靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告

1、泓域咨詢/靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告MACRO 泓域咨詢摘要說明濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。該靶材項目計劃總投資12838.91萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10609.22萬元，占項目總投資的82.63%；流動資金2229.69萬元，占項目總投資的17.37%。達產(chǎn)年營業(yè)收入16878.00萬元，總成本費用12921.62萬元，稅金及附加219.27萬元，利潤總額3

2、956.38萬元，利稅總額4721.36萬元，稅后凈利潤2967.28萬元，達產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元；達產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，提供就業(yè)職位279個。靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作

3、用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。報告內(nèi)容：總論、投資背景及必要性分析、產(chǎn)業(yè)分析預測、項目建設方案、選址評價、土建工程方案、工藝可行性、環(huán)境保護分析、項目安全管理、項目風險評估、節(jié)能方案分析、項目實施進度計劃、項目投資分析、經(jīng)濟評價、綜合評價結論等。規(guī)劃設計/投資分析/產(chǎn)業(yè)運營靶材生產(chǎn)制造項目可行性分析報告目錄第一章 總論第二章 投資背景及必要性分析第三章 產(chǎn)業(yè)分析預測第四章 項目建設方案第五章 選址評價第六章 土建工程方案第七章 工藝可行性第八章 環(huán)

4、境保護分析第九章 項目安全管理第十章 項目風險評估第十一章 節(jié)能方案分析第十二章 項目實施進度計劃第十三章 項目投資分析第十四章 經(jīng)濟評價第十五章 招標方案第十六章 綜合評價結論第一章 總論一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx科技公司（二）公司簡介經(jīng)過10余年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術實力，完善的加工制造手段，豐富的生產(chǎn)經(jīng)營管理經(jīng)驗和可靠的產(chǎn)品質量保證體系，綜合實力進一步增強。公司將繼續(xù)提升供應鏈構建與管理、新技術新工藝新材料應用研發(fā)。集團成立至今，始終堅持以人為本、質量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進，以技術領先求發(fā)展的方針。公司是按照現(xiàn)代企業(yè)制度建立的有限責任公司，公司最高機構為股東大會，

5、日常經(jīng)營管理為總經(jīng)理負責制，企業(yè)設有技術、質量、采購、銷售、客戶服務、生產(chǎn)、綜合管理、后勤及財務等部門，公司致力于為市場提供品質優(yōu)良的項目產(chǎn)品，憑借強大的技術支持和全新服務理念，不斷為顧客提供系統(tǒng)的解決方案、優(yōu)質的產(chǎn)品和貼心的服務。公司注重建設、培養(yǎng)人才梯隊，與眾多高校建立了良好的校企合作關系，學校為企業(yè)輸入滿足不同崗位需求的技術人員，達到企業(yè)人才吸收、培養(yǎng)和校企互惠的效果。公司籌建了實習培訓基地，幫助學校優(yōu)化教學科目，并從公司內(nèi)部選拔優(yōu)秀員工為學生授課，讓學生親身參與實踐工作。在此過程中，公司直接從實習基地選拔優(yōu)秀人才，為公司長期的業(yè)務發(fā)展輸送穩(wěn)定可靠的人才隊伍。公司的良好人才梯隊和人才優(yōu)勢

6、使得本次募投項目具備扎實的人力資源基礎。隨著公司近年來的快速發(fā)展，業(yè)務規(guī)模及人員規(guī)模迅速擴張，企業(yè)規(guī)模將得到進一步提升，產(chǎn)線的自動化，信息化水平將進一步提升，這需要公司管理流程不斷調(diào)整改進，公司管理團隊管理水平不斷提升。公司將繼續(xù)堅持以客戶需求為導向，以產(chǎn)品開發(fā)與服務創(chuàng)新為根本，以持續(xù)研發(fā)投入為保障，以規(guī)范管理為基礎，繼續(xù)在細分領域內(nèi)穩(wěn)步發(fā)展，做大做強，不斷推出符合客戶需求的產(chǎn)品和服務，保持企業(yè)行業(yè)領先地位和較快速發(fā)展勢頭。（三）公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx集團實現(xiàn)營業(yè)收入10099.15萬元，同比增長13.01%（1162.79萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務靶材生產(chǎn)及銷售收入為9354.22萬

