塑性變形譯文.doc

無(wú)取向電工鋼再結(jié)晶織構(gòu)的的演化雖然再結(jié)晶織構(gòu)課題已經(jīng)經(jīng)過(guò)了一個(gè)長(zhǎng)期的研究過(guò)程，但再結(jié)晶織構(gòu)的形成機(jī)制問(wèn)題仍沒(méi)有統(tǒng)一的定論。這主要與再結(jié)晶本身的復(fù)雜性有關(guān)。通過(guò)對(duì)2%硅鋼的再結(jié)晶織構(gòu)的形成機(jī)制以及有具體方向的晶核來(lái)源的研究，認(rèn)為再結(jié)晶織構(gòu)的形成可由定向形核來(lái)解釋。大部分晶核都與周?chē)淖冃位w間有一個(gè)較高的取向差角2555 。新戈斯晶粒主要在變形方向?yàn)?11 ，111 和 112的剪切帶內(nèi)成核，且剪切帶的數(shù)量按相同的順序依次減少。新的立方取向晶粒的晶核也會(huì)在剪切帶內(nèi)成核。新的111 晶粒在111 變形晶粒上成核，而新的111晶粒則首先在111變形晶粒上成核。關(guān)鍵詞：無(wú)取向電工鋼，再結(jié)晶，織構(gòu)，取向差，儲(chǔ)存能1、前言再結(jié)晶織構(gòu)是造成最終產(chǎn)品性能各異的主要因素，正由于此，它引起了許多科學(xué)家的興趣，一直是冶金工程師們的研究課題之一。盡管研究再結(jié)晶織構(gòu)的人有許多，但對(duì)再結(jié)晶織構(gòu)形成機(jī)制影響因素的研究仍然是有爭(zhēng)議。這一爭(zhēng)議與微觀結(jié)構(gòu)的復(fù)雜的不均勻性有關(guān)，不同方向上變形晶粒的形核率不同，進(jìn)入鄰近變形基體的晶核其生長(zhǎng)率也不同。再結(jié)晶織構(gòu)由變形基體中晶核形核方向及增長(zhǎng)速度來(lái)共同決定。在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)50年的爭(zhēng)論之后，目前已被接受的再結(jié)晶織構(gòu)理論主要有兩個(gè)。第一，定向形核理論，假設(shè)有特定方向的晶核其成核快于其他方向晶核的形成，由此決定再結(jié)晶織構(gòu)。Hayakawa等人用定向形核理論評(píng)估了IF鋼的再結(jié)晶織構(gòu)模型，結(jié)果表明織構(gòu)模型與實(shí)驗(yàn)觀察結(jié)果一致。第二，定向增長(zhǎng)理論，該理論認(rèn)為再結(jié)晶織構(gòu)與晶界遷移的速度存在具體的旋轉(zhuǎn)關(guān)系。對(duì)體心立方金屬而言，變形與再結(jié)晶織構(gòu)之間存在特定的30關(guān)系。取向顯微成像技術(shù)（OIM）的出現(xiàn)，使得再結(jié)晶織構(gòu)領(lǐng)域的研究取得重大進(jìn)展，關(guān)于鋼中再結(jié)晶織構(gòu)形成的許多成果已發(fā)表，特別是在近年，關(guān)于無(wú)間隙原子（IF）鋼的文獻(xiàn)更多。但是，這些成果的獲得同樣需要以上兩種理論的支持。雖然無(wú)取向電工鋼也是普通鋼產(chǎn)品的一種且通過(guò)織構(gòu)優(yōu)化以改善磁性能，但是無(wú)取向電工鋼加工技術(shù)的重點(diǎn)仍主要放在晶粒尺寸的控制上。通過(guò)控制化學(xué)成分和優(yōu)化每一步上的變量來(lái)實(shí)現(xiàn)粒度優(yōu)化幾乎已經(jīng)接近極限。相比之下，織構(gòu)控制很少得到重視，因此通過(guò)控制織構(gòu)以提高無(wú)取向鋼的磁性能值得研究。目前的研究主要集中在2硅無(wú)取向電工鋼上，而其再結(jié)晶織構(gòu)的形成，還尚未系統(tǒng)地研究。