廣西半導體項目建議書

1、泓域咨詢/廣西半導體項目建議書廣西半導體項目建議書泓域咨詢/規(guī)劃設計/投資分析承諾書申請人鄭重承諾如下：“廣西半導體項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關手續(xù)，報告內容及附件資料準確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔相關法律法規(guī)的處罰以及由此導致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要半導體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主要為計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。近年來，隨著我國大陸地區(qū)集成電路產業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，我國大陸地區(qū)的半

2、導體材料市場上升最快，2016年及2017年分別增長7.3%和12%。半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導體材料的電導率在歐/厘米之間，一般情況下電導率隨溫度的升高而增大。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。半導體材料市場可以分為晶圓材料和封裝材料市場。其中，晶圓材料主要有硅片、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助設備、濕制程、濺射靶、拋光液、其他材料。封裝材料主要有層壓基板、引線框架、焊線、模壓化合物、底部填充料、液體密封劑、粘晶材料、錫球、晶圓級封裝介質、熱接口材料。該半導體材料項目計劃總投資21306.78萬元，其中：固定資產投資15528.65萬

3、元，占項目總投資的72.88%；流動資金5778.13萬元，占項目總投資的27.12%。達產年營業(yè)收入49721.00萬元，總成本費用38954.58萬元，稅金及附加404.98萬元，利潤總額10766.42萬元，利稅總額12656.42萬元，稅后凈利潤8074.82萬元，達產年納稅總額4581.61萬元；達產年投資利潤率50.53%，投資利稅率59.40%，投資回報率37.90%，全部投資回收期4.14年，提供就業(yè)職位1100個。堅持“社會效益、環(huán)境效益、經濟效益共同發(fā)展”的原則。注重發(fā)揮投資項目的經濟效益、區(qū)域規(guī)模效益和環(huán)境保護效益協(xié)同發(fā)展，利用項目承辦單位在項目產品方面的生產技術優(yōu)勢，使

4、投資項目產品達到國際領先水平，實現(xiàn)產業(yè)結構優(yōu)化，達到“高起點、高質量、節(jié)能降耗、增強競爭力”的目標，提高企業(yè)經濟效益、社會效益和環(huán)境保護效益。報告主要內容：項目承擔單位基本情況、項目技術工藝特點及優(yōu)勢、項目建設主要內容和規(guī)模、項目建設地點、工程方案、產品工藝路線與技術特點、設備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進度、項目投資與資金來源、財務評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況公司自成立以來，堅持“品牌化、規(guī)?；?、專業(yè)化”的發(fā)展道路。以人為本，強調服務，一直秉承“追求客戶最大滿意度”的原則。多年來公司堅持不懈推進戰(zhàn)略轉型和管理變革，實現(xiàn)了企業(yè)持續(xù)、健

5、康、快速發(fā)展。未來我司將繼續(xù)以“客戶第一，質量第一，信譽第一”為原則，在產品質量上精益求精，追求完美，對客戶以誠相待，互動雙贏。我們將不斷超越自我，繼續(xù)為廣大客戶提供功能齊全，質優(yōu)價廉的產品和服務，打造一個讓客戶滿意，對員工關愛，對社會負責的創(chuàng)新型企業(yè)形象！公司緊跟市場動態(tài)，不斷提升企業(yè)市場競爭力?；诖髷?shù)據(jù)分析考慮用戶多樣化需求，以此為基礎制定相應服務策略的市場及經營體系，并綜合考慮用戶端消費特征，打造綜合服務體系。公司經過長時間的生產實踐，培養(yǎng)和造就了一批管理水平高、綜合素質優(yōu)秀的職工隊伍，操作技能經驗豐富，積累了先進的生產項目產品的管理經驗，并擁有一批過硬的產品研制開發(fā)和經營人員，因此，

6、項目承辦單位具備較強的新產品開發(fā)能力和新技術應用能力，為實施項目提供了有力的技術支撐和技術人才資源保障。公司通過了GB/ISO9001-2008質量體系、GB/24001-2004環(huán)境管理體系、GB/T28001-2011職業(yè)健康安全管理體系和信息安全管理體系認證，并獲得CCIA信息系統(tǒng)業(yè)務安全服務資質證書以及計算機信息系統(tǒng)集成三級資質。 公司生產運營過程中，始終堅持以效益為中心，突出業(yè)績導向，全面推行內部市場化運作模式，不斷健全完善全面預算管理體系及考評機制，把全面預算管理貫穿于生產經營活動的各個環(huán)節(jié)。通過強化預算執(zhí)行過程管控和績效考核，對生產經營過程實施全方位精細化管理，有效控制了產品生產