7、元，占營業(yè)總收入的92.62%。根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額2868.95萬元，較去年同期相比增長414.23萬元，增長率16.88%；實現(xiàn)凈利潤2151.71萬元，較去年同期相比增長200.53萬元，增長率10.28%。上年度主要經(jīng)濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元10099.15完成主營業(yè)務收入萬元9354.22主營業(yè)務收入占比92.62%營業(yè)收入增長率（同比）13.01%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1162.79利潤總額萬元2868.95利潤總額增長率16.88%利潤總額增長量萬元414.23凈利潤萬元2151.71凈利潤增長率10.28%凈利潤增長量萬元200.53投資利潤率33.

8、90%投資回報率25.42%財務內(nèi)部收益率21.50%企業(yè)總資產(chǎn)萬元29901.61流動資產(chǎn)總額占比萬元32.89%流動資產(chǎn)總額萬元9834.04資產(chǎn)負債率48.06%二、項目概況（一）項目名稱靶材生產(chǎn)制造項目靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積

9、在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。（二）項目選址某某科技園（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積38445.88平方米（折合約57.64畝）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數(shù)71.25%，建筑容積率1.03，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.29%，固定資產(chǎn)投資強度184.06萬元/畝。（五）土建工程指標項目凈用地面積38445.88平方米，建筑物基底占地面積27392.69平方米，總建筑面積39599.26平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程25410.61平方米，項目規(guī)劃綠化面積2096.63平方米。（六）設備選型方案項目計劃購置設備共計100臺（套），設備購置費3418.

10、33萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量919435.80千瓦時，折合113.00噸標準煤。2、項目年總用水量10846.26立方米，折合0.93噸標準煤。3、“靶材生產(chǎn)制造項目投資建設項目”，年用電量919435.80千瓦時，年總用水量10846.26立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）113.93噸標準煤/年。達產(chǎn)年綜合節(jié)能量46.53噸標準煤/年，項目總節(jié)能率24.29%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合某某科技園發(fā)展規(guī)劃，符合某某科技園產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內(nèi)，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)

11、生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資12838.91萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10609.22萬元，占項目總投資的82.63%；流動資金2229.69萬元，占項目總投資的17.37%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標預期達產(chǎn)年營業(yè)收入16878.00萬元，總成本費用12921.62萬元，稅金及附加219.27萬元，利潤總額3956.38萬元，利稅總額4721.36萬元，稅后凈利潤2967.28萬元，達產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元；達產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，

12、提供就業(yè)職位279個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。將整個項目分期、分段建設，進行項目分解、工期目標分解，按項目的適應性安排施工，各主體工程的施工期叉開實施。三、項目評價1、本期工程項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某科技園及某某科技園靶材行業(yè)布局和結構調(diào)整政策；項目的建設對促進某某科技園靶材產(chǎn)業(yè)結構、技術結構、組織結構、產(chǎn)品結構的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團為適應國內(nèi)外市場需求，擬建“靶材生產(chǎn)制造項目”，本期工程項目的建設能夠有力促進某某科技園經(jīng)濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位279個，達產(chǎn)年納稅總額1754.08萬元，可以促進某某科技園區(qū)域經(jīng)濟的繁榮發(fā)展

13、和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產(chǎn)年投資利潤率30.82%，投資利稅率36.77%，全部投資回報率23.11%，全部投資回收期5.83年，固定資產(chǎn)投資回收期5.83年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。4、在我國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展中，制造業(yè)領域民營企業(yè)數(shù)量占比已達90%以上，民間投資的比重超過85%，成為推動制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國務院高度重視民間投資工作，近年來部署出臺了一系列有針對性的政策措施并開展了專項督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-1

