項(xiàng)目1任務(wù)4選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件--內(nèi)存.ppt

計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù) 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 內(nèi)存 知識(shí)目標(biāo) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 技能目標(biāo) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 1任務(wù)描述4 2相關(guān)知識(shí)4 3內(nèi)存的選購(gòu) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 1任務(wù)描述內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的核心部件之一 內(nèi)存的質(zhì)量決定了計(jì)算機(jī)能否充分發(fā)揮其工作性能 能否穩(wěn)定的工作 那么 如何認(rèn)識(shí)和選購(gòu)合適的內(nèi)存呢 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2內(nèi)存相關(guān)知識(shí)4 2 1內(nèi)存的分類4 2 2內(nèi)存的主要性能指標(biāo)4 2 3雙通道內(nèi)存4 2 4DDR3SDRAM內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)4 2 5DDR2SDRAM的主要參數(shù)4 2 6內(nèi)存芯片封裝4 2 7常見(jiàn)的DDRSDRAM內(nèi)存芯片4 2 8常見(jiàn)的DDR2 3SDRAM內(nèi)存標(biāo)識(shí) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 1內(nèi)存的分類1 按內(nèi)存的外觀分類 1 雙列直插內(nèi)存芯片 2 內(nèi)存模塊 內(nèi)存條 2 按工作原理分類 1 FPMDRAM FastPageModeDRAM 快速翻頁(yè)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 2 EDODRAM ExtendedDateOutDRAM 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 3 SDRAM SynchronousDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 4 DDR DoubleDataRate 雙倍數(shù)據(jù)速率 5 RDRAM RambusDRAM 存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 6 DDR2內(nèi)存 7 DDR3內(nèi)存條 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 2內(nèi)存的主要性能指標(biāo)1 容量2 內(nèi)存電壓3 內(nèi)存速度4 時(shí)鐘周期5 存取時(shí)間6 數(shù)據(jù)寬度和帶寬7 內(nèi)存的 線 數(shù)8 SPD SerialpresenceDetect 9 奇偶校驗(yàn) Parity 非奇偶校驗(yàn) Non Parity 10 ECC ErrorCheckingandCorrecting錯(cuò)誤檢查和糾正 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 1 容量每個(gè)時(shí)期內(nèi)存條的容量都分為多種規(guī)格 168線SDRAM內(nèi)存條常見(jiàn)的內(nèi)存容量有32MB 64MB 128MB 256MB 512MB甚至1GB 單條DDR和DDR2 3內(nèi)存條常見(jiàn)的內(nèi)存容量為128MB 256MB 512MB 1GB 2GB和4GB等幾種 主板上通常都至少提供兩個(gè)內(nèi)存插槽 因此 如果同時(shí)在計(jì)算機(jī)中安裝多條內(nèi)存 計(jì)算機(jī)中內(nèi)存的總?cè)萘渴撬袃?nèi)存容量之和 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 2 內(nèi)存電壓內(nèi)存能穩(wěn)定工作時(shí)的電壓叫內(nèi)存電壓 必須對(duì)內(nèi)存不間斷地進(jìn)行供電 才能保證其正常工作 SDRAM內(nèi)存一般使用3 3V電壓 RDRAM和DDR均采用2 5V工作電壓 DDR2采用1 8V工作電壓 DDR3采用1 5V工作電壓 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 3 內(nèi)存速度內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣 習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度 它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率 內(nèi)存主頻是以MHz為單位來(lái)計(jì)量的 內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快 