7、成本；著力推進生產控制自動化與經營管理信息化的深度融合，提高了生產和管理效率，優(yōu)化了員工配置，降低了人力資源成本；堅持問題導向，不斷優(yōu)化工藝技術指標，強化技術攻關，積極推廣應用新技術、新工藝、新材料、新裝備，原料轉化率穩(wěn)步提高，降低了原料成本及能源消耗，產品成本優(yōu)勢明顯。公司近年來的快速發(fā)展主要得益于企業(yè)對于產品和服務的前瞻性研發(fā)布局。公司所屬行業(yè)對產品和服務的定制化要求較高，公司技術與管理團隊專業(yè)和穩(wěn)定，對行業(yè)和客戶需求理解到位，以及公司不斷加強研發(fā)投入，保證了產品研發(fā)目標的實施。未來，公司將堅持研發(fā)投入，穩(wěn)定研發(fā)團隊，加大研發(fā)人才引進與培養(yǎng)，保證公司在行業(yè)內的技術領先水平。二、所屬行業(yè)基本

8、情況半導體行業(yè)具有技術難度高、投資規(guī)模大、產業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產品種類多、更新迭代快、下游應用廣泛的特點，產業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導體制造產業(yè)鏈包含設計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導體材料和設備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)，位于產業(yè)鏈最上游。材料和設備是半導體產業(yè)的基石，是推動集成電路技術創(chuàng)新的引擎。一代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現(xiàn)。三、公司經濟效益分析上一年度，xxx科技發(fā)展公司實現(xiàn)營業(yè)收入38261.04萬元，同比增長11.51%（3948.76萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務半導體材料生產及銷售收入為32138.18萬元，占營業(yè)總收入的84.00%。上年度主要經濟指標序號項目第

9、一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入8034.8210713.099947.879565.2638261.042主營業(yè)務收入6749.028998.698355.938034.5532138.182.1半導體材料(A)2227.182969.572757.462651.4010605.602.2半導體材料(B)1552.272069.701921.861847.957391.782.3半導體材料(C)1147.331529.781420.511365.875463.492.4半導體材料(D)809.881079.841002.71964.153856.582.5半導體材料(E)539.

10、92719.90668.47642.762571.052.6半導體材料(F)337.45449.93417.80401.731606.912.7半導體材料(.)134.98179.97167.12160.69642.763其他業(yè)務收入1285.801714.401591.941530.726122.86根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額8070.28萬元，較去年同期相比增長1204.27萬元，增長率17.54%；實現(xiàn)凈利潤6052.71萬元，較去年同期相比增長925.25萬元，增長率18.04%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元38261.04完成主營業(yè)務收入萬元32138.18

11、主營業(yè)務收入占比84.00%營業(yè)收入增長率（同比）11.51%營業(yè)收入增長量（同比）萬元3948.76利潤總額萬元8070.28利潤總額增長率17.54%利潤總額增長量萬元1204.27凈利潤萬元6052.71凈利潤增長率18.04%凈利潤增長量萬元925.25投資利潤率55.58%投資回報率41.69%財務內部收益率20.91%企業(yè)總資產萬元51594.64流動資產總額占比萬元37.04%流動資產總額萬元19113.03資產負債率48.72%第二章 項目技術工藝特點及優(yōu)勢一、技術方案（一）技術方案選用方向1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”

12、的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，由計算機統(tǒng)一控制整個生產線的各項工藝參數(shù)，使產品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設備，根據(jù)有利于環(huán)境保護的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設備，滿足項目所制訂的產品方案要求，優(yōu)選具有國際先進水平的生產、試驗及配套等設備，充分顯

13、現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產和物流方式。4、生產工藝設計要滿足規(guī)模化生產要求，注重生產工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產品制造的要求，同時，加強員工技術培訓，嚴格質量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產品合格率，努力追求產品的“零缺陷”，以關鍵生產工序為質量控制點，確保該項目產品質量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護和安全生產的“三同時”原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術方案選用原則1、在基礎

14、設施建設和工業(yè)生產過程中，應全面實施清潔生產，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產品和服務過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則，積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術方案要求1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產線的各項工藝參數(shù)，使產品質量穩(wěn)定在高水平上

15、，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、建立完善柔性生產模式；本期工程項目產品具有客戶需求多樣化、產品個性差異化的特點，因此，產品規(guī)格品種多樣，單批生產數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產效率、生產成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設先進的柔性制造生產線，并將柔性制造技術廣泛應用到產品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產規(guī)模優(yōu)勢和質量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產品性能和質量達到國內領先、國際先進水平。二、項目工藝技術設計方案（一）技術來源及先

16、進性說明項目技術來源為公司的自有技術，該技術達到國內先進水平。（二）項目技術優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內先進的技術，該技術具有資金占用少、生產效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術特性屬于技術密集型，該技術具備以下優(yōu)勢：1、技術含量和自動化水平較高，處于國內先進水平，在產品質量水平上相對其他生產技術性能費用比優(yōu)越，結構合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術能夠保證產品質量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術生產產品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術使用的設備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的