14、0月，制造業(yè)民間投資增長4.1%，高于去年同期1.5個百分點。綜上所述，項目的建設和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。四、主要經(jīng)濟指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米38445.8857.64畝1.1容積率1.031.2建筑系數(shù)71.25%1.3投資強度萬元/畝184.061.4基底面積平方米27392.691.5總建筑面積平方米39599.261.6綠化面積平方米2096.63綠化率5.29%2總投資萬元12838.912.1固定資產(chǎn)投資萬元10609.222.1.1土建工程投資萬元3024.872.1.1.1土建工程投資占比萬元23.5

15、6%2.1.2設備投資萬元3418.332.1.2.1設備投資占比26.62%2.1.3其它投資萬元4166.022.1.3.1其它投資占比32.45%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比82.63%2.2流動資金萬元2229.692.2.1流動資金占比17.37%3收入萬元16878.004總成本萬元12921.625利潤總額萬元3956.386凈利潤萬元2967.287所得稅萬元1.038增值稅萬元545.719稅金及附加萬元219.2710納稅總額萬元1754.0811利稅總額萬元4721.3612投資利潤率30.82%13投資利稅率36.77%14投資回報率23.11%15回收期年5.8316設

16、備數(shù)量臺（套）10017年用電量千瓦時919435.8018年用水量立方米10846.2619總能耗噸標準煤113.9320節(jié)能率24.29%21節(jié)能量噸標準煤46.5322員工數(shù)量人279第二章 投資背景及必要性分析一、靶材項目背景分析靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互

17、作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁

18、性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達到國外最頂尖的技術水平。2

19、010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材

20、來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計資料，則是平均化后的結果。在所有應用產(chǎn)業(yè)中，半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的

21、需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著

22、力強等優(yōu)點l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則

23、可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度?；阪N銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。二、靶材項目建設必要性分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要

24、求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。靶材全球市場預計16-19復合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預測2016-2019年均復合增長率達13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的

25、下游結構中，半導體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，主導高端的半導體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學薄膜領域，原料多從國外進口；中國靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預計20

26、18-2020年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀80年代開始進入液晶顯示領域，在政府政策導向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內(nèi)LCD國產(chǎn)替代進程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預計2018-2020年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應增加。靶材應用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導體增速有望超預期，17年國內(nèi)半導體增速24.81

27、%。半導體靶材性能要求位居各類應用之首。半導體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導體產(chǎn)業(yè)超預期增速21.62%，從下游需求結構看，17年增長主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器，增速達到61.49%，增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領域對高性能芯片需求快速提升。從15年開始國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導體產(chǎn)業(yè)從臺灣向國內(nèi)轉移的趨勢比較確定，國內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導體產(chǎn)業(yè)。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。

28、，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)增長。2011-2016全球半導體用靶材年復合增長率3.17%，預計2018-2020國內(nèi)半導體靶材需求增速在20%左右。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模約14億元，年增速達20%。供給端，隨著國產(chǎn)濺射靶材技術成熟，尤其是國產(chǎn)濺射靶

29、材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導向；需求端，半導體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉移的趨勢已基本確立，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)崛起將推動國內(nèi)半導體靶材需求的提升。預計2018-2020年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴大，復合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持在20%以上。國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國產(chǎn)替代進程加速。2015國內(nèi)靶材需

30、求全球占比近25%，年速約20%；但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術的提高，我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進口靶材免稅期結束，國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預計2018-2020年國內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進一步擴大。第三章 產(chǎn)業(yè)分析預測一、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PV

31、D）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領域。其中，在靶材應用領域中，

32、半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關鍵技術并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導線工藝的應用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主

33、要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國內(nèi)靶材廠商主要聚焦在低端產(chǎn)品領域，在半導體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內(nèi)的巨大市場潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內(nèi)市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細分領域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了

34、一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應的本土化進程，推動國產(chǎn)靶材在多個應用領域實現(xiàn)從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。二、靶材市場分析預測超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成