內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高正常工作頻率 目前市面上的內(nèi)存最高能達(dá)到800MHz的主頻 而較為主流的是533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 時(shí)鐘周期內(nèi)存時(shí)鐘周期代表著內(nèi)存運(yùn)行的最大工作頻率 一般在內(nèi)存上標(biāo)識(shí)為 X X越小說(shuō)明內(nèi)存芯片所能運(yùn)行的頻率就越高 通常與內(nèi)存的運(yùn)行頻率成反比 對(duì)于一條DDR2來(lái)說(shuō) 它芯片上的標(biāo)識(shí) 5代表它可運(yùn)行的最高時(shí)鐘周期為5ns 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1 5 1000 200MHz 即可以在200MHz的外頻下正常工作 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 5 存取時(shí)間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間 不同于系統(tǒng)時(shí)鐘頻率 二者之間有著本質(zhì)的區(qū)別 6 數(shù)據(jù)寬度和帶寬內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù) 以bit為單位 內(nèi)存帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率 內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬與內(nèi)存的總線頻率和帶寬的計(jì)算公式為 內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬 總線頻率 帶寬位數(shù) 8 其中 總線頻率是指DDR333和DDR400中的數(shù)字 在選購(gòu)時(shí)要注意內(nèi)存的總線頻率要與CPU的前端總線頻率相匹配 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 7 內(nèi)存的 線 數(shù)內(nèi)存的 線 數(shù)是指內(nèi)存條與主板插接時(shí)的接觸點(diǎn)數(shù) 這些接觸點(diǎn)就是 金手指 目前 SDRAM內(nèi)存條采用168線 DDR內(nèi)存條采用184線 RDRAM內(nèi)存條采用184線 DDR2 3采用240線 8 SPD SerialpresenceDetect SPD是1個(gè)8針SOIC封裝的EEPROM芯片 容量為256字節(jié) 型號(hào)多為24LC01B 位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè) 里面主要保存了該內(nèi)存條的相關(guān)資料 如容量 廠商 工作速度 電壓與行 列地址 帶寬及是否具備ECC校驗(yàn)等 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 9 奇偶校驗(yàn) 非奇偶校驗(yàn)根據(jù)內(nèi)存中是否存在奇偶校驗(yàn)位 又可將DRAM分為非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存和奇偶校驗(yàn)內(nèi)存 非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存的每1字節(jié)只有8位 而奇偶校驗(yàn)內(nèi)存在每1字節(jié) 8位 外又額外增加了一位作為錯(cuò)誤檢測(cè)之用 10 ECC ErrorCheckingandCorrecting錯(cuò)誤檢查和糾正 ECC也是在原來(lái)的數(shù)據(jù)位上再外加若干位來(lái)實(shí)現(xiàn)的 對(duì)于8位數(shù)據(jù) 則需1位用于Parity檢驗(yàn) 5位用于ECC 這額外的5位是用來(lái)重建數(shù)據(jù)的 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 3雙通道內(nèi)存雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù) 它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用 在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長(zhǎng)一倍 雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià) 高性能的方案 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 4DDR3SDRAM內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)以一品牌為威剛 A DATA 的DDR3內(nèi)存條為例講述DDR3內(nèi)存條的結(jié)構(gòu) 如圖4 8所示 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 1 PCB板PCB板的電氣性能也是決定內(nèi)存穩(wěn)定性的關(guān)鍵 各種電子元件以及內(nèi)存芯片都集中在其中一面 導(dǎo)線則集中在另一面 內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的 PCB板設(shè)計(jì)很精密 采用了多層設(shè)計(jì) 例如 4層或6層等 其內(nèi)部也有金屬的布線 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 2 金手指金手指實(shí)際上是在一層銅皮 也叫覆銅板 上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金 因?yàn)榻鸩灰妆谎趸?