17、技術與國內資源條件適應，具有良好的技術適應性；該技術工藝路線可以適應國內主要原材料特性，技術工藝路線簡潔，有利于流程控制和設備操作，工藝技術已經被國內生產實踐檢驗，證明技術成熟，技術支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術設備投資和產品生產成本低，具有較強的經濟合理性；本期工程項目采用本技術方案建設其主要設備多數(shù)可按通用標準在國內采購。4、節(jié)能設施先進并可進行多規(guī)格產品轉換，項目運行成本較低，應變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、半導體材料項目背景分析半導體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主要為計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。近年來，隨

18、著我國大陸地區(qū)集成電路產業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，我國大陸地區(qū)的半導體材料市場上升最快，2016年及2017年分別增長7.3%和12%。由于我國半導體市場需求巨大，而國內很大一部分不能供給，致使我國集成電路(俗稱芯片)進口金額巨大，近幾年芯片進口額穩(wěn)定在2000億美元以上，2017年我國芯片進口額為2601.16億美元，同比增長14.6%;2018年1-3月，我國芯片進口額為700.48億美元，同比大幅增長36.9%。半導體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主要為計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。2015年，隨著國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要等一系列政策落

19、地實施，國家集成電路產業(yè)投資基金開始運作，中國集成電路產業(yè)保持了高速增長。半導體產業(yè)成為中國資本市場未來幾年最重要的投資方向之一，而半導體材料作為半導體產業(yè)的原材料，市場具備巨大的國產替代空間。半導體材料主要應用于晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)。半導體材料行業(yè)產業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多、技術門檻高、成本占比低。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2015年中國集成電路產業(yè)銷售額達到3609.8億，同比增長19.7%;2016年中國集成電路產業(yè)銷售額達到4335.5億元，同比增長20.1%;2017年中國集成電路產業(yè)銷售額達到5411.3億元，同比增長24.8%，預計到2020年中國半導體行業(yè)維持20%以上的增速。

20、國內半導體工業(yè)的相對落后導致了半導體材料產業(yè)起步較晚，受到技術、資金、以及人才的限制，國內半導體材料產業(yè)企業(yè)數(shù)量偏少、規(guī)模偏小、技術水平偏低、產業(yè)布局分散。伴隨國內代工制造生產線、存儲器生產線、以及封裝測試線的持續(xù)大規(guī)模建設，國內半導體材料市場規(guī)?？焖僭鲩L。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，民營經濟如今已成為中國經濟的中堅力量。截至2017年年底，我國實有個體工商戶6579.4萬戶，私營企業(yè)2726.3萬戶，廣義民營企業(yè)合計占全部市場主體的94.8%。而且，民營經濟解決了絕大部分就業(yè)，是技術進步和創(chuàng)新的巨大驅動力：創(chuàng)造了60%以上GDP，貢獻了70%以上的技術創(chuàng)新和新產品開發(fā)，提供了80%以上

21、的就業(yè)崗位。十九大報告提出，毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經濟，毫不動搖鼓勵、支持、引導非公有制經濟發(fā)展。從促進產業(yè)發(fā)展看，民營企業(yè)機制靈活、貼近市場，在優(yōu)化產業(yè)結構、推進技術創(chuàng)新、促進轉型升級等方面力度很大，成效很好。據(jù)統(tǒng)計，我國65%的專利、75%以上的技術創(chuàng)新、80%以上的新產品開發(fā)是由民營企業(yè)完成的。從吸納就業(yè)看，民營經濟作為國民經濟的生力軍是就業(yè)的主要承載主體。全國工商聯(lián)統(tǒng)計，城鎮(zhèn)就業(yè)中，民營經濟的占比超過了80%，而新增就業(yè)貢獻率超過了90%。中小企業(yè)是數(shù)量最大、最具活力的企業(yè)群體，是社會主義市場經濟的重要組成部分，是我國實體經濟的重要基礎。根據(jù)中小企業(yè)劃型標準和第二次經濟普查數(shù)據(jù)測算，

22、目前中小微企業(yè)占全國企業(yè)總數(shù)的99.7%，其中小微企業(yè)占97.3%。同時，中小企業(yè)創(chuàng)造的最終產品和服務價值已占到國內生產總值的60%，納稅約為國家稅收總額的50%。中小企業(yè)所占GDP比重、納稅比例，充分說明在經濟建設中不僅要重視發(fā)展“頂天立地”的大企業(yè)，更要重視發(fā)展“鋪天蓋地”的中小企業(yè)。三、宏觀經濟形勢分析當前，我國經濟已由高速增長轉向高質量發(fā)展階段，正處在轉變發(fā)展方式、優(yōu)化經濟結構、轉換增長動力的攻關期，建設現(xiàn)代化經濟體系是跨越關口的迫切要求和我國發(fā)展的戰(zhàn)略目標。國家統(tǒng)計局最近發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年我國經濟發(fā)展新動能指數(shù)分別為123.5、156.7、210.1，分別比上年增