35、，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關鍵技術并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價

36、格也最為昂貴；相較于半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內(nèi)完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎，以半導體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，嚴重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質，需

37、要將化學提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應用領域的性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經(jīng)過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質量和良品率。

38、濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設備及技術工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質對下游產(chǎn)品的質量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主要設備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電

39、子產(chǎn)品。通常情況下，在半導體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進行芯片封裝。封裝是指將電路用導線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質對芯片電路造成腐蝕而損害導電性能。此外，終端應用也包括制備太陽能電池、光學鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術門檻高、設備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬提純業(yè)務，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領域；部分企業(yè)只擁有

40、濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應。濺射靶材最高端的應用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領域，這個領域只有美國和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關業(yè)務，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較多，但質量參差不齊，美國、歐洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術領先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產(chǎn)業(yè)鏈擴展至下游應用領域，利用技術先導優(yōu)勢和高端品牌迅速占領終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應用環(huán)節(jié)是整個產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領域，其產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)分散在各個行業(yè)領域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密

41、集性特點，參與企業(yè)數(shù)量最多，機器設備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進技術以后實施壟斷和封鎖，主導著技術革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學薄膜領域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務，將上游基礎材料和下游終端應用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的

42、產(chǎn)品開發(fā)和市場擴展。但是上述地區(qū)的靶材服務廠商缺少核心技術及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術領域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴展產(chǎn)能。從全球來看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應用性強，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當高。以

43、霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領域，經(jīng)過幾十年的技術積淀，憑借其雄厚的技術力量、精細的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位，占據(jù)絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權，并引領著全球濺射靶材行業(yè)的技術進步。受到發(fā)展歷史和技術限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術還存

44、在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域，全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強的產(chǎn)品開發(fā)能力，研制出適用不同應用領域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球濺射靶材市場中占得一席之地。半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產(chǎn)品的品質和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴格控制產(chǎn)品質量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應商時，供應商資格認證壁壘較高，且認證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協(xié)會為高純?yōu)R

45、射靶材設置的行業(yè)性質量管理體系標準，例如，應用于汽車電子的半導體廠商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過ISO/TS16949質量管理體系認證，應用于電器設備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強制性標準；其次，半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認證體系，在高純?yōu)R射靶材供應商滿足行業(yè)性質量管理體系認證的基礎上，下游客戶往往還會根據(jù)自身的質量管理要求再對供應商進行合格供應商認證。認證過程主要包括技術評審、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個階段，認證過程相當苛刻，從新產(chǎn)品開發(fā)到實現(xiàn)大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應商開發(fā)與維護

46、成本，保證產(chǎn)品質量的持續(xù)性，濺射靶材供應商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應商保持長期穩(wěn)定的合作關系，不會輕易更換供應商，并在技術合作、供貨份額等方面向優(yōu)質供應商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應用推廣，我國國內(nèi)開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術和市場方面都取得了長足的進步，改變了高純?yōu)R射靶材長期依賴進口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在

47、內(nèi)的一些國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關鍵技術，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認可。第四章 項目建設方案一、產(chǎn)品規(guī)劃項目主要產(chǎn)品為靶材，根據(jù)市場情況，預計年產(chǎn)值16878.00萬元。通過以上分析表明，項目承辦單位所生產(chǎn)的項目產(chǎn)品市場風險較低，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場發(fā)展空間，因此，項目產(chǎn)品市場前景良好，投資項目建設具有良好的經(jīng)濟效益和社會效益，其市場可拓展的空間巨大，倍增效應顯著，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場空間。進入二十一世紀以來，隨著我國國民經(jīng)濟的快速持續(xù)發(fā)展，經(jīng)濟建設提出了走新型工業(yè)化發(fā)展道路的目標，國家出臺并實施了加快經(jīng)濟發(fā)展的

