致相同。 你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？答：應(yīng)選用 100，I CEO 10 A的管子，可使管子在構(gòu)成放大電路時溫度穩(wěn)定性高。（2）當(dāng)溫度升高時，三極管的 （增大），反向飽和電流 I CBO（ 增大 ） , UBE（ 減小 ） ，最終導(dǎo)致集電

10、極電流I C（增大）。（3）三極管的安全工作區(qū)受哪些極限參數(shù)的限制？使用時，如果超過某項(xiàng)極限參數(shù)，試分別說明將會發(fā)生 什么結(jié)果。答：三極管的安全工作區(qū)受 PCM、I CM、U（BR）CEO三個極限參數(shù)的限制。PCM過大，集電結(jié)發(fā)熱，結(jié)溫上升，當(dāng)結(jié)溫超過最高工作溫度（硅管150，鍺管 70）時， BJT 性能下降，甚至?xí)龎摹 CM過大， BJT不一定會燒壞，但 值將過小，放大能力太差。 U（BR）CEO過大，使 I CEO明顯增大，導(dǎo)致集電結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿。4.2一、（ 1）放大電路組成原則有哪些？利用這些原則分析（2）題（2）試分析圖示各電路是否能夠放大正弦交流信號，簡述理由。設(shè)圖中所有電容

11、對交流信號均可視為短路。答：（1）放大電路組成原則：設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)（即保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏）保證交流信號暢通無阻。2） a. 不能，ui 被 VBB短路；b.能；c.不能， ui 不能直接馱載在靜態(tài)電壓之上，其間需加隔直流電容器；d.不能，發(fā)射極回路無電阻會使回路電流過大而燒壞BJT。另外實(shí)用電路中交、直流電源不能串聯(lián)使用，它們的電源負(fù)極需共地；e. 不能，電容 C2將 ui 短路；f. 不能，無集電極電阻 Rc 會使輸出信號被 VCC短路。二、（1）在電子電路中，放大的實(shí)質(zhì)是什么？放大的對象是什么？負(fù)載上獲得的電壓或功率來自何處？（ 2）為什么要設(shè)置 Q點(diǎn)？（3）由于放大電路中存

12、在著電抗元件，其交、直流通路不相同，請回答如何畫直流通路？如何畫交流 通路？ 答：（1）放大的實(shí)質(zhì)是對放大器件（即能量控制部件）的控制作用。放大的對象是交流小信號。 負(fù)載上獲得的電壓或功率來自直流電源。（ 2）設(shè)置 Q點(diǎn)的目的是保證輸入交流小信號不失真地放大。（3）直流通路：將電路中耦合和旁路電容的作用去掉，即斷路。 交流通路：對一定頻率圍的交流信號而言，耦合和旁路電容可視為短路； 對交流信號，電路中阻很小的直流電壓源可視為短路；阻很大的直流電流源可視 為開路。、畫出圖示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對交流信號均可視為短路。4.3一、在下圖所示電路中， 已知晶體管的 80，r be 1

13、k，Ui 20mV；靜態(tài)時 UBEQ 0.7V ，UCEQ 4V，I BQ20A。 判斷下列結(jié)論是否正確，凡對的在括號打“ ”，否則打“” 。1）44 3 200 （ ）10 3u203）Au805400 （ ）15）Ri20 （20）k201k （ ）7）Ri3k （）9）Ro5k （）2）Au45.71 （ ）0.74）Au80 2.5 200（ ）16）Ri（ 0.7 ）k 35k （ ）0.02（ 8 ）Ri1k （ ）（10）Ro 2.5k （ ）11） Us 20mV （ ）12） Us 60mV （ ）二 、 電路如圖所示，已知晶體管 50，在下列情況下，用直流電壓表測晶體管的集