23、長23.5%、26.9%和34.1%，呈逐年加速之勢。四、半導體材料項目建設必要性分析材料和設備是半導體產業(yè)的基石，是推動集成電路技術創(chuàng)新的引擎。一代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現(xiàn)。半導體材料處于整個半導體產業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，對半導體產業(yè)發(fā)展起著重要支撐作用，具有產業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多、技術門檻高、更新速度快等特點。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料。根據(jù)SEMI，2017年全球半導體材料銷售額為469億美元，增長9.6%，其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為278億美元和191億美元，同比增長率分別為12.7%和5.4%。2018年全球半導體材料銷售額達到519

24、億美元，增長10.6%，超過2011年471億美元的歷史高位，其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為322億美元和197億美元，同比增長率分別為15.9%和3.0%。2018年，全球半導體晶圓制造材料市場規(guī)模與全球半導體市場規(guī)模同步增長。根據(jù)WSTS和SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)測算，2013-2018年每年全球半導體晶圓制造材料市場規(guī)模占全球半導體市場規(guī)模的比例約為7%。半導體材料行業(yè)是半導體產業(yè)鏈中細分領域最多的產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，其中晶圓制造材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材料、工藝化學品、電子特氣、靶材、CMP拋光材料（拋光液和拋光墊）及其他材料，封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲

25、、包封材料、芯片粘結材料及其他封裝材料，每一種大類材料又包括幾十種甚至上百種具體產品，細分子行業(yè)多達上百個。由于半導體材料行業(yè)細分領域眾多，且不同的子行業(yè)在技術上存在較大差異，因此半導體材料行業(yè)各個子行業(yè)的行業(yè)龍頭各不相同。從半導體材料行業(yè)競爭格局看，全球半導體材料產業(yè)依然由美國、日本等廠商占據(jù)絕對主導，國內半導體材料企業(yè)和海外材料龍頭仍存在較大差距。根據(jù)SEMI，2018年中國臺灣憑借其龐大的代工廠和先進的封裝基地，以114.5億美元連續(xù)第九年成為半導體材料的最大消費地區(qū)，增長率11%；中國大陸半導體材料市場銷售額84.4億美元，增長率11%。2018年，中國大陸及臺灣地區(qū)半導體材料銷售額占

26、比合計超過全球銷售額的38%。半導體晶圓制造材料和晶圓制造產能密不可分。全球半導體產業(yè)向中國大陸轉移趨勢明顯，中國大陸迎來建廠潮。根據(jù)SEMI預測，2017-2020年全球將有62座晶圓廠投產，其中26座晶圓廠來自于中國大陸，占比約42%。根據(jù)SEMI2018年中國半導體硅晶圓展望報告，中國的Fab廠產能預計將從2015年的每月230萬片（Wpm）到2020年的400萬片，每年12%的復合年增長率，比其他所有地區(qū)增長都要快。根據(jù)ICInsights，隨著中國IC設計公司的增長，中國晶圓代工服務的需求也隨之增長。2018年度，中國純晶圓代工銷售額106.90億美元，較2017年度大幅增長了41%

27、，增幅超過全球純晶圓代工市場規(guī)模增幅5%的八倍。由于許多純晶圓代工廠商計劃在中國大陸新建或擴建IC制造產線，中國的純晶圓代工全球市場份額已由2015年11%快速增長到2018年19%。根據(jù)ICInsights，在經過2017年增長7%之后，2018年和2019年全球晶圓產能都將繼續(xù)增長8%，分別增加1730萬片和1810萬片。在這兩年中，眾多的DRAM和3DNANDFlash生產線導入是晶圓產能增加的主導因素。預計2017-2022年全球IC產能年增長率平均為6.0%，而2012-2017年平均為4.8%。全球晶圓產能增長為上游半導體材料行業(yè)帶來了強勁的需求。集成電路產業(yè)是信息技術產業(yè)的核心，

28、是支撐經濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)。近年來國家制定了一系列“新一代信息技術領域”及“半導體和集成電路”產業(yè)支持政策，加速半導體材料國產化、本土化供應的進程。特別是“十二五”期間實施的國家“02專項”，對于提升中國集成電路產業(yè)鏈關鍵配套材料的本土供應能力起到了重要作用。此外，國家集成電路基金及社會資本的大力支持為進一步加快推進我國集成電路產業(yè)發(fā)展提供了保障。根據(jù)ICInsights，2018年中國IC產值238億美元占中國IC市場1,550億美元的比例為15.3%，比例較2013年的12.6%有所提升，但國產化水平仍然較低。根據(jù)國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要發(fā)展目標，到2

29、020年，集成電路產業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強，關鍵裝備和材料進入國際采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產業(yè)體系；到2030年，集成電路產業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一梯隊，實現(xiàn)跨越發(fā)展。五、半導體材料行業(yè)分析半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導體材料的電導率在歐/厘米之間，一般情況下電導率隨溫度的升高而增大。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。半導體材料市場可以分為晶圓材料和封裝材料市場。其中，晶圓材料主要有硅片、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助設備、