用EBSD（電子背散射衍射）技術(shù)測(cè)量了部分重結(jié)晶樣本，獲得的資料表明，有特定方向的晶核來(lái)源與形成這些晶核的基體有關(guān)。此外，晶核與其周?chē)冃位w的取向差關(guān)系也可由背散射電子衍射技術(shù)測(cè)量。2. 實(shí)驗(yàn)過(guò)程實(shí)驗(yàn)的原始材料為含有0.0035碳，2.0硅，0.2錳，0.2鋁，0.0030硫，0.0020氮的2mm厚的熱譜帶。這些帶在1000 C下退火5分鐘，隨后將晶粒尺寸為110微米的譜帶75冷軋至0.5毫米，然后分別在610C和790C高溫氬氣氣氛中退火5分鐘，以獲得不同的再結(jié)晶分?jǐn)?shù)。用2硝酸酒精溶液對(duì)重結(jié)晶標(biāo)本進(jìn)行腐蝕，并用光學(xué)顯微鏡觀察其微觀結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)在微觀上它的橫截面與軋制方向平行。不同溫度下退火的再結(jié)晶分?jǐn)?shù)可用圖像分析儀計(jì)算得到。利用西門(mén)子D - 500型X射線(xiàn)衍射儀，以鉬做輻射源測(cè)試所有樣本的織構(gòu)。在不同道次下，分別測(cè)定了110, 200 和211這三個(gè)不完整的極圖，定義參數(shù)為S = 2a/d，其中a表示試樣中心層間距，d表示試樣整體厚度。s = 0表示中心，S = 1代表表面層。測(cè)量極圖時(shí)，標(biāo)本要先進(jìn)行機(jī)械拋光，然后在800毫升冰醋酸和200毫升高氯酸（高氯酸）的混合液中電解，以消除前面機(jī)械拋光引起的變形。使用織構(gòu)分析軟件從三極圖中計(jì)算取向分布函數(shù)（ODF）。在配有菲利普斯30倍 FEG掃描電子顯微鏡的TexSEM實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，使用OIM（取向顯微成像技術(shù)）技術(shù)對(duì)部分再結(jié)晶樣本的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量。截面上所有的測(cè)量結(jié)果都按軋制和正常方向定義，測(cè)量時(shí)使用的步驟大小取決于再結(jié)晶過(guò)程。用TexSEM實(shí)驗(yàn)室提供的OIM（取向顯微成像技術(shù)）軟件從部分再結(jié)晶顯微結(jié)構(gòu)中分離出晶核或再結(jié)晶晶粒。這些晶核核或重結(jié)晶顆粒區(qū)域顯示出清晰的菊池花樣，這個(gè)菊池花樣的周?chē)慌c變形基體取向差超過(guò)5的晶粒環(huán)繞。晶核或再結(jié)晶晶粒，按取向分為7類(lèi)，分別為001，112，111，111，110， 011(Goss戈斯)和001（Cube立方），與理想方向最大誤差為20 ，且任意兩個(gè)方向之間不存在重疊。前面五個(gè)取向往往在冷軋、退火鋼織構(gòu)中才能觀察到。后兩個(gè)取向是對(duì)無(wú)取向電工鋼的磁性能的優(yōu)化，因?yàn)樗麄兇嬖谝状呕较蚯移叫杏诎宀谋砻娴拿?。通過(guò)計(jì)算再結(jié)晶階段所有晶粒不同的面積分?jǐn)?shù)，可得到每個(gè)再結(jié)晶階段定向變形晶粒的面積分?jǐn)?shù)。3、結(jié)果和討論3.1、再結(jié)晶階段微觀結(jié)構(gòu)的演變圖1表示局部再結(jié)晶試樣的光學(xué)顯微結(jié)構(gòu)，圖2是再結(jié)晶分?jǐn)?shù)和退火溫度的函數(shù)關(guān)系。經(jīng)過(guò)650退火的試樣的顯微結(jié)構(gòu)顯示，狹長(zhǎng)晶粒的腐蝕程度有顯著差異。