14、電極電位，應(yīng)分別為多少？設(shè) VCC 12V，晶體管飽和管壓降 VCES 0.5V 。（1）正常情況（2）Rb1短路（3）Rb1開路（ 4）Rb2開路（ 5） RC短路解 ：（ 1） I B0.022mAI BRc 6.4V2）VBE 0, BJT截止， VC 12V0.22mAIBSVCC VCESRc0.045mAI B I BS， BJT飽和， VC VCES 0.5V4 ) BJT截止， VC 12V5 ) VC 12V三 、 放大電路的直流負(fù)載線和交流負(fù)載線的概念有何不同？什么情況下兩條負(fù)載線重合？ 答：直流負(fù)載線：由直流通路確定，其斜率等于-1/ Rc 的一條直線。交流負(fù)載線：由交流

15、通路確定，其斜率等于1/RL 的一條直線。由于 RL Rc ，故 交流負(fù)載線的斜率大 于直流負(fù)載線的斜率。當(dāng)負(fù)載 RL 斷路時，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線重合。四 、 共發(fā)射極放大電路及三極管的伏安特性如圖所示。（1）用圖解法求出電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，并分析這個工作點(diǎn)選得是否合適？（2）在 UCC和三極管參數(shù)不變的情況下，為了把三極管的集射極電壓UCEQ提高到 5V 左右，可以改變哪些電路參數(shù)？如何改變？（3）在 UCC和三極管參數(shù)不變的情況下， 為了使 I CQ=2mA，UCEQ=2V，應(yīng)改變哪些電路參數(shù)， 改變到什么數(shù)值？解：(1) I B10 0.751018.2A，可知靜態(tài)工作位置在Q點(diǎn)，不合

16、適；（2）為了把三極管的集電極電壓 UCEQ提高到 5V 左右，可以有多種 Rc與 Rb 的組合。若將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè) 置在 Q點(diǎn)，則 Rc 保持不變，取 Rb100k，故 I B90 A。（3）應(yīng)將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在 Q 點(diǎn)，可得： Rc=4K， Rb250K。五 、 電路如圖（ a）所示，該電路的交、直流負(fù)載線繪于圖（b）中。試求：（1）VCC、I BQ、I CQ、 VCEQ的值；（2）電阻 Rb、Rc 的值；（3）輸出電壓的最大不失真幅度；（4）要使該電路能不失真地放大，基極正弦電流的最大幅值是多少？解 ：（ 1） VCC=6V， I BQ=20A， I CQ=1mA， VCEQ=3V；（ 2

17、） Rb VCC/ I BQ=300k ， Rc=（ VCC- V CEQ）/ I CQ=3 k ；（3） Vom=4.5V-3V=1.5V ；（4）I bm20A、單管放大電路如圖所示，已知 BJT 的電流放大系數(shù) 50。1)估算 Q點(diǎn)；2)畫出簡化 H 參數(shù)小信號等效電路；3)估算 BJT 的輸入電阻 r be和放大電路的輸入電阻 Ri 、輸出電阻 Ro；如輸出端接入 4k 的負(fù)載電阻，計(jì)算 Av=vo / vi 和 Avs =vo / vs。解：1)2)3)4)I BQ40A， I CQ=2mA， VCEQ=4V；r be =863， Ri =Rb /AvRc / RL rbeRs Av

18、r be r be， Ro= Rc=4 k ；1160.633 116 734.4一 、 引起放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的主要因素是什么？ 答：電源電壓的波動、元件參數(shù)的分散性及元件的老化、環(huán)境溫度的變化等。其中環(huán)境溫度的變化影響最 大。二 、 電路如圖所示，其偏置電路中的熱敏電阻Rt 具有負(fù)溫度系數(shù)，問能否起到穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用？答：（ a）能起到穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用，I BI C （控制 I C ）。I BIC （工作點(diǎn)向飽和區(qū)移動 ）溫度Rt / Rb2VBVBE（ b ） 不 能起到穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用，溫度Rt / Rb1VBVBE、電路如圖所示，晶體管的 60 ， rbb 100。（ 1） 求