30、濕制程、濺射靶、拋光液、其他材料。封裝材料主要有層壓基板、引線框架、焊線、模壓化合物、底部填充料、液體密封劑、粘晶材料、錫球、晶圓級封裝介質、熱接口材料。2018年全球半導體材料市場規(guī)模519億美金，同比去年增長10.7%。其中晶圓制造材料銷售額約322億美金，封裝材料銷售額約197億美金。全球半導體材料市場總銷售額穩(wěn)健成長，周期性較弱。中國臺灣、中國大陸和韓國市場使用了全球一半以上的半導體材料。2018年，臺灣地區(qū)憑借在晶圓制造及先進封裝的龐大產能，消耗了114億美金的半導體材料，連續(xù)9年成為全球最大半導體材料消費地區(qū)。2018年，韓國排名第二，半導體材料用量達87.2億美金；中國大陸排名第

31、三，半導體材料用量達84.4億美金。2017年全球硅片出貨量為11448MSI（百萬平方英寸），創(chuàng)全球硅片出貨量的歷史新高，相比2016年增長8.2%，展望2018年和2019年，全球硅片出貨量將繼續(xù)提升到11814MSI和12235MSI，分別同比增長3.2%和3.6%，繼續(xù)創(chuàng)歷史新高。從近幾年全球硅片銷售金額來看，2015年和2016年全球硅片的銷售金額僅分別為72億美元和80億美元，2017年驟增至87億美元。其原因除硅片出貨量增加之外，更為重要的是供貨緊張引發(fā)價格不斷上漲。自2016年下半年以來，全球半導體產業(yè)持續(xù)回升，全球硅材料產能提升滯緩，供需矛盾日益突出，價格不斷上漲。2009年

32、，受世界經濟危機的影響，全球半導體市場和硅片市場急劇下滑。2010年反彈之后，20112013年受12英寸大硅片普及造成硅片單位面積制造成本下降，以及全球半導體市場低迷的影響，全球硅片市場小幅下滑。2014年以后，受移動智能終端和物聯(lián)網等需求的帶動，全球硅片出貨量開始小幅回升。自2016年下半年起，隨著全球半導體市場持續(xù)好轉，大尺寸硅片供不應求。其中12英寸硅片需求快速增長主要源于存儲器（包括DRAM和NANDFlash）、CPU/GPU等邏輯芯片，以及智能手機基帶芯片和應用處理器（APU）等的帶動。8英寸硅片受益于物聯(lián)網、汽車電子、指紋識別、可穿戴設備和CIS（CMOS圖像傳感器）等芯片市場

33、的大幅增長，自2016年下半年起8英寸硅片供貨也趨緊張。總之，當前全球硅片供應緊張，主要出于以下四個主要因素。一是全球晶圓制造大廠，如臺積電、三星、格羅方德、英特爾、聯(lián)電等進入高階制程競爭，各廠商的高額資本支出（60億120億美元）主要用于高階制程晶圓產能的擴張。二是三星、SK海力士、美光/英特爾、東芝和西部數(shù)據(jù)/SanDisk等存儲器巨頭，全力加速3DNANDFlash和DRAM的擴產，強勁帶動12英寸硅片市場需求。三是物聯(lián)網、汽車電子、CIS（CMOS圖像傳感器）和智能制造控制等芯片市場旺盛，帶動了8英寸硅片市場快速增長。四是中國大陸地區(qū)大舉新建12英寸晶圓生產線和8英寸生產線擴產。從全球

34、硅片市場的供給側來看，需要純度高達11個9（11N）以上的多晶硅和不斷提升大尺寸硅片的良率是制造大尺度硅片的兩大技術關鍵。盡管從2016年下半起全球硅片市場顯著復蘇，但全球大尺寸硅片的產能沒有太大的變化。2015年年底全球12英寸硅片產能為510萬片/月，而2016年下半年開始全球12英寸硅片的需求量已達到520萬片/月以上。到2017年和2018年，全球12英寸硅片的需求更是分別增加到550萬片/月和570萬片/月，而對應于12英寸硅片的產能僅分別為525萬片/月和540萬片/月。由此可見，在今后的23年內硅片供不應求將是常態(tài)。到2020年以后，隨著新建12英寸硅片產能開始釋放，全球大尺寸硅

35、片市場有望緩解。同時，2016年12英寸硅片占全球硅片整體市場的63%，預計到2020年這個比例將進一步提升到68%以上。與此同時，8英寸硅片占整體硅片市場的比例由2016年的28.3%降至2020年的25.3%。但是，實際上在此期間8英寸硅片的出貨量仍將繼續(xù)增長，只是市場增長速率趕不上12英寸硅片而已。6英寸及以下尺寸硅片的出貨量相對比較平穩(wěn)，占硅片市場的比例逐漸下降。近年來，全球硅片市場已被日本信越（ShinEtsu）、日本勝高（SUMCO）、德國Siltronic（原Waker）、美國SunEdision（原MEMC）、韓國LGSilitron和中國臺灣世界晶圓（GlobalWafers