48、一系列政策，對于相關行業(yè)來說，調(diào)整產(chǎn)業(yè)結構、提高管理水平、籌措發(fā)展資金、參與國際分工，都將起到積極的推動作用，尤其是隨著我國國民經(jīng)濟逐漸融入全球經(jīng)濟大循環(huán)，各行各業(yè)面臨市場國際化，相應企業(yè)將面對極具技術優(yōu)勢、管理優(yōu)勢、品牌優(yōu)勢的競爭對手，市場份額將會形成新的分配格局。項目承辦單位計劃在項目建設地建設項目，具有得天獨厚的地理條件，與xx省同行業(yè)其他企業(yè)相比，擁有“立地條件好、經(jīng)營成本低、投資效益高、比較競爭力強”的優(yōu)勢，因此，發(fā)展相關產(chǎn)業(yè)前景廣闊。二、建設規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積38445.88平方米（折合約57.64畝），其中：凈用地面積38445.88平方米（紅線范圍折合約57.6

49、4畝）。項目規(guī)劃總建筑面積39599.26平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程25410.61平方米，計容建筑面積39599.26平方米；預計建筑工程投資3024.87萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計100臺（套），設備購置費3418.33萬元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項目計劃總投資12838.91萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入16878.00萬元。第五章 選址評價一、項目選址原則對周圍環(huán)境不應產(chǎn)生污染或對周圍環(huán)境污染不超過國家有關法律和現(xiàn)行標準的允許范圍，不會引起當?shù)鼐用竦牟粷M，不會造成不良的社會影響。項目建設方案力求在滿足項目產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、消防安全、環(huán)境保護衛(wèi)生等要求的前提下盡量合并建筑；充分利用自然空

50、間，堅決貫徹執(zhí)行“十分珍惜和合理利用土地”的基本國策，因地制宜合理布置。二、項目選址該項目選址位于某某科技園。三、建設條件分析項目承辦單位自成立以來始終堅持“自主創(chuàng)新、自主研發(fā)”的理念，始終把提升創(chuàng)新能力作為企業(yè)競爭的最重要手段，因此，積累了一定的項目產(chǎn)品技術優(yōu)勢。項目承辦單位在項目產(chǎn)品開發(fā)、設計、制造、檢測等方面形成了一套完整的質量保證和管理體系，通過了ISO9000質量體系認證，贏得了用戶的信賴和認可。四、用地控制指標根據(jù)測算，投資項目固定資產(chǎn)投資強度完全符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)固定資產(chǎn)投資強度1259.00萬元/公頃的

51、規(guī)定；同時，滿足項目建設地確定的“固定資產(chǎn)投資強度4500.00萬元/公頃”的具體要求。該項目均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照項目建設地建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。投資項目占地稅收產(chǎn)出率符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃的規(guī)定；同時，滿足項目建設地確定的“占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃”的具體要求。五、地總體要求本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)71.25%，建筑容積率1.03，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.29

52、%，固定資產(chǎn)投資強度184.06萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米38445.8857.64畝2基底面積平方米27392.693建筑面積平方米39599.263024.87萬元4容積率1.035建筑系數(shù)71.25%6主體工程平方米25410.617綠化面積平方米2096.638綠化率5.29%9投資強度萬元/畝184.06六、節(jié)約用地措施投資項目建設認真貫徹執(zhí)行專業(yè)化生產(chǎn)的原則，除了主要生產(chǎn)過程和關鍵工序由項目承辦單位實施外，其他附屬商品采取外協(xié)（外購）的方式，從而減少重復建設，節(jié)約了資金、能源和土地資源。投資項目依托項目建設地已有生活設施、公共設施、交通運輸設施