有些顆粒易發(fā)生輕微腐蝕而有些顆粒則腐蝕嚴(yán)重。腐蝕強(qiáng)度的差異與冷軋后不同的儲(chǔ)存能有關(guān)。背散射電子衍射分析顯示，腐蝕嚴(yán)重的區(qū)域成分屬于111纖維，腐蝕輕微的區(qū)域成分屬于纖維。再結(jié)晶晶粒的數(shù)量與尺寸隨退火溫度的升高而顯著增加。然而，再結(jié)晶的發(fā)生卻很不均勻。據(jù)觀察，一些變形晶粒被新的晶粒完全取代，而其他一些變形晶粒則只是被部分取代，甚至沒(méi)有任何形成的晶核補(bǔ)償。從微觀結(jié)構(gòu)中很明顯地觀察到重度腐蝕變形區(qū)再結(jié)晶晶粒的形成比輕度腐蝕變形區(qū)早。740 C退火試樣的微觀結(jié)構(gòu)表明，在整個(gè)區(qū)域著遍布大小很不均勻的晶粒。因此我們可以推知，每一個(gè)變形晶粒的重結(jié)晶動(dòng)力都相互獨(dú)立。此外，再結(jié)晶晶粒的大小不同，主要取決于他們成核形成的變形晶粒。這可能與成核機(jī)制有關(guān)。另一個(gè)重要方面是，觀察到許多傾向于軋制方向約20C 35C的剪切帶。這些剪切帶的形成與變形之前的原始晶粒尺寸和取向有關(guān)。眾所周知，剪切帶容易在晶粒粗大或高碳或高氮含量的鐵素體鋼冷軋時(shí)形成。3.2 晶核形成織構(gòu)與核和變形矩陣之間的取向差關(guān)系圖3是測(cè)定的冷軋樣品四個(gè)不同道次下的ODF2= 45截面圖。顯示，不同層次上的織構(gòu)不同。001，112方向的纖維和其它道次上111、111方向的纖維織構(gòu)的強(qiáng)度相近，表面形成的001織構(gòu)強(qiáng)度較高，但是層間的的強(qiáng)度不同。790C退火的試樣上沒(méi)有看到有任何明顯晶粒生長(zhǎng)的完全再結(jié)晶組織。圖4表示ODF2= 45截面不同道次的織構(gòu)。S= 1面上織構(gòu)包含弱的纖維和纖維，但是S = 0.75和S = 0.5面上顯示強(qiáng)度分別是S=1面上約8.4倍和13.4倍的Goss織構(gòu)。另一方面，S=0處的織構(gòu)是一個(gè)Goss（戈斯）織構(gòu)，這個(gè)織構(gòu)稍微偏離于理想位置，是一個(gè)相對(duì)較弱的111織構(gòu)，而S = 0.5處戈斯織構(gòu)與S=0處相比其強(qiáng)度又大大降低。已經(jīng)確定，再結(jié)晶在具有較高儲(chǔ)存能的變形晶粒中發(fā)生較早，這些儲(chǔ)存能取決于變形晶粒的取向。據(jù)了解，無(wú)論是在冷軋階段還是在完全重結(jié)晶階段，織構(gòu)都不是均勻地分布，研究試樣的橫截面上的再結(jié)晶過(guò)程是比較合理的。圖5為再結(jié)晶晶粒體積分?jǐn)?shù)為8的樣品通過(guò)背散射電子測(cè)量得到的654核的織構(gòu)圖。這些織構(gòu)在ODF2=45截面圖上顯示出來(lái)。在此再結(jié)晶分?jǐn)?shù)的基礎(chǔ)上，可以考慮再結(jié)晶晶粒晶核。由背散射電子衍射定義的晶核的典型織構(gòu)包含Goss，Cube和纖維等織構(gòu)，如111和111。戈斯織構(gòu)的強(qiáng)度是最強(qiáng)的，111 織構(gòu)的強(qiáng)度次之。在這些織構(gòu)中，除觀察到111外，沒(méi)有明顯的纖維。為了探討晶核和鄰近的變形基體的取向差關(guān)系，研究了8重結(jié)晶試樣的230對(duì)晶核和周?chē)冃尉Я５娜∠?。軸和角度的取向差分布如圖6所示?？梢钥吹?，大多數(shù)晶核與周?chē)w間取向差的角度2555，然而，優(yōu)先形成核中晶核與周?chē)冃位w的軸向差沒(méi)有具體的取向。