具有超強(qiáng)的導(dǎo)通性 內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流 電子流正是通過(guò)金手指與內(nèi)存插槽的接觸點(diǎn)與PC機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行交換 作為輸出輸入端口 做工出色的內(nèi)存其金手指富有金屬光澤 圓潤(rùn)無(wú)毛刺 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 3 內(nèi)存芯片內(nèi)存上的芯片也稱為內(nèi)存顆粒 是內(nèi)存的靈魂所在 內(nèi)存的性能 速度 容量都是由內(nèi)存芯片決定的 內(nèi)存芯片上都印刷者芯片標(biāo)簽 這是了解內(nèi)存性能參數(shù)的重要依據(jù) 不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度 性能上也有很多不同 內(nèi)存芯片顆粒如圖4 9所示 圖4 9內(nèi)存芯片 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 內(nèi)存芯片空位一般內(nèi)存每面焊接8片內(nèi)存芯片 如果多出一個(gè)空位沒(méi)有焊接芯片 則這個(gè)空位是預(yù)留ECC校驗(yàn)?zāi)K的位置 5 電容PCB板上還有一些必不可少的電子元件就是電容和電阻 這是為了提高內(nèi)存條電氣性能 增加內(nèi)存抗電磁干擾的作用 電容一般在PCB邊緣以及DRAM芯片周?chē)?如圖4 10所示 圖4 10內(nèi)存條上的電容 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 6 電阻內(nèi)存上的電阻采用貼片式電阻 因?yàn)樵跀?shù)據(jù)傳輸?shù)倪^(guò)程中要對(duì)不同的信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配和信號(hào)衰減 所以很多地方都要用到電阻 一般好的內(nèi)存條電阻的分布規(guī)劃也很整齊合理 7 內(nèi)存固定卡缺口內(nèi)存條插到主板上后 主板上的內(nèi)存插槽會(huì)有兩個(gè)夾子牢固地扣住內(nèi)存 這個(gè)缺口便是用于固定內(nèi)存用的 8 內(nèi)存針腳缺口內(nèi)存針腳上的缺口一是用來(lái)防止內(nèi)存插反 二是用來(lái)區(qū)分不同的內(nèi)存 以前的SDRAM內(nèi)存條是有兩個(gè)缺口的 而DDR則只有一個(gè)缺口 不能混插 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 9 SPDSPD SerialPresenceDetect 串行存在檢測(cè) 是一個(gè)8針腳的小芯片 它實(shí)際上是一個(gè)EEPROM可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器 容量為256字節(jié) 可以寫(xiě)入一點(diǎn)信息 信息中包括芯片廠商 內(nèi)存廠商 工作頻率 容量 電壓 行地址 列地址數(shù)量 是否具備ECC校驗(yàn) 各種主要操作時(shí)序 如CL tRCD tRP tRAS 等 以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好地工作 10 標(biāo)簽內(nèi)存條上一般有芯片標(biāo)簽 通常包括廠商名稱 單片容量 芯片類型 工作速度 生產(chǎn)日期等內(nèi)容 其中還可能有電壓 容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識(shí)在里面 芯片標(biāo)簽是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 5DDR2SDRAM的主要參數(shù)1 CAS和RASCAS ColumnAddressStrobe或ColumnAddressSelect 列地址選通脈沖 在整個(gè)內(nèi)存矩陣中 CAS按列地址管理物理地址 因此在穩(wěn)定的基礎(chǔ)上 這個(gè)參數(shù)值越低越好 RAS RowAddressStrobe 行地址選通脈沖 在DRAM數(shù)據(jù)位中 用列地址和行地址的交叉點(diǎn)定位每個(gè)單元的存儲(chǔ)地址 行地址的選通由RAS控制 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 2 CAS等待時(shí)間CLCASLatency又稱為CAS的延遲時(shí)間 意思是CAS信號(hào)需要經(jīng)過(guò)多少個(gè)時(shí)鐘周期之后才能讀寫(xiě)數(shù)據(jù) 即縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間 