19、解 Q 點(diǎn)；（ 2）畫出微變等效電路，并求 Au、Ri 和 Ro；3）解 ：（ 1） Q點(diǎn) ：I BQU CC U BEQI CQU CEQ31ARb (1)ReI BQ 1.88mAU CC I CQ (Rc Re) 4.48V2)微變 等效電路：EQRi Rb rbe 939(Rc RL)Auc L 95.8rbeRo Rc 3k3) 設(shè) US 10mV(有效 值)，則UiRiRs RiUs3.2mVU oAu U i306mV若 C3 開 路 ， 則RiAuUiRb rbe (1)ReRc RLRe1.551.3kRiRs RiUs9.6mVU oAu Ui 14.4mV四、電路如下圖

20、(a) 所示，已知晶體管的=100， rbb =100 ， UBEQ=0.7V 。(1 )試估算該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)( I CQ，UCEQ)；(2 )畫出電路的微變等效電路( C1，C2，Ce足夠大)；(3 )求該電路的電壓增益 Au；Rb2應(yīng)該將其增大還是減小？(4 )求輸入電阻 Ri 和輸出電阻 Ro；(5 )當(dāng)出現(xiàn)下圖 (b) 所示失真時，請問是何種失真？若調(diào)整ICQRfReRL(3)Rf)Rf(4)(5)Rb1Rb1U BQI EQRerbe (1I CQ (Rc(2 )畫微變等效電路電路如圖所示，晶體管的80， rbe=1k 。解： (1 )估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)3.75V1.5mAU

21、CEQ U CCRf ) 4.5Vrbe 1.85k Au1)求出 Q點(diǎn)；U BQ U BEQ2.434.52)分別求出 RL 和 RL 3k 時電路的 Au 和 Ri ；Ri Rb1 /Rb2 / rbe (1飽和失真， Rb2 增大。Ro Rc5k 7k3)求出 Ro 。I EQ2.61 mA ， UCEQ7.17V ；解 ：( 1) I BQ32.3 A，2) RLRiRb/ rbe (1)Re110kAu(1)Rcrbe (10.996 )ReRL3k: Ri Rb/ rbe (1)(Re / RL )76k Au)Rc / RL(1 c L 0.992 rbe (1)(Re / RL

22、 )3)Ro Re/ (Rs / Rb) rbe37二、 共基電路如圖所 設(shè) 49 ， Rs 0 ， RL 輸入電阻和輸出電阻。解： rbe 200 (1 49)26115001.5krbeRirbe三、按要求填寫下表30 Ro Rc 5k 示。射極電路里接入一恒流源， 。 試確定電路的電壓增益、電路名稱連接方式（ e、c、 b）性能比較（大、中、?。┕矘O輸入極輸出極AuAiRiRo其它共射電路ebc大大中大針對固定式偏置電路共集電路cbe小大大小共基電路bec大小小大頻帶寬4.6、判斷圖 4.6.1 所示各兩級放大電路中， T1 和 T2 管分別組成哪種基本接法的放大電路。設(shè)圖中所有電容對

23、于交流信號均可視為短路。答：a）共射共基； （ b）共射共射； （c）共集共基4.7、選擇正確答案填入空。（ 1）測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條件是AA.輸入電壓幅值不變，改變頻率B.輸入電壓頻率不變，改變幅值C.輸入電壓的幅值與頻率同時變化2）放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是B ，而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值降的原因是 AA. 耦合電容和旁路電容的存在B. 半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。C. 半導(dǎo)體管的非線性特性D. 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適fL 或f H時，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的3）當(dāng)信號頻率等于放大電路的A.0.5 倍即增益下降