圖7描繪了在不考慮取向差軸時(shí)，230對(duì)核與周?chē)冃位|(zhì)的取向差角頻率。我們可以證實(shí)，晶核顯示了與周?chē)淖冃位w具有較高的2555 取向差頻率。因此，我們期望大部分晶核都能有高度流動(dòng)的晶界。3.3 再結(jié)晶階段織構(gòu)的演化圖8顯示在在不同再結(jié)晶階段再結(jié)晶晶粒的ODF2= 45截面織構(gòu)。所有的織構(gòu)都是由背散射電子衍射測(cè)量得到的。35再結(jié)晶試樣的再結(jié)晶晶粒的織構(gòu)與68%及完全再結(jié)晶試樣類(lèi)似。這些織構(gòu)也與在8再結(jié)晶試樣發(fā)現(xiàn)的核織構(gòu)類(lèi)似如圖5所示。圖9表示所有在再結(jié)晶過(guò)程中形成的新的晶粒，在這些新的晶粒中有具體取向的晶粒所占的面積份數(shù)。雖然由OIM模型獲得的織構(gòu)數(shù)據(jù)比由X射線(xiàn)衍射獲得數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)價(jià)值低，但OIM模型提供了新的重要的微觀結(jié)構(gòu)的觀察值。為了獲得更可靠的數(shù)據(jù)，測(cè)量了每個(gè)再結(jié)晶階段超過(guò)2500個(gè)新的晶粒的方向。所有織構(gòu)組分面積分?jǐn)?shù)隨再結(jié)晶過(guò)程只有一些小的波動(dòng)而不會(huì)顯著改變。這意味著，所有新晶粒不論他們的方向如何，其增長(zhǎng)率幾乎是相同的。因此，可以說(shuō)再結(jié)晶織構(gòu)是由再結(jié)晶早期形成的核織構(gòu)決定的。樣本再結(jié)晶織構(gòu)的形成可由定向形核理論來(lái)解釋。再結(jié)晶階段的這兩種相競(jìng)爭(zhēng)的織構(gòu)是戈斯織構(gòu)和111織構(gòu)。3.4.重結(jié)晶階段變形晶粒的織構(gòu)變化圖10給出了重結(jié)晶過(guò)程中有具體方向的變形晶粒面積占所有晶粒的分?jǐn)?shù)。在冷軋階段，主要的織構(gòu)是112, 001, 111和 111。111 和111所占的面積分?jǐn)?shù)在重結(jié)晶早期階段降低迅速，而在之后的階段降低較為緩慢。在重結(jié)晶的終了階段，這兩種織構(gòu)的面積分?jǐn)?shù)降到低于3%。另一方面，在重結(jié)晶早期階段112和001的面積分?jǐn)?shù)沒(méi)有顯著改變，而在重結(jié)晶中期顯著降低，然后又在重結(jié)晶后期迅速降低?？梢悦黠@的看到，重結(jié)晶后期的重結(jié)晶主要發(fā)生在112，001變形晶粒中。像111 和111 變形纖維織構(gòu)，在重結(jié)晶早期迅速消失。相反，大部分變形纖維像112，001在重結(jié)晶中期才消失，而在后期主要被重結(jié)晶晶粒所取代。這些主張與其他研究人員的研究成果一致。在最近的研究中，由背散射電子衍射技術(shù)獲得的圖像質(zhì)量值用來(lái)解釋有不同取向變形晶粒內(nèi)儲(chǔ)存能的不同。圖像質(zhì)量是用來(lái)表示完好晶格，和畸變晶格則會(huì)降低圖像質(zhì)量值。因此，圖像質(zhì)量值越低表示晶格畸變?cè)絿?yán)重。然而，也應(yīng)知道圖像質(zhì)量值也取決于研究的材料、樣本的磨蝕方法和背散射電子測(cè)量條件。因此，樣本在相同的處理和測(cè)量條件下，通過(guò)與在變形和彈性應(yīng)變階段具有相同方向平均圖像質(zhì)量相比以獲得晶粒取向儲(chǔ)存能的相對(duì)改變量。