同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù) 這個(gè)參數(shù)越小 內(nèi)存的速度越快 設(shè)置參數(shù)一般為 2 0 2 5 3 0 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 3 tRCDtRCD TimeofRAStoCASDelay 表示內(nèi)存RAS傳輸?shù)紺AS的延遲時(shí)間 該參數(shù)可以控制SDRAMRAS信號(hào)與CAS信號(hào)之間的延遲 一般為2 3 4 4 tRPtRP TimeofROWPrecharge 表示內(nèi)存RAS預(yù)充電時(shí)間 該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前RAS預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù) 一般為2 3 4 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 5 tRAStRAS TimeofRowActiveStrobetRAS 表示行地址選通脈沖時(shí)間 從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化RAS真正開(kāi)始接收數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間 一般為5 8 6 TCK即TCLK 系統(tǒng)時(shí)鐘周期 它可以反映內(nèi)存所能運(yùn)行的最大頻率 數(shù)字越小說(shuō)明內(nèi)存芯片所能運(yùn)行的頻率越高 許多內(nèi)存標(biāo)號(hào)的尾數(shù)就是tCK 如標(biāo)明 6 就說(shuō)明運(yùn)行時(shí)鐘周期為6ns 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 7 tACAccessTimefromCLK 最大CAS延遲時(shí)的最大訪問(wèn)時(shí)間 PC100規(guī)范要求在CL 3時(shí)tAC不大于6ns 而PC133規(guī)范要求tAC不超過(guò)5 4ns DDR內(nèi)存對(duì)tAC也有一定的要求 對(duì)于DDR266 tAC的允許范圍是 0 75ns 對(duì)于DDR333和DDR400 則是 0 7ns 8 BankBank數(shù)表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量 相當(dāng)于列的意思 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 9 ParityCheck奇偶校驗(yàn) 是通過(guò)在每1字節(jié)上加一個(gè)數(shù)據(jù)位對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行檢查的一種校驗(yàn)方法 這個(gè)附加位用來(lái)表示該字節(jié)中的 1 的數(shù)目是奇數(shù)還是偶數(shù) 通過(guò)這個(gè)附加位就可以驗(yàn)證讀寫(xiě)的過(guò)程中是否出現(xiàn)了錯(cuò)誤 奇偶校驗(yàn)內(nèi)存可以檢測(cè)出部分錯(cuò)誤 但不能糾正錯(cuò)誤 10 Bankinterleave在大量數(shù)據(jù)寫(xiě)入或讀取分散性數(shù)據(jù)的時(shí)候 如果在當(dāng)前Bank讀取完成后再轉(zhuǎn)移到其它Bank 就要經(jīng)過(guò)一個(gè)預(yù)充電時(shí)間 通過(guò)使不同Bank的讀取和預(yù)充電時(shí)間交錯(cuò)進(jìn)行而互不干擾 會(huì)減少充電周期對(duì)工作效率的影響 從而提高內(nèi)存的性能 常見(jiàn)的有2路Bankinterleave 4路Bankinterleave等模式 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 6內(nèi)存芯片封裝1 TSOP封裝2 BGA封裝3 CSP封裝 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 1 TSOP封裝TSOP ThinSmallOutlinePackage 薄型小尺寸封裝 封裝是在芯片的周?chē)龀鲠樐_ 采用SMT技術(shù) 表面安裝技術(shù) 直接附著在PCB的表面 是目前主流的封裝形式 改進(jìn)型的TSOP技術(shù)TSOPII目前廣泛應(yīng)用于SDRAM DDRSDRAM內(nèi)存上 如圖3 12所示 圖3 12TSOP內(nèi)存封裝技術(shù) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 2 BGA封裝BGA BallGridArrayPackage 球柵陣列封裝 封裝的最大特點(diǎn)是BGA芯片的邊緣沒(méi)有針腳 而是通過(guò)芯片下面的球狀引腳與印制板連接 目前DDR2采用的FBGA Fine PitchBallGridArray 細(xì)密球柵陣列封裝 封裝也屬于BGA體系 為BGA的改進(jìn)型 如圖3 13所示 圖3 13FBGA內(nèi)存封裝技術(shù) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 3 CSP封裝CSP ChipScalePackage 芯片級(jí)封裝 是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù) 