36、）6家硅片巨頭所壟斷。全球一半以上的硅片產能集中于日本。并且硅片尺寸越大，壟斷程度越嚴重。例如，2015年這6家硅片廠商不但掌控了全球92%的硅片出貨量（見圖6），更是囊括了全球97.8%的12英寸硅片銷售額。2016年9月，中國臺灣的環(huán)球晶圓以6.83億美元并購了美國的SunEdision（其前身是MEMC），從而一舉成為全球排名第三位的硅片供應商。2017年5月，環(huán)球晶圓又以3.2億元收購了丹麥硅材料公司Topsil。2017年年初，韓國SKHynix收購了LGSiliton，易名為SKSilitron。到2017年年底，全球前5大半導體硅片供應商的市場份額。在半導體材料領域，由于高端產品

37、技術壁壘高，國內企業(yè)長期研發(fā)投入和積累不足，我國半導體材料在國際分工中多處于中低端領域，高端產品市場主要被歐美日韓臺等少數(shù)國際大公司壟斷，比如：硅片全球市場前六大公司的市場份額達90%以上，光刻膠全球市場前五大公司的市場份額達80%以上，高純試劑全球市場前六大公司的市場份額達80%以上，CMP材料全球市場前七大公司市場份額達90%。國內大部分產品自給率較低，基本不足30%，并且大部分是技術壁壘較低的封裝材料，在晶圓制造材料方面國產化比例更低，主要依賴于進口。另外，國內半導體材料企業(yè)集中于6英寸以下生產線，目前有少數(shù)廠商開始打入國內8英寸、12英寸生產線。由于我國半導體市場需求巨大，而國內很大一

38、部分不能供給，致使我國集成電路（俗稱芯片）進口金額巨大，近幾年芯片進口額穩(wěn)定在2000億美元以上，2017年我國芯片進口額為2601.16億美元，同比增長14.6%；2018年我國芯片進口額為3120.58億美元，同比增長19.8%。我國近十年芯片進口額每年都超過原油進口額，2018年我國原油進口額為2402.62億美元，芯片繼續(xù)是我國第一大進口商品。貿易逆差逐年擴大，2010年集成電路貿易逆差1277.4億美元，而在2017年集成電路貿易逆差增長到1932.4億美元，2018年集成電路貿易逆差2274.22億美元。如此大的貿易逆差反映出我國集成電路市場長期嚴重供不應求，進口替代的市場空間巨大

39、。六、半導體材料市場分析預測半導體行業(yè)具有技術難度高、投資規(guī)模大、產業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產品種類多、更新迭代快、下游應用廣泛的特點，產業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導體制造產業(yè)鏈包含設計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導體材料和設備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)，位于產業(yè)鏈最上游。半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造（前道）和封裝（后道）測試，隨著先進封裝技術的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道。由于半導體產品的加工工序多，所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。我們主要以最為復雜的晶圓制造（前道）工藝為例，說明制造過程的所需要的材料。晶圓生產線可以分成7個獨立的生產區(qū)域：擴散、光刻、刻蝕、離

40、子注入、薄膜生長、拋光（CMP）、金屬化。每個獨立生產區(qū)域中所用到的半導體材料都不盡相同。半導體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學品、拋光材料、光刻膠、濕法化學品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI預測，2019年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學品的銷售額分別為123.7億美元、43.7億美元、41.5億美元、22.8億美元，分別占全球半導體制造材料行業(yè)37.29%、13.17%、12.51%、6.87%的市場份額。其中，半導體硅片占比最高，為半導體制造的核心材料。轉向區(qū)域市場方面，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，臺灣憑借其龐大的代工廠和先進的封裝基地，以114億美元連續(xù)第九年成為半導體

41、材料的最大消費地區(qū)。韓國位列第二，中國大陸位列第三。韓國，歐洲，中國臺灣和中國大陸的材料市場銷售額增長較為強勁，而北美，世界其他地區(qū)和日本市場則實現(xiàn)了個位數(shù)的增長。（其他地區(qū)被定義為新加坡，馬來西亞，菲律賓，東南亞其他地區(qū)和較小的全球市場。）半導體材料市場處于寡頭壟斷局面，國內產業(yè)規(guī)模非常小。相比同為產業(yè)鏈上游的半導體設備市場，半導體材料市場更細分，單一產品的市場空間很小，所以少有純粹的半導體材料公司。半導體材料往往只是某些大型材料廠商的一小塊業(yè)務，例如陶氏化學公司（TheDOWChemicalCompany），杜邦，三菱化學，住友化學等公司，半導體材料業(yè)務只是其電子材料事業(yè)部下面的一個分支。