將樣本冷軋到75%，接著在750 C時(shí)退火180分鐘，然后隨爐冷卻，作為應(yīng)力釋放標(biāo)準(zhǔn)試樣。表1表示不同取向晶粒儲(chǔ)存能的相對(duì)量。即使對(duì)于應(yīng)力釋放試樣，其平均圖像質(zhì)量值與不同取向的晶粒也是不同的，所以為獲得理想的晶粒取向，必須對(duì)準(zhǔn)則進(jìn)行修訂。顯然，變形試樣內(nèi)的儲(chǔ)存能在001， 112， 111 和 111方向上依次增加。這個(gè)順序與其他人在鋼中采用不同方法獲得的測(cè)量結(jié)果一致。在他們的研究中，儲(chǔ)存能按001，112 和111方向增加。然而卻沒(méi)提到111方向。另一方面，Diligent等人計(jì)算出了冷軋多晶鋼中纖維和纖維的儲(chǔ)存能，結(jié)果表明，即使相同方向晶粒的儲(chǔ)存能散射很大，111方向的儲(chǔ)存能仍然比111高。與他們的結(jié)論相反，我們用背散射電子測(cè)量的結(jié)果顯示111晶粒的儲(chǔ)存能比111 晶粒高。相同晶粒內(nèi)的儲(chǔ)存能有些許波動(dòng)，這意味著晶粒在各個(gè)部分都可能經(jīng)歷一個(gè)不同的應(yīng)變過(guò)程。雖然111晶粒的平均儲(chǔ)存能肯定高于111 晶粒，但是在變形111晶粒一些區(qū)域儲(chǔ)存能可能比變形111晶粒的還要低。基于這一事實(shí)，有人說(shuō)與其他方法相比，圖像質(zhì)量值表示的儲(chǔ)存能的相對(duì)量對(duì)理解再結(jié)晶行為是可行而有意義的。另外，為了更細(xì)致地了解再結(jié)晶行為，需要按晶粒比例測(cè)量?jī)?chǔ)存能。從背散射電子衍射測(cè)量方法來(lái)看，111 變形晶粒有最高的平均儲(chǔ)存能，而變形001晶粒則有最低的儲(chǔ)存能。因此，無(wú)論是在晶核還是已經(jīng)成核的再結(jié)晶晶粒，人們都期望111變形晶粒首先被消耗，最后是001變形晶粒。3.5 再結(jié)晶織構(gòu)形成機(jī)制圖5、8實(shí)驗(yàn)證明8%重結(jié)晶早期成核織構(gòu)和再結(jié)晶完成時(shí)的織構(gòu)類(lèi)似。另外，有具體方向的晶粒占新形成的晶粒面積分?jǐn)?shù)在重結(jié)晶過(guò)程中沒(méi)有顯著改變，如圖9所示。這也說(shuō)明新晶粒無(wú)論方向如何其增長(zhǎng)率幾乎相同。以此事實(shí)為基礎(chǔ)，定向形核機(jī)制可以較好地解釋試樣再結(jié)晶織構(gòu)的形成。鋼的定向生長(zhǎng)理論以變形和再結(jié)晶織構(gòu)間30關(guān)系為基礎(chǔ)，并假設(shè)有此關(guān)系的晶粒間的晶界有最快的遷移率。在目前的研究中，戈斯和111在再結(jié)晶過(guò)程中彼此競(jìng)爭(zhēng)，而112 和 111表示冷軋鋼織構(gòu)。因此，在那里有兩對(duì)相遇的晶粒，他們的取向關(guān)系是112和111 對(duì)以及111和110對(duì)。有人強(qiáng)調(diào)變形與再結(jié)晶織構(gòu)之間的關(guān)系，也有人可能將試樣再結(jié)晶織構(gòu)的形成機(jī)制誤解為定向生長(zhǎng)。然而，在重結(jié)晶早期形成的新晶粒面積分?jǐn)?shù)不會(huì)隨再結(jié)晶過(guò)程而有顯著改變，如圖9所示。定向生長(zhǎng)機(jī)制中，織構(gòu)由新晶粒增長(zhǎng)率的不同來(lái)定義。假如定向生長(zhǎng)是再結(jié)晶織構(gòu)的形成機(jī)制，那么有具體增長(zhǎng)方向的新晶粒所占的面積分?jǐn)?shù)在重結(jié)晶過(guò)程中不會(huì)有顯著改變。