該封裝比較脆弱 PCB板的變形有可能引起芯片破裂 目前該封裝技術(shù)主要用于DDR3內(nèi)存 如圖3 14技術(shù) 圖3 14CSP內(nèi)存封裝技術(shù) 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 7常見(jiàn)的DDRSDRAM內(nèi)存芯片雖然內(nèi)存條的品牌較多 如 Kingston 金士頓 Leadram 超勝 Samsung 三星 Apacer 宇瞻 Kingmax 勝創(chuàng) 等 但內(nèi)存芯片的制造商只有幾家 所以許多不同品牌的內(nèi)存條上焊接著相同型號(hào)的內(nèi)存芯片 常見(jiàn)的內(nèi)存芯片制造商有 Samsung MicronHynix 現(xiàn)代 MoselVitelic Infineon Nanya等 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 4 2 8常見(jiàn)的DDR2 3SDRAM內(nèi)存標(biāo)識(shí)各種內(nèi)存都有各自的編號(hào) 在內(nèi)存芯片上的編號(hào)提供了內(nèi)存關(guān)鍵參數(shù)的相關(guān)信息 主要包括 1 芯片的容量2 芯片的位寬3 芯片的邏輯Bank數(shù)量4 芯片的工作速度 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 1 海力士DDR2 3內(nèi)存編號(hào)例如 海力士DDR2內(nèi)存編碼規(guī)則 HYXXXXXXXXXXXXX XXX 第一字段 第1 2位 表示芯片品牌 HY代表海歷士 Hynix 內(nèi)存芯片 第二字段 第3 4位 表示芯片品牌產(chǎn)品類型 5P代表DDR2SDRAM內(nèi)存 第三字段 第5位 表示工作電壓 S代表VDD 1 8V VDDQ 1 8V 第四字段 第6 7位 表示容量與刷新速度 28代表128Mb 4K 64ms 56代表256Mb 8K 64ms 12代表512Mb 8K 64ms 1G代表1Gb 8K 64ms 2G代表2Gb 8K 64ms 第五字段 第8 9位 表示芯片結(jié)構(gòu) 4代表 4 8代表 8 16代表 16 32代表 32 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 第六字段 第10位 表示內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成 1代表2Bank 2代表4Bank 3代表8Bank 第七字段 第11位 表示電氣接口 1代表SSTL 18 2代表SSTL 2 第八字段 第12位 表示內(nèi)存芯片的修正版本 空白代表第一版 A代表第二版 B代表第三版 C代表第四版 第九字段 第13位 表示功率消耗能力 空白代表正常功耗 L代表低功耗 K代表ReducedPower 第十字段 第14位 表示內(nèi)存芯片的封裝方式 F代表FBGAsingleDie封裝 S代表FBGAStack封裝 Hynix M代表FBGADDP封裝 第十一字段 第15位 表示內(nèi)存芯片的封裝材料 空白代表正常 P代表Leadfree R代表Lead Halogenfree 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 第十二字段 第16 17位 表示內(nèi)存芯片的速度標(biāo)識(shí) E3代表DDR2 400 3 3 3 E4代表DDR2 400 4 4 4 C3代表DDR2 533 3 3 3 C4代表DDR2 533 4 4 4 C5代表DDR2 533 5 5 5 Y4代表DDR2 667 4 4 4 Y5代表DDR2 667 5 5 5 Y6代表DDR2 667 6 6 6 S5代表DDR2 800 5 5 5 S6代表DDR2 800 6 6 6 第十三字段 第18位 表示工作溫度類型 此字段也可空白 I代表工業(yè)溫度 400C 850C E代表擴(kuò)大溫度 250C 850C 例如 一條海力士DDR2內(nèi)存 使用HY5PS2G431CMP S6內(nèi)存芯片 表示一款DDR2800 容量2GB FBGA封裝的內(nèi)存 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 2 三星DDR2內(nèi)存編號(hào)三星DDR2內(nèi)存編碼規(guī)則 K4TXXXXXXX XXXX 如下 第一字段 第1位 表示芯片品牌 K代表是三星內(nèi)存芯片 第二字段 第2位 表示芯片類型 4代表DRAM 第三字段 第3位 表示芯片的細(xì)分類型說(shuō)明 T代表DDR2SDRAM 第四字段 第4 5位 表示容量 56代表256Mb 51代表512Mb 1G代表1Gbit 2G代表2Gb 4G代表4Gb 單元2 選購(gòu)計(jì)算機(jī)硬件 第五字段 第6 7位 表示芯片結(jié)構(gòu) 位寬 08代表 8 16代表 16 32代表 32 第六字段 第8位 表示邏輯Bank數(shù)量 3代表4Bank 4代表8Bank 第七字段 第9位 表示接口類型與電壓 Q代表SSTL 1 8V 1 8V 1 8V 第八字段 第10位 表示產(chǎn)品版本 字母越靠后越新 用M A B C D E F G H Q分別代表第1 2 3 4 5 6 7 8 9 17版 第九字段 第11位 表示封裝類型 Z代表FBGA Lead free J代表FBGADDP Lead free H代表FBGA Lead free Halogen free M代表FBGADDP Lead f