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PCB中EMC設(shè)計(jì)參考一: 電源地的處理1. CGND和邏輯信號(hào)部分的PCB走線間隔最小為內(nèi)層27mil,表層和底層為50mil,耐壓可達(dá)1400伏。2. 電源模塊下方的內(nèi)電地層都挖空,地層無(wú)法很好隔離低頻噪聲。3. 電源模塊如果采取金屬屏蔽外殼封裝,則電源模塊外殼加0歐姆電阻選擇接CGND或DGND,封裝用1206。4 在頻率非常高的時(shí)候,使用電源層和地層直接疊層形成的大電容濾波。 5上下邊和面板邊CGND加寬和加厚,表層和底層都要加CGND邊,至少每隔2CM打一個(gè)過(guò)孔,越多越好。在面板定位孔附近必須用CGND完全覆蓋,充分接觸。6 CGND下方電源分層挖空,再往里是DGND(間距為20-25mil),接著是各類電源(同樣間距20-25mil),最后是電源部分。7 上述CGND和DGND之間每隔一定距離加一個(gè)0.1uF和22pF電容,電容耐壓至少大于50V。8 加強(qiáng)筋上邊直接接CGND,中間和下邊用0.1uF和22pF電容接到DGND上。9 CGND和DGND在單板側(cè)不可以用大電阻連接,在背板側(cè)可以添加1M的大電阻相連。10 盡量避免過(guò)孔過(guò)密引起地層的中斷,會(huì)大大影響到信號(hào)回路,設(shè)置好過(guò)孔和電地層的間距。11 插座上取消使用CGND引腳。12 -48V濾波電路統(tǒng)一參考標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),注意輸出到每個(gè)電源模塊需單獨(dú)添加47uF和0.1uF的電容濾波。13 在關(guān)鍵電路的電源濾波中,考慮使用NPO介質(zhì)的電容濾波,其濾波性能受到溫度影響較小。14 對(duì)于PLL等對(duì)低頻噪聲也敏感的電路,用磁珠隔離電源效果不好,推薦用電感、電阻和電容組成的濾波網(wǎng)絡(luò)。參考電路如下所示。 14 在背板設(shè)計(jì)中, Top和Bottom盡可能用CGND鋪銅鋪蓋, 用過(guò)孔至少2CM間隔相連,15 不同芯片的模擬部分供電需單獨(dú)濾波提供。二: 接口電路處理1. 使用SFP模塊時(shí),兩個(gè)之間不能緊挨著放,之間必須有面板間隔。2. 在SFP模塊下方的4層內(nèi)層PCB不要有任何網(wǎng)絡(luò),表層和底層可鋪CGND,但在靠近插座位置不要鋪CGND,插座位置的信號(hào)線走線要從插座正后方走線,最好不要從側(cè)面走線,以保證和SFP模塊外殼引腳的最小間隙。3 SFP下方走信號(hào)線時(shí)用DGND平面隔離。4 所有的外接LED燈需要加磁珠隔離。5 使用同軸頭時(shí),都要用螺母和面板條接觸緊密,可以不用保護(hù)器件。6 RS232接口處理:所有RS232口在適配器上網(wǎng)口入口處收發(fā)線對(duì)邏輯地分別接過(guò)壓保護(hù)器件,型號(hào)為GBLC24C,然后再加磁珠。 電路圖如下7 網(wǎng)口處理電路選用帶變壓器的RJ45網(wǎng)口,網(wǎng)口變壓器初級(jí)線圈中間抽頭都通過(guò)磁珠接AVCC_2.5,網(wǎng)口從PHY到變壓器的發(fā)送側(cè)匹配阻容放在變壓器附近,接收側(cè)匹配阻容放在PHY附近參考電路如下82M數(shù)據(jù)接口電路接口電路可以參考如下圖所示75,120歐姆匹配通過(guò)更改R7 的電阻值實(shí)現(xiàn)。9 2M專線電路處理 2M專線時(shí)鐘在適配器上輸入口再加過(guò)壓保護(hù)器件和共模抑制電感,共模抑制電感用murata的,型號(hào)為DLP31SN121SL2。參考電路如下圖所示:10 在接口側(cè)的變壓器,在接口端應(yīng)鋪CGND處理,變壓器底部盡可能掏空,內(nèi)側(cè)下方用鋪DGND。11 接插件所有外殼都需和外殼地充分接觸, RJ45接插件需要使用帶彈片的類型。12 使用帶屏蔽的線纜時(shí),屏蔽層必須保證在兩端均接地良好。三, 其他處理1 大的過(guò)孔會(huì)形成大電感,所以無(wú)論信號(hào)線還是電源都盡量使用小過(guò)孔,只要廠家的工藝允許。經(jīng)過(guò)和快捷的交流,過(guò)

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