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文檔簡介
功能高分子材料除一般的結(jié)構(gòu)材料外,一些高分子材料還具有光電磁等性能。例如在製造集成電路時高分子感光材料在光刻過程中被大量使用。導(dǎo)電高分子材料和有機(jī)半導(dǎo)體打開了單分子電路的大門。有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料為顯示器件打開了一個大幅度降低成本的大門。高分子壓電材料則為力與電的轉(zhuǎn)換提供了新的途徑。高分子熱電材料則提供了新的熱電轉(zhuǎn)換途徑。光高分子發(fā)光二極體高分子發(fā)光二極體(Polymer Light-emitting diode)是有機(jī)發(fā)光二極體(OLED)的一種。高分子發(fā)光二極體同小分子有機(jī)發(fā)光二極體相比具有造價更低,加工更簡單的優(yōu)點。液晶顯示材料高分子液晶材料具有普通液晶材料的光學(xué)特性,但是由於轉(zhuǎn)變速度比較慢,因此通常用於對顯示轉(zhuǎn)變速度要求不高的場合。非線性光學(xué)高分子材料光阻(photoresist)光阻是在積體電路生產(chǎn)過程中把掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到矽片或者其他基底上使用的高分子材料。大部分在積體電路中應(yīng)用的光阻對紫外線敏感。光阻有正型光阻和負(fù)型光阻兩種。正型光阻在受到紫外光UV照射後會分解,因此可以溶解於顯影劑中.而負(fù)型光阻在受到紫外光照射後則會交聯(lián),因此照光的地方會硬化,無法溶解於顯影劑中.電介電材料與高分子低介電常數(shù)材料低介電常數(shù)材料(low-K 材料)是當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)研究的熱門話題。通過降低積體電路中使用的介電材料的介電常數(shù),可以降低積體電路的漏電電流,降低導(dǎo)線之間的電容效應(yīng),降低集成電路發(fā)熱等等。低介電常數(shù)材料的研究是同高分子材料密切相關(guān)的。傳統(tǒng)半導(dǎo)體使用二氧化矽作為介電材料,二氧化矽的介電常數(shù)約為4。真空的介電常數(shù)為1,乾燥空氣的介電常數(shù)接近於1。SiLKSiLK是Dow Chemical開發(fā)的一種低介電常數(shù)材料,目前廣泛用於集成電路生產(chǎn)。目前已知SiLK是一種高分子材料,但是具體結(jié)構(gòu)仍然是秘密。SiLK的介電常數(shù)為2.6。目前已知SiLK是一種芳香族熱固性材料,含不飽和鍵,不含氟,不含氧和氮。SiLK以寡聚物溶液的形式提供,通過甩膠到矽片上後在氮氣下加熱到320攝氏度去除溶劑並初步交聯(lián)。最終需要在400攝氏度以上保溫來完成交聯(lián)。Porous SiLK與Porous MSQ通過在SiLK中添迦納米級空洞可以進(jìn)一步降低介電常數(shù)。目前Porous SiLK的介電常數(shù)為2.2。MSQ是methylsilsesquioxane的縮寫,這是一種矽基高分子材料,通過在MSQ中添迦納米級空洞,Porous MSQ的介電常數(shù)可以達(dá)到2.2-2.5。奈米級空洞通常是通過合成嵌段共聚物的辦法來實現(xiàn)的。高介電常數(shù)材料PVDF是一種具有高介電常數(shù)的高分子材料,其介電常數(shù)可以達(dá)到10。導(dǎo)電高分子材料導(dǎo)電高分子材料是一類具有接近金屬導(dǎo)電性的高分子材料。同金屬相比高分子材料具有低密度,低價格,高可加工性等優(yōu)點。純高分子導(dǎo)電高分子材料純高分子導(dǎo)電高分子材料通過鍵電子的運動導(dǎo)電。主要包括聚乙炔類導(dǎo)電高分子材料,聚噻吩類導(dǎo)電高分子材料,聚吡咯類導(dǎo)電高分子材料,聚苯胺類導(dǎo)電高分子材料以及Poly (arylene vinylene)類導(dǎo)電高分子材料。純高分子導(dǎo)電高分子材料可以用於金屬防腐塗層,儲能元件,探測器,電化學(xué)器件,非線性光學(xué),電磁屏蔽等應(yīng)用。導(dǎo)電高分子複合材料通過在高分子中攙雜金屬或碳類導(dǎo)電添加物(活性炭,碳纖維,碳奈米管等)普通高分子材料也可以具有導(dǎo)電性質(zhì)。壓電與電致伸縮材料PVDF是一種具有壓電與電致伸縮效應(yīng)的高分子材料。具有壓電效應(yīng)的材料可以把機(jī)械形變能轉(zhuǎn)化成電能,具有電致伸縮效應(yīng)的材料可以把電能轉(zhuǎn)化成機(jī)械形變能。磁鐵磁性高分子最早報導(dǎo)於2001年,(Science 16 November 2001; 294: 1503-1505)。這種高分子也是一種共軛高分子。參見Magn
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