42、盡管如此，由于半導體工藝對材料的嚴格要求，就單一半導體化學品而言，僅有少數(shù)幾家供應商可以提供產品。以半導體硅片市場為例，全球半導體硅片市場集中度較高，產品主要集中在日本、韓國、德國和中國臺灣等發(fā)達國家和地區(qū)，中國大陸廠商的生產規(guī)模普遍偏小。在整個晶圓制造的過程中，濕電子化學品自始至終需要參與晶圓制造中出現(xiàn)的清洗、光刻、蝕刻等工藝流程。在半導體集成電路的制造流程中，濕電子化學品主要參與半導體集成電路前段的晶圓制造環(huán)節(jié)，也是技術要求的最高環(huán)節(jié)。并且隨著集成電路的集成度不斷提高，要求線寬不斷變小，薄膜不斷變薄，對濕電子化學品的技術水平要求也更高。同時，為了能夠滿足芯片尺吋更小、功能更強大、能耗更低的

43、技術性能求，高端封裝領域所需的濕電子化學品技術要求也越來越高。第四章 項目建設主要內容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積56695.00平方米（折合約85.00畝），其中：凈用地面積56695.00平方米（紅線范圍折合約85.00畝）。項目規(guī)劃總建筑面積88444.20平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程65117.91平方米，計容建筑面積88444.20平方米；預計建筑工程投資6709.36萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計107臺（套），設備購置費6096.81萬元。二、產值規(guī)模項目計劃總投資21306.78萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入49721.00萬元。第五章 項目建設地點一、半導體材料

44、項目建設選址原則為了更好地發(fā)揮其經濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)半導體材料項目選址的一般原則和半導體材料項目建設地的實際情況，“半導體材料項目”選址應遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產經營和管理活動。2、與半導體材料項目建設地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎設施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、半導體材料項目選址方案及土地權屬（一）半導體材料項目選址方案1、半導體材料項目建設單位通過對半導體材料項目擬建場地縝密調研，充分考慮了半導體材料項

45、目生產所需的內部和外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的半導體材料項目最佳建設地點半導體材料項目建設地，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體材料項目建設提供了良好的投資環(huán)境。廣西壯族自治區(qū)，簡稱桂，是中華人民共和國省級行政區(qū)，首府南寧，位于中國華南地區(qū)，廣西界于北緯2054-2624，東經10428-11204之間，東界廣東，南臨北部灣并與海南隔海相望，西與云南毗鄰，東北接湖南，西北靠貴州，西南與越南接壤，廣西陸地面積23.76萬平方千米，海域面積約4萬平方千米。廣

46、西地處中國地勢第二階梯中的云貴高原東南邊緣，兩廣丘陵西部，地勢西北高、東南低，呈現(xiàn)西北向東南傾斜。地貌總體由山地、丘陵、臺地、平原、石山、水面6大類構成。廣西屬亞熱帶季風氣候和熱帶季風氣候，地跨珠江、長江、紅河、濱海四大水系。截至2019年末，廣西下轄14個地級市，51個縣，12個自治縣，8個縣級市，40個市轄區(qū)；常住人口4960萬人；生產總值21237.14億元，其中，第一產業(yè)增加值3387.74億元，增長5.6%；第二產業(yè)增加值7077.43億元，增長5.7%；第三產業(yè)增加值10771.97億元，增長6.2%。人均地區(qū)生產總值42964元，比上年增長5.1%。（二）工程地質條件1、根據(jù)建筑

47、抗震設計規(guī)范（GB50011）標準要求，半導體材料項目建設地無活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程半導體材料項目建設區(qū)處于地質構造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質勘探，參考臨近建筑物的地質資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質粘土、淤泥質粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設區(qū)域地質抗風化能力較強，地層承載力高，工程地質條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生災害的影響，無不良地質現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適

48、應本期工程半導體材料項目建設。三、半導體材料項目用地總體要求（一）半導體材料項目用地控制指標分析1、“半導體材料項目”均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設半導體材料項目平面布置符合輕工產品制造行業(yè)、重點產品的廠房建設和單位面積產能設計規(guī)定標準，達到工業(yè)半導體材料項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）半導體材料項目建設條件比選方案1、半導體材料項目建設單位通過對可供選擇的建設地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了半導體材料項目擬建區(qū)域的交通

49、條件、土地取得成本及職工交通便利條件，半導體材料項目經營期所需的內外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件等，通過建設條件比選最終選定的半導體材料項目最佳建設地點半導體材料項目建設地，本期工程半導體材料項目建設區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網絡、施工環(huán)境等條件均較好，可保證半導體材料項目的建設和正常經營，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體材料項目建設提供了良好的投資環(huán)境。2、由半導體材料項目建設單位承辦的“半導體材料項目”，擬選址在半導體材料項目建設地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運

50、輸條件便利、配套設施齊全，符合半導體材料項目選址要求。（三）半導體材料項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)56.21%，建筑容積率1.56，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.98%，固定資產投資強度182.69萬元/畝。（四）半導體材料項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質基礎，也是社會經濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，半導體材料項目建設單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據(jù)建設內容、規(guī)模和建設方案，按照國家有關節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在半導體材料項目建設過程中，半導體材料項目建設單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設地期對本期工程半導體材料項目地塊的控制性