24、 A 。B.0.7 倍 C.0.9 倍A.3dBB.4dBC.5dBC32解： Au1 10 1 j f5 j f 105105 1 j1071 101 j1f 1 j1f0 1 j 2.5f H、下限頻率 f L 。題 4.7.2 圖100益 Aus m、上限頻率 f H、下限頻率 f L。 f L 時， U o 與 U i 相位關(guān)系是CA. 45B. 90C. 135當(dāng) f f H 時， U o 與 U i 的相位關(guān)系是A. 45B. 135C. 225、已知某共射放大電路的波特圖如下圖所示，試寫出Au 的表達(dá)式并確定電路的中頻增益Ausm、上限頻率5Aus m=100 ， f H2.5

25、105Hz ，f L 10Hz三 、 已知某放大電路的增益表達(dá)式為 Au，試畫出其波特圖。并確定電路的中頻增解 ： Aus m=325f H=105Hz ， f L=10Hz4）對于單管共射放大電路，當(dāng)?shù)谖逭?場效應(yīng)管放大電路一、填空題：1 FET有兩種主要類型即（ MOSFE）T 和（ JFET），F(xiàn)ET是利用（ 電場效應(yīng) ）來控制其電流大小的半導(dǎo)體器 件。2在 MOSFET中，從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看，有（N溝道）管和（ P溝道 ）管之分；而按照導(dǎo)電溝道形成機(jī)理不同 NMOS管和 PMOS管又各有（ 增強(qiáng) ）型和（ 耗盡 ）型兩種。因此， MOSFET有四種：（增強(qiáng)型 N 溝道 管）、（

26、增強(qiáng)型 P溝道管）、（耗盡型 N溝道管）和（耗盡型 P溝道管 ）。 3結(jié)型場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后，管子將進(jìn)入（恒流 ）區(qū)工作。4增強(qiáng)型 PMOS管的開啟電壓（ 小于零 ）。5當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流I D從 2mA變?yōu)?4mA時，它的低頻跨導(dǎo) gm將（增大 ）。6 當(dāng) UGS 0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有（結(jié)型管 ）、（耗盡型 MOS管）。二、判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空。1結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵 -源電壓應(yīng)使柵 -源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證柵極電流i G0。（ ）2若耗盡型 N 溝道 MOS管的 UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。 （ ）3增強(qiáng)型 MO

27、SFET由于柵極與源極、漏極均無電接觸，故稱絕緣柵極。那么，耗盡型MOSFET的柵極將是不絕緣的。（ ）4開啟電壓是耗盡型 FET 的參數(shù)，而夾斷電壓是增強(qiáng)型 MOSFET的參數(shù)。（ ）三、絕緣柵場效應(yīng)管漏源特性曲線如圖題（a）（d）所示。說明圖（ a）（ d）曲線對應(yīng)何種類型的場效應(yīng)管。根據(jù)圖中曲線粗略地估計(jì)：開啟電壓UT、夾斷電壓 UP和漏極電流 I DSS或 I DO的數(shù)值。解： 圖(a) ：增強(qiáng)型 N溝道 MOS管， UT 3V，I DO3mA； 圖(b) ：增強(qiáng)型 P溝道 MOS管， UT -2V，IDO2mA； 圖(c) ：耗盡型型 P溝道 MOS管， UP 2V，I DSS2mA

28、； 圖(d) ：耗盡型型 N溝道 MOS管， UP -3V，I DSS3mA。四、試寫出以下 FET符號所代表的管子類型。五、已知場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖所示，畫出它在飽和區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。UGS值，建立 i D f（uGS）解：在場效應(yīng)管的飽和區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線，讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線，如解圖（b）所示。六、測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如下表所示，它們的開啟電壓也在表中給出。試分析各管的工作狀態(tài) （ 截止區(qū)、飽和區(qū)、可變電阻區(qū)） ，并填入表。解：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出

