三極管放大電路介紹ppt課件.pptVIP

1 1 BJT的高頻小信號模型 混合 型高頻小信號模型 2 單級共射極放大電路的頻率響應(yīng)高頻響應(yīng) 3 單級共射極放大電路的頻率響應(yīng)高頻響應(yīng) 4 2 低頻響應(yīng) 低頻等效電路 5 2 低頻響應(yīng) 低頻等效電路 Rb Rb1 Rb2 遠大于R i Ce Cb2 6 則 2 低頻響應(yīng) 低頻響應(yīng) 7 2 低頻響應(yīng) 低頻響應(yīng) 相頻響應(yīng) 180 arctan fL1 f 180 arctan fL1 f 幅頻響應(yīng) 8 2 低頻響應(yīng) 低頻響應(yīng) 包含fL2的幅頻響應(yīng) 4 7 4單級共集電極和共基極放大電路的高頻響應(yīng) 自學 9 1 多級放大電路的增益 前級的開路電壓是下級的信號源電壓 前級的輸出阻抗是下級的信號源阻抗 下級的輸入阻抗是前級的負載 4 7 5多級放大電路的頻率響應(yīng) 10 2 多級放大電路的頻率響應(yīng) 以兩級為例 4 7 5多級放大電路的頻率響應(yīng) 11 一 選擇題 填空題和判斷題 習題課 1 電路如左圖所示 晶體管VBE 0 7V 50 則晶體管工作在 a 放大區(qū) b 飽和區(qū) c 截止區(qū) 2 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ 6V 穩(wěn)定電流的最小值IZmin 5mA 下圖所示電路中UO1為 UO2為 6V 5V 12 3 分別判斷下圖所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài) 解 a 可能 b 可能 c 不能 d 不能 T的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞 e 可能 13 4 判斷下列說法是否正確 凡對的在括號內(nèi)打 否則打 1 放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作 2 由于放大的對象是變化量 所以當輸入信號為直流信號時 任何放大電路的輸出都毫無變化 3 只要是共射放大電路 輸出電壓的底部失真都是飽和失真 4 現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為 100 將它們連成兩級放大電路 其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為10000 5 阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立 它只能放大交流信號 6 直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響 它只能放大直流信號 7 只有直接耦合放大電路中晶體管的參數(shù)才隨溫度而變化 14 一 試分析下圖所示各電路是否能夠放大正弦交流信號 簡述理由 設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路 c 不能 因為輸入信號作用于基極與地之間 不能馱載在靜態(tài)電壓之上 必然失真 解 a 不能 因為輸入信號被VBB短路 b 可能 基本放大電路 15 二 判斷所示各兩級放大電路中 T1和T2管分別組成哪種基本接法的放大電路 設(shè)圖中所有電容對于交流信號均可視為短路 a 共射 共基 b 共射 共射 c 共射 共射 d 共集 共基 f 共基 共集 16 三 若電容Ce開路 則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化 如何變化 輸入電阻增大 電壓增益減小 頻帶變寬 17 四 放大電路如圖1所示 已知晶體管的 要求 1 試求放大電路的電壓放大倍數(shù) 輸入電阻 輸出電阻 2 設(shè)輸出電壓的波形出現(xiàn)如圖2的失真情況 試問改變偏流電阻的大小能否消除失真 為什么 若負載電阻和輸入信號均不變 怎樣才能消除上述失真 解 1 AU RC RL rbe 44 Ri RB rbe 1k Ro RC 3 3k 2 不能 因為現(xiàn)在同時出現(xiàn)飽和失真和截止失真 改變RB 只能使飽和失真或截止失真更厲害 增大電源的值或選用 小的管子 18 五 設(shè)下圖所示各電路的靜態(tài)工作點均合適 分別畫出它們的交流等效電路 并寫出Au Ri和Ro的表達式 解 電壓增益 輸入電阻 輸出電阻 19 20 21 Ri ri2 18 62 3 2 74k RE 15 ri2 2 12k Ri 750 rbe1 1 50 RE 98k 放大電路的增益 R0 4 3 rbe3 220 6 2 51 145 22 放大電路的頻率響應(yīng) 一 選擇正確答案填入空內(nèi) 1 對于單管共射放大電路 當f fL時 與相位關(guān)系是 A 45 B 90 C 135 當f fH時 與的相位關(guān)系是 A 45 B 135 C 225 C C 2 某共射放大電路的波特圖如右圖所示 其增益的表達式 23 5場效應(yīng)管放大電路 5 1金屬 氧化物 半導體場效應(yīng)管 Metal Oxide SemiconductorFieldEffectTransistor MOSFET MOS 5 3結(jié)型場效應(yīng)管 JunctionFieldEffectTransistor JFET 5 4砷化鎵金屬 半導體場效應(yīng)管 5 5各種放大器件電路性能比較 5 2MOSFET放大電路 24 5 1金屬 氧化物 半導體 MOS 場效應(yīng)管 5 1 1N溝道增強型MOSFET 5 1 5MOSFET的主要參數(shù) 5 1 2N溝道耗盡型MOSFET 5 1 3P溝道MOSFET 5 1 4溝道長度調(diào)制效應(yīng) 25 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 耗盡型 場效應(yīng)管的分類 26 5 1 1N溝道增強型MOSFET 1 結(jié)構(gòu) N溝道 L 溝道長度 W 溝道寬度 tox 絕緣層厚度 通常W L 27 5 1 1N溝道增強型MOSFET 剖面圖 1 結(jié)構(gòu) N溝道 符號 漏極d Drai