51、指標，本著“經濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設計條件半導體材料項目建設地屬于建設用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質條件優(yōu)良，水文地質條件良好，適宜本期工程半導體材料項目建設。二、建筑設計規(guī)范和標準1、砌體結構設計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎設計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結構荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標準要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結構耐久性設計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環(huán)境類別為一類，本工程

52、上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設指標本期工程項目預計總建筑面積88444.20平方米，其中：計容建筑面積88444.20平方米，計劃建筑工程投資6709.36萬元，占項目總投資的31.49%。第七章 設備選型分析一、設備選型（一

53、）設備選型的原則1、選用的設備必須有較高的生產效率，能降低勞動強度，滿足生產規(guī)模的要求，2、為滿足產品生產的質量要求，關鍵設備為知名廠家生產的品牌產品，3、按經濟規(guī)律辦事，講求投資經濟效益，在充分考慮設備的先進性和適用性的同時，綜合考慮各設備的性價比和壽命年限。（二）設備選型方向1、以“比質、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質量，最大限度地保證產品質量的需要，不斷提高產品生產過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產率，節(jié)約能源降低生產成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產品的生產技術工藝及生產規(guī)模相適應，同時應具備“先進、適用、經濟、配套、平衡”的特性，能夠達到

54、節(jié)能和清潔生產的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內外先進水平，經生產廠家使用證明運轉穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產高質量產品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產高質量產品的生產設備。對生產設備進行合理配置，充分發(fā)揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產工藝要求的前提下，力求經濟合理。充分考慮設備的正常運轉費用，以保證在生產本行業(yè)相同產品時，能夠保持最低的生產成本。4、以甄選優(yōu)質供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調試及時、可靠并能及時提供備品備件的設備生產廠家。根據(jù)生產經驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產

55、設備，選用生產設備廠家具有國內一流技術裝備，企業(yè)管理科學達到國際認證標準要求。（三）設備配置方案該項目的生產及檢測設備以工藝需要為依據(jù)，滿足工藝要求為原則，并盡量體現(xiàn)其技術先進性、生產安全性和經濟合理性，以及達到或超過國家相關的節(jié)能和環(huán)保要求。先進的生產技術和裝備是保證產品質量的關鍵。因此，關鍵工藝設備必須選擇國內外著名生產廠商的產品，并且在保證產品質量的前提下，優(yōu)先選用國產的名牌節(jié)能環(huán)保型產品。根據(jù)生產規(guī)模和生產工藝的要求，本著“先進、合理、科學、節(jié)能、高效”的原則，該項目對比考察了多個生產設備制造企業(yè)，優(yōu)選了產品生產專用設備和檢測儀器等國內先進的環(huán)保節(jié)能型設備，確保該項目生產及產品檢驗的需

56、要。項目計劃購置設備共計107臺（套），設備購置費6096.81萬元。第八章 節(jié)能分析一、節(jié)能概述實施工業(yè)能效趕超行動，加強高能耗行業(yè)能耗管控，在重點耗能行業(yè)全面推行能效對標，推進工業(yè)企業(yè)能源管控中心建設，推廣工業(yè)智能化用能監(jiān)測和診斷技術。到2020年，工業(yè)能源利用效率和清潔化水平顯著提高，規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)單位增加值能耗比2015年降低18%以上，電力、鋼鐵、有色、建材、石油石化、化工等重點耗能行業(yè)能源利用效率達到或接近世界先進水平。推進新一代信息技術與制造技術融合發(fā)展，提升工業(yè)生產效率和能耗效率。開展工業(yè)領域電力需求側管理專項行動，推動可再生能源在工業(yè)園區(qū)的應用，將可再生能源占比指標納入工業(yè)

57、園區(qū)考核體系。二、節(jié)能法規(guī)及標準（一）節(jié)能法律及法規(guī)1、中華人民共和國節(jié)約能源法2、中華人民共和國可再生能源法3、中華人民共和國電力法4、中華人民共和國建筑法5、中華人民共和國清潔生產促進法6、中華人民共和國計量法（二）節(jié)能標準依據(jù)1、工業(yè)企業(yè)能源管理導則（GB/T15587-2008）2、綜合能耗計算通則（GB/T2589-2008）3、評價企業(yè)合理用電技術導則（GB/T3485-1998）4、評價企業(yè)合理用熱技術導則（GB/T3486-1993）5、用能單位能源計量器具配備和管理通則（GB17167-2006）6、企業(yè)能源審計技術通則（GB/T17166-1997）7、企業(yè)節(jié)能量計算方法（GB/T13234-2009）三、項目所在地能源消費及能源供應條件1、供水條件：本期工程項目供水由某某工業(yè)園自來水管網供應，能夠保證項目用水需要。