29、它們各自的工作狀態(tài)。管號UGS（th ） /VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)（ N 溝道管） T14513飽和區(qū)（P 溝道管） T243310截止區(qū)（P 溝道管） T34605可變電阻區(qū)七、四個 FET的轉(zhuǎn)移特性分別如下圖所示，其中漏極電流i D 的假定正方向是它的實(shí)際方向。試問它們各是解：哪種類型的 FET？P 溝道 JFET N 溝道耗盡型 FET P溝道耗盡型 FET N溝道增強(qiáng)型 FET八、改正下圖所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波電壓信號。要求保留電路的共源接法。解：對照下圖電路a）源極加電阻 Rs。b）漏極加電阻 Rd。c）可能放大正弦波電壓信號。d）在 Rg 支路加 V

30、GG， VDD改為 VDD。九、（1）(2)(3)解：（1）(2)(3)圖示曲線為結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性。I DSS、 UP值為多大？根據(jù)給定曲線，估算當(dāng)根據(jù) gm的定義： gI DSS=5.5mA， UP=-5V ；I D=1.5mA 時， gmI D=3.9mA 時， g由 gmdiDduGS試問：I D=1.5mA 和diD，計(jì)算 duGSI D=3.9mA 時， gm約為多少？UGS= -1V 和 UGS= -3V時相對應(yīng)的 gm值。2.7 0.6 mA5.5 2.7 mA2V1.05mS ，1.4mS ；2I DSSUPuGSUPgm1.76m S，g m0.88mS?？傻?UGS

31、=-1V 時，UGS =-3V 時，十、已知下圖 （a） 所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（b）（c）所示。（ 1） 利用圖解法求解 Q點(diǎn)；（ 2） 利用小信號等效電路求解 Au、Ri 和 Ro（其中 gm=1mS）。1mA，Q點(diǎn)，解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線 uGS i DRS， 與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為 Q 點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出 I DQ UGSQ 2V 。如下面解圖（ b）所示。在輸出特性中作直流負(fù)載線uDS VDD i D（ Rd RS） ，與 UGSQ 2V 的那條輸出特性曲線的交 點(diǎn)為UDSQ 3V。如下面解圖（ c）所示。（ 2）首先畫出交流等效電路（圖略） ，然后進(jìn)行

32、動態(tài)分析。Augm Rd5Ri Rg 1M Ro Rd 5k 一、已知電路參數(shù)如下圖所示，場效應(yīng)管工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1mS。（1）畫出該電路的小信號等效電路；（ 2）求電壓增益 Au；（ 3）求放大電路的輸入電阻 Ri 。解：（1）2 ) Augm Rd / RL203) RiRg3 Rg1 / Rg2 100 46.7 146.7k 十二、源極輸出器電路如圖所示，已知場效應(yīng)管工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=0.8mS, 其它參數(shù)如圖中所示。畫出該電路的小信號等效電路；求電壓增益Au、輸入電阻 Ri 和輸出電阻 Ro。解：Augm R 0.94u 1 gm RRiRg3 Rg1 / Rg230M 0.1

33、M 30.1M Ro R/ 11.18kgm第六章 模擬集成電路一、填空題：1將二極管、晶體管或場效應(yīng)管、電阻等元器件及連接導(dǎo)線同時制作在一塊半導(dǎo)體硅基片 上，構(gòu)成一個具有某種功能的完整電路，這就是 集成電路 。2零漂是指輸入端短路時，輸出端還存在緩慢變化的信號電壓，即輸出電壓偏離原來的起始值而上下漂動 。3放大電路的輸出級應(yīng)有一定的帶負(fù)載能力，其輸出電阻要小 ，動態(tài)圍要 大 。4集成運(yùn)放部電路通常包含四個基本組成部分，即 輸入級 、 中間級 、 輸出級 和 偏置電路5集成運(yùn)算放大器與分立元件放大電路相比，雖然工作原理基本一致，但在電路結(jié)構(gòu)上具有自己突出的特 點(diǎn)，如放大器之間都采用直接 耦合方式，這樣做是因?yàn)?集成工藝無法集成大電容。6為了抑制漂移，集成運(yùn)算放大器的輸入級一般采用差分 放大電路，并利用恒流源或長尾電阻引入一個共模負(fù)反饋，以提高共模抑制比 ，減小