53、，建設區(qū)域少建非生產(chǎn)性設施，因此，有利于節(jié)約土地資源和節(jié)省建設投資。七、總圖布置方案（一）平面布置總體設計原則同時考慮用地少、施工費用節(jié)約等要求，沿圍墻、路邊和可利用場地種植花卉、樹木、草坪及常綠植物，改善和美化生產(chǎn)環(huán)境。（二）主要工程布置設計要求車間布置方案需要達到“物料流向最經(jīng)濟、操作控制最有利、檢測維修最方便”的要求。（三）綠化設計場區(qū)植物配置以本地區(qū)樹種為主，綠化設計的樹木花草配置應依據(jù)項目建設區(qū)域的總體布置、豎向、道路及管線綜合布置等要求，并適合當?shù)貧庀?、土壤、生態(tài)習性與防護性能，疏密適當高低錯落，形成一定的層次感。場區(qū)綠化設計要達到“營造嚴謹開放的交流環(huán)境，催人奮進的工作環(huán)境，舒適

54、宜人的休閑環(huán)境，和諧統(tǒng)一的生態(tài)環(huán)境”之目的。投資項目綠化的重點是場區(qū)周邊、辦公區(qū)及主要道路兩側的空地，美化的重點是辦公區(qū)，場區(qū)周邊以高大喬木為主，辦公區(qū)以綠色草坪、花壇為主，道路兩側以觀賞樹木、綠籬、草坪為主，適當結合花壇和垂直綠化，起到環(huán)境保護與美觀的作用，創(chuàng)造一個“環(huán)境優(yōu)美、統(tǒng)一協(xié)調(diào)”的建筑空間。（四）輔助工程設計1、投資項目采用雨、污分流制排水系統(tǒng)，分別匯集后排入項目建設區(qū)不同污水管網(wǎng)。場內(nèi)供水采用生活供水系統(tǒng)、消防供水系統(tǒng)、生產(chǎn)補給水系統(tǒng)，消防供水系統(tǒng)在場區(qū)內(nèi)形成供水管網(wǎng)。2、投資項目水源來自場界外的項目建設地市政供水管網(wǎng)，項目建設區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設施完備可以滿足投資項目使用要求。投

55、資項目水源來自場界外的項目建設地市政供水管網(wǎng)，項目建設區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設施完備可以滿足投資項目使用要求。項目用水由項目建設地市政管網(wǎng)給水干管統(tǒng)一提供，供水管網(wǎng)水壓大于0.40Mpa可以滿足項目用水需求；進廠總管徑選用DN300?L，各車間分管選用DN50?L-DN100?L，給水管道在場區(qū)內(nèi)形成完善的環(huán)狀給水管網(wǎng)，各單體用水從場區(qū)環(huán)網(wǎng)上分別接出支管，以滿足各單體的生產(chǎn)、生活、消防用水的需要；室外給水主管道采用PP-R給水管，消防管道采用熱鍍鋅鋼管。3、項目承辦單位采用高壓計度方式結算電費，低壓回路裝有電度表，便于各車間成本核算；在10KV電源進線處設置電能總計量；每路10KV出線柜均裝設有功

56、電度表和無功電度表。場區(qū)照明采用透露性強的高壓鈉燈和路燈專用燈具；各車間通道的上方裝設平時作為工作照明一部分的金屬鹵化物燈作為值班照明；各車間的工作照明分片集中控制；值班照明為常明燈，常年不斷電單獨控制；車間生活和辦公室等場所的照明均采用分散控制。4、場外運輸主要為原材料的供給以及產(chǎn)品的外運；產(chǎn)品的遠距離運輸由汽車或鐵路運輸解決，項目建設地社會運輸力量充足，可滿足投資項目場外遠距離運輸?shù)男枨?。場?nèi)運輸主要為原材料的卸車進庫；生產(chǎn)過程中原材料、半成品和成品的轉運，以及成品的裝車外運；場內(nèi)運輸由裝載機、叉車及膠輪車承擔，其費用記入主車間設備配套費中，投資項目資源配置可滿足場內(nèi)運輸?shù)男枨蟆?、車間采用傳統(tǒng)的熱水循環(huán)取暖形式，其他廠房及辦公室采用燃氣輻射采暖形式。有空調(diào)要求的辦公室和生活間夏季設置空調(diào)，空調(diào)溫度范圍要求為26.00-28.00，空調(diào)設備采用分體式空調(diào)控制器。冬季室內(nèi)采