然而，根據(jù)研究這并不符合事實(shí)。綜上所述，核織構(gòu)最終決定重結(jié)晶完成后觀察到的織構(gòu)，而再結(jié)晶織構(gòu)由定向形核決定。3.6 具體方向晶核的起源3.6.1 戈斯方向用背散射電子衍射測(cè)量許多部分再結(jié)晶試樣，表明在再結(jié)晶過(guò)程中最強(qiáng)的織構(gòu)是戈斯織構(gòu)和存在于晶粒群再結(jié)晶戈斯晶粒。此外，那些晶粒群有一個(gè)具體的傾向角，與理想軋制方向成20和35角。圖11表示用7個(gè)晶向編碼的圖像質(zhì)量圖表明在剪切帶內(nèi)有新的戈斯晶粒進(jìn)行再結(jié)晶。很明顯，從這些圖像可知新的戈斯晶粒在變形111，111，112內(nèi)的剪切帶中形核，變形111晶粒內(nèi)剪切帶的數(shù)量在最多，并在變形111和112 晶粒內(nèi)依次降低。但是在最低變形儲(chǔ)存能的001變形晶粒上沒(méi)有發(fā)現(xiàn)剪切帶。剪切帶的這種層次性與冷軋后三個(gè)方向的儲(chǔ)存能一樣重要，如表1所示。根據(jù)這些觀察值，可以說(shuō)，剪切帶更有可能在的儲(chǔ)存能高的晶粒處形成，形成剪切帶是在應(yīng)力集中的地區(qū)，戈斯核形成的較早，但似乎沒(méi)有任何有超過(guò)其他方向的晶粒。公認(rèn)的事實(shí)是，經(jīng)（冷軋+退火）試樣的新晶粒優(yōu)先在剪切帶處形核，像Ushioda等證明在3%Si的Fe合金中111方向單晶戈斯粒從剪切帶處形核。另?yè)?jù)Haratani報(bào)道，在3硅的鐵合金的多晶組織和111方向的單晶，戈斯晶粒核優(yōu)先從剪切帶成核。本研究表明，形核的方向主要決定于最后的再結(jié)晶織構(gòu)。因此，了解核的起源和晶核方向支配準(zhǔn)則相當(dāng)重要。即使在相同晶粒的內(nèi)部，剪切帶也比其周?chē)鷧^(qū)域有較高的儲(chǔ)存能，這使得剪切帶內(nèi)更容易形核。也知道鋼的剪切帶容易在111變形晶粒內(nèi)形成。然而，背散射電子衍射測(cè)量的部分重結(jié)晶試樣清晰的表明剪切帶不僅在111變形晶粒內(nèi)形成，而且也會(huì)在有111和112方向的變形晶粒內(nèi)形成。在有變形111晶粒方向的剪切帶的密度最高，而在112晶粒方向密度最低。然而，雖然剪切帶最有可能在變形111晶粒內(nèi)形成，但它不能覆蓋變形111晶粒整個(gè)區(qū)域。3.6.2 Cube (立方)方向像Goss（戈斯）晶粒等立方晶粒的形核發(fā)生在剪切帶內(nèi)。圖12（a）表示111變形晶粒剪切帶內(nèi)的立方晶粒形核。然而，立方晶粒的密度低于戈斯晶粒。另外，立方晶粒也會(huì)在112內(nèi)部成核，如圖12（b）。在剪切帶內(nèi)和在112內(nèi)部形成的立方晶粒尺寸是不同的。112晶粒內(nèi)部的立方晶核比在剪切帶內(nèi)形成的晶核大。這可以做如下解釋?zhuān)羟袔?nèi)形成的晶粒的儲(chǔ)存能比在112晶粒內(nèi)形成的高，所以在112經(jīng)理內(nèi)部形成的立方晶粒較少。3.6.3 111方向的晶粒圖13 表示111再結(jié)晶晶粒成核的區(qū)域。包括重結(jié)晶分?jǐn)?shù)8%的試樣和他們由晶向編號(hào)的圖像質(zhì)圖所有圖形。在目前的研究中，已經(jīng)證明在111變形晶粒內(nèi)形成的新的111晶核以及在111變形晶粒內(nèi)形成的新的111 晶核。很多新晶粒不能在晶界處成核。前面已經(jīng)提到，變形111 和111相對(duì)于001和112的儲(chǔ)存能較低。因此，人們期望111變形晶粒內(nèi)有新